Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Podobne dokumenty
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

Grafen materiał XXI wieku!?

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI CELE PRZEDMIOTU

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Podstawy fizyki wykład 2

I Konferencja. InTechFun

Źródło typu Thonnemena dostarcza jony: H, D, He, N, O, Ar, Xe, oraz J i Hg.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Nazwa przedmiotu INSTRUMENTARIUM BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Instrumentation of research in material engineering

I Konferencja. InTechFun

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak

I Konferencja. InTechFun

Aparatura do osadzania warstw metodami:

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW

Metody i techniki badań II. Instytut Inżynierii Materiałowej Wydział Inżynierii Mechanicznej i Mechatroniki ZUT

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

Laboratorium nanotechnologii

Laboratoria. badawcze i wzorcujące

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

EMISJA POLOWA. przechwytywania obrazów wideo FAST Capture i kartą video AVMaster Video v.2.5. FAST Multimedia (wewnątrz komputera);

WYKŁADY MONOGRAFICZNE DLA STUDENTÓW I SŁUCHACZY STUDIÓW DOKTORANCKICH

Fizyka - opis przedmiotu

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

SPECYFIKACJA TECHNICZNA ZESTAWU DO ANALIZY TERMOGRAWIMETRYCZNEJ TG-FITR-GCMS ZAŁĄCZNIK NR 1 DO ZAPYTANIA OFERTOWEGO

Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej

Prezentacja aparatury zakupionej przez IKiFP. Mikroskopy LEEM i PEEM

Wydział Fizyki Technicznej, Instytut Fizyki, ul. Piotrowo 3, Poznań, tel.: RECENZJA PRACY DOKTORSKIEJ mgr. Mateusza Wojtaszka

PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia

Elektroniczne przyrządy pomiarowe Kod przedmiotu

NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip

Załącznik 1. Nazwa kierunku studiów: FIZYKA Techniczna Poziom kształcenia: II stopień (magisterski) Profil kształcenia: ogólnoakademicki Symbol

BADANIE WYMUSZONEJ AKTYWNOŚCI OPTYCZNEJ. Instrukcja wykonawcza

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

IM21 SPEKTROSKOPIA ODBICIOWA ŚWIATŁA BIAŁEGO

I Konferencja. InTechFun

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

ANALIZA POWIERZCHNI BADANIA POWIERZCHNI

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

Technika wysokich napięć : podstawy teoretyczne i laboratorium / Barbara Florkowska, Jakub Furgał. Kraków, Spis treści.

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki

HARMONOGRAM SKŁADANIA WNIOSKÓW DO PROCEDUR ZBIORCZYCH W ROKU 2014 NA NASTĘPUJĄCE GRUPY TOWAROWE (stan na dzień r.)

Podstawowe informacje o przedmiocie (niezależne od cyklu)

Próżnia w badaniach materiałów

Pracownia Optyki Nieliniowej

Załącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych

Nowości w kształceniu studentów PWr na kierunkach Fizyka i Fizyka techniczna

Uruchomienie nowego programu kształcenia dualnego na studiach II stopnia na kierunku Inżynieria Materiałowa (DUOInMat) POWR

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

Skaningowy Mikroskop Elektronowy. Rembisz Grażyna Drab Bartosz

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

Analiza aktywacyjna składu chemicznego na przykładzie zawartości Mn w stali.

SYLABUS/KARTA PRZEDMIOTU

Rozwiązania firmy Harrer & Kassen do pomiaru gęstości i wilgotności

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA

Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu

Gdańsk, 16 grudnia 2010

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Badanie efektu Faraday a w kryształach CdTe i CdMnTe

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Temat jest proponowany dla studenta (imię i nazwisko): Opinia Komisji TAK / NIE. Lp Temat pracy dyplomowej Opis Opiekun

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UMCS. Instytut Matematyki UMCS

DZIEŃ POWSZEDNI PRACOWNIKÓW WYKONUJĄCYCH TESTY SPECJALISTYCZNE APARATÓW RENTGENOWSKICH

Toruń, dr hab. Jacek Zakrzewski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika ul. Grudziądzka 5/ Toruń

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Podstawy fizyki IV - Optyka, Fizyka wspólczesna - opis przedmiotu

forma studiów: studia stacjonarne Liczba godzin/tydzień: 1W, 1S, 1ĆW PRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE

LABORATORIUM WSPÓŁCZESNYCH TECHNIK EKSPERYMENTALNYCH w FIZYCE

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna 1.

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu

Własności optyczne półprzewodników

Opis przedmiotu zamówienia

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów

Promieniowanie cieplne ciał.

ZAPLECZE LABORATORYJNO-TECHNICZNE Wydział Nauk o Ziemi i Gospodarki Przestrzennej UMCS

Spektrometr XRF THICK 800A

Nabór na bezpłatne usługi badawcze - projekt Baltic TRAM

Instytut Technologii Informatycznych w Inżynierii Lądowej (L-5) powstał w roku 2006 z połączenia Instytutu Metod Komputerowych w Inżynierii Lądowej

Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii

THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK. THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu.

Załącznik 1. Nazwa kierunku studiów: FIZYKA Poziom kształcenia: II stopień (magisterski) Profil kształcenia: ogólnoakademicki Symbol

Transkrypt:

Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytut Fizyki Centrum Naukowo-Dydaktyczne Politechniki Śląskiej Gliwice, 25 maja 2011 roku

Plan wystąpienia 1. Motywacja 2. Cel naukowy i metodyka badao 3. Projekty pokrewne i współpraca 4. Wykonawcy i zakres prac 5. Pomiary planowane na zewnątrz 6. Oprogramowanie 7. Obecne laboratorium i plany rozbudowy 8. Podsumowanie: docelowe laboratorium. 2

Motywacja: ciekawe materiały Szeroka przerwa energetyczna (3,4 ev), stabilnośd chemiczna i termiczna, dobra przewodnośd cieplna, wysokie pole przebicia, duża prędkośd unoszenia elektronów. Elektronika wysokich mocy, częstotliwości i temperatur, niebieska, ultrafioletowa optoelektronika. przerwa energetyczna (ev) 6 5 4 3 2 1 AlN GaN 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 stała sieciowa (A) www.arguslab.com UV InN 200 300 400 500 700 1000 długość fali (nm) 3

Motywacja: co mamy, co potrafimy Wytworzone struktury AlGaN/GaN pasywowane różnymi wielowarstwami dielektrycznymi, doświadczenie w modelowaniu własności elektronowych takich struktur, doświadczenie w badaniach chemicznych (spektroskopia i mikroskopia elektronów Augera) z zaawansowaną analizą danych pochodzących ze struktur z ultracienkimi warstwami. Adamowicz, Miczek, Hashizume, Klimasek, Bobek, Żywicki: Optica Applicata 37 (2007) 327. Miczek, Mizue, Hashizume, Adamowicz: Journal of Applied Physics 103 (2008) 104510. omowy bramka SiO 2 albo SiN x (10-20 nm) Al 2 O 3 (1 nm) AlGaN (25 nm) GaN (3 μm) Al 2 O 3 (szafir) kontakt 4

Cel naukowy projektu Opracowanie fizykalnego modelu struktur metal/izolator/algan/gan uwzględniającego: elektronowe stany powierzchniowe, defekty objętościowe, dwuwymiarowy gaz elektronowy (2DEG) na heterozłączu AlGaN/GaN, upływ przez warstwę izolatora, mechanizm pasywacji powierzchni AlGaN. 5

Metodyka badao (1/2) Pomiar zależności pojemność-napięcieczęstotliwość w temperaturach od 77 do 573 K oraz prąd-napięcie-temperatura. Porównanie wyników pomiarów z zależnościami teoretycznymi z symulacji numerycznych zjawisk elektronowych w badanych strukturach (COMSOL Multiphysics, MATLAB, własne oprogramowanie w C/C++). Dopasowanie zależności teoretycznych do eksperymentalnych za pomocą procedur klasycznych oraz algorytmów ewolucyjnych wyznaczenie parametrów elektronowych struktur. 6

Metodyka badao (2/2) Obrazowanie powierzchni za pomocą mikroskopu sił atomowych (także z przewodzącym ostrzem) porowatość i upływność warstw dielektrycznych. Profile i mapy chemiczne skaningowy mikroskop elektronów Augera z układem trawienia jonowego oraz spektrometr masowy jonów wtórnych skład warstwy pasywacyjnej i obszaru granicy fazowej izolator/algan. 7

Projekty pokrewne i współpraca 1. Projekt strukturalny Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun, UDA-POIG.01.03.01-159/08, FSB-33/RMF1/2009): sonda Kelvina, komora próżniowa do pomiarów fotoelektrycznych; 2. środki inwestycyjne Instytutu Fizyki: zestaw do wytwarzania i kontroli próżni; 3. współpraca z Research Center for Integrated Quantum Electronics, Uniwersytet Hokkaido, Sapporo, Japonia: próbki, konsultacje naukowe. 8

Wykonawcy i zakres prac (1/2) Kierownik: dr inż. Marcin Miczek: pomiary elektryczne i fotoelektryczne, analiza wyników, modelowanie. Wykonawcy: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl.: analiza wyników, modelowanie, badania składu chemicznego; dr Andrzej Klimasek: badania składu chemicznego; dr inż. Alina Domanowska: analiza wyników (dopasowania wieloparametryczne), modelowanie; dr Jacek Mazur: obrazowanie AFM i interpretacja wyników. 9

Wykonawcy i zakres prac (2/2) Doktoranci i dyplomant: mgr inż. Piotr Bidzioski: modelowanie; mgr inż. Maciej Matys: modelowanie; Rafał Ucka: pomiary fotoelektryczne. Personel administracyjny i techniczny: Maria Naróg i Marlena Orlicka: obsługa administracyjna i finansowa projektu; mgr inż. Maciej Setkiewicz: aparatura elektroniczna; Ryszard Muzyka i Tomasz Wardzała: elementy mechaniczne. 10

Pomiary planowane na zewnątrz Pomiary upływności mikroskopem sił atomowych z ostrzem przewodzącym (conductive atomic force microscope, C-AFM) na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej (prof. Teodor Gotszalk). Analiza chemiczna (jakościowa i ilościowa) metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych (secondary ion mass spectrometry, SIMS) w Przemysłowym Instytucie Elektroniki w Warszawie. 11

Oprogramowanie komputerowe MATLAB: wersja R2010b, licencja sieciowa jednostanowiskowa; producent: The MathWorks, USA; dystrybutor: ONT, Kraków. Pakiet programistyczny RAD Studio XE oraz Embarcadero XE Developer Tools (C++, Delphi, PHP,.NET), licencja akademicka; producent: Embarcadero Technologies, USA; dystrybutor: BSC Polska, Warszawa. Obu zakupów dokonano w listopadzie 2010 roku. 12

Obecne laboratorium: komora próżniowa Komora z mikromanipulatorami do kontaktów elektrycznych [OmniVac]. Zestaw wytwarzania i kontroli próżni *Varian+. 13

Obecne laboratorium: optyka VIS/UV Lampa deuterowa i halogenowa (200 nm 2,5 μm) *Avantes+. miernik mocy światła *Standa+ (1 μw 3 W, 190 nm 20 μm), filtr szary obrotowy [Newport], filtry dichroiczne (pasmowoprzepustowe), płytka światłodzieląca, światłowód itd. mikroskop stereoskopowy [DeltaOptical]. 14

Obecne laboratorium: elektronika Sonda Kelvina (Besocke Kelvin Probe S z siatką o średnicy 3 mm) z układem sterująco-pomiarowym [Besocke], Pikoamperomierz ze źródłem napięciowym Keithley 6487 Analizator impedancji Agilent 4294A (własnośd: prof. S. Kochowski) 15

Rozbudowa laboratorium Doposażenie komory próżniowej do pomiarów fotoelektrycznych w układ grzania i chłodzenia ciekłym azotem Maciej Setkiewicz, projekt w toku. Zakup ostrzowej sondy Kelvina Besocke Kelvin Probe T (średnica ostrza 0,5 mm) w toku. Zakup drobnych elementów optycznych (zwierciadła, soczewki, uchwyty itp.). 16

Podsumowanie: docelowe laboratorium napięcie częstotli wośd temperatura natężenie światła długośd fali próbka (foto)pojemnośd (foto)prąd fotoluminescencja (PL) kontaktowa różnica potencjałów (CPD) fotonapięcie powierzchniowe (SPV) 17