!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Podobne dokumenty
Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Struktura pasmowa ciał stałych

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK /~bezet

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

GaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII

Przejścia promieniste

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka

L E D light emitting diode

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Materiały w optoelektronice

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Podstawy krystalografii

Skończona studnia potencjału

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Wydział Elektryczny Mechaniczny Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM ZASTOSOWAŃ OPTOELEKTRONIKI. Pomiary elementów fotoemisyjnych

Energia emitowana przez Słońce

Diody świecące i lasery półprzewodnikowe

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi

Diody LED w samochodach

Lasery półprzewodnikowe na złączu p-n. Laser półprzewodnikowy a dioda świecąca

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ

Badanie charakterystyki diody

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Elektryczne własności ciał stałych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Badanie emiterów promieniowania optycznego

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

Piotr Targowski i Bernard Ziętek LASER PÓŁPRZEWODNIKOWY

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Ćw.3. Wykrywanie źródeł infradźwięków

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Elektryczne własności ciał stałych

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Zastosowanie diod elektroluminescencyjnych w pojazdach samochodowych

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Układy nieliniowe - przypomnienie

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

Nanostruktury i nanotechnologie

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Źródła promieniowania optycznego problemy bezpieczeństwa pracy. Lab. Fiz. II

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

V. Fotodioda i diody LED

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

Optyczne elementy aktywne

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04

Informacje wstępne. Witamy serdecznie wszystkich uczestników na pierwszym etapie konkursu.

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Elementy optoelektroniczne

Projekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Laser półprzewodnikowy

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

Problemy optyki falowej. Teoretyczne podstawy zjawisk dyfrakcji, interferencji i polaryzacji światła.

w13 54 Źródła światła Żarówka Żarówka halogenowa Świetlówka Lampa rtęciowa wysokoprężna Lampa sodowa wysokoprężna Lampa sodowa niskoprężna LED

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Ćw.2. Prawo stygnięcia Newtona

Transkrypt:

Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji obsadzeń poziomów energetycznych. Więcej elektronów znajduje się wówczas w paśmie przewodnictwa (o większej energii) niż na górnych poziomach pasma walencyjnego (o mniejszej energii). Elektrony mogą rekombinować z dziurami. Gdy rekombinacji tej towarzyszy emisja promieniowania elektromagnetycznego, mówimy o rekombinacji promienistej. Gdy energia rekombinacji nośników ładunku przekazywana jest sieci krystalicznej półprzewodnika, mówimy o rekombinacji niepromienistej/bezpromienistej. Preferowane są oczywiście materiały o przewadze rekombinacji promienistej. Jeśli użyty do produkcji DEL materiał posiada dostatecznie dużą przerwę energetyczną (większą niż 1,7 ev) to emitowane promieniowanie jest promieniowaniem widzialnym. Materiałami używanymi obecnie do produkcji DEL są półprzewodnikowe związki galu z arsenem lub z fosforem.!!! dioda GaP emituje światło o barwie zależnej od natężenia prądu (czerw->pom->żółt->ziel)!!!del są źródłami światła niespójnego. Dioda laserowa Półprzewodnik z wytworzonym w nim złączem p-n zdolnym emitować promieniowanie elektromagnetyczne można ukształtować tak, by powstał rezonator optyczny, tzn. układ, w którym promieniowanie tworzy fale stojące. Gdy tak ukształtowany półprzewodnik pobudzimy znacznie silniejszym prądem niż DEL, to może powstać w nim proces laserowy generacja promieniowania spójnego w wyniku wymuszonych przejść elektronowych. Promieniowanie wytwarzane w rezonatorze: może zostać rozproszone w półprzewodniku nie dając wkładu do tworzącej się w nim fali stojącej może zostać zaabsorbowane może być niedokładnie odbite na zwierciadłach rezonatora może się wydostać z półprzewodnika jako promieniowanie niespójne może... Powstające straty promieniowania stwarzają konieczność wstrzykiwania przez złącze tak dużej liczby elektronów, by zagwarantowana została przewaga aktów wytwarzania promieniowania nad aktami jego rozpraszania. Zatem dopiero po przekroczeniu pewnej progowej wartości natężenia prądu płynącego przez złącze p-n diody laserowej emituje ona promieniowanie spójne i monochromatyczne. Przy wartościach natężenia prądu mniejszych od wartości progowej laser jest zwykłą DEL. Emituje wówczas promieniowanie niespójne o dość szerokiej linii widmowej i znacznie mniejszym natężeniu. Typowe prądy progowe najlepszych laserów pracujących w temp. pokojowej są rzędu kilkudziesięciu ma, co odpowiada progowej gęstości prądu rzędu kilkuset A/cm 2. Zbyt duże prądy progowe uniemożliwiają pracę ciągłą (efekty cieplne).

Laser homozłączowy Akcja laserowa występuje w cienkim obszarze (obszar aktywny) przylegającym do złącza p-n wytworzonego w jednego rodzaju materiale płprzewodnikowym, a wiązka laserowa jest skierowana prostopadle do pary doskonale gładkich równoległych płaszczyzn półprzewodnika odgrywających rolę zwierciadeł Fabry ego- Pérota. Lasery homozłączowe mają bardzo duże gęstości progowe prądu: rzędu 10 4-10 5 A/cm 2 wskutek tego w temperaturze pokojowej mogą pracować tylko impulsowo Lasery homozłączowe wykonywane są najczęściej z GaAs. Laser heterozłączowy Złącza powstałe na styku dwóch warstw o różnym składzie chemicznym to tzw. heterozłącza. W strukturze warstwowej z heterozłączami dochodzi do ograniczenia rozkładu przestrzennego zarówno elektronów wstrzykniętych do obszaru p przez złącze jak i promieniowania elektromagnetycznego wytworzonego w wyniku wymuszonych przejść emisyjnych tych elektronów. Te dwa ograniczenia przestrzenne, równoznaczne ze zmniejszeniem strat optycznych w laserze, prowadzą do uzyskania wartości progowej gęstości prądu rzędu kilkuset A/cm 2, co umożliwia ciągłą pracę lasera heterozłączowego w temperaturze pokojowej.

Właściwości złącz elektroluminescencyjnych duża sprawność przemiany energii elektrycznej w energię promienistą w najlepszych laserach złączowych sięga ona 40%, w DEL świecących zielono skuteczność świetlna może osiągać granicę teoretycznie możliwą 680 lm/w, żarówka energooszczędna 50 lm/w, zwykła żarówka 10 lm/w duża żywotność czas pracy użytecznej (tzn. okres, po upływie którego natężenie świecenia maleje do połowy swej wartości początkowej) w najlepszych obecnie egzemplarzach laserów złączowych jest rzędu 10000 godzin nieprzerwanej pracy, w DEL zaś aż do ok. 20 lat (DEL są ponadto odporne na wstrząsy i warunki atmosferyczne) mały pobór mocy ze źródła zasilania kilkanaście do kilkudziesięciu mw duża sprawność i łatwość modulacji emitowanego promieniowania z częstościami sięgającymi 10 9 Hz modulacja jest realizowana bezpośrednio przez zmianę prądu płynącego przez diodę małe wymiary półprzewodnik z wytworzonym w nim złączem ma zwykle kształt prostopadłościanu o wymiarach 0.2mm 0.5mm 0.5mm