Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Podobne dokumenty
płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE UKŁADÓW FUNKCJI LOGICZNYCH (SYMULACJA)

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL

Systemy i architektura komputerów

Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Tranzystor bipolarny

Uniwersytet Pedagogiczny

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Dioda półprzewodnikowa

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

Politechnika Białostocka

UKŁADY KOMBINACYJNE (BRAMKI: AND, OR, NAND, NOR, NOT)

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Ćw. 8 Bramki logiczne

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

Statyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2

Politechnika Białostocka

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Wzmacniacze różnicowe

Uniwersytet Pedagogiczny

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Podstawowe układy cyfrowe

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Tranzystory w pracy impulsowej

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Politechnika Białostocka

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Politechnika Białostocka

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR

3. Funktory CMOS cz.1

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Transkrypt:

adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.. Wykaz przyrządów zasilacz programowany woltomierz cyfrowy. 3. Przedmiot badań płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami pokazana na rysunku. RC =470 C C RC =470 R =7k R E =0k R =7k 4. Wprowadzenie teoretyczne Rys.. Płytka montażowa ramki RTL charakteryzuje prosta konstrukcja co jest ich podstawową zaletą. Zasadniczą ich wadą jest jednak mała odporność na zakłócenia. aza każdego tranzystora jest bezpośrednio dostępna dla sygnałów zakłócających. Ze względu na jednostopniowy charakter wzmacniacza bramek układy RTL cechuje nieduża obciążalność. Podstawowe dane techniczne bramek RTL zestawiono w poniższej tabeli: zasilanie do 4 V poziom logicznego zera (0) < 03 V poziom logicznej jedynki () 5 4 V czas propagacji bramki µs obciążalność kilka moc strat 40 00 mw

Podstawowym układem w technice RTL w którym wykorzystuje się tranzystor bipolarny jako element logiczny jest bramka NOT (inwerter) której schemat ideowy oraz tabelę stanów logicznych pokazano na rysunku. Punkt pracy tranzystora w tym układzie przyjmuje na charakterystyce I C = f( ) pokazanej na rysunku 3 jedno z dwóch ściśle określonych położeń. Odpowiadają one odpowiednio: stanowi nasycenia - przez tranzystor przepływa wtedy maksymalny prąd kolektora I C U CE wynikający z wartości I = C oraz RC stanowi zatkania - prąd kolektora I C jest wtedy prawie równy zeru. UR c U we R i T U E C E U CE U we 0 0 Rys.. Schemat ideowy i tabela stanów logicznych bramki NOT ic [ma] Stan nasycenia i 6 = max Prosta rezystora i 5 i 4 i 3 i Stan zatkania i =0 (0) () Rys.3. Charakterystyki wyjściowe tranzystora U UCE [V] Rozpatrzmy dokładniej wspomniane dwa stany pracy tranzystora: ) stan nasycenia: na wejście układu z rysunku podajemy jedynkę logiczną () czyli U WE = 5V złącze baza-emiter tranzystora T jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia U E 0 7V ( )

U płynie prąd bazy I zależny od wartości rezystora R WE E I = R tranzystor silnie przewodzi aż do nasycenia (prąd kolektora I C > βi gdzie β - wsp. wzmocnienia tranzystora) na rezystorze odkłada się napięcie U Rc równe w przybliżeniu napięciu zasilającemu U (ponieważ napięcie U CE w nasyceniu ma znikomo małą wartość ok. 0V) napięcie wyjściowe: UWY = U a więc U WY = U CE 0 czyli na wyjściu pojawia się zero logiczne (0). ) stan zatkania: na wejście układu z rysunku podajemy zero logiczne (0) czyli U WE = 0V złącze baza-emiter tranzystora T nie jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia prąd bazy I = 0 tranzystor nie przewodzi prądu I C 0 (w szczególności płynie znikomo mały prąd blokowania) napięcie na rezystorze jest w przybliżeniu równe zero ( U 0) napięcie wyjściowe: UWY = U a więc UWY = U CE U czyli na wyjściu pojawia się jedynka logiczna (). 5. Przebieg ćwiczenia wykorzystując płytkę montażową zbudować kolejno układy pomiarowe dla każdej badanej bramki wg schematów ideowych pokazanych na rysunkach 4 5a 5b 6 7 i 8 podłączyć woltomierz cyfrowy na wyjściu badanej bramki po sprawdzeniu poprawności montażu podłączyć do układu napięcie U =+5V z zasilacza programowanego uzupełnić podaną poniżej tabelę stanów logicznych podając na wejścia badanej bramki określone kombinacje zer i jedynek oraz mierząc napięcie wyjściowe za pomocą woltomierza zeru logicznemu (0) odpowiada napięcie o wartości ok. 0V natomiast jedynce logicznej () odpowiada napięcie o wartości ok. 5V. 6. Sprawozdanie z przebiegu ćwiczenia Tabela stanów logicznych badanej bramki [V] 0 0 0 0 Na podstawie przeprowadzonych pomiarów należy przygotować sprawozdanie które powinno zawierać: zrealizowane na zajęciach struktury bramek wraz z ich tabelami stanów logicznych opis działania wybranej bramki dla dwóch różnych stanów na jej wyjściu oraz wnioski końcowe.

7. Schematy ideowe badanych bramek RC R i U we Rys.4. ramka NOT U =+5[V] R i RC R i Rys.5a. ramka NOR i R i R i Rys.5b. ramka NOR (druga wersja)

R i R C R i Rys.6. ramka OR R i R i Rys.7. ramka NAND

U =+5[V] R i R i R E Rys. 8. ramka AND