XI International PhD Workshop OWD 2009, October Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky ego. temperatur
|
|
- Grzegorz Turek
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 XI International PhD Workshop OWD 2009, October 2009 Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky ego z węglika krzemu uzyskanych metodami grzania przerywanego oraz ciągłego w szerokim zakresie temperatur mgr inŝ. Maciej Oleksy, Politechnika Koszalińska (2004, prof. dr hab inŝ Włodzimierz Janke, Politechnika Koszalińska) Abstract In the paper, the comparison of transient thermal impedance curves obtained through different methods for SiC Schottky diodes in wide temperature range is presented. Silicon carbide is a very promising material for electronics because of wide band-gap, high value of critical electric field and very good thermal conductivity. The potential applications of SiC devices in high temperature environments seem to be especially attractive, therefore the thermal characteristics of these devices are of great importance. The first types of commercially available SiC semiconductor devices are Schottky diodes. Schottky SiC diodes are becoming more important not only because their higher ambient temperature limits (200ºC as compared to 150ºC for Si) but also because of low accumulated charge and almost zero recovery current, that doesn t grow with temperature increase. The subjects of measurements are Schottky diodes CSD06060, CSD04060 (both Cree), SDT04S60 (Infineon) all in packages TO 220. In the investigation of thermal transient characteristics transient switched heating and cooling mode were used. Presented results show that both of those methods can be used with adequate precision, regardless of ambient temperature. Streszczenie W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia za pomocą metody przerywanego grzania oraz metody studzenia. Scharakteryzowano krótko parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na te parametry, które powinny decydować o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, stanowisko badawcze oraz wyniki badań impedancji termicznej otrzymane za pomocą obu metod dla kilku typowych diod Schottky ego w zakresie temperatur otoczenia od 25 C do 300 C. 1. Wiadomości wstępne Diody Schottky ego są szeroko stosowane w układach impulsowego przetwarzania mocy. Główną ich zaletą, w porównaniu z diodami ze złączem p-n jest większa szybkość działania. Ograniczenia w zastosowaniach tradycyjnych diod Schottky ego opartych na krzemie wynikają ze stosunkowo małych wartości napięć dopuszczalnych dla kierunku zaporowego. Produkowane od kilku lat diody Schottky ego z węglika krzemu (SiC) umoŝliwiają pogodzenie wymagań na duŝą szybkość przełączania i duŝe napięcie dopuszczalne. Parametry fizyczne monokrystalicznych odmian węglika krzemu mają istotny wpływ na moŝliwe do uzyskania parametry elementów energoelektronicznych z tego materiału. Porównanie wybranych parametrów krzemu i węglika krzemu (odmiana 4H) przedstawiono w tabeli 1 [3],[4]. Koncentracja n i nośników w materiale samoistnym oraz krytyczne natęŝenie pola E Kr są powiązane z szerokością pasma zabronionego WG. Mniejsza wartość ni w temperaturze pokojowej oznacza Ŝe temperatura przejścia warstwy domieszkowej w stan samoistny jest wyŝsza co stwarza moŝliwość poprawnej pracy 290
2 struktur złączowych z SiC w wysokich temperaturach (potencjalnie nawet do C). Tabela 1. Parametry fizyczne krzemu i węglika krzemu Table 1. Physical parameters of silicone and silicone carbide WG λ ni(300k) [ev] [W/cmK] [cm-3] Si SiC (4 H) EKr [MV/cm] Tabela 2. Parametry elektryczne badanych diod w jednostkach Si Table 2. Electrical parameters of investigated diodes in International System of Units CSD CSD SDT 04S60 Producent Cree Cree Infineon Większa wartość krytycznego natęŝenia pola E Kr oznacza moŝliwość uzyskiwania struktur złączowych z SiC o większych napięciach przebicia niŝ analogiczne struktury z krzemu, przy tych samych wymiarach struktury. Większe wartości konduktywności cieplnej λ oznaczają z kolei moŝliwość uzyskiwania mniejszych rezystancji termicznych elementów z SiC w porównaniu z elementami krzemowymi, co umoŝliwia pracę przy większych gęstościach mocy [5]. Diody Schottky ego (zarówno w wersji Si jak i SiC) są szybsze od diod ze złączem p-n o porównywalnych prądach dopuszczalnych, ze względu na brak efektu gromadzenia nadmiarowych nośników mniejszościowych. Oferowane obecnie do sprzedaŝy wysokonapięciowe diody Schottky ego z SiC (np. typu C2D05120 firmy CREE) mają napięcia dopuszczalne w kierunku zaporowym VRRM=1200V czyli wartości nieosiągalne dla diod Schottky ego na bazie krzemu. Realizacja diod Schottky ego z SiC umoŝliwia połączenie duŝej szybkości przełączania i duŝych napięć dopuszczalnych nie dające się uzyskać w technologii krzemowej. Stwarza to szanse na poprawę parametrów niektórych typów układów energoelektronicznych (np. przetwornic DC-DC, układów prostowniczych z aktywną korekcją PF, inwerterów, itp.) [1]. Wadą diod Schottky ego z SiC w porównaniu z ich odpowiednikami krzemowymi są większe spadki napięcia w stanie przewodzenia (np. spadek napięcia na diodzie 6TQ045 Si przy 1A wynosi ok. 0.3V, w diodzie CSD06060 SiC wynosi on 1V). Parametr Symbol Wartość Wartość Wartość Powtarzalne wsteczne napięcie szczytowe Średni prąd przewodzenia (T C =25 C) (T C =100 C) (T C =150 C) Moc maksymalna (T C =25 C) (T C =125 C) Dozwlona temperatura złącza V RRM I F 7 4 P tot T J, T stg 62,5 20,8-55 do ,3 27,8-55 do ,8 36,5-55 do +175 Stanowisko do badań właściwości cieplnych diod składa się z dwóch głównych części: urządzenia pomiarowego MPIT [2] komputera sprzęŝonego z kartą przetworników AC/CA Schemat urządzenia pomiarowego oraz metodę pomiarową przedstawia rysunek Stanowisko Obiektem badań przejściowych charakterystyk termicznych były diody Schottky ego firmy Cree oraz Infineon o tych samych obudowach TO-220. Podstawowe parametry elektryczne badanych diod przedstawione zostały w tabeli 2. Rys.1. Schemat ideowy miernika MPIT Fig.1. Idea behind MPIT measurement device gdzie: IM - źródło prądu pomiarowego, IH - źródło prądu grzejnego, 291
3 SW - klucz półprzewodnikowy, D.U.T. Device Under Test (badany element), VF napięcie mierzone na D.U.T. W eksperymencie wykorzystaliśmy następujące tryby pomiarowe: A) tryb impulsowy z regulowanym czasem pobudzania, B) tryb rejestracji przejściowej charakterystyki chłodzenia. Metoda z przełączaną mocą grzewczą (A) polega na wydzieleniu we wnętrzu diody znanej mocy grzejnej a następnie rejestrację zmian napięcia (V F) na złączu p-n podczas krótkich przerw w nagrzewaniu przy prądzie pomiarowym (I M). W ten sposób przy załoŝeniu t on >> t off otrzymamana krzywa nagrzewania jest bardzo zbliŝona do rzeczywistej krzywej impedancji termicznej. Zaletą tej metody jest łatwość kalibracji, jej wadą zaś są duŝe wymagania odnośnie szybkości przełączania wydzielanej mocy w omawianym systemie maksymalna częstotliwość próbkowania przy uŝyciu tej metody wynosiła 100Hz (minimalny czas t off wynosi 1ms z powodu występowania stanów nieustalonych podczas przełączania szczególnie duŝych mocy grzewczych, co przy 100Hz daje nam wypenienie rzędu 90%), co nie pozwalało na pomiary szybkich charakterystyk przejściowej impedancji termicznej. Przejściowe charakterystyki chłodzenia elementów półprzewodnikowych (B) otrzymywane są w wyniku pomiarów wartości napięcia (VF) na przewodzącym złączu p-n po wyłączeniu mocy grzewczej przy prądzie pomiarowym (I M). Jest to jednak najprostszy sposób pośredniego pomiaru przejściowej charakterystyki termicznej przy bardzo szybkich zmianach temperatury wnętrza elementu. Przejściowa impedancja termiczna jest wyznaczana na podstawie pomiaru krzywej chłodzenia w sposób opisany w [2]. NatęŜenie prądu grzejnego (IH) w złączu moŝe być regulowane w przedziale A, a prądu pomiarowego (IM) ma. Pomiar napięcia na złączu p-n odbywa się w układzie róŝnicowym. Jako napięcie odniesienia wykorzystuje się napięcie na złączu diody tego samego typu, co dioda badana. Urządzenie pomiarowe jest sterowane przez dwuprocesorową (Intel 2.4GHz HT) stację roboczą wyposaŝoną w kartę pomiarową typu NI 6115 X- PCI firmy National Instruments. Posiadany osprzęt umoŝliwia pomiary z minimalnym odstępem pomiędzy próbkami rzędu 0.2µs (5MHz) [2]. Badane diody mocowano na radiatorze A4062 o długości 10cm, którego temperaturę kontrolowano termometrem HartScientific 1522 wyposaŝonego w sondę pomiarową FLUKE 5628 ( 200 C do 660 C ±0.01 C). Zostały one umieszczone w komorze temperaturowej firmy Nabertherm typu N30/85HA. Przeprowadzone pomiary odbywały się w temperaturach wnętrza komory, od 25 C do 300 C z dokładnością ±0.1 C. Prąd oraz napięcie na diodzie w trakcie grzania kontrolowano multimetrami 8 ½ cyfry firmy Agilent oraz 5 ½ Fluke. Widok wnętrza komory temperaturowej wraz z dodatkową sondą temperaturową mocowaną na radiatorze przedstawia rys.2. Rys.2. Komora temperaturowa wraz z radiatorem i elementem badanym. Fig.2. Temperature chamber along with radiator and device under test. Przed umocowaniem diod wyrównywano powierzchnię radiatora papierem ściernym o gramaturze 1000 oraz gąbką polerską. Nie stosowano past termoprzewodzących, które są przewidziane dla węŝszego zakresu temperatur. Siła docisku diody do radiatora za pomocą płytki miedzianej o grubości 5mm zwiększano stopniowo aŝ do momentu, gdy dalsze zwiększanie docisku nie zmieniało rezystancji termicznej. Zbieranie próbek w przypadku metody studzenia rozpoczynano ok 1ms przed wyłączeniem mocy grzewczej, a do obliczeń Zth wykorzystywano próbki otrzymane po zakończeniu elektrycznych stanów nieustalonych związanych z przełączeniem mocy. 3. Wyniki pomiarów Na rysunkach 3, 4 oraz 5 przedstawiono reprezentatywne przykłady pomiarów przejściowej impedancji termicznej dla diod Schottky ego wykonanych z węglika krzemu firm Cree oraz Infineon w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Wszystkie rysunki przedstawiają zarówno przebiegi impedancji termicznej uzyskane za pomocą metody studzenia (linie czarne) jak i metody grzania przerywanego (linie szare). 292
4 Rys.3. Przejściowa impedancja termiczna diody CSD04060 (Cree) zmierzona metodą przerywanego grzania (krzywe szare) oraz metodą studzenia (krzywe czarne). Fig.3. Thermal transient impedance of CSD4060 (Cree) diode measured by switched heating (grey curves).and cooling method (black lines) Rys.4. Przejściowa impedancja termiczna diody CSD06060 (Cree) zmierzona metodą przerywanego grzania (krzywe szare) oraz metodą studzenia (krzywe czarne). Fig.4. Thermal transient impedance of CSD6060 (Cree) diode measured by switched heating (grey curves).and cooling method (black lines) 293
5 Rys.5. Przejściowa impedancja termiczna diody SDT04S60 (Infineon) zmierzona metodą przerywanego grzania (krzywe szare) oraz metodą studzenia (krzywe czarne). Fig.5. Thermal transient impedance of SDT04S60 (Infineon) diode measured by switched heating (grey curves).and cooling method (black lines) Dla wszystkich przedstawionych diod uzyskano dobrą zgodność krzywych impedancji termicznej uzyskanych za pomocą obu przedstawionych metod. Krzywe uzyskane za pomocą metody grzania przerywanego, ze względu na 90% wypełnienie krzywej mocy zostały przemnoŝone przez współczynnik korygujący równy Na podstawie uzyskanych wyników moŝna wnioskować iŝ korzystanie z metody studzenia do wyznaczania przebiegu impedancji termicznej nie będzie obarczone duŝym błędem, niezaleŝnie od temperatury otoczenia w której znajduje się dioda. Twierdzenie to jest prawdziwe dla niewielkich nadwyŝek temperatury struktury półprzewodnikowej ponad temperaturę otoczenia (rzędu 10 ºC) w którym to przypadku efekty nieliniowości parametrów termicznych nie mają istotnego wpływu na uzyskane wyniki. We wszystkich przedstawionych przypadkach moŝemy zaobserwować podobne zaleŝności pomiędzy krzywymi impedancji termicznej wyznaczanej za pomocą róŝnych metod. Dla niskich temperatur otoczenia (T A poniŝej 100ºC) krzywe impedancji termicznej wyznaczone za pomocą metody grzania przerywanego (Z thp) na odcinku do ok. 300ms leŝą ponad krzywymi wyznaczonymi metodą studzenia (Z thc). Ich dość dokładne pokrycie następuje w okolicach T A=100 ºC. PowyŜej tej temperatury krzywe Z thp na tym samym odcinku czasu leŝą poniŝej krzywych Z thc. Zjawisko to jest spowodowane nieliniowością parametrów termicznych materiałów wchodzących w skład obudowy i samej struktury diod. 4. Wnioski Pomiary przejściowej impedancji termicznej diod Schottky ego z SiC omówione w pracy przeprowadzono w zakresie temperatur otoczenia do 300 C, znacznie szerszym niŝ dopuszczalny zakres temperatur określony przez producentów. Zaobserwowano wyraźny wpływ temperatury otoczenia na przebieg impedancji termicznej, który jednak miał niewielki wpływ na zgodność przebiegów impedancji termicznej wyznaczanej róŝnymi metodami. Pomiary wykazały, Ŝe metody grzania ciągłego oraz studzenia moŝna stosować wymiennie w zaleŝności od potrzeb. Metoda studzenia jako 294
6 łatwiejsza w kalibracji oraz umoŝliwiająca pobieranie próbek ze znacznie wyŝszą częstotliwością jest szczególnie atrakcyjna. Literatura 1. R. Singh, J. Richmond, SiC Power Schottky Diodes in Power Factor Correction Circuits, Cree Inc. Application Notes 2. M. Oleksy, J. Kraśniewski, Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur, VI Krajowa Konferencja Elektroniki czerwca Basic mechanical and thermal properties of silicon, Virginia Semicond. Inc. 4. Semiconductor materials overview, Cree Inc. 5. W. Janke, Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, Wydawnictwa Naukowo Techniczne, Warszawa Adres słuŝbowy Autora: mgr inŝ. Maciej Oleksy Technical University of Koszalin ul. Śniadeckich Koszalin tel. (094) fax (094) oleksy@ie.tu.koszalin.pl 295
WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET
Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji
Bardziej szczegółowoOCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 84 Electrical Engineering 2015 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU W pracy przedstawiono
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173831 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 304562 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 03.08.1994 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G01R 31/26 (54)
Bardziej szczegółowoMetodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy
Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy dr inż. MIECZYSŁAW NOWAK, prof. dr hab. inż. ROMAN BARLIK, dr inż JACEK RĄBKOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoDiody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ
Diody 1 Diody prostownicze Ogólna charakterystyka Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. W domyśle rozumie się prostowanie prądu o małej częstotliwo stotliwości
Bardziej szczegółowoWPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
ELEKTRYKA 21 Zeszyt 3 (215) Rok LVI Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoUT 30 B UT 30 C UT 30 D UT 30 F
MULTIMETRY CYFROWE UT 30 B UT 30 C UT 30 D UT 30 F INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczących parametrów technicznych, sposobu uŝytkowania oraz bezpieczeństwa pracy. Strona
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień (I): 1.
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH
Ewa Krac, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni PARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej
Bardziej szczegółowoWęglik krzemu w energoelektronice nadzieje i ograniczenia
Włodzimierz JANKE Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki Węglik krzemu w energoelektronice nadzieje i ograniczenia Streszczenie. Węglik krzemu jest materiałem półprzewodnikowym, który
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 1 Temat: PRZYRZĄDY POMIAROWE Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Wprowadzenie
Bardziej szczegółowoPomiar wielkości nieelektrycznych: temperatury, przemieszczenia i prędkości.
Zakład Napędów Wieloźródłowych Instytut Maszyn Roboczych CięŜkich PW Laboratorium Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie E3 - protokół Pomiar wielkości nieelektrycznych: temperatury, przemieszczenia i
Bardziej szczegółowoPOMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia
Pomiar napięć stałych 1 POMIA NAPIĘCIA STAŁEGO PZYZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFOWYMI Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie: - parametrów typowych woltomierzy prądu stałego oraz z warunków poprawnej ich
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoOpis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)
Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia
Bardziej szczegółowoSAMOCHODOWY MULTIMETR DIAGNOSTYCZNY AT-9945 DANE TECHNICZNE
SAMOCHODOWY MULTIMETR DIAGNOSTYCZNY AT-9945 DANE TECHNICZNE Przyrząd spełnia wymagania norm bezpieczeństwa: IEC 10101-1 i EN-PN 61010-1. Izolacja: podwójna, druga klasa ochronności. Kategoria przepięciowa:
Bardziej szczegółowoPrzetwarzanie AC i CA
1 Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Katedr Przetwarzanie AC i CA Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 1. Cel ćwiczenia 2 Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoKT 33 MULTIMETRY CYFROWE INSTRUKCJA OBSŁUGI. Strona 1
MULTIMETRY CYFROWE KT 33 INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczących parametrów technicznych, sposobu uŝytkowania oraz bezpieczeństwa pracy. Strona 1 1. WPROWADZENIE: Mierniki
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoWPŁYW OBRÓBKI TERMICZNEJ ZIEMNIAKÓW NA PRĘDKOŚĆ PROPAGACJI FAL ULTRADŹWIĘKOWYCH
Wpływ obróbki termicznej ziemniaków... Arkadiusz Ratajski, Andrzej Wesołowski Katedra InŜynierii Procesów Rolniczych Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie WPŁYW OBRÓBKI TERMICZNEJ ZIEMNIAKÓW NA PRĘDKOŚĆ
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE
PROFESJONALNY MULTIMETR CYFROWY ESCORT-99 DANE TECHNICZNE ELEKTRYCZNE Format podanej dokładności: ±(% w.w. + liczba najmniej cyfr) przy 23 C ± 5 C, przy wilgotności względnej nie większej niż 80%. Napięcie
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIODY SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU Z WYKORZYSTANIEM MODELU ELEKTROTERMICZNEGO
Janusz Zarębski, Jacek Dąbrowski Akademia Morska w Gdyni WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIODY SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU Z WYKORZYSTANIEM MODELU ELEKTROTERMICZNEGO W artykule przedstawiono sformułowany
Bardziej szczegółowoModelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych
dr hab. inż. Krzysztof Górecki, prof. nadzw. AMG mgr inż. Przemysław Ptak Wydział Elektryczny Akademia Morska w Gdyni ul. Morska 83, 81-225 Gdynia Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych
Bardziej szczegółowoLaboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
Bardziej szczegółowoMULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI
MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. SPECYFIKACJE 1.1. Specyfikacje ogólne. Zasada pomiaru: przetwornik z podwójnym całkowaniem; Wyświetlacz: LCD, 3 3 / 4 cyfry; Maksymalny odczyt: 3999;
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowo. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α
2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoUT 33 B UT 33 C UT 33 D
MULTIMETRY CYFROWE UT 33 B UT 33 C UT 33 D INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczących parametrów technicznych, sposobu uŝytkowania oraz bezpieczeństwa pracy. Strona 1 1.WPROWADZENIE:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoKT 30 MULTIMETRY CYFROWE INSTRUKCJA OBSŁUGI. Strona 1
MULTIMETRY CYFROWE KT 30 INSTRUKCJA OBSŁUGI Instrukcja obsługi dostarcza informacji dotyczących parametrów technicznych, sposobu uŝytkowania oraz bezpieczeństwa pracy. Strona 1 1.WPROWADZENIE: Mierniki
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.
Prostowniki. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem transformatora
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoGotronik. UT195DS multimetr cyfrowy uniwersalny Uni-t
UT195DS multimetr cyfrowy przemysłowy Cena : 700,00 zł Nr katalogowy : UT195DS Producent : Uni-t Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : wysoki Średnia ocena : brak recenzji Utworzono 31-12-2017 UT195DS
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA
POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA ĆWICZENIE LABORATORYJNE NR 6 Temat: Pomiar zależności oporu półprzewodników
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoPiezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia
MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 3 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. W ćwiczeniu zostaną
Bardziej szczegółowoWYKORZYSTANIE MULTIMETRÓW CYFROWYCH DO POMIARU SKŁADOWYCH IMPEDANCJI
1 WYKORZYSTAIE MULTIMETRÓW CYFROWYCH DO POMIARU 1. CEL ĆWICZEIA: SKŁADOWYCH IMPEDACJI Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z możliwościami pomiaru składowych impedancji multimetrem cyfrowym. 2. POMIARY
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody II stopnia z rozwiązaniami Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów:
Bardziej szczegółowoPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU W PRZEKSZTAŁTNIKACH ENERGOELEKTRONICZNYCH
Andrzej MICHALSKI Krzysztof ZYMMER PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU W PRZEKSZTAŁTNIKACH ENERGOELEKTRONICZNYCH STRESZCZENIE W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoW2. Wiadomości nt. doboru termicznego (część 1)
W2. Wiadomości nt. doboru termicznego (część 1) Wstęp: Zgodnie z podanym w pierwszym wykładzie stwierdzeniem, kluczowym zagadnieniem przy projektowaniu przekształtnika jest przeprowadzenie obliczeń termicznych
Bardziej szczegółowoPOMIARY REZYSTANCJI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia
Pomiary rezystancji 1 POMY EZYSTNCJI Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie typowych metod pomiaru rezystancji elementów liniowych i nieliniowych o wartościach od pojedynczych omów do kilku megaomów,
Bardziej szczegółowoNOWE METODY KSZTAŁTOWANIA CHARAKTERYSTYK CZUŁOŚCI WIDMOWEJ FOTOODBIORNIKÓW KRZEMOWYCH
Roman BRACZKOWSKi NOWE METODY KSZTAŁTOWANIA CHARAKTERYSTYK CZUŁOŚCI WIDMOWEJ FOTOODBIORNIKÓW KRZEMOWYCH STRESZCZENIE W referacie omówię nowe fotoodbiorniki z kształtowaniem charakterystyk czułości widmowej.
Bardziej szczegółowoR 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.
EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoBADANIA PRZYDATNOŚCI WYBRANYCH PRZETWORNIKÓW PRĄDU DO CELÓW DIAGNOSTYKI ŁOśYSK W SILNIKU INDUKCYJNYM
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej Nr 0 XIV Seminarium ZASTOSOWANIE KOMPUTERÓW W NAUCE I TECHNICE 004 Oddział Gdański PTETiS BADANIA PRZYDATNOŚCI WYBRANYCH PRZETWORNIKÓW
Bardziej szczegółowoWPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM
2/1 Archives of Foundry, Year 200, Volume, 1 Archiwum Odlewnictwa, Rok 200, Rocznik, Nr 1 PAN Katowice PL ISSN 1642-308 WPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM D.
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoCYFROWY MULTIMETR Z PRZYSTAWK
CYFROWY MULTIMETR Z PRZYSTAWKĄ CĘGOWĄ M-97 #02974 INSTRUKCJA OBSŁUGI! OSTRZEśENIE PRZED URUCHOMIENIEM PRZYRZĄDU ZAPOZNAJ SIĘ DOKŁADNIE Z INSTRUKCJĄ OBSŁUGI Nie zastosowanie się do tego polecenia jak i
Bardziej szczegółowoUKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W
UKŁADY PROSTOWNICZE. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowoWZORCOWANIE MOSTKÓW DO POMIARU BŁĘDÓW PRZEKŁADNIKÓW PRĄDOWYCH I NAPIĘCIOWYCH ZA POMOCĄ SYSTEMU PRÓBKUJĄCEGO
PROBLEMS AD PROGRESS METROLOGY PPM 18 Conference Digest Grzegorz SADKOWSK Główny rząd Miar Samodzielne Laboratorium Elektryczności i Magnetyzmu WZORCOWAE MOSTKÓW DO POMAR BŁĘDÓW PRZEKŁADKÓW PRĄDOWYCH APĘCOWYCH
Bardziej szczegółowoBADANIA WYBRANYCH CZUJNIKÓW TEMPERATURY WSPÓŁPRACUJĄCYCH Z KARTAMI POMIAROWYMI W LabVIEW
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Nr 63 Politechniki Wrocławskiej Nr 63 Studia i Materiały Nr 29 2009 Krzysztof PODLEJSKI* czujniki temperatury, LabVIEW BADANIA WYBRANYCH
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoFluke True-rms z serii 170 Multimetry cyfrowe
DANE TECHNICZNE Fluke True-rms z serii 170 Multimetry cyfrowe Multimetry cyfrowe Fluke z serii 170 to wyznaczające standardy w przemyśle przyrządy do wyszukiwanie i usuwania awarii w układach elektrycznych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoNOWE MOŻLIWOŚCI POMIAROWE REJESTRATORA mra. NEW MEASUREMENT CAPABILITIES OF mra LOGGER. Jacek Barański. L.Instruments
NOWE MOŻLIWOŚCI POMIAROWE REJESTRATORA mra NEW MEASUREMENT CAPABILITIES OF mra LOGGER Jacek Barański L.Instruments Słowa kluczowe: rejestrator dwukanałowy, pomiar prądu, pomiar ładunku, pomiar mocy, pomiar
Bardziej szczegółowoPrzetwarzanie A/C i C/A
Przetwarzanie A/C i C/A Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 Rev. 204.2018 (KS) 1 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z przetwornikami: analogowo-cyfrowym
Bardziej szczegółowoBM829 Multimetr TRMS(AC+DC),T1,T2,dual LCD,USB Brymen
Mierniki > Mierniki Profesjonalne > emia, BG Model : - Producent : - Cechy szczególne i funkcje specjalne Automatyczna/ręczna zmiana zakresów pomiarowych TrueRMS - Pomiar rzeczywistej wartości skutecznej
Bardziej szczegółowo