told PIQA Instytut T e c h n o l o g Mterłó Elektroncnych rs Ząk A B jko mterły ytrn elementó prepusclnych podceren. I N F O R M A C J E PROADZAJy^CE Promeno erjące stosone promenon kontrol procesó trochemcnym), celó nych bdń bdń rture ją podcerone ok. K, lser mterły SO^: ( mt n. rys. metl IV, premysłch termoj tł, t. długość "ok fl prepusclne chemcnym scególną rolę predle 8 ^m, pe termoyj emskch tmosferycnego". 0,6 medycy steltrnych obektó promenon detekcj, stoso cysceń, 2 moż Zkresy prepusclnośc 3 be As+S/Se) podelć lklcnych, półpreodnkoe predstją rem ąn ąk kolentne) or krystlcnych prepusclnośc udcnjąc optycne mterłó em ąk fl p s m jonoe optycnych Rysunk c socek) o tempe odgry3,5 odpodjąc ;m, preemsj jogólj skl skl tlenkoych SO^. chlkogenkoych grupy genercj seroke t e m p e r t u r y rem krystlcne. be cnych jego CO^«mterły Do prepusclnośc meśc Stosone ( blżonej prepusclne (np. geofyce mnerłó. (ok, jdują chemcnej termogrfcnych, 300 tym optycne technologcnych le odpodjącego dle elementy podceronego, sobó mterły urąden tlenk, grup leżą: grnc chlork metl schelkl półpreodnkoe II VI o r III V, lną ymenonych psm msm podje perstk odpoedno Ge+As/Sb/+Se) górną turą [^l] długoś krystlcnych, ąń cąsteckoym grncę mterłó (ąn. 35
/4 bsorpcj cyscench &rup hydroksylo Tlenk _). 4 Setenk Srck Tlenk okresj 2 prxpusclnoéc 3 4 6 sklu B 0 Dtugość. Z k r e s y 4 fl 6 20 Z2 [ym] prepusclnośc skl I PofpreocLnk perstkoe 0e L grup GSb 0.6 'grup n/v.0 Ząk pótpreod. O grup ly B I r V. 2,0! ^Tlenk BfO, CL Ząk jonoe 00 30 200 cąsteckoy Cężr Krótkofloe grnce y b r o n o n e j 4 rnce [l] trnsmsj P, ogól (gde T yrżone psmo = exp [p prepusclnośc, I/Iq). R y s. pre serokośc prer krystlcnych rtość gde I = 36 T prepusclnośc mterłó preentuje mo p r e p u s c l n o ś c, psm 250 300 350 /tomoy) (cj)l 4b [2] yrżone predst spółcynnk ps bsorpcj
A Z\vąk jonoe S u /KBr / grup //// Półpreodnk / pet s tko e /tdje <n s / / U5e/ /oe 20 I / f Zn Ząk pótpreod / grup mv AdS %F y O. UF "^.CoCO, SÍ02 JÓ 00 ^50. 00 230 Cężr cąsteckoy (tomoy) 3. Długofloe grnce psm prepusclnośc mterłó krystlcnych! Użytecno dt. fl kres A rnultqqf.. ^ Absorpcj \ Ab^rpcj j meskch Absorpcj obsre promenon restkoego Absorpcj ą e budem ele<tronć psm podstoego psm, brononego Dugość 4. Uogólnone pre cytonych n p d j ą c e g o, stę grubośc be floej predste rtośc trnsmsj yrżench tęże L, p (OJ) sobodnych nośnkch flx psm yrżone T oc tego prepusclnośc tęże promenon spółcynnk bsorpcj ąk promeno po p r e j ś c u pre promenon o rlc ± X = U. 37
Psm Lcb flotv meskoe feroych [cm'''] Sobodne nośnk 4b, Uogólnone pre Od s t r o n y sorpcją go predste rtośc p s m głto eksponencjl Zgod mjs noośc psmo pre preodnct. ponżej rtośc mleje spółcynnk fl k r ó t k c h promenon psm E^ prepusclnośc Gdy dnym rys. mjs temu r s t j ą c e promenon rtośc b podstoe energetycnej), obnży rtość^ ok. rstjącą ąń, serokość długość ogrncone psm ^ < 0 2 [pj. 2, r udł j o n o o ś c kntó prery crese d l m l e j ą c e g o ło ) budne energ (serokość yrżone bsorpcj elektrony (pocątkoo prepusclnośc r prery m cąsteckoą mlejącym energetycnej fl krótkofloej grncy stopm E^. jo Odpod psm prepus clnośc. Od s t r o n y sorpcją długofloej fonoą, ąną Dl prostego psmo e prepusclnośc budem krystłu jonoego drgń sec ogrncone b krystlcnej. [l ] f Poscególne bsorpcj m ^ mg symbole fonoej, msy Prytocone clnośc, dnego ) 2K( K ocją: stłą f ynkją mterłu, cynnk, seć ąnych cęstotlość ąn kres psm chrkterystycnych jego turą, 38 słę psm chemcnego, krystlcną. ycjące urunkoń ęc mksymlną chrkteryującą tomó t o r ą c y c h yżej 2 skłdem prepusłsnośc podstoym struk
recystych mterłch łącją urunkon nych" elektrono pcj róż tono n nośnkch poone chere, trącen defekty pokryć dy, grnce o le noych or "chrkterystyc "okolcnoścoe". pre cyscenm, struktury defekty Są to: bsorpcj cyscen, jsk enętrnej, poerchn jk roprs np,: mterłu, bsor pory,, pę eentul ntyrefleksyjnych. mterłch pre defekty obce urunkoń strcnych ą pre tych polkrystlcnych rn. mterły technolog roprs Roprs sttec otrymyn stno "cyste". mterłó może być jedk skuje łś poone ęksej presko to skutecność forme polkrystl cnej. Urunkon ąże "okolcnoścoe" cechm O techncnej pcj, ) decyduje 0 rtośc spółcynnk krese spółcynnk cepło krese grnc trść; prcujących or ąką rtośc leżą ęksej 3 rędu 0 po lseroą), predle od tempertury, dyspersj, 23), stłośc elementu; termcnych mechncnych sprężystośc, łsnośc odporność chemcnych ode, dł technolog tmosfer mterłó (monokrystlcj), ne t e c h n o l o g e celu klsycne nośc rtośc plstycnośc, krese tępnych (o roserlnośc, ropusclność mją bsor ceplne, nych" spry łsnośc: "serokopsmoych" leżnośc łsnośc spółcynnk klucoej łśce; 4) obok bsorpcj (korystne łsnośc preodncto 3) jego poerchn żnych ukłdó łmn uględm obrębe mterłó optycnych spółcynnk łsnośc technolog. mterłó, ukłdó j 0 tej nnych łsnośc roptryny yżej 2 nżej 2) sereg krese nż stosonych prydtnośc bsorpcyjnych chemc podceren, lły obróbk preycęże różnej technologe mterłó. tury monokrystlcj, ytrnych ytrymłośc ktynych. obok stoso otrymyn romró np, blokó mechncnej lub technolog noe, Te ogrnceń mterłó, konencjol noe łsc: ) b) technologe kłdnych pre ękse ulepse "omnęce" defektó "klsyc s łs struktury 39
ąnych kostó monokrystlcją których ąkó, c) mjse produkcj, I tl< np. p r y p d k u loge "odlen" nych (rys. 5), cysceń seregu fluorytu (cstng) 2J, CF^ grnoy stosone elkoymroych Polkrystlcność, germnu rn, jeśl może blokó t o r y s y boem techno polkrystlc jej ydel stnoć preskody stosoń. Iolcj o o 777? Elemenh o o o o Słopnu ^rbk Tssjong ' / / / / 0 0 0 0 0 0 0 0 0 ^orm Rys, 5. S c h e m t procesu grf oug "odlen" (cstng) blokó polkrystlcnego CP, prypdku technolog dć cne, hlogenkó "mżdżen trdycyj ękse Zróno elementó ysokm "Irtrn", optycnych edług seregu fy k), lec skl nch goej Podstoe 40 dne 2, ytr tbel ' proskó pre cętych ąk A krye Kodk). ronęt trnsmsj cęc tkże pnel, pod resce technologę ( VI B jko mterłó stosonej stęp, [e, 7], frmę rst ytorn temperturch objętoścoej ostł ąkó (ser stosono polkrystlcnych chrkteryujące prepro polkrystl technolog ysokch CdTe) t umożljącej (MgP^. forme kdrtoych, 8 rn, stoso polkrystlcnych technolog poljąc mechncnej. prso, [2], stoso monokrystjcne oprconych (np, mterłu metró poerchnoe ne podno 6b [ 5 ]. pre forme umożljącej cłych lł lł ytoronych hlogenkó technolog prypdku gorąco" drobnokrystlcnych prypdkó prost elementy strukture CdTe) cśm lklcnych ytrymłośc seregu, tu (forgng) ytorone o uporądkonej elokrotne metl o płyt grubośc, ogromnej poerch mjse mterły pokno ros formty optycrys, 6
Polkrystlcny, fy goej rost cekłej Irtrn 6 p r s o g o r ą c o Polkrystlcny ZnTe (ZćlT^ CdTe fy Irtrn 4 p r s o g o r ą c o Polkrystlcny, fy goej Irtrn 2 p r s o g o r ą c o Określe procesu te c h n o l o g c n e go ZnS ZnS Mterł 28 0,93 0,526 0,522 0,52 2 0,44,5 0,44,5 [pn^ 0,002 0,29 0,0 0,003 0,3 0, 0, rl_cm ytrn 2,56 2,672 2,70 2,407 2,407 2,986 2,986 9307 96 00 4858 5 spółcyndn/dt nk ł m n n pry pry 3 0 0 0 pm stosonych spółcynnk p o c h ł nn pry 0 ^m podceren mterłó Użytecny kres podceren łsnośc prepusclnych T b e l I. P o d s t o e K cm/cm K ' dt 5,9 5,36 8,36 8,53 7,48 0,053 0,06 0,6 [cl/g. deg_ Cepło łśce 250C optycnych, dl 6,97,4 xlo~ elementó 45 45 00 00 250 2 50 Trść g Knoop
,MgO 00 LF Q^ u.^60 6 h ^" / M r qs qe ^MgF2 ^ZnS Vc/7e.2,4,6.8 Długość fl ^^ 6, Krye 2p trnsmsj podstoych mterłó Luml nych od optyc strony fl krótkch 2 M te tg 0 3 Dtugość 6b. Krye od trnsmsj strony 2. T E C H N O L O G I E SOAŃ ąnych 2.. or prężnośc, 42 2, optycnych Z OKIEN PUNKTU IDZENIA ZASTO PODCZERIENI ytrm oken podceren predstono kerunkó łą schemce. Dotycy mterłó II VI mterłó A B uględm technolog mpułch tosoń podstoych MATERIAŁÓ Krystlcj ZnTe 23 26 30 /f/v] długch DO Y T A R Z A N I A Klsyfkcję conym fl fl o sposobem krcoych krystlcj grnc pr, krcu CdSe), poostją pojemnk. hermetycnych 3, Brdgm 4 ). ąkó (kerunek l) ąkó których Co mpułch Objętośco "nskotemperturoych" tempertur kolj topn, możloścm tym d e (ZnTe rostu (CdTe tkże techncnym krystlcj krcoych form nskotemperturoych ch 9,0 s, pro CdTe prktyko tego
SCHEMAT KLASYFIKACJI MATERIAŁÓ TECHNOLOQI TYPU Krystlcj sposobem Brdgm ąkó nskotemperturoycłl mpułch krcoych (CdTe, ZnTe, CdSe) Technologe "klsyc n e " otrymyn krystłó objętoścoych l Krystlcj fy goej ąkó ysokotemperturoych /(CdS, Z n S e ) ) T e c h n o l o g e ytrn mterłó Krystlcj ąkó ysokotemperturoych fy c e k ł e j pod c ś m g u o b o j ę t n e g o <X) s p o s o b e m B r d g m n j0) sposobem grdentoego schłdn (, ZnS, CdS) Technologe specyfcne ytrn mterłó s tosoń technce podceren Technologe elektrokrystlcj (, ZnTe? CdTe? T e c h n o l o g e typu 'Irtrn" (ZnS,, CdTe) Technologe rostu polkrystlcnych rst (pnel) pry użycu s u b s t r t ó forme pr g ó (, CdTe) 43
ględu, le że mterły t e s ą dużej ZnTe) mere ytrn detektoró elektrooptycnych CdTe te prktykone Krystlcj (kerunek Kerunek le krystlcj sokotemperturoych "Ic" by ęksej nż stnoą edług potrebm ąkó gu, sobodnych CdS topn poblżu cy rgonu, yjąsy dnych stosoń 44 oods u y s k n mterłu Prktykone o sposoby dóch sposo sługuje eentulne skojre objętośc polkrystlcnych m (skojre 9, publkcję ok ąkó topn Próżnośc kedy stją ysokotempeyklucją pr tempe CdS (temp. krystlcj plstycne) " Cf " (sposób procesy Brdgm), prone prod mechnmy mterłu hermetycnych 20, stosunku (które cekłej Ic) tempertury stoso T f y her umesco (sost relcj kerunku " l " ). edług edług tego 2, 22, kerunku blokdy cy "ß" też pod ysokm dyfuyjnej, tygl pre grftoych. preentone pub 23]., cechą chrkteryujących, Cutter y kerunku krcoych. schłdn) który krystlcj 8, [l5 mpu ąkó cytonych. (kerunek toteż by to r n c e pronu [l7, g o e j, lub m o d y f k c j e rst których krcoych "Ic" brk "2b". "Ic". odsenu pojemnkó grftoych grdentoego Ukcjch goej będ ysokotemperturoych ysoke, (sposób Sposoby stosunku "2" fy fy goej forme ZnS, kerunku cdłjącej bd obojętnego 500 C mpułch osłoch cśm objętoścoe; fy Pölch specjl potóre stosony rturoych topn publkcj yżej rostu stoso nych (Peper k r y s t l c j ten metycnych stosoń "2b"). cśm Kerunek kerunk gdy prtur kedy śdclne Krystlcj rture bądź, ogół łścych kerunkem pod CdS, bądź N ugę 2.3. jk u m o ż l to k e r u n e k mterły stosonu stęp, bó p o d s t o y c h, Do n płytk. objętoścoego lub m k n ę t e j perfekcj roąń róż (CdTe), ysokotemperturoych mterłu prktykony scegółoe knętej potrebne cęte "yspecjlone" ąkó podceren, Ib) smohermetyującej [[ló] ) być oken modultoró e l e k t r o o p t y c n y c h. ( C d T e detektoroych tej forme mogą 2.2. tylko promenon jonującego mterły stosone chrkterystycną otrymyny podceren. Mterł mterł poostłych punktu otrymyny den ogół
postc lekó pośęc pęchere, mją defektom trącen ątple Publkcj 5 br noścch se łący ysokm pr łsnych.. trąceń) prypsuje stępnego procesch jko możle prode reguły, jednym edług cyklu 0^5 pęchery stosony ykle rócć np. typu M S R krystlcją cym Tylko synteonego, Nleży gu pry płscyny stęp MP pręż ^ 0. postc który cśnoych, c ś n e ń cystego, monokrystły, publkcjch. br o ysokch płscy (tkże prone spektrl perstkó stoson nnych prturch rgonu średncch synteę procesu one optycnych. otrymy blźncen hndloy stosonych defektó elmcj produkt s t o s o ń fy prostopdł ystępują łsc: lekó o młych (loo MP.) Otrymyne predstonych "ykłych" Reserch), Obe syntey ogrnce którym s ą ug blźnkon. s y s t k e postc os tygl ypdkch Zcne 27 mm). ele cyklu technologcnym krystlcję, fe 26, prydtność (choć cśm kerunku 25, 20 ukerunkom jednym łsc których że optycnych (ponżej jsk yróżn perstkó ymgnym 24, obcych ujemny pły n Proces cystych średncch struktury f fso] stosoń mm). pod o młych (frmy Metls obojętnego, syntey ugę, perst kó. edług onego cych roptrynej syntee gcnym pre br cystych krystlcją T% BO bo 40. 20 K publkcj sublmcję (rys, perstkó / ) (g stęp reulttó jednym synte rónują cyklu technolo \ \ \f 5 7. pły r o d j u ocysc prod 7), O Rys, tkże yjścoego 20 25 MKM trnsmsję krystłó [20] ) cystośc mony H 2 S e, lumnoforó, 3) 2) synteony j, d o d t k o o subl perstkó 4b
Krystlcj 30, 3, rtur 2 2 3 [28, 29, K. Neleż tlonego łch ZnS 32, r łścych poj cekłej blźnconych (sflerytoej) ułożen heksgolną. [2., 25, pry cekłej (Irtrn średncch 2), tlcnych edj (N2, A r ), bądź od ymenonych tmosfere lgoc, cynku predyć leży rem Poddny strukturę selenu obróbce termcnej e elementó rostem nego elkośc że sublmcj, ten ZnS m n : typu ZnS Ę]. drobnokrys upredno odpo obojętnych celu uol Alogcne Obróbk elkośc f lbortorch B 39, gó CdTe, rn procesy prypdku cśnu nnych postępotermc glomertó proskoy 20 metodą prepusclność prson pro rn. ykuje prson p r o c e s y prso MP, gorąco plstycnej odby, publkcj mnującą deformcj temperture próżn umożl gorąco proskonego obróbk termcnej. edług procese ok. mterłó, p o l e r s k e j otrymy p r e r o c y s t y c h płytek 46 38, elementy technologe U VI gorąco poddnych ), rn yjścoego ynku stępnej ją których [37, drobnokrystlcny otrymynych ten s k u j e, pry 6) młe regulrną, preceńste non stop stosunkoo podstechometrycnego ( prypdku prypdku sl rostu heksgolnośc. oprcono Zbeg tlenem r o s t u e l k o ś c struk krystlonych tmosfere oru. ąkó stopn prsonu ąkó, próżn, seścokrotnej, jednorodną mterłó typu A (rtrn mes potrebo Compny CdTe poleg termcnej ąnego d 4) os prtury, p r y c y n, Kodk krys kryst struktur płyją mterłó podstoych technolog proskó kosty obojętnego, leżą trech (rtrn tych obróbce mterłu ZnS 2) strukture gu frmy E s t m n tycące Zsd duże tempe (urcytoej) Al kerunku obnżen (kerunek łożoność cśm merykńskej "Irtrn", kerunku reelcyjnej pod o ęksych Cu typu "Irtrn" Prcochłonność, średnce ysokch struktur ż o t r y m u j e 2'^, s c e g ó l n o ś c n h e k s g o n l n o ś c, 2.4. T e c h n o l o g e heksgolnej [34^, publkcjch prypdku poór ystępon no ystępon blźnco N udł p o s c e g ó l n y c h 26, br Z n S e, struktur str om problem [2^. T k perot stoson od defektó cego mesk y 2]]. ymg błędm skutek turę 33, fy mesnny regulrnej edług kerunku» " I c " po obróbce o trnsmsj promerst uysk40 fkt rolę odgry dyfuj. 273 K, slfersko rędu klk
desąt grn gorąco lub procent. Schemt ndukcyjnego st stopu stosone nętrnych fole obejmy tłocące. tytnem grfto tłok, lub lub które próżnoego rys, ymgn elementy molbdenu predst specjlne ykonyne komory 8 prson Technolog stosunku Elementy te cyrkonem. olfrmo mterły (ykłd bepośredno stykją ersją prso mterłó, ykonuje Jko molbdenu pomocnce ścnek Mesek których e ), próżnoy Zpoe Jrsn/ę 8. Schemt komory technolog 2.5. Technolog forme Dl np. typu rostu pr gó sd publkcjch polkrystlcnych (kerunefc procesó [2, 8, prson gorąco próżn edług pry użycu substrtó IRTRAN. 2b) edług Proces rst kerunku rstn 2b predsto rsty ostł polkrystlcnej 47
(romry ych rn odby rys, rędu [ s j ogromnej 9, e d ł u g Zn Mterł 0 0 5 0 >jm) ykuje o poerchn prture, pru metró predstonej kdrtoschemtyc2 rekcj (g) br młą bsorpcję pry d 0,5 ym (_p = 4 x 0 ^cm"^). D cysrk Łfompj prdżnouej ( Zn fhsse **H2 Argon SłDtm cynk Sdefcdr Argon 9. Schemt pnel stoso\'t'nu publkcj nych bdń Jeśl skl płytek e. (pr) prypdku sl 2, 48 mędy fy goej polkrystlcnych ( pry łsnośc "Ib" ąek "sublmcj" perstkó. (np. forme 43]. 8. objętośco polkrystlcnych źródłem substrtó dysocjcję, mrją o dużych łożen substrtm edług umescony pre lub p o l k r y s t ł ó ny optycnych "Sprodń" forme teoretyc nso mterłó forme rostem krystlcj rst stdum określen róż synteony polkrystlcnego, H^Se be poddny runk polkrystlcnych to p r y p d k u pryjmj "2b" rst rostem Ib) 2b) stęp mpuły nośnkoym goy gd odsył forme m o n o k r y s t ł ó tnym g e Zn rost (kerunek runk k r y s t l c j rostu rostu lbortoryjnej, (kerunek objętośc mterłu CdTe o relcje goej pnel goych knętej rst. Artykuł chod fy [43. p r e d s t j ą c e j otrymnych ej prtury CdTe) [4lJ otrymn rch. merją prodne m oboję lub pry "elkogbrytoej")
2,6. Elektrokrystlcj jej oken (kerunek podceren Pre elektrokrystlcję stępnych bdń chodące dm umesconym bądź substrty só substncję lne rst [^44], Zn^^ GP pry prypdku odby pry cym której stosone ropocęłby clnk). Np. rekcj G"^^ 3e b) funkcje łożu nych s) + + ktody. (S, Dl InSb ro In), ynku bądź proce np. G eptksjl jonó PO^" SeO^"^ chlorkoych. prepły polu prekrocyć sol rekcj to prądu pre elektrycnym, rtośc, chlorkoych chodących pry (ropus pry jednej być: redukcj + 3(PO^)"^ G rostu Ge) jedy (np>, G A s G, kłdnu (np. A s pre podłożu (S) (rys. publkcj prebegjących InSb In) 0) elektronoego, G) b) elektrony, pol prądu pełną podje elektrotr n s portu c) nody stopch pre mechnmó kerunku dłm cekłych prepły stępujących porusjące pod b e p o ś r e d n m GP rostu podpre rekcj. procesó preodnct rsty logcnego prypdku m p ę d u mogą dłm forme > G P prod ktode ujemnych ponno ^ P > jonó substrtó stoponych rekcje 5e P odpoednch pry źródłem rst stoponych reulttem 44] elektro syntey cym begu ktode + pod erć G, toku krystlcj krystlcj solch jonó elektrol GP 4P02"^ G chodące Rekcj pęce będące solch elektrodch. pry stoponych mgrcj Krystlcj elektrod. b)) dęk stope GAs substrtm dom krystlonej eptksjlnych rotoró (np. substncj substncje krystlcj ytrn procesy mędy stop n chodących ["^l r o p u s c o n e stop ) preodącym krystloną prypdku jdujące elektrycnego Cekły t o r e n tym d r u g m nych pęc. tu r o u m e ć teoretycnych prądu cekłym źródł elektrochemcnych leży prepłye stoso 3) śdclnych pry enętrnego toru hpotetycne stop metlcodby preoden unosen reultce elektromgrcj 45]: jonó prekyn ruchu jonó elektrycnego. 49
ocnoś możlośc o młej rostu rst koncentrcj 3. O g r n c j ą c slnych, nośnkó sol fykochemcne procesó rotoró metlcnych TECHNOLOGICZNE Zgod udłem ukłdó tkch jk PODCZERIENI ITNE mlmetró, łsc e l e k t r o k r y s t l c j r o s t u r s t e p t k II VI ąkó A B p r e f e r e n c j e b ę d ą mły p r o c e s y stoponych Elektrokrystlcj 3. ^ R A C E rędu opornośc). stoso prypdku TA r o t o r c h grubośc (dużej NAD Zn, elektrochemcnych, spryjją Se, KRYSTALIZACJĄ łsnośc ZnSZn. OKIEN ITME gdn, prce ostły s k e r o n e prede systkm problemy rostu postc tendencjm chrkterystycnym polkrystlcnych rost płytek polkrystlcny fy goej. edług kerunku 2b prebeg god rek cją Btv'r to problem n l e e n y d j n e g o ź r ó d ł g o e g o H ^ S e, prcujące go s p o s ó b cągły c s e d o ś ć długotrłego p r o c e s u. Z e ględu stępność krju H g S e jko mterłu oferonego lch), pr postnoono jko cynku rem) poyżsego rón n otrymne strefe prodć sposób sony ykorystć pry hndlu substrtó substncje prebegu strefe rekcj ( g but regujących ypsne ( p'o p r e j odrotnym umożljący rost strumenu cśm tmosferycnym, prebegły "mpuł" forme 3 0 mm prestreną, (pry yjścoego ocyscony ( ęc stro kerunku ( pr proskoego drugej ś podłoże cyj był umesco strony >,, torył strony kłdką płytk Z n S e. krcoej rure pod "Deoxo". enętrnej cylndrycną stęp H^ jednej sto p ".e stosono Ukłd ten '^kr^ pro), średncy r s t j ą c e j enętrnej od tlenu p r c e mknętą goe cym T^^ le płytek krystlcj rury k r c o e j rekcyjną substrty "stechometrycj" ukłde qushermetycnym. odcnk stnoł Tj^^ poddno łkó. p r o c e s e Procesy rej p r e k r ó j H^ syntey T^^ polkrystlcnych źródł H ^ S e forme o temperture o temperture kerunku prsono yprską źródł krystlcj rekcj chrktere ygre nonej goych leo). Tk leży źródło około cylndrycną grftoą, "Ampuł" osłonoej którek ypeł orem. 5
Pry określonej tempertury stłej podłoż temperture or średncy "źródł" podłoż bdno pły reultty płytek położen rostu polkrys tlcnego. Stopeń brą cą cytelność trnsmsję cj prerocystośc druku. płytek dljący; ąnych N rys, serokm kry uysknych predstor^o ej<rese trnsmsj cyscenm umożl kryą podceren. ykuje (porój chrkteryują Poom loklnych rys, br trnsmsj psm 7), bsorp ' 00 6 Am Y JO 3 40 JO X Lcb. Kry stnu Płytk trnsmsj prc o tkch płytek śdclnych łsnoścch mogą 0'00 cm flo otrymynych być edług ktulnego ITME stosone ok detektoró podceren. Dlse płytek. pry obnżonym (Tekst 52 prce nny Reultto uględnć temu spryjć cśnu strcono ękse może H^. 7.02.983 stopn prode r.) polkrystlcnośc procesó krystlcj
LITERATURA Frer 975, I. M l e s M. n,: Int. C o n f, o n L o L g h t P. : Opt. E n g n e e r n g, 3. D e u t s c h ł. M r s h T.F.: J. Phys. K.I., S v g 5, Chem. No 5, J.A.: I,R. P h y s c s, l. D. L l o y d J. M. : T h e r m l I m g n g Systems, 7. I n f o r m t o n s h t Prop. 3. P r o c. Annul 4th (5th) 9. P o t r o s k. T r b o u l e t R., Mrfng Y.: 8, n.: J p. Groth, J. AppL Phys. J. Electrochem.' S o c., H.: J, Cryst. M.: M.: n.: N e o r g. M., (l976) 260 7, 978, 3737374 96, 979, 40543 5, 9 6 6, 278279 636 970, 4C47C 973, 283 promyslennost. No 2, Buletynu 29. S y s o e v L. n.: P t J, 3. An'ev G.V. Groth 33. S h t e r n b e r g A,A.: Sov. 34. Admno A., A v e n M.J.: M.; Prce 9, 0, Soc., vol..289.034, Phys., 969, 3033 AT, 979, InsU F. 68068 44, 976, 979, 867869 No 4, 06, 467472 979, No 9, 0, 968, 868873 959, 838839 97 967, Sold 293 Stte, Crystllog, J. AppU 0308 9700 of C r y s t l s, Vol 4, Phys, 977, I Groth, 2, N o Groth, n,: S o v. K u n e t o v V.A.: No 4, Krstłłogrfj, 4, BRD, M.: J. C r y s t. 969, Cryst. J. E l e c t r o c h e m 30. Koelsk Groth, Groth, Mt., Żmj J.: A.G.: Koelsk 97.5 II VI Z ą k ó A B..., S u p l e m e n t J. C r y s t. n.: J. C r y s t. 28. Fscher 35. 978 977., P u r u k o s h 2 7. Demnuk 978 790797 No 7, Groth, M.: M o n o k r y s t l c j INC., Id, Mr, 523532 32, 7, 973, 97, n.: O p t k o m e c h n c e s k j I., P u r u k o s h 26. Kułkó 973, Cryst. 2 4. C e r n k ó A.N.: Neorg. Mt., 5, Kkum, 20, Phys. J.: J. CRYSTALS Soc., J. A p p L K.K, 23. Holton.C No Bull., 8, tłum. r o s. 2935 S.I.: (303), Kkum 975, Soc., 975, 664 PoUch Komy 2. Demnuk 978, P h y s., ±9_, N o 8. F s c h e r A.G.: 32. Mrch 8 597 L s e r n Mterls, J. AppU 7. Tsujmoto Y. 20. Dubenskj IR P.A.: 6. Cutter J.R., o o d s 974, Press Kröger 5. P p e r.., 25. 35 4349 Plenum J. E l e c t r o c h e m. 3. G e n U l e A. L. n.: M t. R e s, 22. Systems, 209204 2, 972, on Groth, 2. K y l e N.R.: J. E l e c t r o c h e m. K m u r H., 973, 4, No, Conference R.: J. Cryst. Nr Imgng 45459 IIVI c r y s t l s, C L E V E L A N D 0. T r b o u l e t 9. No I. n.: B u l e t y n A T, P.A., 976, SoUds, 4, 5. P r s o n s. F. : AppU O p t c s, 4. SeUm nd Therml 228 Phys,, 966, 962, 47 7 265 960, 36 P. Nr 6, 9 7 6 53
36. SusU L,G., Pero D.L. : Phys. Stt. Sol., 974, 389 37. U.S. Pt. 3,3.238, 964 ( ZnS) 38. BRD Ptschr..244.433, 97 ( ) 39. US. Pt. 3.454.358, 969 ( ) 40. Soko JK. n.: Neorg. Mt. (ros.), 4, No 5, 978, 855857 4. Tuller H.L. n.: J. Cryst. Groth, 2, 977, 5056 42. Ymmoto A., Ymguch M.: Jp. J. AppU Phys., 4, 975, 56562 43. Les K. et. U: J. Cryst. Groth., 982, 6469 44. Cuomo J.J., Gmbno R.J.; J. Electrochem. Soc., 5. No 7, 968, 755759 4 5. Bryśkec T.: Semconductor Optoelectroncs, Proc. of the Intern. School Ceto 978, Ed, M,A. Hermn, 980, str. 8722 46. Dle J.J.: J. Electrochem. Soc., 24. No 7, 977, 4344 47. Georkn.A. n.: Żur. Tech, F., No 6, 30633 48. Demn.N. n.: Żur. Tech. P., 8, No 7, 442445 4 9. Bużdn JSLJ\, n. : Kuco P.A.: Proc. rost polpro. krstłło plenok, 98, 5267 54