spis urządzeń użytych dnia moduł O-01
|
|
- Sławomir Piątkowski
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie się z pojęciem łącza optoelektronicznego. Podstawowe informacje Elementami optoelektronicznymi są przyrządy półprzewodnikowe, które emitują, wykrywają lub przetwarzają światło (a raczej promieniowanie elektromagnetyczne z zakresu ultrafioletu, promieniowania widzialnego lub podczerwieni). Podstawą ich działania są zjawiska fizyczne występujące w półprzewodnikach w wyniku wzajemnego oddziaływania fotonów i elektronów - przede wszystkim zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne oraz zjawisko elektroluminescencji. Zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne w przyrządach bezzłączowych przejawia się wzrostem przewodnictwa elektrycznego (fotokonduktancja), natomiast w złączach p-n powstawaniem SEM (zjawisko fotowoltaiczne). Zjawisko elektroluminescencji to luminescencja wywołana przepływem prądu elektrycznego, powodującego np. wstrzykiwanie nośników mniejszościowych do danego obszaru półprzewodnika przez złącze p-n. Pod względem funkcjonalnym przyrządy optoelektroniczne dzielimy na: Półprzewodnikowe źródła światła (promieniowania), czyli fotoemitery grupujące diody elektroluminescencyjne (DEL, LED light emitting diode) oraz lasery półprzewodnikowe. Półprzewodnikowe detektory światła (promieniowania), czyli fotodetektory grupujące fotooporniki (elementy bezzłączowe), fotodiody i fototranzystory (elementy złączowe) oraz fotoogniwa. Półprzewodnikowe przyrządy bazujące na sprzężeniu optycznym (para złożona z fotoemitera i fotodetektora) transoptory. Przetworniki promieniowania matryce półprzewodnikowe do analizy obrazu. Wykaz aparatury pomiarowej spis urządzeń użytych dnia moduł O-01 multimetr METEX M4650 J3-T6-260/4 multimetr METEX M4650 J3-T6-264/4 multimetr METEX M4660A J3-T6-259/5 zasilacz DF1731SB3A J3-T6-259/1 generator funkcyjny DF1641A J3-T6-261/2 oscyloskop GOS-620 J3-T6-257/2
2 Wyniki pomiarów i analiza wyników Charakterystyka prądowo-napięciowo-oświetleniowa diody elektroluminescencyjnej Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod luminescencyjnych użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 1. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych diod Wybraliśmy 3 spośród 5 dostępnych diod: DEL 1 DEL 3 DEL 4 elektroluminescencyjnych. Otrzymaliśmy następujące pomiary:
3 nr diody DEL 1 (RED) DEL 3 (GREEN) DEL 4 (BLUE) I D [ma] U D [V] U F [V] 0,00 ± 0,03 1,499 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,06 ± 0,04 1,650 ± 0,004 0,013 ± 0,003 4,06 ± 0,05 1,719 ± 0,004 0,030 ± 0,003 6,09 ± 0,06 1,752 ± 0,004 0,048 ± 0,003 8,06 ± 0,07 1,773 ± 0,004 0,066 ± 0,003 10,02 ± 0,08 1,783 ± 0,004 0,084 ± 0,003 12,04 ± 0,09 1,789 ± 0,004 0,103 ± 0,003 14,09 ± 0,1 1,793 ± 0,004 0,122 ± 0,003 16,14 ± 0,1 1,796 ± 0,004 0,141 ± 0,003 18,16 ± 0,1 1,799 ± 0,004 0,160 ± 0,003 19,39 ± 0,1 1,801 ± 0,004 0,172 ± 0,003 0,00 ± 0,03 2,304 ± 0,004 0,000 ± 0,003 2,09 ± 0,04 2,802 ± 0,004 0,111 ± 0,003 3,99 ± 0,05 2,909 ± 0,004 0,191 ± 0,003 6,02 ± 0,06 2,992 ± 0,004 0,263 ± 0,003 8,19 ± 0,07 3,063 ± 0,005 0,336 ± 0,003 10,19 ± 0,08 3,120 ± 0,005 0,386 ± 0,003 12,01 ± 0,09 3,156 ± 0,005 0,431 ± 0,003 14,01 ± 0,1 3,211 ± 0,005 0,478 ± 0,003 16,15 ± 0,1 3,257 ± 0,005 0,523 ± 0,003 18,12 ± 0,1 3,297 ± 0,005 0,562 ± 0,003 19,34 ± 0,1 3,321 ± 0,005 0,585 ± 0,003 0,01 ± 0,03 2,280 ± 0,004-0,0070 ± 0,0003 2,02 ± 0,04 2,839 ± 0,004 0,0120 ± 0,0003 3,98 ± 0,05 2,902 ± 0,004 0,0295 ± 0,0003 6,18 ± 0,06 2,953 ± 0,004 0,0492 ± 0,0003 8,16 ± 0,07 2,991 ± 0,004 0,0663 ± 0, ,09 ± 0,08 3,025 ± 0,005 0,0826 ± 0, ,30 ± 0,09 3,059 ± 0,005 0,1005 ± 0, ,99 ± 0,1 3,082 ± 0,005 0,1135 ± 0, ,20 ± 0,1 3,110 ± 0,005 0,1299 ± 0, ,83 ± 0,1 3,130 ± 0,005 0,1416 ± 0, ,36 ± 0,1 3,147 ± 0,005 0,1523 ± 0,0004 Tabela 1. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowo-oświetleniowych wybranych diod luminescencyjnych. Podczas dokonywania pomiarów szczególną uwagę należało zwrócić na światłowód, którego nieprawidłowe ułożenie powodowało zauważalne błędy w pomiarach. Na podstawie otrzymanych danych jesteśmy w stanie narysować wykresy charakterystyk prądowonapięciowo-oświetleniowych badanych diod:
4 Wykres 1. Charakterystyki prądowo-napięciowych I D = f 1(U D) badanych diod luminescencyjnych. Kolory charakterystyk odpowiadają kolorom badanych diod. Przedstawione zależności mają charakterystyki zbliżone do eksponencjalnych, co pokrywa się z przykładowymi charakterystykami z kart katalogowych. Na podstawie otrzymanych wyników możemy również wykreślić zależności napięcia na wyjściu fotodetektora od natężenia prądu, które są w przybliżeniu proporcjonalne do natężenia emitowanego światła:
5 0,6 0,5 0,4 Uf [V] 0,3 0,2 0,1 0, Id [ma] Wykres 2. Napięcia na wyjściu fotodetektora w funkcji natężenia prądu U f = f 2(I D) (kolory odpowiadają badanym diodom) Otrzymane charakterystyki napięcia fotodetektora w funkcji natężenia prądu mają charakter zbliżony do liniowego.
6 Charakterystyka prądowo-napięciowe fotodetektorów w zależności od natężenia światła Do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650, według poniższego schematu: Schemat 2. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych fotodetektorów, w zależności od natężenia światła. Wybraliśmy następujące 2 z 3 dostępnych fotodetektorów: fotorezystor (FR) fotodioda (FD) Dokonaliśmy następujących pomiarów:
7 rodzaj fotoelementu fotorezystor FR fotodioda FD Φ 10% 90% 20% 100% U F [V] I F [ma] 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,055 ± 0,004 0,70 ± 0,03 2,032 ± 0,004 1,38 ± 0,04 3,029 ± 0,005 2,04 ± 0,04 4,360 ± 0,005 2,73 ± 0,04 5,060 ± 0,006 3,43 ± 0,05 6,065 ± 0,006 4,11 ± 0,05 7,068 ± 0,007 4,81 ± 0,05 8,028 ± 0,007 5,48 ± 0,06 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,337 ± 0,003 1,01 ± 0,04 0,673 ± 0,003 2,01 ± 0,04 1,015 ± 0,004 3,05 ± 0,05 1,398 ± 0,004 4,18 ± 0,05 1,686 ± 0,004 5,05 ± 0,06 2,001 ± 0,004 5,98 ± 0,06 2,313 ± 0,004 6,93 ± 0,06 2,712 ± 0,004 8,13 ± 0,07 2,998 ± 0,004 8,99 ± 0,07 3,413 ± 0,005 10,25 ± 0,08 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 1,027 ± 0,004 2,67 ± 0,04 2,071 ± 0,004 2,76 ± 0,04 3,041 ± 0,005 2,82 ± 0,04 3,995 ± 0,005 2,87 ± 0,04 5,017 ± 0,006 2,92 ± 0,04 6,003 ± 0,006 2,98 ± 0,04 7,062 ± 0,007 3,02 ± 0,05 8,068 ± 0,007 3,06 ± 0,05 9,058 ± 0,008 3,11 ± 0,05 10,010 ± 0,008 3,15 ± 0,05 11,062 ± 0,009 3,20 ± 0,05 12,325 ± 0,009 3,25 ± 0,05 0,000 ± 0,003 0,00 ± 0,03 0,097 ± 0,003 0,98 ± 0,03 0,130 ± 0,003 2,12 ± 0,04 0,152 ± 0,003 2,94 ± 0,04 0,184 ± 0,003 4,00 ± 0,05 0,230 ± 0,003 4,99 ± 0,05 0,312 ± 0,003 5,89 ± 0,06 0,412 ± 0,003 7,00 ± 0,07 0,527 ± 0,003 8,05 ± 0,07 0,647 ± 0,003 9,08 ± 0,08 0,757 ± 0,003 9,98 ± 0,08 dalej takie same wartości Tabela 2. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych wybranych fotodetektorów. Podczas dokonywania pomiarów należało zwrócić szczególną uwagę na światłowód, który źle ułożony nie przewodził sygnału świetlnego między częściami modułu. Dzięki dokonanym pomiarom możemy wykreślić charakterystyki prądowo-napięciowe wybranych fotodetektorów:
8 Wykres 3. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanego fotorezystora Uzyskane zależności mają charakter liniowy. Wykres 4. Charakterystyka prądowo-napięciowa I f = f 3(U f) badanej fotodiody Zgodnie z przewidywaniami teoretycznymi otrzymana charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody, wraz ze wzrostem U f zbliża się do funkcji stałej.
9 Rysując pionowe proste linie odpowiadające ustalonej wartości napięcia U F oraz odczytując współrzędne I F punktów możemy określić, czy zmiany natężenia oświetlenia Φ wpływają liniowo na natężenie prądu I F. Dla obu fotodetektorów ustaliliśmy wartość napięcia U F = 2V If [ma] Φ [%] Wykres 5. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanego fototranzystora If [ma] Φ [%] Wykres 6. Zależność natężenia I F od natężenia oświetlenia Φ (I F = f 4 (Φ)) badanej fotodiody. Zarówna dla fototranzystora, jak i fotodiody uzyskane zależności są bardzo zbliżone do zależności liniowych. Mała liczba punktów pomiarowych nie umożliwia uzyskania pełnej charakterystyki powyższej zależności. W przypadku powtarzania ćwiczenia należałoby dokonać większej ilości pomiarów, dla różnych wartości natężenia oświetlenia- zarówno dla fototranzystora, jak i fotodiody.
10 Charakterystyka przejściowa transoptora Do pomiaru charakterystyk przejściowej transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, oraz multimetry METEX M4650 oraz METEXE 4660A, według poniższego schematu: Schemat 3. Schemat połączeń do wyznaczania charakterystyk przejściowych transoptora. Dokonaliśmy następujących pomiarów: U CE [V] I i [ma] I O [ma] 4,899 ± 0,005 0,00 ± 0,03 0,00 ± 0,03 4,859 ± 0,005 1,19 ± 0,04 1,11 ± 0,04 4,899 ± 0,005 1,85 ± 0,04 2,08 ± 0,04 4,891 ± 0,005 2,43 ± 0,04 3,00 ± 0,05 4,915 ± 0,005 3,05 ± 0,05 4,00 ± 0,05 4,536 ± 0,005 3,67 ± 0,05 5,01 ± 0,06 4,919 ± 0,005 4,29 ± 0,05 6,04 ± 0,06 4,915 ± 0,005 4,87 ± 0,05 7,00 ± 0,07 4,911 ± 0,005 5,51 ± 0,06 8,02 ± 0,07 4,872 ± 0,005 6,15 ± 0,06 9,06 ± 0,08 4,886 ± 0,005 6,75 ± 0,06 10,00 ± 0,08 4,963 ± 0,005 7,40 ± 0,07 11,01 ± 0,09 4,915 ± 0,005 8,10 ± 0,07 12,00 ± 0,09 4,914 ± 0,005 8,87 ± 0,07 13,00 ± 0,1 4,885 ± 0,005 9,80 ± 0,08 14,00 ± 0,1 4,880 ± 0,005 11,03 ± 0,09 14,94 ± 0,1 4,399 ± 0,005 12,55 ± 0,09 16,01 ± 0,1 4,452 ± 0,005 14,42 ± 0,1 17,00 ± 0,1 4,373 ± 0,005 16,62 ± 0,1 17,98 ± 0,1 4,612 ± 0,005 19,26 ± 0,1 19,00 ± 0,1 4,494 ± 0,005 19,52 ± 0,1 19,07 ± 0,1 Tabela 3. Tabela pomiarów dla charakterystyk przejściowych transoptora. Na podstawie uzyskanych danych możemy wykreślić charakterystykę przejściową transoptora:
11 przekładnia transoptora N = Io/Ii If [ma] Ii [ma] Wykres 5. Charakterystyka przejściowa transoptora I O = f 5(I i) Charakterystyka przejściowa pozawala na wyznaczenie wzmocnienia transoptora N: N = I O I i (1) 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0, Ii [ma] Wykres 6. Wykres przekładni prądowej transoptora N = I O/I i w funkcji I i
12 Niemalże liniowa zależność prądu na wejściu od prądu na wyjściu w badanym transoptorze sugeruje dobrą jakość przenoszenia sygnału analogowego przez ten element optoelektroniczny. Stąd wniosek, że transoptory można wykorzystać do przenoszenia zarówno sygnałów analogowych, jak i cyfrowych, co z resztą szeroko jest wykorzystywane w praktyce. Badanie właściwości dynamicznych transoptora Do badania właściwości dynamicznych transoptora użyliśmy układu pomiarowego, zbudowanego w oparciu o moduł O-01, generatora funkcyjnego DF1641A oraz oscyloskopu GOS-620, według poniższego schematu: Schemat 4. Schemat połączeń do obserwacji zniekształceń sygnałów cyfrowych wnoszonych przez transoptor. Po wybraniu przebiegu prostokątnego, optymalnej amplitudy, przy (480 ± 4) Hz otrzymaliśmy wyraźny sygnał, bez zniekształceń Oscylogram 1. Sygnał bez zniekształceń przy f = 480 Hz CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Wyraźne zniekształcenia sygnału na wyjściu transoptora zaobserwowaliśmy przy częstotliwości f = (8,79 ± 0,07)kHz
13 Oscylogram 2. Sygnał zniekształcony, przy f = 8,79 CH1: 1V/DIV, CH2: 0,5V/DIV, TIME: 0.1mS/DIV Następnie połączyliśmy wejście oscyloskopu Y2 z wyjściem komparatora oraz podłączyliśmy wejścia komparatora przy użyciu zworek zgodnie z poniższym schematem: Schemat 5. Schemat połączeń do obserwacji odtwarzania kształtu sygnału cyfrowego przez komparator. Nie zmieniając częstotliwości na generatorze otrzymaliśmy następujący obraz przebiegu:
14 Oscylogram 3. Sygnał prostokątny f = odtwarzany przez komparator. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Obracając gałką potencjometru P spróbowaliśmy uzyskać na wyjściu komparatora sygnał o kształcie wypełnienia zbliżonym do sygnału wejściowego: Oscylogram 4. CH1: 1V/DIV, CH2: 1V/DIV, TIME: 20μS/DIV Maksymalna zaobserwowana przez nas częstotliwość, dla której sygnał na wyjściu komparatora przypomina sygnał początkowy wynosi: f = (16,8 ± 0,4)kHZ Uzyskanych przebiegi nie są na tyle dokładne, by określić czas propagacji sygnały puszczonego przez układ transoptora z komparatorem. Układ można wysterować w taki sposób, by czas propagacji sygnału puszczonego przez ten układ był bliski czasowi propagacji oryginalnego przebiegu.
Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016)
Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E12FT Elementy optoelektroniczne Wersja 1.0 (18 marca 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie teoretyczne... 3 4. Dostępna aparatura...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych
Ćw. 4. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM Miernictwa elementów optoelektronicznych Pomiary częstotliwościowe detektorów opis ćwiczenia Opracował zespół: pod kierunkiem Damiana Radziewicza
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.
Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie
Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej Sprawozdanie PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA imię i nazwisko z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE ELEMENTÓW OPTOELEKTRONICZNYCH rok szkolny klasa
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW
POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania ELEKTRONICZNE SYSTEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego
1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoStanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych
Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoZworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.
Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe
Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED
Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoDetektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008
Detektor Fazowy Marcin Polkowski marcin@polkowski.eu 23 stycznia 2008 Streszczenie Raport z ćwiczenia, którego celem było zapoznanie się z działaniem detektora fazowego umożliwiającego pomiar słabych i
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoLaboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
Bardziej szczegółowoBADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU
Ćwiczenie E7 BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Przyrzady: Przyrząd do badania zjawiska fotoelektrycznego, płytki absorbenta suwmiarka, fotoelementy (fotoopór, fotodioda, lub fototranzystor). Zjawisko
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne
Temat i plan wykładu Elementy optoelektroniczne 1. Fotorezystor 2. Dioda elektroluminiscencyjna 3. Fotodioda 4. Fototranzystor 5. Transoptor ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk Fotorezystory Budowa, materiały.
Bardziej szczegółowo1. Nadajnik światłowodowy
1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE
Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoInstytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 5 ELEMENTY I UKŁADY OPTOELEKTRONICZNE Pojęcia
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 1 ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Gdańsk 2001 r. ĆWICZENIE 1: ŹRÓDŁA ŚWIATŁA 2 1. Wstęp Zasada działania półprzewodnikowych źródeł światła (LED-ów i diod laserowych LD) jest bardzo
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h)
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie generatorów sinusoidalnych (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych typów generatorów sinusoidalnych.
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 6. Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe
Ćwiczenie - 6 Wzmacniacze operacyjne - zastosowanie liniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczenie charakterystyk przejściowych..................... 2 2.2 Badanie układu różniczkującego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13
PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 8. Generatory
1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoTechnik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne
1 Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne Mała firma elektroniczna wyprodukowała tani i prosty w budowie prototypowy generator funkcyjny do zastosowania w warsztatach amatorskich. Podstawowym układem
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoImię i nazwisko (e mail) Grupa:
Wydział: EAIiE Kierunek: Imię i nazwisko (e mail) Rok: Grupa: Zespół: Data wykonania: LABORATORIUM METROLOGII Ćw. 12: Przetworniki analogowo cyfrowe i cyfrowo analogowe budowa i zastosowanie. Ocena: Podpis
Bardziej szczegółowoWstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru
Wstęp Celem ćwiczenia jest zaznajomienie się z podstawowymi przyrządami takimi jak: multimetr, oscyloskop, zasilacz i generator. Poznane zostaną również podstawowe prawa fizyczne a także metody opracowywania
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach
Bardziej szczegółowoZastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPOMIARY OSCYLOSKOPOWE. Instrukcja wykonawcza
ĆWICZENIE 51 POMIARY OSCYLOSKOPOWE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów a. Oscyloskop dwukanałowy b. Dwa generatory funkcyjne (jednym z nich może być generator zintegrowany z oscyloskopem) c. Przesuwnik
Bardziej szczegółowoBadanie układów aktywnych część II
Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,
Bardziej szczegółowoPrzetwarzanie AC i CA
1 Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Katedr Przetwarzanie AC i CA Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 1. Cel ćwiczenia 2 Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest zapoznanie z podstawami zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoWOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA INSTYTUT OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM DETEKCJI SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH GRUPA:.. Skład podgrupy nr... 1.. 2.. 3.. 4.. 5.. 6.. PROTOKÓŁ DO ĆWICZENIA nr.. Temat ćwiczenia: Pomiary
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Przetworniki A/C i C/A
Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadami przetwarzania sygnałów analogowych na cyfrowe i cyfrowych na analogowe poprzez zbadanie przetworników A/C i
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowo2.1. Charakterystyki statyczne i parametry fotodiody krzemowej
1. CL ĆWCNA Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów wybranych półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych. Przedmiotem ćwiczenia jest otodioda krzemowa, diody elektroluminescencyjne
Bardziej szczegółowoV. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: Emisja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:
Ćwiczenie Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu Program ćwiczenia:. Pomiary metodą skoku jednostkowego a. obserwacja charakteru odpowiedzi obiektu dynamicznego II rzędu w zależności od współczynnika
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowo