Grafen perspektywy zastosowań

Podobne dokumenty
GRAFEN. Prof. dr hab. A. Jeleński. Instytut Technologii MateriałówElektronicznych Ul.Wólczyńska Warszawa

Grafen. Poprzednio. Poprzednio

Grafen materiał XXI wieku!?

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Teoria pasmowa ciał stałych

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Energia emitowana przez Słońce

Wykorzystanie Grafenu do walki z nowotworami. Kacper Kołodziej, Jan Balcerak, Justyna Kończewska

Czym jest prąd elektryczny

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

W książce tej przedstawiono:

Różne dziwne przewodniki

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Elektryczne własności ciał stałych

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

Grafen i jego własności

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Spalanie detonacyjne - czy to się opłaca?

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Nobel 2010 z fizyki grafen

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Jak elektronicy mogą zarobić na grafenie?

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

INŻYNIERIA WYTWARZANIA WYROBÓW MECHATRONICZNYCH. Opiekun specjalności: Prof. nzw. dr hab. inż. Leszek Kudła

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n. Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

Badania własności optycznych grafenu

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Nauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM

Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Puszki oddzielające do pomp magnetycznych

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

RECENZJA pracy doktorskiej Pana mgr inż. Mateusza Ciszewskiego pt.: Badania procesu utleniania grafitu wybranymi pierwiastkami i ich związkami


Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

Fizyka Ciała Stałego

Spis treści. Wykaz ważniejszych oznaczeń i jednostek 13 Przedmowa 17 Wstęp Odnawialne źródła energii 72

Czym jest aerogel? Izolacja aerogelem zapewnia maksimum ochrony termicznej przy minimalnej wadze i grubości.

Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym.

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Skalowanie układów scalonych

Elektronika z plastyku

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

5. Tranzystor bipolarny

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Krawędź absorpcji podstawowej

W warunkach domowych. Ułatwiając życie człowiekowi. I pomagając przyrodzie

Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak

NMC Polska Sp.Zo.o. UI.Pyskowicka 15 - PL Zabrze Phone: Fax biuro@nmc.pl

Podstawy fizyki wykład 4

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe JFET, MOSFET

Prąd elektryczny - przepływ ładunku

Urządzenia półprzewodnikowe

IV. TRANZYSTOR POLOWY

MATERIA. = m i liczby całkowite. ciała stałe. - kryształy - ciała bezpostaciowe (amorficzne) - ciecze KRYSZTAŁY. Periodyczność

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Pasma energetyczne. Pasma energetyczne

Nowoczesna fotowoltaika Immergas - efektywne wytwarzanie prądu i ciepła

Właściwości kryształów

Fizyka 2. Janusz Andrzejewski

Podstawy fizyki wykład 8

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej

Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

HSMG. Prawdziwy grafen jest tylko jeden.

Nauka o Materiałach dr hab. inż. Mirosław Bućko, prof. AGH B-8, p. 1.13, tel

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Nadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

Ruch ładunków w polu magnetycznym

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Memrystor. mgr inż. Piotr Kyzioł Zakład Teorii Obwodów i Sygnałów, Instytut Elektroniki Politechnika Śląska

GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.

1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.

7 czerwca

Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej

Transkrypt:

Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki... 3 3.4 Elektronikaelastyczna... 3 4 Podsumowanie 4 Spis rysunków 1 Heksagonalna struktura krystaliczna grafitu, grafenu oraz nanoruki węglowej.... 2 2 Ruchliwość elektronowa oraz szerokość przerwy wzbronionej w grafenie iwybranychpółprzewodnikach.... 3 1 Wprowadzenie Grafen jest pierwszym dostępnym do badań i zastosowań materiałem dwuwymiarowym. Za jego odkrycie Andre Geim oraz Konstatin Novoselov uhonorowani zostali w 2010 roku nagrodą Nobla w dziedzinie fizyki. W chwili obecnej jesteśmy świadkami wdrażania pierwszych rentownych przemysłowo technologii, które pojawiają się w dziedzinach związanych z energią odnawialną oraz w elektronice. Firmy azjatyckie wykorzystują grafen komercyjnie w tzw. elastycznej elektronice. Innym spektakularnym przykładem jest produkcja tranzystorów o częstotliwości setek GHz, o której donosi firma IBM[3]. Ponieważ grafen, jak również inne materiały dwuwymiarowe, może stać się kołem napędowym wielu gałęzi przemysłu, uruchamiane są liczne programy badawcze finansowane zarówno ze środków prywatnych, jak i publicznych. W dziedzinie rozwoju technologii grafenowych istnieje silna konkurencja pomiędzy ośrodkami badawczymi w USA, Azji i Europie. 1

Rysunek 1: Heksagonalna struktura krystaliczna grafitu, grafenu oraz nanoruki węglowej. 2 Właściwościgrafenu Idealny kryształ grafenu zbudowany jest z heksagonalnych pierścieni węglowych, które tworzą nieskończoną warstwę o grubości atomowej(rys. 1). Do czasu eksperymentów Geima i Novoselova[1], którzy zastosowali prostą metodę odrywania za pomocą taśmy przylepnej poszczególnych warstw grafitu aż do uzyskania pojedynczych warstw grafenu transferowanych na podłoże tlenku krzemu, istniało przekonanie, że grafen jest niestabilny termodynamicznie i nie może istnieć jako izolowana struktura. Jak wykazały liczne eksperymenty, grafen uzyskiwany metodą Geima posiada bardzo pożądane właściwości elektronowe, elektryczne, mechaniczne i chemiczne. Najważniejszaznichpoleganatym,żegrafenmożeprzewodzićprądnawetprzyzerowejkoncentracji ładunków elektrycznych. Jest to spowodowane oddziaływaniem elektronów z periodycznym potencjałem węglowej sieci heksagonalnej, w wyniku czego powstają nowe kwazicząsteczki o niemal zerowej masie efektywnej. W punkcie Γ pierwszej strefy Brillouina grafenu strukturę pasmową można przybliżyć przez równanie kwadratowe ǫ(k)=±3γ h2 k 2 0 2m, (1) gdziem =2 h 2 /a 2 γ 0 jestmasąefektywnąelektronu. Mała masa efektywna elektronów wyrażona formułą 1 powoduje, że poruszają się one w obrębie sieci grafenowej z prędkościami relatywistycznymi. Ruchliwość elektronów w wybranych materiałach zestawiono z grafenem na rys. 1. Dla grafenu jest najwyższa wśród wszystkich poznanych dotąd materiałów(rys. 2). 3 Perspektywyzastosowań 3.1 Procesory Inną ważną cechą grafenu jest wysoki prąd nasycenia, dzięki czemu daje się w grafenie uzyskiwać duże gęstości prądu. Oprócz bardzo dobrego przewodnictwa elektrycznego grafen charakteryzuje się również dobrym przewodnictwem cieplnym. Z tego powodu 2

Rysunek 2: Ruchliwość elektronowa oraz szerokość przerwy wzbronionej w grafenie i wybranych półprzewodnikach. grafen jest idealnym materiałem do zastosowań w elektronice, można bowiem uzyskiwać duże moce z jednostkowej objętości elementów. Ze względu na planarną geometrię jest on bardziej kompatybilny z konwencjonalnymi technologiami elektronicznymi niż np. nanorurki węglowe. Geometria grafenu ogranicza reaktancje pasożytnicze, które stanowią duży problem w urządzeniach wysokiej częstotliwości. 3.2 Analogoweelementy Z punktu widzenia zastosowań w elektronice ważna jest również cecha przewodnictwa ambipolarnego[2]. Polega ono na tym, że za pomocą napięcia bramki można sterować typem przewodnictwa tego materiału. Właściwość ta może zostać wykorzystana w konstrukcji wielu elementów analogowych, takich jak zwielokratniacze częstotliwości, mieszacze, sterowalne elementy prostujące, wzmacniacze niskoszumowe oraz inne elementy elektroniczne o częstotliwości pracy sięgającej THz. 3.3 Czujniki Molekuły zaadsorbowane na powierzchni grafenu bardzo silnie, w porównaniu ze zwykłymi kryształami objętościowymi, wpływają na właściwości elektronowe samego grafenu, co pozwala na wykrywanie nawet pojedynczych molekuł. Z tego powodu prowadzone są liczne prace nad zastosowaniem grafenu jako ultraczułego detektora gazów. 3.4 Elektronikaelastyczna Właściwości mechaniczne, w tym wytrzymałość na naprężenia około 200 razy większą od stali, otwierają kolejne pole zastosowań grafenu w elastycznej elektronice. Ważną 3

inicjatywą w tej dziedzinie jest europejski projekt Morph realizowany wspólnie przez koncern Nokia oraz Cambridge University. Koncepcja programu Morph polega na wykorzystaniu właściwości grafenu do wytwarzania rozciągliwych i elastycznych urządzeń, których kształt można zmieniać w zależności od potrzeb użytkownika. Grafen jest kluczowym materiałem do wytwarzania obwodów elektrycznych, które będą drukowane na foliach polimerowych. 4 Podsumowanie Jak wynika z raportu BCC Research publikowanego w lutym 2011, przewiduje się, że pierwsze komercyjnie dostępne produkty grafenowe zostaną opracowane przed 2015 rokiem, w którym rynek grafenowy jest szacowany na 67 mln $. Wówczas powinno obserwowaćsięstaływzrostażdopoziomu675mln$w2020roku. Głównym kołem napędowym rozwoju tego rynku będzie potrzeba zwiększenia wydajności i szybkości działania urządzeń elektronicznych oraz konieczność redukowania kosztów i zwiększania bezpieczeństwa w lotnictwie i zastosowaniach militarnych, jak również zwiększenie efektywności działania urządzeń służących do wytwarzania energii odnawialnej. Grafen jest intensywnie badanym materiałem w ośrodkach badawczych na całym świecie. Duży nakład pracy i kosztów przeznaczonych na te badania wiąże się z wysokimi, jak na materiał odkryty 10 lat temu, oczekiwaniami od terahercowych procesorów do wyświetlaczy, ogniw paliwowych, ogniw słonecznych, czujników i do magazynowania wodoru. 4

Skorowidz masa efektywna, 2 nanorurki węglowe, 3 przewodnictwo ambipolarne, 3 tranzystor, 1 5

Literatura [1]K.S.Novoselov,A.K.Geim,S.V.Morozov,D.Jiang,Y.Zhang,S.V.Dubonos, and I. V. Grigoriev. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science, 306:666 669, 2004. [2]H.Wang,A.Hsu,J.Wu,andJ.Kong.Graphene-basedambipolarrfmixers.IEEE, 31:906 908, 2010. [3]Y.Wu,Y.Lin,A.A.Bol,K.A.Jenkins,andFengnianXia.High-frequency,scaled graphene transistors on diamond-like carbon. Nature, 472:74 78, 2011. 6