LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Podobne dokumenty
Ćw. 8 Bramki logiczne

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

UKŁADY RC oraz TIMER 555

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

BADANIE ELEMENTÓW RLC

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Tranzystory w pracy impulsowej

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne

Ćw. 9 Przerzutniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

3. Funktory CMOS cz.1

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Układy czasowe

Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

Oscyloskop. Dzielnik napięcia. Linia długa

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Pomiary napięć i prądów zmiennych

Politechnika Białostocka

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Uniwersytet Pedagogiczny

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Politechnika Białostocka

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM

4. Funktory CMOS cz.2

1. Funktory TTL cz.1

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Badanie obwodów z prostownikami sterowanymi

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

Zworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.

Bramki Instrukcja do laboratorium AGH w Krakowie Katedra Elektroniki Ernest Jamro Aktualizacja:

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Synteza częstotliwości z pętlą PLL

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Podstawowe układy cyfrowe

Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna

Ćwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Układy i Systemy Elektromedyczne

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie 4 Pomiar prądu i napięcia stałego

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Statyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2

Uśrednianie napięć zakłóconych

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Politechnika Białostocka

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Transkrypt:

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0

LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek.. PRZYGOTOWANIE KONSPEKTU Konspekt do ćwiczenia naleŝy wykonać według formatki dostępnej na stronie laboratorium (http://www.scalak.elektro.agh.edu.pl/?q=pl/node/).. WYKORZYSTYWANE MODELE i ELEMENTY W trakcie ćwiczenia wykorzystane zostaną modele dydaktyczne TC-B i TC-B oraz niezbędne przyrządy pomiarowe. Model TC-B słuŝy do badania inwertera. Widok modelu przedstawiono na rysunku, a schemat ideowy na rysunku. Model pozwala na badanie pojedynczego inwertera, oscylatora pierścieniowego przy róŝnych napięciach zasilania. MoŜna takŝe mierzyć prąd zasilania. Rys.. Widok modelu dydaktycznego TC-B C P UF LS0 UE P 0 V 0V V +V +V A 0 LS0 Z,V UA LS0 UB LS0 UC LS0 P UD LS0 Z J WY U 0 C 0n C 00n U LT0-. + C 0u + C 0u J WE Rys.. Schemat ideowy modelu dydaktycznego TC-B KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki Model TC-B słuŝy do badania bramek - i -wejściowych. Widok modelu przedstawiono na rysunku, a jego schemat ideowy na rys.. Rys.. Widok modelu dydaktycznego TC-B D LED_cz R +V D LED_ziel R J WE R P P P? 0 D LED_cz P_XZPOZ_O R +V PODSTAWKA TESTOWA D LED_ziel R J WY J WE R P V +V D LED_cz 0 P 0 0V V,V +V +V R +V D LED_ziel J WE R R P P U 0 C 0n C 00n U LT0-. + C 0u + C 0u Rys.. Schemat ideowy modelu dydaktycznego TC-B Model pozwala na badanie bramek dwu- i trójwejściowych przy róŝnych napięciach zasilania oraz badanie charakterystyk przejściowych dla róŝnych sposobów przełączania bramek. Przełączniki P, P, P pozwalają na bezpośrednie połączenie wejść bramki z wejściami modelu (na czołówce) lub na zadawanie stanów logicznych 0 i. Przełącznik P pozwala na zwieranie poszczególnych wejść bramki w róŝnych konfiguracjach zapewniając róŝne sposoby sterowania bramki. P wybiera liczbę wejść do bramki. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

. PRZEBIEG ĆWICZENIA.. Badanie inwertwera... Charakterystyka przejściowa Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania odpowiednie dla aktualnie badanego układu (przełącznik P). Przełącznik P ustawić w pozycji BR. Umieścić badany układ w podstawce testowej zwracając szczególną uwagę na jego właściwe umieszczenie. Podłączyć do wejścia WE generator oraz oscyloskop (np. kanał ), a do wyjścia drugi kanał oscyloskopu. Oscyloskop ustawić w trybie X-Y. Włączyć zasilanie modelu. Podać z generatora przebieg piłokształtny o napięciu zmieniającym się od 0 do napięcia zasilania. Zaobserwować charakterystykę przejściową oraz przerysować do sprawozdania. Powtórzyć pomiary dla inwerterów wykonanych róŝnych technologiach. W przypadku inwerterów CMOS (0) przeprowadzić pomiary dla róŝnych napięć zasilania. UWAGA: Układy wymieniać w podstawce przy wyłączonym zasilaniu i odłączonym przebiegu z generatora. Na podstawie zabranych charakterystyk przejściowych dla kaŝdej z bramek: wyznaczyć napięcie przełączania U T, wyznaczyć napięcia typowe na wyjściu dla stanu niskiego (U OLtyp ) i wysokiego (U OH-typ ), oszacować typowe wartości marginesów zakłóceń statycznych dla stanu niskiego (MLtyp) i wysokiego (MHtyp). Wyniki zestawić w tabeli.... Czas propagacji Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania odpowiednie dla aktualnie badanego układu (przełącznik P). Przełącznik P ustawić w pozycji BR. Umieścić badany układ w podstawce testowej zwracając szczególną uwagę na jego właściwe umieszczenie. Podłączyć do wejścia WE generator. Podać z generatora przebieg prostokątny o amplitudzie dostosowanej do napięcia zasilania badanego układu (sprawdzić przed podłączeniem np. za pomocą oscyloskopu). Częstotliwość przebiegu powinna być na tyle duŝa, aby na oscyloskopie moŝna było łatwo zaobserwować czasy rzędu kilkunastu nanosekund (chyba, Ŝe studenci umieją wykorzystać tzw. lupę zoom, oscyloskopu). Pomiarów dokonać dwoma sposobami. Podłączając bezpośrednio kablami BNC oscyloskop do wejścia i wyjścia modelu oraz wykorzystując sondy oscyloskopowe podłączone do punktów pomiarowych na płytce modelu. W sondach naleŝy włączyć dzielnik (przełącznik ustawiony w pozycji x0). Zmierzyć czasy propagacji t phl i t plh. Czas mierzyć przy połowie amplitudy. Powtórzyć pomiary dla inwerterów wykonanych róŝnych technologiach. W przypadku inwerterów CMOS (0) przeprowadzić pomiary dla róŝnych napięć zasilania. UWAGA: Układy wymieniać w podstawce przy wyłączonym zasilaniu i odłączonym przebiegu z generatora. Wyniki zanotować i obliczyć średni czas propagacji, wyjaśnić ewentualne rozbieŝności w sprawozdaniu. Wyniki najlepiej zebrać w tabeli. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

... Czas propagacji z wykorzystaniem oscylatora pierścieniowego Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania odpowiednie dla aktualnie badanego układu (przełącznik P). Przełącznik P ustawić w pozycji OSC. Przełącznik P w pozycji. Umieścić badany układ w podstawce testowej zwracając szczególną uwagę na jego właściwe umieszczenie. Do wyjścia modelu podłączyć oscyloskop i zaobserwować przebieg. Następnie podłączyć częstościomierz i zmierzyć częstotliwość przebiegu wyjściowego. Następnie kolejno przełączyć przełącznik P w pozycję i mierząc częstotliwość. Powtórzyć pomiary dla inwerterów wykonanych róŝnych technologiach. W przypadku inwerterów CMOS (0) przeprowadzić pomiary dla róŝnych napięć zasilania. UWAGA: Układy wymieniać w podstawce przy wyłączonym zasilaniu i odłączonym przebiegu z generatora. Na podstawie zmierzonej częstotliwości obliczyć średni czas propagacji badanych inwerterów (pamiętając, Ŝe oscylator jest zbudowany z połączonych szeregowo inwerterów). Wyniki porównać z wynikami uzyskanymi w poprzednim punkcie (np. wspólna tabela). Skomentować rozbieŝności. Korzystając z pomiarów częstotliwości oscylatora obciąŝonego, lub inwerterami (przeł. P) określić wpływ wejścia jednego inwertera na czas propagacji inwertera sterującego.... Pobór mocy Wykonać pomiary dla bramki z rodziny TTL, TTL-LS i CMOS. Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania V (przełącznik P). Przełącznik P ustawić w pozycji BR. Umieścić badany układ w podstawce testowej zwracając szczególną uwagę na jego właściwe umieszczenie. Podłączyć do wejścia WE generator. Do wejścia I ZAS podłączyć amperomierz. Podać z generatora przebieg prostokątny. Wykonać pomiary dla kilku wartości częstotliwości (moŝliwie duŝych, na które pozwala dostępny generator). Następnie do zacisków Z podłączyć kondensator o wartości, np. 00pF, oraz innych dostępnych w laboratorium. Wykonać pomiary dla kilku wartości pojemności. Na podstawie zebranych wyników wykreślić zaleŝności poboru mocy przez bramki od częstotliwości i pojemności obciąŝającej bramkę... Badanie bramek... Charakterystyka przejściowa Pomiary przeprowadzić przynajmniej dla jednej bramki z rodziny TTL i CMOS. Obserwacje wykonać dla róŝnych warunków przełączania bramek. Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania odpowiednie dla aktualnie badanego układu (przełącznik P). Przełączniki P, P, P i P pozwalają na zrealizowanie wszystkich moŝliwych sposobów przełączania bramek. P ustawić stosownie do badanej bramki (-we lub -we). Na początku podłączyć do KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

wejścia WE generator oraz oscyloskop (np. kanał ), a do wyjścia drugi kanał oscyloskopu. Oscyloskop ustawić w trybie X-Y. Włączyć zasilanie modelu. Podać z -generatora przebieg piłokształtny o napięciu zmieniającym się od 0 do napięcia zasilania. Przełącznik P ustawić na 0. W tej pozycji moŝna badać ch-ki przejściowe w przypadku sterowania bramki z jednego wejścia. Jeśli P jest na WE, a P i P na 0 lub stosownie do badanego rodzaju bramki (AND, NAND, NOR, itd.), to obserwowane jest przełączenie bramki będące wynikiem sterowania WE. Zaobserwować charakterystyki przejściowe oraz przerysować do sprawozdania zmieniając pozycję przełącznika P tak, aby przebadać wszystkie moŝliwe przypadki. Na podstawie zabranych charakterystyk przejściowych dla kaŝdej z bramek: wyznaczyć średnie napięcie przełączania U T, wyznaczyć napięcia typowe oraz skrajne na wyjściu dla stanu niskiego i wysokiego, oszacować minimalne wartości marginesów zakłóceń statycznych dla stanu niskiego i wysokiego. Wyniki zestawić w tabeli. Wyjaśnić efekt powstawania rodziny charakterystyk przejściowych dla bramki.... Prądy wyjściowe Układ pomiarowy przedstawiono na rysunku. Na płytce modelu TC-B ustawić napięcie zasilania odpowiednie dla aktualnie badanego układu (przełącznik P). Przełącznik P ustawić stosownie do badanej bramki (-we lub -we). Za pomocą przełączników P, P i P ustawić odpowiednie stany logiczne na wejściach bramki tak, aby moŝna było zmierzyć prądy wyjściowe w stanie niskim i wysokim na wyjściu. Zmierzyć maksymalny prąd wyjściowy w stanie niskim (I OLmax ) i (I OHmax ). Dla bramek TTL pomiary wykonać przy U OLmax i U OHmin, dla bramek CMOS dla 0% i 0% napięcia zasilania. Powtórzyć pomiary dla róŝnych rodzajów bramek i róŝnych technologii. A I OH A I OL U OH V U OL V Rys.. Schematy pomiarowe do wyznaczania pr ą dów wyjś ciowych Wyniki zebrać w tabeli i porównać z danymi katalogowymi.. LITERATURA [] Wykład z TC - dr inŝ. J. Kasperek, dr inŝ. P. Rajda [] http://layer.uci.agh.edu.pl/~maglay/wrona/pl/podstrony/dydaktyka/bramki KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

. DODATKI.. Bramki oznaczenia układów scalonych serie XX... seria 0... (CMOS) Typ bramki -wejściowa -wejściowa NOT 0 AND 0 OR NAND 00 0 NOR 0 NOT 0 NAND 0 0 NOR 00 0 KATEDRA ELEKTRONIKI AGH