CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

Podobne dokumenty
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

Politechnika Białostocka

Liniowe układy scalone

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Politechnika Białostocka

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

WZMACNIACZ OPERACYJNY

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

Systemy i architektura komputerów

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Ćwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego.

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Ćw. III. Dioda Zenera

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Politechnika Białostocka

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Wzmacniacze operacyjne

Politechnika Białostocka

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera

Ćwiczenie nr 254. Badanie ładowania i rozładowywania kondensatora. Ustawiony prąd ładowania I [ ma ]: t ł [ s ] U ł [ V ] t r [ s ] U r [ V ] ln(u r )

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Ćwiczenie nr 11. Projektowanie sekcji bikwadratowej filtrów aktywnych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Liniowe układy scalone. Elementy miernictwa cyfrowego

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Politechnika Białostocka

Detektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Laboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Wzmacniacz operacyjny

Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE

Sprzęt i architektura komputerów

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

1 Filtr górnoprzepustowy (różniczkujący) jest to czwórnik bierny CR. Jego schemat przedstawia poniższy rysunek:

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

Ćwiczenie nr 43: HALOTRON

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

A-2. Filtry bierne. wersja

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Laboratorium Podstaw Pomiarów

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Politechnika Białostocka

Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Transkrypt:

WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego μ A741 w następujących układach nieliowych: -generator funkcyjny; -wzmacniacz logarytmiczny; -miernik średniej częstości impulsów; -przetwornik prąd stały/prąd zmienny (AC/DC); Wprowadzenie Dioda jest elementem półprzewodnikowym. Jej działanie opiera się na właściwościach pojedynczego złącza P-N i jego nieliowej charakterystyce prądowo napięciowej: KU I = I e ( ) 1 q K = kt gdzie: I jest prądem przepływającym przez diodę i powodujący spadek napięcia U, zaś I jest pewną stałą o wymiarze prądu. W układach elektronicznych ma ona szereg zastosowań. Przede wszystkim używana jest jako element prostowniczy, element logarytmiczny lub zabezpieczający prąd. Dioda może również spełniać zadanie kondensatora o regulowanej pojemności - waraktora. Osobnym zastosowaniem są diody świecące. Buduje się również specjalne diody działające na efekcie Zenera. Stosowane są w układach prostowniczych i jako ograniczniki prądu. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 1

1 Generator funkcyjny Rys.1 Generator funkcyjny Wzmacniacz operacyjny μa741 w układzie diodowy generatora funkcyjnego został zastosowany po to, aby można było aproksymować funkcję nieliową do wyników naszych obserwacji. Metoda aproksymacji polega na dopasowaniu poszczególnych odcków za pomocą regresji liowej do punktów otrzymanych przez nas w doświadczeniu. Dokładność tego rodzaju aproksymacji jest określana przez liczbę zastosowanych odcków. Całą krzywą w postaci lii łamanej tworzy się przez sumowanie poszczególnych odcków wytwarzanych oddzielnie, tzn. każdy z odcków ma odpowiednie napięcie określające punkty załamania i nasycenia. Nachylenie charakterystyki zależy od współpracującego z diodą rezystora R, a punkty jej załamania od napięcia polaryzującego U. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz

Statyczna charakterystyka przejściowa U = f( U ) dla U = 15V ; U [V] U [V] -,5,5 1-7,9-1,46 9-6,96-1,5,69 8-6, -,91 7-5,4 -,5 1,15 6-4,9-3 1,46 5-3,11-3,5 1,71 4 -,17-4,4 3,5-1,91-5,98 3-1,55-6 3,95,5-1,8-7 4,9-1,5-8 5,86 1,5 -,75-9 6,8 1 -,54-1 7,76,5 -,6,4 Powyższa tabela jest zebraniem wyników pomiarów napięcia wyjściowego U w funkcji napięcia wejściowego U. Charakterystyka przejściowa 1 8 6 4 U [V] -16-1 -8-4 4 8 1 16 - -4-6 -8-1 U [V] Powyższy wykres przedstawia charakterystykę przejściową dla generatora funkcyjnego pokazanego na rysunku 1. Na wykresie przedstawione są punkty pomiarowe oraz proste dopasowane metodą regresji liowej. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 3

1) Lia regresji dla odcka górnego: y =,955x 1,785 Współczynnik kierunkowy:,955 Odcięta: 1,785 ) Lia regresji dla odcka środkowego: y =,59x, 517 Współczynnik kierunkowy:,59 Odcięta:, 517 3) Lia regresji dla odcka dolnego: y =,96x+ 1,6767 Współczynnik kierunkowy:,96 Odcięta: 1,6767 Dla zakresu napięć, dla których żadna z diod nie jest załączona (środkowy odcek), obliczamy wzmocnienie: R f 7,5kΩ Kv = = =,5 V R 15kΩ V Z kolei wzmocnienie układu dla napięć, przy których jedna z diod przewodzi wynosi: R f 7,5kΩ Kv = = = 1, V 1 V R R 15kΩ 14,3kΩ V V ( ) ( ) Widać, że wyniki doświadczalne (współczynnik nachylenia prostych na wykresie) zgadzają się z przewidywaniami teoretycznymi. Na podstawie wykresu wyznaczono punkty załamania charakterystyki przejściowej dla generatora funkcyjnego. Wynoszą one odpowiednio: P( 4 V;,4 V) 1 P( + 4 V;,17 V) Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 4

Wzmacniacz logarytmiczny Rys. Wzmacniacz logarytmiczny Charakterystyka U = f( U ) dla prądu stałego. U [V] U [V], -3,,3-3,44,4-3,61,5-3,73,1-4,9,15-4,31, -4,46,3-4,68,4-4,84,5-4,96,6-5,6,7-5,15,8-5,,9-5,9 1-5,35-5,75 3-5,99 4-6,17 5-6,31 6-6,4 7-6,51 8-6,59 9-6,67 1-6,73 11-6,79 1-6,84 13-6,89 14-6,93 15-6,97 16-7 17-7,4 18-7,6 19-7,7 Powyższa tabela jest zestawieniem wyników otrzymanych w czasie pomiaru. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 5

Charakterystyka wzmacniacza logarytmicznego,1,1 1 1 1-1 - U [V] -3-4 -5-6 -7-8 U [V] Na wykresie można zaobserwować logarytmujące właściwości układu. Świadczy to o poprawnym wykonaniu zadania. Krzywa dopasowana do punktów pomiarowych jest postaci: y =,574x 5,3955 W równaniu: x = log( U ) y = U Ostatecznie krzywa dopasowana do punktów pomiarowych ma postać: U =,574 log( U ) 5,3955 Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 6

3 Integrator Rys. 3 Integrator Zależność napięcia wyjściowego U od częstości f dla napięcia wejściowego U = 1V C1= 1 pf f [khz] U [V] 4 8,78 37 8,69 35 8,39 3 7,1 5 5,97 4,94 16 4 13 3, 1,48 5 1,3 4, 1,1 3,4,94,4,69 1,7,5 1,34,8,9,6,4,41,19 Tabela 1 C= 1 nf f [khz] U [V] 4,5 8,78 3,6 7,86 3 6,81,65 5,84, 4,88 1,8 4,3 1,1,54,7 1,7,5 1,,3,77,,56 Tabela Powyższe tabele są zestawieniem danych pomiarowych dla dwóch różnych konfiguracji układu. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 7

Dla kondensatora: C1 = 1 pf U [V] 1 9 8 7 6 5 4 3 1 1 3 4 5 f [khz] Powyższy wykres przedstawia zależność napięcia wyjściowego U od częstotliwości f dla konfiguracji z kondensatorem C1 = 1 pf. Dla kondensatora: C = 1 nf U [V] 1 9 8 7 6 5 4 3 1 1 3 4 5 f [khz] Powyższy wykres przedstawia zależność napięcia wyjściowego U od częstotliwości f dla konfiguracji z kondensatorem C = 1nF. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 8

Zauważono, że jeśli amplituda impulsów prostokątnych jest stała i czas trwania impulsów dostateczny do naładowania kondensatora dozującego C d, to w każdym cyklu pracy do kondensatora C przekazywany jest ładunek UC d. Dla średniej częstości f średni prąd ładowania C jest równy fuc d. Kondensator rozładowuje się przez opór prądem R. Stąd w stanie równowagi mamy zależność U = UCd Rf. Dla wyższych częstości czas trwania impulsu nie jest wystarczający do naładowania kondensatora dozującego C d i układ przestaje działać prawidłowo. Zjawisko to można zaobserwować na powyższych wykresach. U Zaobserwowano, że przy wzroście pojemności C d o rząd wielkości, zakres pracy maleje o rząd wielkości, co można wytłumaczyć na podstawie następującego wzoru: U f = U C R Widać stąd, że średnia częstotliwość jest odwrotnie proporcjonalna do pojemności, co też potwierdziło doświadczenie. Jednocześnie zauważono, że zmiana amplitudy sygnału wejściowego też ma wpływ na zakres pracy. Jest to zależność odwrotnie proporcjonalna do średniej częstotliwości, czyli wzrost amplitudy powoduje spadek średniej częstotliwości pracy, co również wynika z powyższego wzoru. d Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 9

4 Przetwornik AC/DC Rys. 4 Przetwornik AC/DC Charakterystyka statyczna prostownika U = f( U1) dla układu przetwornika AC/DC z rysunku 1. U [V] U [V] -8-7,3-7 -7,1-6 -6,1-5 -5,8-4 -4,7-3 -3,5 - -,3-1 -1,,7m 1-1, -,4 3-3,7 4-4,9 5-5,1 6-6,15 7-7,17 Zestawienie danych pomiarowych. Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 1

Charakterystyka statyczna prostownika -1-8 -6-4 - 4 6 8 1 - U [V] -4-6 -8-1 U [V] Powyższy wykres przedstawia charakterystykę statyczną prostownika. Na wykresie widać proste dopasowane za pomocą metody regresji. Ich równania to odpowiednio: y = 1, 146x, 57 y = 1, 55x+, 74 Na podstawie powyższych równań wyznaczono nachylenia (tzn. współczynniki kierunkowe) dopasowanych prostych. Wynoszą one odpowiednio: a1 = 1, 146 a = 1, 55 Diody i wzmacniacze operacyjne w układach nieliowych Agata Rachwał i Jacek Mostowicz 11