Elektronika i energoelektronika
|
|
- Feliks Maciejewski
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Wydzia ł Elektrotechniki i Informatyki Politechnika Lubelska Elektronika i energoelektronika wyk ł ad 4 TRANZYSTOR BIPOLARNY (cz. 1) Lublin, kwiecie ń 2008
2 Tranzystor bipolarny
3 Dwa g ł ówne zastosowania tranzystorów: prze łą czanie i wzmacnianie Przełą cznik (Elektronika cyfrowa) Wzmacniacz (Elektronika analogowa) TRANZYSTOR TRANZYSTOR + V - + V - np. mikroprocesor, pami ęć np. czujnik, radio 3
4 Tranzystor Trójko ń cówkowy pó ł przewodnikowy element elektroniczny, posiadaj ą cy zdolno ść wzmacniania sygna ł u elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "TRANSfer resistor", który oznacza element transformuj ą cy rezystancj ę. Wyró ż nia si ę dwie g ł ówne grupy tranzystorów, ró ż ni ą ce si ę zasadniczo zasad ą dzia ł ania: Tranzystory bipolarne, w których pr ą d wyj ś ciowy jest funkcj ą pr ą du wej ś ciowego (sterowanie pr ą dowe). Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe), w których pr ą d wyj ś ciowy jest funkcj ą napi ę cia (sterowanie napi ę ciowe).
5 Grudzie ń 1947: Pierwszy tranzystor Wynalazcy tranzystora (Nobel 1956r): John Bardeen Walter Brattain William Shockley Pierwszy, germanowy tranzystor ostrzowy (Bell Laboratories)
6 Tranzystor jak kran bramka źródło źródło bramka OFF ON zlew zlew
7 Tranzystor bipolarny 2 złącza p-n p n p tranzystory bipolarne (BJT, HBT) lepsze emitery promieniowania lepsze detektory promieniowania BJT = bipolar junction transistor HBT = heterojunction bipolar transistor
8 Tranzystor bipolarny w ukł. scalonym HBT: Heterojunction Bipolar Transistor BJT: Bipolar Junction Transistor kontakt kolektora kontakt emitera SiO2 warstwa zagrzebana podłoże kontakt bazy n+ N P P+ P + oznacza obszar silnie domieszkowany dyfuzja izolacji
9 Tranzystor bipolarny (BJT) NPN tranzystor NPN kolektor PNP tranzy zystor PNP kolektor n p baza p baza n n p Symbol graficzny emiter C Symbol graficzny emiter C B B BJT Bipolar Junction Transistor E E
10 Zasada dzia ł ania tranzystora
11 Zasada dzia ł ania tranzystora
12 Polaryzacja normalna Z łą cze Emiter-Baza spolaryzowane w kierunku przewodzenia Z łą cze Kolektor-Baza spolaryzowane w kierunku zaporowym dla tranzystora N-P-N oznacza to: U EB <O oraz U CB >O (U BE >O, U CE >O) dla tranzystora P-N-P oznacza to: U EB >O oraz U CB <O (U BE <O, U CE <O)
13 Polaryzacja normalna dla tranzystora npn potencja ł kolektora musi by ć wyższy od potencjału emitera, dla tranzystora pnp potencja ł kolektora musi by ć niższy od potencjału emitera, złącze baza-emiter musi by ć spolaryzowana w kierunku przewodzenia, a złącze kolektor-baza w kierunku zaporowym, nie mog ą zosta ć przekroczone maksymalne wartości I, I, U, C B CE moc wydzielana na kolektorze I C U CE, temperatura pracy czy te ż napięcie U. BE
14 Zasada dzia ł ania tranzystora elektrony I E emiter baza kolektor I C W tranzystorze n-p-n p ł ynie g ł ównie pr ą d elektronowy, zatem - w pierwszym przybli ż eniu - przep ł yw dziur mo ż na zaniedba ć. Emiter - pierwsza warstwa, która przez z łą cze spolaryzowane w kierunku przewodzenia wstrzykuje no ś niki do bazy. Z cienkiej bazy jako no ś niki mniejszo ś ciowe odbierane s ą przez z łą cze spolaryzowane w kierunku zaporowym (do kolektora).
15 Unoszenie (dryft) n-si - V + E C E F E i -qv E V
16 Dyfuzja Prędko ść termiczna vth Rozkład prędkości w różnych kierunkach Dyfuzja no ś ników Dyfuzja w prawo X Brak dyfuzji w lewo Brak wypadkowego przep ł ywu elektronów (dziur) w obszarze o sta ł ej koncentracji Wypadkowy przep ł yw w prawo (ujemny gradient)
17 Transport ł adunków (pr ą d) Pr ę dko ść termiczna v th Kontroluje zarówno dyfuzj ę jak i unoszenie no ś ników w polu elektrycznym. Unoszenie elektronów Unoszenie dziur Dyfuzja elektronów Dyfuzja dziur Zale ż no ść Einsteina Ruchliwo ść i dyfuzyjno ść (wspó ł czynnik dyfuzji ) s ą zwi ą zane zale ż no ś ci ą : D D n p = kt n q µ = kt q µ p Całkowity prąd unoszenia Kierunek określa pole elektryczne Całkowity prąd dyfuzji Kierunek określa gradient koncentracji Ca ł kowity pr ą d zale ż y od pola elektrycznego i dyfuzji
18 Z łą cze p-n polaryzacja w kierunku zaporowym no ś niki mniejszo ś ciowe s ą unoszony w polu elektrycznym na drug ą stron ę warstwy zaporowej G R P N R G no ś niki wi ę kszo ś ciowe odbijaj ą si ę od bariery potencja ł u
19 Zasada dzia ł ania tranzystora I E =I B +I C W ca ł ym obszarze bazy istnieje zasada oboj ę tno ś ci elektrycznej. UPROSZCZONY PRZYK Ł AD: Do bazy wp ł ywa 100 elektronów z emitera - natychmiast (np s) ł adunki musz ą si ę zrównowa ż y ć - czyli np. 99 elektronów zostanie odebrane przez kolektor, a jeden zrekombinowany z dziur ą (dostarczon ą przez pr ą d bazy)
20 Uk ł ady po łą cze ń wspólny emiter OE emiter n + U CE U BE baza p WE OB WB OC kolektor n U EB U CB U EC U BC WC wspólna baza wspólny kolektor
21 Uk ł ady po łą cze ń
22 Wspó ł czynnik wzmocnienia pr ą dowego β Warto ść wzmocnienia beta wynosi nawet do kilkuset. α Dla wi ę kszo ś ci tranzystorów warto ść α zawiera si ę w granicach od 0,95 do 0,99, czyli praktycznie 1.
23 Wzmocnienia pr ą dowego jest to stosunek sygna ł u (pr ą du) wyj ś ciowego do wej ś ciowego Dla WB I C /I E = Dla WE I C /I B = Dla WC I E /I B = + 1 Wzmocnienie pr ą dowe jest ró ż ne w zale ż no ś ci m.in. od zastosowanego uk ł adu pracy, ALE... TRANZYSTOR DZIA Ł A ZAWSZE TAK SAMO!!!
24 Obszary pracy tranzystora N-P-N Stan aktywny tranzystora jest podstawowym stanem pracy wykorzystywanym we wzmacniaczach; w tym zakresie pracy tranzystor charakteryzuje si ę du ż ym wzmocnieniem pr ą dowym (kilkadziesi ą t-kilkuset). Stany nasycenia i zaporowy stosowane s ą w technice impulsowej, jak równie ż w uk ł adach cyfrowych. Stan aktywny inwersyjny nie jest powszechnie stosowanych, poniewa ż ze wzgl ę dów konstrukcyjnych tranzystor charakteryzuje si ę wówczas gorszymi parametrami ni ż w stanie aktywnym (normalnym), m.in. mniejszym wzmocnieniem pr ą dowym.
25 Obszary pracy tranzystora P-N-P U BC Polaryzacja normalna (forward) Odci ę cie (cut-off) Nasycenie (saturation) Polaryzacja odwrotna (reverse) U BE
26 Obszary pracy tranzystora N-P-N U BC Polaryzacja odwrotna (reverse) Nasycenie (saturation) Odci ę cie (cut-off) Polaryzacja normalna (forward) U BE
27 Charakterystyki statyczne tranzystora Rozró ż niamy cztery rodziny charakterystyk statycznych: - wej ś ciowa (U1 = f (I1), przy U2 = const), - przej ś ciowa (I2 = f (I1), przy U2 = const), - wyj ś ciowa (I2 = f (U2), przy I1 = const), - zwrotna (U1 = f (U2), przy I1 = const).
28 Charakterystyki statyczne tranzystora Rodzina charakterystyk statycznych tranzystora w uk ł adzie WE, w którym I = I 1 B, U 1 = U BE, I 2 = I C, U 2 = U CE CE.
29 Charakterystyki statyczne tranzystora nachylenie=g m Literatura anglosaska: U=V
30 Charakterystyki statyczne tranzystora
31 Efekt Early'ego
32 Punkt pracy
33 Punkt pracy Aby otrzyma ć wzmacnianie pe ł no okresowe nale ż y do wzmacnianego zmiennego pr ą du bazy doda ć sta ł y pr ą d bazy.
34 Punkt pracy
35 Punkt pracy
36 Punkt pracy
37 Punkt pracy
38 Parametry graniczne tranzystora Tranzystory, tak zreszt ą jak inne elementy elektroniczne, maj ą charakterystyczne dla siebie parametry graniczne, tzn. takie których przekroczenie grozi uszkodzeniem tranzystora. Do takich w ł a ś nie parametrów nale żą : U EB0max - dopuszczalne napi ę cie wsteczne baza-emiter U CB0max - dopuszczalne napi ę cie wsteczne kolektor-baza U CE0max - maksymalne dopuszczalne napi ę cie kolektor-emiter I Cmax Cmax - maksymalny pr ą d kolektora I Bmax Bmax - maksymalny pr ą d bazy P strmax - maksymalna dopuszczalna moc strat
39 Pasmo wzmocnienia Pasmo wzmocnienia jest określone przez własnow asności tranzystora (jego wielkości pasożytnicze) oraz sposób jego współdzia działania ania z obwodem wzmacniacza. Każdy rzeczywisty tranzystor charakteryzuje si ę różnymi wielkościami pasożytniczymi, z których najważniejsze niejsze to: rozproszona rezystancja bazy r bb oraz pojemności baza-emiter C be i baza-kolektor C bk 1 Pasmo wzmocnienia tranzystora jest ograniczone przez jego cz ę stotliwo ść graniczn ą ft ; powy ż ej tej cz ę stotliwo ś ci wspó ł czynnik wzmocnienia pr ą dowego jest mniejszy od jedno ś ci.
40 Schematy zast ę pcze tranzystora
41 Model Ebersa-Molla R R F F I E I C F R B U EB U CB
42 Model Ebersa-Molla Rzeczywisty tranzystor troszk ę różni się od modelu Shockleya (Ebersa-Molla) *prądów generacji-rekombinacji w warstwach zaporowych *efektu modulacji grubości bazy (efekt Early ego) *zjawisk zachodzących przy dużych prądach *rezystancji bazy wewnętrznej *rezystancji szeregowych Rozszerzony o te efekty model Ebersa-Molla to model Gummela-Poona
43 Tranzystor jako czwórnik + i 1 [y] v 1 v 2 [z] i 2 + _ [h] [s] _
44 Macierz hybrydowa (mieszana) u1 = h111 i + h12u2 i = h i + h u
45 Parametry mieszane u1 = h111 i + h12u2 i = h i + h u impedancja wej ś ciowa wzmocnienie pr ą dowe ( ) h 11 = u i 1 2 = 1u 0 oddzia ł ywanie wsteczne h 12 = u 1 u i 1 = 2 0 admitancja wyj ś ciowa
46 Parametry ma ł osygna ł owe - oznaczenia Parametry mieszane Parametry admitancyjne i=input; r=reverse; f=forward; o=output Indeks e oznacza układ połączenia wspólny emiter(we)
47 Tranzystor - prze łą cznik Prze łą czanie tranzystora polega na przej ś ciu chwilowego punktu pracy tranzystora ze stanu zatkania do stanu nasycenia, lub w kierunku odwrotnym wzd ł u ż linii prostej pracy tranzystora. Prze łą czanie tranzystora mo ż na uzyska ć pod wp ł ywem skokowej zmiany sygna ł u steruj ą cego.
48 Praca dynamiczna
49 Przebiegi czasowe rysunki z instrukcji do ćwicze ń lab.
50
Temat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoElektronika i energoelektronika
Wydzia ł Elektrotechniki i Informatyki Politechnika Lubelska Elektronika i energoelektronika wyk ł ad 5 TRANZYSTOR BIPOLARNY (cz. 2) Lublin, kwiecie ń 2008 Tranzystor bipolarny 2 złącza p-n p n p tranzystory
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoPODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE
PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONCZNE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego 1. Diody półprzewodnikowe Złącze PN - podstawa budowy i działania diody,
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Rozdzia Wzmacniacz m.cz
Rozdzia 3. Wzmacniacze 3.1. Wzmacniacz m.cz Rysunek 3.1. Za o enia projektowe Punkt pracy jest tylko jednym z parametrów opisuj cych prac wzmacniacza. W tym rozdziale zajmiemy si zaprojektowaniem wzmacniacza
Bardziej szczegółowo2. Przyk ad zadania do cz ci praktycznej egzaminu dla wybranych umiej tno ci z kwalifikacji E.20 Eksploatacja urz dze elektronicznych
3. 2. Przyk ad zadania do cz ci praktycznej egzaminu dla wybranych umiej tno ci z kwalifikacji E.20 Eksploatacja urz dze elektronicznych Zadanie egzaminacyjne Znajd usterk oraz wska sposób jej usuni cia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM FOTONIKI
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM FOTONIKI Transoptory Opracowali: Ryszard Korbutowicz, Janusz Szydłowski I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania * wpływ światła na konduktywność
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI
Katedra Optoelektroniki Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechnika Gdańska LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 5 DETEKTORY OPTOELEKTRONICZNE Gdańsk, 2005 ĆWICZENIE 5: DETEKTORY OPTOELEKTRONICZNE
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE e LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYH LPP 2 Ćwiczenie nr 10 1. el ćwiczenia Przełączanie tranzystora bipolarnego elem
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoInstytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT)
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Elektronika 1 elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Warszawa, luty 2009 Tranzystor bipolarny w układzie scalonym
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoANALOGOWE UKŁADY SCALONE
ANALOGOWE UKŁADY SCALONE Ćwiczenie to ma na celu zapoznanie z przedstawicielami najważniejszych typów analogowych układów scalonych. Będą to: wzmacniacz operacyjny µa 741, obecnie chyba najbardziej rozpowszechniony
Bardziej szczegółowohttp://mtr.freakone.pl Strona 1
37. Przedstaw: symbol, strukturę w przekroju ( konstrukcję) oraz ogólna zasadę polaryzacji tranzystora bipolarnego w zakresie aktywnym normalnym dla obydwu podstawowych typów tranzystorów. a) pnp b) npn
Bardziej szczegółowoElektronika i energoelektronika
Wydzia ł Elektrotechniki i Informatyki Politechnika Lubelska Elektronika i energoelektronika wyk ł ad 8 GENERATORY Lublin, maj 2008 Generatory Generator jest to układ elektroniczny samorzutnie wytwarzający
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoSpis treêci. Wst p... 9 Wykaz skrótów stosowanych na rysunkach Wykaz wa niejszych oznaczeƒ... 12
Spis treêci Wst p... 9 Wykaz skrótów stosowanych na rysunkach... 11 Wykaz wa niejszych oznaczeƒ... 12 1. Zasady bezpieczeƒstwa w pracowni elektronicznej... 15 1. l. Dzia anie pràdu elektrycznego na organizm
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowotel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 NIP 7343246017 Regon 120493751
Zespół Placówek Kształcenia Zawodowego 33-300 Nowy Sącz ul. Zamenhoffa 1 tel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 http://zpkz.nowysacz.pl e-mail biuro@ckp-ns.edu.pl NIP 7343246017 Regon 120493751 Wskazówki
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory VI. FOTOTRANZYSTOR
1 Wprowadzenie. VI. FOTOTRANZYSTOR Nazwa tranzystor pochodzi z języka angielskiego: transistor - transferring an electrical signal across a resistor. (transfer sygnału elektrycznego przez rezystancję).
Bardziej szczegółowo7. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH
OBWODY SYGNAŁY 7. EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH 7.. ZJAWSKO EZONANS Obwody elektryczne, w których występuje zjawisko rezonansu nazywane są obwodami rezonansowymi lub drgającymi. ozpatrując bezźródłowy obwód
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów bipolarnych.
1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tranzystorów bipolarnych. (E 8) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoSterownik Silnika Krokowego GS 600
Sterownik Silnika Krokowego GS 600 Spis Treści 1. Informacje podstawowe... 3 2. Pierwsze uruchomienie... 5 2.1. Podłączenie zasilania... 5 2.2. Podłączenie silnika... 6 2.3. Złącza sterujące... 8 2.4.
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoKoªo Naukowe Robotyków KoNaR. Plan prezentacji. Wst p Tranzystory JFET Tranzystory MOSFET jak to dziaªa? MOSFET jako przeª cznik mocy Podsumowanie
Plan prezentacji Wst p Tranzystory JFET Tranzystory MOSFET jak to dziaªa? MOSFET jako przeª cznik mocy Podsumowanie Wst p Motto W teorii nie ma ró»nicy mi dzy praktyk a teori. W praktyce jest. Wst p Symbole
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoPRAWA ZACHOWANIA. Podstawowe terminy. Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc
PRAWA ZACHOWANIA Podstawowe terminy Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc a) si wewn trznych - si dzia aj cych na dane cia o ze strony innych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoż ć ć ć ż ń ć ż ć ż Ę ć ż
Ł Ł ŁĄ Ł ż ż ź ż Ą ż ć ć ć ż ń ć ż ć ż Ę ć ż ń ń ż ć ć ż ć ć Ź ż ń ń ć Ę ż Ą Ę ż ń ć Ą Ą ż Ź ż ć ć ż ć ć ż ż ż ć ń ż ć ż ż ż Ę ć Ę Ł Ł ź ń Ź Ę ż ć Ą ń ć ż ź ż Ą Ź ń ż Ź Ą Ą ż ć ż ć ć Ą ż ć ć ż Ł ż ć ż
Bardziej szczegółowoI B. EFEKT FOTOWOLTAICZNY. BATERIA SŁONECZNA
1 OPTOELEKTRONKA B. EFEKT FOTOWOLTACZNY. BATERA SŁONECZNA Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności otoprądu zwarcia i otonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii
Bardziej szczegółowoUKŁAD ROZRUCHU SILNIKÓW SPALINOWYCH
UKŁAD ROZRUCHU SILNIKÓW SPALINOWYCH We współczesnych samochodach osobowych są stosowane wyłącznie rozruszniki elektryczne składające się z trzech zasadniczych podzespołów: silnika elektrycznego; mechanizmu
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoĆ W I C Z E N I E 5. Częstotliwość graniczna
36 Ć W I Z E N I E 5 PASYWNE FILTY ZĘSTOTLIWOŚI. WIADOMOŚI OGÓLNE Filtrem częstotliwości nazywamy układ o strukturze czwórnika (czwórnik to układ mający cztery zaciski jedna z par zacisków pełni rolę wejścia,
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STDIA ZAWODOWE LABORATORIM KŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie 1 Temat: Badanie tranzystorowego wzmacniacza napięciowego
Bardziej szczegółowoLekcja 173, 174. Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe.
Lekcja 173, 174 Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe. Silnik elektryczny asynchroniczny jest maszyną elektryczną zmieniającą energię elektryczną w energię mechaniczną, w której wirnik obraca się z
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoż ć ż ń Ń Ż ń ń ć ż ż ć Ż
Ś Ą Ą Ł Ś Ł ż ć ż ń Ń Ż ń ń ć ż ż ć Ż ń Ż Ł ż ń ń ń Ę Ł Ż Ł Ł ż ż ć ń Ę ń ż Ć ń ŁĄ Ą ń ń Ć ć Ż ż Ń Ż Ż Ł ć Ę ń Ł ż Ś ć Ż ńę ń ż ń Ł Ż Ą ń ż Ź ż ć ż ń ć Ś Ż ń Ą ż Ą ć ć ńż Ś ń Ś Ż Ś ń ń Ł Ż Ł ż ń Ż Ś Ś
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoElektronika i energoelektronika
Wydzia ł Elektrotechniki i Informatyki Politechnika Lubelska Elektronika i energoelektronika wyk ł ad 8 WZMACNIACZE Lublin, kwiecie ń 2008 Wzmacniacze Podzia ł wzmacniaczy na klasy KLASA A -Sygna ł wejściowy
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoŁ ś ś ś Ą ż Ą Ń Ł Ł
Ł Ł Ń Ń Ł ś ś ś Ą ż Ą Ń Ł Ł Ł ż Ę ż ż ś ś ż ć ż ś ś Ę ż Ę ż ś ś ż ż ś ś ś ż ż ż ś ść ż ś ż ż ż ż ż ź ś ż ż ś ż ż ś ś ś ż ć ż ż ć ś ż ś ś ż ś ż ż Ę ż ż Ź ź ź ś ź ż ż ż ź ż ż ść ż ś ś ś ż ź ż ś Ń ź ż ź ż
Bardziej szczegółowoĘ ź Ż Ę ź ć ź ć Ą ć ć ć ć ć ż ź
ć ź ź ż ć ż ż ć ć ż ż ć ć ć Ź ż ć ż ź Ź Ź ć Ę ź Ż Ę ź ć ź ć Ą ć ć ć ć ć ż ź ź ż ć ć Ę ć Ą ć ż ć ż Ę Ź ż ź ż ć ź ż ć ź ż Ż ż Ź ć Ą Ś Ż Ń ż Ń ć Ń Ń ż Ą Ś Ł ć ż ż ż Ę ż Ń Ą ż ć Ł Ą ż ć ż Ą ż Ę Ę Ą ż ź Ą Ę
Bardziej szczegółowo5. TRANZYSTOR BIPOLARNY
5. TRANZYSTOR IPOLARNY 5.1. UDOWA TRANZYSTORA I ROZPŁYW PRĄDÓW Nazwa tranzystor wywodzi się z języka angielskiego: TRANSfer resistor, co po polsku oznacza element transformujący rezystancję. Tak nazwano
Bardziej szczegółowoż ć Ę ż ż ż Ń Ł ż ż ż ż ż ż ż ż
ż ć Ę ż ż ż Ń Ł ż ż ż ż ż ż ż ż ż ż Ń ż ż Ń Ń Ń ż ć ż ż ć ż ż ż ć Ą Ń ż ć ć ż ż ż ż ć ćż ż Ń Ń Ł ż Ń Ń Ń ć Ń ć ć Ń ż Ń Ń ż ż ż ć Ń ć ż ć ć ć ć Ń ż Ń Ń ć Ń Ę ż Ń ż ż ż Ł ż ć ż ć ż ż ż ż ć ć ż ż ć ź ż ż
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoElektronika i techniki mikroprocesorowe
Elektronika i techniki mikroprocesorowe Technika cyfrowa Podstawowy techniki cyfrowej Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Wydział Elektryczny, ul. Krzywoustego 2 trochę historii
Bardziej szczegółowoBadanie własności prądnic tachometrycznych. Prądnica indukcyjna dwufazowa, prądnica magnetoelektryczna.
Badanie własności prądnic tachometrycznych. Prądnica indukcyjna dwufazowa, prądnica magnetoelektryczna. Budowa i zasada działania. Prądnice tachometryczne (PTM) są to specjalne maszyny elektryczne słuŝące
Bardziej szczegółowoTester pilotów 315/433/868 MHz 10-50 MHz
TOUCH PANEL KOLOROWY WYŚWIETLACZ LCD TFT 160x128 ` Parametry testera Zasilanie Pasmo 315MHz Pasmo 433MHz Pasmo 868 MHz Pasmo 10-50MHz 5-12V/ bateria 1,5V AAA 300-360MHz 400-460MHz 820-880MHz Pomiar sygnałów
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA OBS UGI. Stabilizowane zasilacze pr du sta ego. modele: DF173003C DF173005C
D INSTRUKCJA OBS UGI Stabilizowane zasilacze pr du sta ego modele: DF173003C DF173005C WPRO WA DZ ENI E Przyrz dy serii DF17300XC s precyzyjnymi zasilaczami DC o jednym wyjciu i napi ciu regulowanym w
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoTester pilotów 315/433/868 MHz
KOLOROWY WYŚWIETLACZ LCD TFT 160x128 ` Parametry testera Zasilanie Pasmo 315MHz Pasmo 433MHz Pasmo 868 MHz 5-12V/ bateria 1,5V AAA 300-360MHz 400-460MHz 820-880MHz Opis Przyciski FQ/ST DN UP OFF przytrzymanie
Bardziej szczegółowoń
Ą ń Ą ż ń Ł ć ń ć ż ć ż Ą ć ń ź ż Ę ż ż ć ń ć ż ć ż ć ż ń ż ć ż ń ń ń ż ń ń ż Ł ń ż ń ć ń ż Ń ć ż ń ń ń ń ń ż ż Ą ć ż ć ż ć ż ć Ń ć ć ń ć ć ń ć ć ż ń ń Ń ń ż ć ź ń ż ż ŁĄ ż ń ż ż ż Ą ż ć ń ż ć ż Ń ż Ń
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych.
Politechnika Łódzka Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Niekonwencjonalne źródła energii Laboratorium Ćwiczenie 4
Bardziej szczegółowoDTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA)
DTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) ZASILACZ SIECIOWY TYPU ZL-24-08 WARSZAWA, KWIECIEŃ 2008. APLISENS S.A.,
Bardziej szczegółowoMETROLOGIA SKRYPT DO LABORATORIUM. dla studentów kierunku elektrotechnika. Leona Swędrowskiego. pod redakcją
METROLOGIA SKRYPT DO LABORATORIUM dla studentów kierunku elektrotechnika pod redakcją Leona Swędrowskiego Gdańsk 2011 PRZEWODNICZ CY KOMITETU REDAKCYJNEGO WYDAWNICTWA POLITECHNIKI GDA SKIEJ Romuald Szymkiewicz
Bardziej szczegółowo1.3 Budowa. Najwa niejsze cz ci sk adowe elektrozaworu to:
.3 Budowa Elektrozawory to elementy kontroluj ce medium pod ci nieniem. Ich zadanie polega na otwieraniu lub zamykaniu urz dzenia odcinaj cego, bezpo rednio lub po rednio, w stanie wzbudzonym cewki. Najwa
Bardziej szczegółowoŁ Ó Ł
Ą Ł ź Ę Ź Ę Ł Ń Ł Ó Ł Ś Ó Ż ŁĄ ć Ź Ą ź Ś Ł ÓŁ ć ć Ń Ę Ź ć Ś Ś ć ź Ż Ą Ś ź Ś Ą ź Ż Ó Ń Ś Ś ć ź Ź Ź Ą ź Ę ź Ą Ś Ą Ś Ń Ń Ż Ż Ą Ą ź ź ź Ę ć Ą ć ć Ą ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć Ź Ą ć ć Ę Ę Ż Ś Ś Ź Ł Ą Ą Ź ź Ś ź
Bardziej szczegółowoOBWODY REZYSTANCYJNE NIELINIOWE
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny atedra Elektrotechniki Teoretycznej i Metrologii nstrukcja do zaj laboratoryjnych OBWODY REZYSTANCYJNE NELNOWE Numer wiczenia E17 Opracowanie: dr in. Jarosław
Bardziej szczegółowoŁ Ń ś ń ć Ź ś ń
Ł Ł Ł Ń ś ń ć Ź ś ń ŁĄ Ę Ą Ą Ź ć ś ś Ź ć ć ć ć Ą ń ść ść ń Ź ń ś ś ń ń ń ń ń ś ń ś ść ś Ą ź Ź ś ś ń ć ń ń Ą ń ś ś ś ś Ź ś Ź ś ś Ź ś Ł Ś Ó Ą Ź Ą Ą Ó Ó ń ś ć ć ś ń ń Ść ń Ź ść ść ść ś ś ń ść ś ść ć ś Ń ć
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowo