UKŁADY POLARYZACJI I STABILIZACJI PUNKTU PRACY

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "UKŁADY POLARYZACJI I STABILIZACJI PUNKTU PRACY"

Transkrypt

1 P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 UKŁADY POLAYZAJI I TAILIZAJI PUNKTU PAY TANZYTOÓW 1. WTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystorów bipolarnych. Na wstępie ćwiczenia dokonuje się pomiarów niektórych parametrów badanego tranzystora ( β,u ) oraz ich zależności od temperatury. Wyniki tych pomiarów wykorzystuje się do samodzielnego obliczania trzech następujących układów polaryzacji tranzystora bipolarnego : - z zasilanie stałym prądem bazy - z ujemnym sprzężeniem zwrotnym prądowo szeregowym, reprezentujący grupę układów wykorzystujących do stabilizacji punktu pracy ujemne sprzężenie zwrotne -z zasilaniem stałym prądem emitera. Po samodzielnym zmontowaniu układów polaryzacji bada się i porównuje ich właściwości. 2. OPI TNIZNY ADANY UKŁADÓW 2.1. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora bipolarnego (wkładka DA021A) adanie układów polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora bipolarnego umożliwia wkładka DA021A Jej płytę czołową pokazano na ys.2. Wszystkie badane układy polaryzacji skonstruowane są w oparciu o ten sam tranzystor DA 021A outputs 2, Vc I T T 4 7, 1 0, T T ys.1. chemat układu scalonego UL1111 (widok z góry) P Jest on jednym z pięciu identycznych tranzystorów układu scalonego UL1111 (patrz ys.1). We wkładce DA021A znajdują się dwa odrębne układy pomiarowe, które wykorzystują tranzystor. W pierwszym z nich dokonać można pomiaru statycznego, zwarciowego wzmocnienia prądowego β0 badanego tranzystora oraz pomiaru nor ipe ys.2. Płyta czołowa wkładki DA021A jego napięcia baza-emiter (U). W drugim zaś można realizować wymienione we wstępie trzy układy polaryzacji punktu pracy tranzystora. Tranzystor ten może być przełączany, za pomocą przełącznika T, P" umieszczonego na płycie czołowej wkładki, albo do układu pomiaru parametrów w funkcji temperatury β0, U = f ( T ) (wciśnięty klawisz T ) albo do układu, w którym można ustawić jego wybraną polaryzację (wciśnięcie P). Układ do pomiaru parametrów β, i U tranzystora T1 - którego schemat przedstawiono na ys.. umożliwia :

2 P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 2,V V 7,V U c 0,mA 1mA ma tranzystor badany + _ I I 100k;0,2% ys.. Uproszczony schemat ideowy układu do pomiarów parametrów β 0, U. I a) wymuszenie napięcia na kolektorze tego tranzystora o wartościach: 2.V, V, 7.V za pomocą źródła napięcia stałego (T6) regulowanego skokowo. Napięcie U jest tu w przybliżeniu równe napięciu U, ponieważ potencjał emitera tranzystora T1 jest prawie równy zero. b) wymuszenie stałego prądu emitera tranzystora T1 o wartościach: 0, ma,1 ma lub ma - za pomocą źródła prądowego (T7), regulowanego skokowo. Napięcie U (patrz ys.) mierzone jest w omawianym układzie bezpośrednio, w węźle oznaczonym jako (U U). 4,k D1 AVP17 1 7,k 2 2,4k 2,4k 1 źródło napięcia Uc 11 9 T nF 7, 2, sterowanie temp. 2 1nF T T 1 9 2,2k k 47k 4k 20k 0, 1 źródło prądu I T1 147 T1 U1 UL1111 tranzystor badany ys.4.chemat ideowy badanej wkładki DA021A I 100k ,2% U2 I 6 ma741 układ do pomiaru U, I Prąd bazy natomiast określa się pośrednio,wykorzystując do jego obliczeń wyniki pomiarów napięć w węzłach i wartości rezystora 1. Znając wartości prądów: bazy i kolektora można obliczyć współczynnik β0. Pomiary wykonuje się przy różnych temperaturach pracy tranzystora T1. Do kontrolowanego podgrzewania płytki układu scalonego UL1111 służą tranzystory T4,T współpracujące z układem sterowania temperaturą (patrz ys.4.). Tranzystor T pracuje jako grzejnik i jest połączony z gniazdem "" na płycie czołowej. Tranzystor T4 jest czujnikiem temperatury i jest połączony z gniazdem "". W układzie z ys.4. kondensator 1 jest źródłem polaryzującym bazę tranzystora T6 w momencie przełączania napięcia U i nie dopuszcza do wyłączenia tego tranzystora. Przez diodę D1 płynie prąd wyjściowy źródła prądowego T7 w czasie kiedy emiter tranzystora T1 jest odłączony od tego źródła. Druga część ćwiczenia umożliwia realizowanie różnych układów polaryzacji tranzystora (ys..), uprzednio projektowanych wg. zało- T P U U 1 T 12 4,7k 11,1k T 10 1k 0,% 2 4 T2 11,1k U +V 1,k układ polaryzacji 12 4,7k U 10 1k;0,% 1 k ys.. chemat ideowy układu umożli- wiającego zrealizowanie i badanie różnych układów polaryzacji tranzystora

3 P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 żeń podanych w obliczeniach wstępnych projektowych. Do zacisków na płytce drukowanej podłącza się rezystory (patrz ys.6.) o wartościach samodzielnie obliczonych. W tej części układu badanego można mierzyć natężenie prądu kolektora tranzystora (w sposób analogiczny jak omawiany wcześniej prąd I czyli różnica potencjałów w punktach i przez wartość rezystora 10 ) oraz napięcia kolektora i emitera, w różnych układach polaryzacji i dla różnych temperatur tranzystora T1. Układ 1 U U Układ 2 Układ U U ' U 1 2 U ' U1 U2 T ys. 6. Uproszczony schemat montażowy płytki drukowa- ys.7. chematy ideowe badanych układów pola- n ej wkładki DA021A (widok od strony elementów) ryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Do wyboru jednego z widocznych na ys.7. układów polaryzacji tranzystora służą umieszczone na płytce drukowanej dwa przełączniki suwakowe. Przełącznik oznaczony jako 1 ustawiony w pozycji pozwala mierzyć układ 1 (ze stałym prądem bazy). Przesunięcie przełącznika 1 w prawo do pozycji umożliwia włączenie do pomiaru pozostałych dwóch układów polaryzacji tranzystora. Układy te wybieramy przełącznikiem 2. Jeśli jest on ustawiony w pozycji to wkładka pomiarowa przystosowana jest do badania tranzystora w układzie z ujemnym sprzężeniem zwrotnym prądowo szeregowym (układ na ys.7.) natomiast przesunięcie tego przełącznika do pozycji umożliwia pomiar badanego tranzystora w układzie ze stałym prądem emitera (układ 2).. OLIZNIA WTĘPN POJKTOW Obliczenia wstępne dotyczą niektórych elementów układów polaryzacji montowanych w zaciskach wkładki DA021A. Należy wybrać punkt pracy tranzystora T1 taki, aby można go było zrealizować w układzie do pomiarów I i U. (patrz. ys..). Następnie tak zaprojektować badane układy polaryzacji, aby we wszystkich trzech otrzymać wybrany punkt pracy tranzystora T1. prowadza się to do wyliczenia wartości rezystorów w układach 1,2, na ys.7. dla tego samego (wybranego przez siebie z ys..) punktu pracy tranzystora przy znanych pozostałych wartościach napięć w liczonych obwodach (odczytanych ze schematu ideowego na ys.4). Przed ćwiczeniem należy przeprowadzić te obliczenia, które nie wymagają znajomości wartości wzmocnienia prądowego i napięcia baza-emiter tranzystora T1 w wybranym punkcie pracy. Pozostałe przeprowadzić w trakcie ćwiczenia. hodzi tu o to aby wyliczyć przed zajęciami te wartości rezystorów, gdzie nie potrzebna jest znajomość współczynnika β tranzystora natomiast tam gdzie jest ona niezbędna należy wyprowadzić wzory końcowe na wartości rezystorów w poszczególnych układach. Umożliwi to szybkie policzenie ich wartości po zmierzeniu β w początkowej fazie ćwiczeń. 4. POMIAY I OWAJ 4.1. Pomiary zależności wybranych parametrów tranzystora od temperatury (wkładka DA021A). W układzie do pomiarów parametrów tranzystora należy zmierzyć zależność β0(t) (pośrednio) i U(T) w wybranym uprzednio do obliczeń projektowych punkcie pracy tranzystora T1, w zakresie temperatur od 0 do 90. Punkt pracy tranzystora wybieramy wciskając odpowiednie klawisze na płycie czołowej wkładki DA021A ( V =U, I =I ). Do sterowania temperaturą układu scalonego UL1111 należy użyć

4 P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 wkładki A9011.Temperaturę, którą ma osiągnąć badany układ scalony nastawia się za pomocą przełącznika klawiszowego umieszczonego na płycie czołowej wkładki. Wciśnięcie pojedynczego klawisza nastawia temperaturę zgodną z opisem klawisza. Wciśnięcie dwóch górnych klawiszy nastawia temperaturę 60 a wciśnięcie dwóch dolnych klawiszy 90. chemat połączenia układu pomiarowego przedstawiono na ys..8: układ sterowania temperaturą przełącznik czterokanałowy dc DA021A A9011 A4022 A I WY D V.. układ badany ys.8. chemat połączeń układu do pomiarów parametrów tranzystora Pomiary stałości punktu pracy tranzystora w różnych układach polaryzacji. Dokończyć obliczenia wartości rezystorów montowanych do układów polaryzacji badanego tranzystora, wykorzystując znane obecnie wartości β0 i U (wziąć wartości dla 0 ), przełączyć tranzystor T1 do drugiego bloku pomiarowego we wkładce DA021A (wciśnięty klawisz P ) a następnie należy : a) przy wyłączonym zasilaniu kasety z wkładkami rozmontować poprzedni układ pomiarowy, chwytając za aluminiowy uchwyt na płycie czołowej wysunąć wkładkę z kasety pomiarowej, przykręcić w odpowiednich miejscach (patrz ys.6.) wyliczone rezystory dla układu z zasilaniem stałym prądem bazy, ustawić przełączniki suwakowe 1, 2 (ys.6) w odpowiedniej dla tego układu polaryzacji tranzystora pozycji, połączyć układ pomiarowy jak na ys.9 i sprawdzić (oraz ewentualnie skorygować), w temperaturze 0 otrzymany punkt pracy tranzystora T1. Korekcji punktu pracy poprzez zmianę wielkości wyliczonych rezystorów dokonujemy wówczas, gdy zmierzone wartości U i I różnią się znacznie od tych, które były przyjęte do obliczeń i pomiarów w punkcie 4.1. Najlepiej jest w takiej sytuacji dobrać eksperymentalnie tylko jeden z rezystorów (np. ) tak aby uzyskać możliwie najbardziej zbliżone do założonych wartości I i U Po tych czynnościach wstępnych zmierzyć i narysować zależności I(T) oraz U(T). b) powtórzyć wszystkie czynności wymienione w p 4.2.a) dla układu z rezystorem emiterowym i układu ze źródłem prądowym. Zmierzyć i narysować zależności I(T) oraz U(T) dla tych układów. układ sterowania temperaturą przełącznik czterokanałowy dc DA021A A9011 A4022 A WY D V.. układ badany ys.9. chemat połączeń układu pomiarowego do badania układów polaryzacji tranzystora. OPAOWANI WYNIKÓW 1 Wykreślić (wydrukować) wszystkie zmierzone charakterystyki. 2 Dla układu z zasilaniem stałym prądem bazy - oszacować jaka część przyrostu prądu kolektora spowodowana jest zmianą napięcia U a jaka zmianą β0 (patrz punkt 4.2)

5 P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 W jaki sposób sa uzyskiwane stałe wartości napięcia 2. V, V, 7 V we wkładce DA021A 4 Dlaczego do pomiaru temperatury możliwe jest zastosowanie tranzystora (T4) Wyjaśnić zasadę dzialania układu z ys.. w tym rolę wzmacniacza operacyjnego (U2) 6 Wyjaśnić zasadę działania źródła prądowego (ys.4.-t7) 7 Wyjaśnić zasadę działania układu na ys.7 8 U ( T ) Wyznaczyć względną stabilność temperaturową punktu pracy i I ( T ) dla dwóch wybra- T nych temperatur 9 Uzasadnić, która polaryzacja zapewnia najlepszą stabilizację punktu pracy T

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą. Ćwiczenie nr 9 Pomiar rezystancji metodą porównawczą. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie różnych metod pomiaru rezystancji, a konkretnie zapoznanie się z metodą porównawczą. 2. Dane

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami wartości parametrów stabilizatorów parametrycznych

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY W UKŁADACH LINIOWYCH

WZMACNIACZ OPERACYJNY W UKŁADACH LINIOWYCH P.Rz. K.P.E. Laboratorium Elektroniki FD 003/0/0 WZMCNICZ OPERCYJNY W UKŁDCH LINIOCH. CEL ĆWICZENI Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących: elementarnej teorii sprzężenia zwrotnego, asymptotycznych

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Opis techniczny badanego układu

Opis techniczny badanego układu WZMACNIACZ MOCY Cel ćwiczenia: - wyznaczanie charakterystyk przejściowych przeciwsobnego wzmacniacza mocy, - obserwacja zniekształceń nieliniowych powstających w stopniu końcowym wzmacniacza mocy, - poznanie

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystorów bipolarnych.

Badanie tranzystorów bipolarnych. 1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tranzystorów bipolarnych. (E 8) Opracował: Dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LBORTORIUM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część I Układy sprzężeń zwrotnych i źródeł napięcia odniesienia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów,

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE 1. WSTĘP Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących struktury wewnętrznej, zasad działania i właściwości, klasycznych przerzutników bi- i mono-stabilnych

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki 1 Katedra Energetyki Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Temat ćwiczenia: POMIARY PODSTAWOWYCH WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH W OBWODACH PRĄDU STAŁEGO (obwód 3 oczkowy) 2 1. POMIARY PRĄDÓW I NAPIĘĆ

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 4 OBWODY TRÓJFAZOWE

st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 4 OBWODY TRÓJFAZOWE Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 4 OBWODY TRÓJFAZOWE Układem

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych LABORATORIUM ELEKTRONIKA I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień (I): 1.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723 LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja

Bardziej szczegółowo

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA E1. OBWODY PRĄDU STŁEGO WYZNCZNIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁ tekst opracowała: Bożena Janowska-Dmoch Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch ładunków elektrycznych wywołany

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe własności tranzystorowego układu różnicowego. Ten elementarny układ jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych we współczesnej elektronice,

Bardziej szczegółowo

ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640

ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640 ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640 Zasadniczą częścią przyrządu jest wzmacniacz napięcia mierzonego. Jest to układ o wzmocnieniu bezpośred nim, o dużym współczynniku wzmocnienia i dużej rezystancji wejściowej,

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych. Ćwiczenie numer Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych Zagadnienia do przygotowania kłady zasilania tranzystorów bipolarnych Wpływ temperatury na podstawowe parametry

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 4 1/6 Komparator, wyłącznik zmierzchowy Zadaniem jest przebadanie zachowania komparatora w układach z dodatnim sprzężeniem zwrotnym i bez sprzężenia

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY Białystok

Bardziej szczegółowo

R 1. Układy regulacji napięcia. Pomiar napięcia stałego.

R 1. Układy regulacji napięcia. Pomiar napięcia stałego. kłady regulacji napięcia. Pomiar napięcia stałego.. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami regulacji napięcia stałego, stosowanymi w tym celu układami elektrycznymi, oraz metodami

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat. PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze różnicowe

Wzmacniacze różnicowe Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe. POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW POLTECHNKA WARSZAWSKA NSTYTUT RADOELEKTRONK ZAKŁAD RADOKOMUNKACJ WECZOROWE STUDA ZAWODOWE LABORATORUM OBWODÓW SYGNAŁÓW Ćwiczenie 1 Temat: OBWODY PRĄDU STAŁEGO Opracował: mgr inż. Henryk Chaciński Warszawa

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej

Bardziej szczegółowo

MATRIX. Zasilacz DC. Podręcznik użytkownika

MATRIX. Zasilacz DC. Podręcznik użytkownika MATRIX Zasilacz DC Podręcznik użytkownika Spis treści Rozdział Strona 1. WSTĘP 2 2. MODELE 2 3 SPECYFIKACJE 3 3.1 Ogólne. 3 3.2 Szczegółowe... 3 4 REGULATORY I WSKAŹNIKI.... 4 a) Płyta czołowa.. 4 b) Tył

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

ZASILACZ DC AX-3003L-3 AX-3005L-3. Instrukcja obsługi

ZASILACZ DC AX-3003L-3 AX-3005L-3. Instrukcja obsługi ZASILACZ DC AX-3003L-3 AX-3005L-3 Instrukcja obsługi W serii tej znajdują się dwukanałowe i trzykanałowe regulowane zasilacze DC. Trzykanałowe zasilacze posiadają wyjście o dużej dokładności, z czego dwa

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE KTDR LKTRONIKI GH L O R T O R I U M LMNTY LKTRONIZN TRNZYSTORY IPOLRN Parametry stałoprądowe R. 0.3 Laboratorium lementów lektronicznych: TRNZYSTORY IPOLRN 1. L ĆWIZNI Wyznaczenie podstawowych parametrów

Bardziej szczegółowo