Ćwiczenie M2. Model behawioralny diody mocy MPS z węglika krzemu

Transkrypt

1 Pomiary i modelowanie w elektronice mocy Ćwiczenie M2. Model behawioralny diody mocy MPS z węglika krzemu opracowanie: Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej, 2013 Równania modelu i ich implementacja w symulatorze PSpice Dioda przy polaryzacji w kierunku przewodzenia ogólnie opisana została równaniem: Wprowadzając oznaczenia V fwd (I fwd,t) = [p 1 + p 2 (T T nom )] ln I fwd + [p 3 + p 4 (T T nom )] + + I fwd [p 5 + p 6 (T T nom ) + p 7 (T T nom ) 2 ] (1) V bas (T) = p 1 + p 2 (T T nom ) = VbasNom + VbasT (T Tnom) (2) V itr (T) = p 3 + p 4 (T T nom ) = VitrNom + VitrT (T Tnom) (3) R s (T) = p 5 + p 6 (T T nom ) + p 7 (T T nom ) 2 = RsNom + RsT (T Tnom) + RsT2 (T Tnom) 2 (4) otrzymujemy bardziej zwartą postać: V fwd (I fwd,t) = V bas (T) ln I fwd + R s (T) I fwd + V itr (T) (5) Ponieważ symulator SPICE pracuje w oparciu o zmodyfikowaną metodę potencjałów węzłowych, modele elementów są opisywane prawie wyłącznie zależnościami o postaci I = f(v). Po przekształceniu: I fwd (V fwd,t )=exp V fwd R s (T ) I fwd (V fwd,t ) V itr (T ) V bas (T ) Równanie powyższe zostało zaimplementowane z wykorzystaniem podejścia ABM (Analog Behavioral Modeling) wspieranego przez symulator PSpice. Polega ono na realizacji wszystkich zależności matematycznych za pomocą sterowanych źródeł napięcia E lub (rzadziej) prądu G; zależności takie, mogące zawierać dowolne potencjały (V) lub prądy (I) niezależnych źródeł napięcia V, wprowadza się jako parametr VALUE źródła w nawiasach klamrowych. Wartościom wszelkich zmiennych występujących w równaniach odpowiadają wówczas potencjały (rzadziej prądy) w poszczególnych węzłach tak powstałego podobwodu niezależnie od tego, jaką wielkość fizyczną faktycznie wyrażają. Dotyczy to między innymi także temperatury T. W opracowanym modelu za pomocą źródeł napięciowych opisano wszystkie równania modelu. Dopiero element ostatecznie realizujący równanie prądu diody I diode (patrz rys. 1) ma postać źródła prądowego GIDiode sterowanego potencjałami podobwodu modelu. Opis tego źródła zawiera wyłącznie wybór równania (konstrukcja IF) w zależności od zwrotu napięcia na jego zaciskach. W ten sposób wybierane jest odpowiednio równanie dla polaryzacji w kierunku przewodzenia lub dla polaryzacji w kierunku zaporowym. Równanie dla kierunku przewodzenia (6) realizowane jest przez źródło EIFwd. Ponieważ funkcja wykładnicza jest szybko rosnąca, dla uniknięcia przekroczenia zakresu jej argument jest ograniczany do wartości 88 za pomocą funkcji EXPLIM (e 88 jest w przybliżeniu największą liczbą zmiennoprzecinkową ze znakiem, o pojedynczej precyzji). Dla zbieżności obliczeń zwykle konieczne jest zapewnienie, że równanie modelu będzie ciągłe w punkcie styku obu polaryzacji, tj. dla V d = 0 (gdzie V d napięcie na źródle I diode ). W tym celu dla napięć od 0 do VItpFwd (parametr modelu) oraz od VItpRev do 0 stosowane są równania interpolacyjne, łączące oba punkty VItpRev i VItpFwd z punktem (V d ; I diode ) = (0; 0). Dla polaryzacji w kierunku przewodzenia interpolowane wartości prądu obliczane są przez źródło EIFwdItp. Odejmowany czynnik R s I fwd opisuje spadek potencjału na rezystancji szeregowej R s, stąd powyższe uwikłane równanie symulator rozwiąże bez problemu, jeżeli rezystancję tę wyłączy się jako osobny element podobwodu (patrz rys. 1). Wówczas należy tylko we wzorze (6) zamiast różnicy V fwd (tj. napięcia między zaciskami V AK ) i R s I fwd podstawić napięcie na samym tylko źródle I diode. Pozostaje jednak do uwzględnienia zależność R s od temperatury. Nie można w tym celu wykorzystać możliwości wbudowanego modelu opornika, gdyż w (6) PMEM lato 2012/13 32

2 rozważanym modelu temperatury (w różnych punktach układu termicznego) odzwierciedlają potencjały odpowiednich węzłów, a nie globalny parametr TEMP symulatora. Najprostszym rozwiązaniem jest włączenie w obwód nie dodatkowej rezystancji, lecz ponownie sterowanego źródła napięcia ERsT, którego wartość odpowiada spadkowi potencjału na dodatkowej rezystancji zależnej od temperatury [RsT (T Tnom) + RsT2 (T Tnom) 2 ] w równaniu (4). Niezbędna do tego wartość prądu diody mierzona jest poprzez źródło VIDiode (symulator zna wartości prądów jedynie źródeł napięcia i cewek, co wynika z postaci równań zmodyfikowanej metody potencjałów węzłowych). Końcówka TA (węzeł 390) służy do przyłączenia do węzła zewnętrznego obwodu termicznego, w którym napięcie odpowiada temperaturze otoczenia T A. Między węzłami 370 (końcówka TJ) i 390 włączone jest sterowane źródło prądowe GPd generujące prąd o wartości równej mocy wydzielanej w diodzie P d = V AK I diode (7) W wyniku tego, jeżeli między końcówki TA i TJ zostanie przyłączony zewnętrzny obwód termiczny, to potencjał końcówki TJ odpowiadać będzie temperaturze złącza diody T J. Potencjał ten jest powtarzany przez źródło sterowane ETempK; z tego powtórzonego napięcia korzystają źródła sterowane realizujące zależności temperaturowe zgodnie z równaniami (2) (4). Dla skrócenia wzorów, dodatkowe źródła ETempKMinusTnom i ETempC podają wartości temperatury T T nom oraz T wyrażonej w stopniach Celsjusza (ta ostatnia wykorzystywana jest w modelu dla polaryzacji zaporowej). Charakterystyki rzeczywiste zdejmowane były w warunkach zbliżonych do izotermicznych, tj. przy samonagrzewaniu diody ograniczonym do minimum, a więc dla T J T A. Aby otrzymać wyniki symulacji porównywalne z wynikami pomiarów, należy więc usunąć sprzężenie od dziedziny termicznej do elektrycznej. Odbywa się to przez ustawienie parametru TtoECpl = 0, co powoduje, że temperatura generowana przez źródło ETempK, T = T A (zamiast T = T J w przypadku gdy TtoECpl = 1). Końcówka TJ nadal wskazuje wówczas teoretyczną temperaturę złącza dla określonego punktu pracy (V AK ; I diode ), jednak temperatura ta nie wpływa zwrotnie na spadek napięcia V AK na przyrządzie, jak ma to miejsce w rzeczywistości. Rys. 1. Zasadniczy schemat podobwodu elektrycznego realizującego opisywany model wraz z numerami węzłów wewnętrznych Zadania do wykonania 1. Utworzyć nowy projekt (typu Analog or Mixed A/D jak poprzednio). Do jego katalogu wkopiować plik sicmps.lib zawierający opis modelu diody w postaci podobwodu symulatora SPICE (SUBCKT). 2. W oznaczonych miejscach uzupełnić model o opis dla polaryzacji w kierunku przewodzenia zgodnie z równaniem (6) i opisem powyżej. Forma opisu powinna być podobna do polaryzacji zaporowej (źródła EIRev, EAlphaT, EBetaT, EIRevItp). Równanie (4) zostało już zaimplementowane (rezystor RRsNom i źródło ERsT). Analogicznie jak w przypadku polaryzacji zaporowej, źródło EIFwdItp powinno realizować kwadratową funkcję interpolującą, która w zakresie od 0 do VItpFwd przyjmuje wartości od 0 do wartości generowanej przez źródło EIFwd. PMEM lato 2012/13 33

3 3. Utworzyć symbol dla modelu zaznaczyć projekt na liście i wybrać z menu Tools > Generate Part. W oknie dialogowym ustawić: Netlist/source file: wskazać plik.lib Netlist/source file type: PSpice Model Library Destination part library: upewnić się, że plik znajdować się będzie w katalogu projektu Create new part Implementation name: SICMPS 4. Utworzony symbol uniwersalny w postaci prostokąta można edytować klikając dwukrotnie na jego nazwie w oknie projektu w gałęzi Design Resources Library *.olb. Niekoniecznie wszystkie te czynności należy wykonywać obecnie (po modyfikacji symbolu już wstawionego na schemat, należy go uaktualnić klikając na jego nazwie w oknie projektu w gałęzi Design Resources *.dsn Design Cache, kliknąć prawym klawiszem myszy i wybrać Update Cache). Można na przykład: a) zmienić domyślny wyróżnik literowy elementu z U na D: wybrać z menu Options Package Properties, zmienić Part Reference Prefix; b) usunąć numery końcówek, które nic nie wnoszą, gdyż model nie dotyczy konkretnej obudowy, która nie zawiera również węzłów termicznych: wybrać z menu Options Package Properties, odznaczyć Pin Number Visible; c) zmienić rozmieszczenie końcówek symbolu przeciągnąć je myszą; d) zmienić nazwy końcówek na więcej mówiące (np. A, K, TJ, TA): kliknąć dwukrotnie na każdej końcówce i zmienić w polu Name numer węzła podobwodu na nazwę, poprzez menu Options Part Properties ponownie zamienić te numery węzłów na nazwy w pozycji PSpiceTemplate (% ); e) dodać symbol graficzny diody: za pomocą narzędzi rysunkowych lub kopiując z gotowego symbolu np. elementu Diode z biblioteki discrete.olb (wiele obiektów należy zaznaczać z klawiszem Ctrl, gdyż zaznaczenie ramką spowoduje zaznaczenie całego symbolu, a jego kopiowanie nie jest w ten sposób możliwe). 5. Utworzyć schemat do symulacji modelu w oparciu o wzór na rys. 2. Nazwa źródła VA musi być taka sama, gdyż taka została użyta w plikach z wynikami pomiarów, które w innym razie nie będą mogły być nałożone na wyniki symulacji. Jego wartość jest dowolna, gdyż będzie narzucana poprzez procedurę analizy stałoprądowej. Źródło temperatury odniesienia VTA musi mieć wartość temperatury odniesienia parametrów diody T nom, która wyniosła (zastosowana w pomiarach) 25 C. Model operuje na temperaturach w kelwinach, w związku z czym konieczne jest odpowiednie przeliczenie. Opornik RthJA odzwierciedla całkowitą rezystancję cieplną przyrządu z radiatorem R th(j-a). Jej wartość należy obliczyć jako sumę wszystkich rezystancji z tab. 1 (dla przypadku z radiatorem). Jak wyjaśniono wyżej, na tym etapie należy usunąć sprzężenie od dziedziny termicznej do elektrycznej przez ustawienie parametru TtoECpl = Skonfigurować i uruchomić symulację: a) w zakładce Analysis wybrać analizę DC w przedziale napięć źródła VA od 0 do 1,5 V (przedział ten należy następnie ewentualnie zmodyfikować w celu objęcia przez symulację całego przedziału prądów, dla którego dostępne są wyniki pomiarów); b) w zakładce Configuration Files wybrać Category: Library, wcisnąć Browse, wybrać plik z opisem modelu PMEM lato 2012/13 34

4 sicmps.lib, wcisnąć Add to Design. Rys. 2. Idea układu symulacyjnego 7. Dobrać te parametry modelu stanu przewodzenia, które nie opisują zależności od temperatury, tak, aby charakterystyka dla 25 C była zgodna z odpowiednimi pomiarami dla diody CSD Zarejestrować wykres dokumentujący uzyskany wynik. Po każdorazowym wyświetleniu wyników w symulatorze należy dołączyć dane pomiarowe (menu File Append Waveform), w oknie dialogowym Inconsistent Sections wybierając Do Not Skip Sections. Spowoduje to, że dostępna stanie się krzywa pomiarowa, oznaczona jako "ID25C", którą można dodać na wykres z menu Trace Add Trace. W celu uniknięcia powtarzania tych samych operacji, powyższe czynności można zarejestrować jako makro z menu File Log Commands. Przy kolejnych symulacjach wystarczy odtworzyć utworzony w ten sposób plik CMD z menu File Run Commands. Logarytmiczny składnik funkcji (5) odpowiada za przebieg charakterystyki w zakresie małych prądów, gdzie ma ona charakter wykładniczy. W związku z tym parametry go opisujące należy w niniejszym ćwiczeniu pominąć, pozostawiając wartości domyślne, które zostały już dopasowane na podstawie odrębnych pomiarów. 8. Dobrać parametry modelu uzależniające od temperatury tak, aby uzyskać zależność od temperatury zgodną z odpowiednimi pomiarami (dla temperatur 75 i 125 C). Zarejestrować wykres dokumentujący uzyskany wynik. Dołączenie i wyświetlenie dodatkowych danych (pliki pomiary75c.dat i pomiary125c.dat, przebiegi "ID75C" i "ID125C") można zrealizować dodając odpowiednie komendy w pliku CMD. 9. Sprawdzić działanie sprzężenia elektryczno-termicznego. a) Skonfigurować symulację dla uzyskania pojedynczej, stałej temperatury otoczenia T A = 25 C. b) Wraz z charakterystyką statyczną diody U-I wykreślić temperaturę złącza T J. Dodać również krzywe pomiarowe dla 3 temperatur. Odczytać wartość prądu, dla której przekroczona zostanie maksymalna dopuszczalna temperatura złącza (patrz karta katalogowa). c) Uwzględnić samonagrzewanie diody przez włączenie sprzężenia elektryczno-termicznego w modelu (ustawić TtoECpl = 1). Powtórzyć pkt b). d) Przeanalizować wyniki, w szczególności: PMEM lato 2012/13 35

5 uzasadnić przebieg charakterystyki nieizotermicznej (uzyskanej z uwzględnieniem samonagrzewania) w oparciu o krzywą temperatury i krzywe pomiarowe; czy modele uwzględniające zależności temperaturowe, ale bez sprzężenia elektryczno-termicznego, pozwalają przewidzieć spadek potencjału na przyrządzie na podstawie samej tylko temperatury otoczenia T A? która temperatura musi być znana takiemu modelowi, aby podał on poszukiwane rozwiązanie? czy przewidzi on wówczas, w ramach tej samej symulacji, zachowanie diody w innych punktach pracy (wartości prądów)? czy modele uwzględniające zależności temperaturowe, ale bez sprzężenia elektryczno-termicznego, pozwalają określić w drodze symulacji maksymalny dopuszczalny prąd przyrządu? Rys. 3. Kompletny model elektro-termiczny podwójnej diody MPS CSD20030 Tab. 1. Parametry modelu termicznego diody CSD20030 z radiatorem Z radiatorem Bez radiatora τ th [s] R th [K/W] C th [J/K] τ th [s] R th [K/W] C th [J/K] 1 2, ,687 4, , ,619 4, , ,05 2, , ,73 5, , ,792 1, , ,72 1, , ,09 1, , ,4 1, Utworzyć model elektro-termiczny kompletnego przyrządu CSD20030 w formie schematu (na razie nie przeprowadzać symulacji). a) Dodać do projektu nowy schemat, a do schematu nową stronę. b) Wprowadzić schemat zgodnie z rys. 3. Modelowany przyrząd zawiera dwie identyczne diody o wspólnej katodzie. Wynikają stąd połączenia końcówek elektrycznych. Diody posiadają osobne podłoża (stałe termiczne 1 i 2, elektrody anod) przytwierdzone do wspólnego podłoża termo- i elektroprzewodzącego (stałe termiczne 3, elektroda katody). Wynikają stąd połączenia elementów modelu termicznego. Diody składowe muszą mieć wartości parametrów ustalone we wcześniejszej części ćwiczenia oraz PMEM lato 2012/13 36

6 włączone sprzężenie elektryczno-termiczne. Najprościej to osiągnąć kopiując symbol diody z dotychczasowego schematu. Potencjały końcówek TJ obu diod należy wyprowadzić w celu umożliwienia obserwacji temperatury w ich wnętrzu. Nie są one niezbędne do prowadzenia symulacji w ogólności. Zidentyfikowane wartości parametrów modelu termicznego podane są w tab. 1. W tej chwili należy uwzględnić pierwsze 3 stałe czasowe; stała czasowa 4 odzwierciedla odcinek obudowa-otoczenie, które zostanie dodany później na zewnątrz elementu. Stałe czasowe 1 i 2 są identyczne dla obu diod składowych. Użyć wartości parametrów dla przypadku bez radiatora. Wartości elementów powinny stać się parametrami symbolu, tak aby była możliwa ich zmiana z poziomu układu elektronicznego; w tym celu należy dodać element Subparam z biblioteki Special, kliknąć dwukrotnie, wcisnąć New Row/Column, wpisać Name: Rth1, Value: odpowiednia wartość z tabeli, Apply (lub Enter), dodać następny parametr itd.; wartości wpisanych parametrów można wyświetlić na schemacie zaznaczając je w tabeli, a następnie wciskając Display i wybierając Name and Value; następnie zamiast liczbowych wartości elementów RC należy wpisać nazwy odpowiednich parametrów poprzedzone ). c) Utworzyć symbol ze schematu jak w ćwiczeniu M1 dla sterownika bramki (menu Tools Generate Part). Symbol dodać do biblioteki zawierającej już symbol pojedynczej diody. Numeracja końcówek elektrycznych powinna być zgodna z obudową TO247 rzeczywistego elementu(patrz karta katalogowa). 11. Przetestować kompletny model elektro-termiczny. a) Dodać do projektu nowy schemat, a do schematu nową stronę. Ustawić schemat jako bazowy root (kliknąć prawym klawiszem na nazwie w oknie projektu, wybrać Make Root) w celu umożliwienia symulacji. b) Wprowadzić schemat z rys. 4. Temperatura otoczenia powinna wynosić 25 C (300 K). Parametrom Rth4 i Cth4 nadać wartości spójne z dotychczas użytymi Rth, Cth 1 3. Zasilana będzie tylko jedna z diod anodę drugiej należy zewrzeć do masy przez opornik o niezbyt małej wartości (np. rzędu kω). Diodę należy poddać skokowi prądu o amplitudzie 2 A (zgodnie z warunkami dostępnych pomiarów). Dla uniknięcia problemów ze zbieżnością, nie należy jednak zasilań obwodu ze źródła prądowego, a ze źródła napięcia o dużej wartości (rzędu wytrzymałości napięciowej diody co nie znaczy, że większej) przez odpowiednio obliczony opornik. Dla uzyskania skoku należy użyć źródła VPULSE pozostawiając pola PER i PW puste. Również dla uniknięcia problemów ze zbieżnością czas narastania napięcia nie powinien być zbyt krótki, a dostosowany do możliwości obserwacji zjawisk cieplnych w rzeczywistości tj. krótszy, ale nie znacząco, od możliwej do uzyskania rozdzielczości czasowej pomiarów. Ze względu na zbieżność, skok nie może zaczynać się w chwili zero. Należy go nieco opóźnić za pośrednictwem parametru TD. Końcówki TJ modelu diody należy połączyć do masy przez duże rezystancje (dużo większe od sumy wszystkich rezystancji cieplnych Rth1 4), tak aby nie wpływały one na przepływ ciepła w układzie. c) Utworzyć profil symulacji. Wybrać analizę czasową. Zaznaczyć Skip the initial transient bias point solution w celu rozpoczęcia z zerowymi warunkami początkowymi. Czas trwania symulacji powinien zapewniać możliwość porównania wyników z pomiarami (rys. 5). d) Wykonać symulację czasową układu. Wykreślić (korzystając z możliwości tworzenia wielu podwykresów menu Plot): prąd diody (zasilonej) oraz przyrost temperatury złącza tej diody (względem temperatury początkowej, czyli otoczenia). PMEM lato 2012/13 37

7 e) Przełączyć skalę osi czasu i temperatury na logarytmiczną w razie potrzeby ograniczyć zakres od dołu podobnie jak w wynikach pomiarów (ale nie bardziej niż do początku skoku). Porównać z wynikami pomiarów (rys. 5), zwracając szczególną uwagę na obserwowane stałe czasowe (oszacować na oko ich wartości) i osiągane temperatury. Rys. 4. Schemat układu do testowania modelu elektro-termicznego Rys. 5. Wyniki pomiarów temperatury złącza pojedynczej diody w funkcji czasu po podaniu skoku prądu o amplitudzie 2 A (linia ciągła pełna bez radiatora, ciągła pusta z radiatorem) 12. Przetestować model dla przypadku z radiatorem. a) W projekcie utworzyć nowy schemat. b) Skopiować stronę z dotychczasowego schematu i wkleić do nowego. c) Zmienić parametry modelu termicznego zgodnie z tab. 1 dla przypadku z radiatorem. d) Ustawić nowy schemat jako bazowy (root). e) Utworzyć nowy profil symulacji, kopiując jego wszystkie ustawienia z dotychczasowego w oknie New Simulation wybrać Inherit From i nazwę dotychczasowego profilu. f) Powtórzyć symulację w identycznych warunkach i wykreślić te same przebiegi. Nałożyć na nie wyniki poprzedniej symulacji, tj. bez radiatora dołączyć plik DAT z poprzedniej symulacji (menu File Append Waveform, wybrać Do Not Skip Sections). Porównać między sobą i z wynikami pomiarów. Zwrócić PMEM lato 2012/13 38

8 uwagę na ostateczny czas ustalenia się temperatury złącza jakiego rzędu czas pracy układu konieczny jest w jednym i drugim przypadku, aby stwierdzić, czy przyrząd półprzewodnikowy nie ulega przegrzaniu? Czy symulacja (zamiast pomiarów rzeczywistego układu) pozwala skrócić ten czas (czas symulacji podany jest w sekundach w pliku wyjściowym, który można wyświetlić z menu View Output File)? 13. Sprawdzić działanie sprzężenia elektryczno-termicznego w stworzonym modelu. a) Wybrać na powrót profil symulacji bez radiatora. b) Zmienić rezystancję w obwodzie elektrycznym tak, aby uzyskać prąd 10 A. c) Wprowadzić monitorowanie temperatury zasilanej diody. Pozwoli to na zakończenie symulacji po przekroczeniu rozsądnej temperatury, dla której rzeczywista dioda uległaby uszkodzeniu. W ten sposób unikniemy kontynuowania przez symulator obliczeń nie mających nic wspólnego z rzeczywistością, a z drugiej strony bardzo obciążających obliczeniowo ze względu na szybkie narastanie temperatury i napięcia na diodzie. Użyć elementu Watch1 (biblioteka Special) przyłączonego do odpowiedniego potencjału. W aplikacji symulatora, w zakładce Watch w oknie Simulator Status, wyświetlana będzie na bieżąco wartość temperatury złącza tej diody. Aby umożliwić automatyczne wstrzymywanie symulacji, należy zdefiniować dopuszczalny zakres temperatury złącza za pośrednictwem parametrów Hi i Lo elementu Watch1 do wartości trochę mniejszej i trochę większej niż dopuszczalny zakres temperatur pracy modelowanej diody. d) Aby wyświetlić w przyszłości wyniki wstrzymanej symulacji, trzeba będzie ją ostatecznie zakończyć z menu (aplikacji symulatora) Simulation Stop. e) Przeprowadzić symulację i wykreślić: prąd diody, napięcie na niej, temperatury złącza obu diod oraz temperaturę obudowy. f) Zdefiniować makro przeliczające temperaturę w kelwinach na stopnie Celsjusza: z menu wybrać Trace Macros, w polu Definition: wpisać cels(kelv)=kelv , wcisnąć Enter, zapisać makro w pliku przyciskiem Save (w polu FileName powinna znajdować się nazwa pliku PRV w katalogu bieżącego profilu symulacji). g) Użyć makra (zmieniając definicję przebiegu po dwukrotnym kliknięciu na jego opisie pod wykresem) tak, aby uzyskać wykresy temperatur w stopniach Celsjusza. Za pomocą kursora określić czas, w jakim temperatura złącza diody zasilanej przekroczy wartość dopuszczalną. h) Uzyskać te same przebiegi dla amplitudy skoku 1 A. i) Uzyskać te same przebiegi bez sprzężenia elektryczno-termicznego: powrócić do amplitudy 10 A; kliknąć prawym przyciskiem myszy na symbolu diody na schemacie układu i wybrać Descend Hierarchy; ustawić (przynajmniej dla diody zasilanej) parametr TtoECpl = 0 (brak sprzężenia); powtórzyć symulację i ponownie określić czas, w jakim temperatura złącza diody zasilanej przekroczy wartość dopuszczalną; porównać wyniki z otrzymanymi poprzednio i uzasadnić różnice, zwracając między innymi uwagę na przebieg napięcia na diodzie. j) Przywrócić sprzężenie elektryczno-termiczne w modelu. PMEM lato 2012/13 39