Politechnika Białostocka

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Politechnika Białostocka"

Transkrypt

1 Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C ) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY Białystok 2006

2 2 TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe własności tranzystorowego układu różnicowego. Ten elementarny układ jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych we współczesnej elektronice, przy czym różnorodność jego zastosowań jest bardzo duża. Układy różnicowe są wykorzystywane zarówno do wzmacniania sygnałów (np. stopnie wejściowe wzmacniaczy operacyjnych) jak i operacji nieliniowych (modulatory i demodulatory AM i FM, układy mnożące i logarytmujące, układy kształtujące, funkcyjne, ograniczniki itp.). Inną ważną dziedziną zastosowań układów różnicowych jest technika cyfrowa, w której są one podstawą realizacji funktorów logicznych ECL. Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących układu różnicowego poprzez obserwację jego wielkosygnałowych charakterystyk przejściowych oraz pomiary małosygnałowego wzmocnienia różnicowego i sumacyjnego w różnych warunkach obciążenia i zasilania. Między innymi bada się współpracę układu różnicowego z obciążeniem dynamicznym w postaci sterowanego źródła prądowego (lustra, wtórnika prądowego), które umożliwia nie tylko uzyskanie dużego wzmocnienia różnicowego, lecz również redukcję wzmocnienia sumacyjnego oraz desymetryzację wyjścia układu. W końcowej części ćwiczenia przewidziano eksperyment częściowo projektowany przez wykonującego, ilustrujący jedno z wielu możliwych nieliniowych zastosowań układu różnicowego. Eksperyment ten ilustruje efekt analogowego mnożenia sygnałów w układzie różnicowym. 2. OPIS TECHNICZNY UKŁADU BADANEGO DN031A Badany układ różnicowy, którego schemat przedstawiono na rys.2, składa się z dwóch tranzystorów (T 1, T 2 ) monolitycznego układu scalonego UL1111. Tranzystory te są polaryzowane przez przełączany układ pomocniczy, który w zależności od pozycji przełącznika może realizować prądowe zasilanie emiterów (źródło prądowe T 3 o wydajności 0.5 lub 1.5mA) lub też - zasilanie quasi prądowe - przez rezystor R 17. W tym drugim przypadku prąd zasilania emiterów wynosi około 1.5 ma. Badany układ różnicowy może współpracować z obciążeniem liniowym (rezystory R 5 i R 6 ) lub z obciążeniem dynamicznym sterowanym (wtórnik prądowy T 6, T 7 ). Zmiany rodzaju obciążenia dokonuje się przełącznikiem suwakowym "R C, dyn". W pozycji "R C " kolektory obu tranzystorów T 1 i T 2 dołączone są przez rezystory do napięcia zasilania +5V. Tranzystory wtórnika prądowego T 6, T 7 są wówczas zatkane. W pozycji "dyn" układ różnicowy zasilany jest w sposób pokazany na rys.1. Jak widać na rysunku, ten sposób zasilania Rys.1. Zasilanie kolektorów układu różnicowego za pomocą wtórnika (lustra) prądowego w pozycji dyn przełącznika rodzaju obciążenia. umożliwia uzyskanie dużych wartości napięciowego wzmocnienia różnicowego (przy R C ) oraz eliminację sygnału współbieżnego (do obciążenia płynie różnica prądów kolektorów),

3 3 Rys.2. Schemat badanego układu różnicowego DN031A. co - po pierwsze - prowadzi do radykalnego zmniejszenia wzmocnienia sumacyjnego k us, zaś po drugie - do uzyskania różnicowego sygnału na wyjściu niesymetrycznym. Rezystor R C w przypadku obciążenia dynamicznego służy do ograniczenia wzmocnienia różnicowego, bowiem przy bardzo dużych wartościach k ur utrzymanie układu różnicowego w stanie równowagi jest bardzo trudne, np. ze względu na różnice charakterystyk tranzystorów T 1 i T 2 lub niesymetrię wtórnika prądowego T 6, T 7. Przy braku wysterowania napięcie wyjściowe równe jest U CC = 5V, bez względu na wartość prądu zasilania emiterów. Zakres aktywnej pracy tranzystora T 2 ograniczony jest z jednej strony jego zatkaniem (u wy2 wynosi wówczas U CC + I E R C ), z drugiej zaś - jego nasyceniem, tzn. przewodzeniem złącza B-C T 2. Przełącznik

4 4 "R C, 20kΩ" umożliwia zmianę wartości R C i zaobserwowanie wynikających stąd zmian wzmocnienia. Wybór rodzaju sygnału w różnych eksperymentach umożliwia zespół przełącznika sterowania bazy tranzystora T 1 (base1) oraz przełącznik sterowania bazy T 2 (base2, rys.3). Na bazę T 1 można podać: przyrost napięcia stałego równy 5 mv przy pomiarach wzmocnienia różnicowego (włączenie V i chwilowe naciskanie klawisza oznaczonego " "); napięcie stałe regulowane z pomocniczego źródła V(T 4, T 5,R 22 ) przy pomiarach wzmocnienia sumacyjnego. Napięcie to można regulować w granicach -2, +2V; napięcie trójkątne z przystawki charakterograficznej dwukanałowej XY (wkładka SN7212) przy obserwacji charakterystyk przejściowych; sygnał modulowany (sinusoidalny) z generatora sygnałów synfazowych (wkładka SN3112) przy analogowym mnożeniu sygnałów w układzie różnicowym. Sygnał ten jest na wejściu ("mod1") 100-krotnie redukowany (R 1, R 2 ), o czym należy pamiętać przy obliczeniach układu mnożącego. Rys.3. Płyta czołowa wkładki DN031A Do bazy T 2 można jedynie dołączyć stałe regulowane napięcie V, potrzebne przy obserwacjach charakterystyk przejściowych i pomiarach wzmocnienia sumacyjnego. Ponadto oba wejścia układu różnicowego można niezależnie od siebie łączyć z masą klawiszem oznaczonym " ". Sygnał modulujący wprowadza się poprzez kondensator C 1 bezpośrednio na bazę tranzystora T 3 (gniazdo "mod2"). Na wyjściach układu różnicowego znajdują się dodatkowe rezystory szeregowe R 23 i R 24, zabezpieczające przed wzbudzaniem się układu po obciążeniu

5 5 go kablami łączącymi. Rezystory te, wobec dużej rezystancji wejściowej przyrządów pomiarowych 1 MΩ praktycznie nie wprowadzają błędów pomiaru. 3. WYKAZ APARATURY POMOCNICZEJ Do wykonania ćwiczenia potrzebne są następujące przyrządy pomiarowe: przystawka charakterograficzna dwukanałowa XY (wkładka SN7212), generator sygnałów synfazowych (wkładka SN3112), przełącznik dwukanałowy dc (wkładka SA4011). 4. OBLICZENIA WSTĘPNE I PROJEKTOWE Statyczne charakterystyki przejściowe tranzystorowego układu różnicowego mają w przybliżeniu kształt przedstawiony na rys. 4. Oba tranzystory znajdują się w stanie aktywnym jedynie w stosunkowo wąskiej strefie przełączania prądu. Poza tą strefą, gdy u we < U 0 T 1 jest zatkany, T 2 zaś przewodzi. Przy u we > U 0 stan tranzystorów jest odwrotny, przy czym począwszy od u we = U M, tranzystor T 1 nasyca się. Rys.4. Tranzystorowy układ różnicowy z obciążeniem liniowym. Schemat (a), charakterystyki przejściowe (b). U BCP - to napięcie przewodzenia złącza BC 1. Korzystając z najprostszych modeli odcinkowych tranzystora dla zakresu zatkania, przewodzenia i nasycenia, należy wyprowadzić i wpisać do protokółu równania wszystkich odcinków charakterystyk przejściowych u c1, u c2 = f(u b1 ). Po wyprowadzeniu równań obliczyć i narysować w protokóle charakterystyki dla danych U CC =5V, U EE =-15V, U 0 =0V, R C1,1 =2 kω, R E =10 kω. 2. Przyjmując, że zależność prądu I C od U BE tranzystora ma charakter wykładniczy, wyprowadzić równanie opisujące nieliniowy przebieg charakterystyk przejściowych w zakresie przełączania prądu. Analizę przeprowadzić dla układu ze źródłem prądowym. Korzystając z wyprowadzonych równań, obliczyć małosygnałowe wzmocnienie różnicowe dla układu z obciążeniem liniowym na wyjściu niesymetrycznym przy R C = 2 kω, I E = 1.5 ma. 3. Powtórzyć obliczenia wzmocnienia w p.2 dla obciążenia układu różnicowego wtórnikiem prądowym przy R E = 2 Ω, I E = 1.5 ma. Wykorzystać wyniki tych obliczeń w p.4.

6 6 4. W końcowej części ćwiczenia bada się różnicowy układ mnożący, w którym dokonuje się amplitudowej modulacji sygnałów. Zakładając, że sygnał modulowany podawany na wyjście "mod1" jest stukrotnie tłumiony, obliczyć na podstawie danych katalogowych takie wartości amplitud sygnałów: modulującego i modulowanego, aby na wyjściu z układu badanego uzyskać przebieg zmodulowany o jednej dowolnej kombinacji wartości amplitudy nośnej i współczynnika głębokości modulacji z podanych w tablicy 1. Obliczenia wykonać dla układu z obciążeniem dynamicznym przy R C = 2 kω, I E = 1.5 ma. Tabela A. Założone wartości amplitudy i współczynnika głębokości modulacji sygnału wyjściowego z układu mnożącego. U N,V m OBSERWACJE I POMIARY 5.1 Obserwacja statycznych charakterystyk przejściowych układu różnicowego Obejrzeć na ekranie oscyloskopu i przerysować do protokółu charakterystyki przejściowe u wy1, u wy2 = f(u b1 ) badanego układu różnicowego, współpracującego z obciążeniem liniowym R C (rys. 5). Obie charakterystyki powinny być obserwowane jednocześnie za pomocą wkładki charakterograficznej dwukanałowej XY SN7212 (por. rys.6), najlepiej w polu o wymiarach 8 5 cm i zakresach współrzędnych: x (-4 V; +4 V); y (0; 5 V). Podaną skalę należy zachować na rysunku. Obserwacji dokonać kilkakrotnie, zmieniając warunki zasilania układu różnicowego. W szczególności należy zdjąć charakterystyki przejściowe przy bazie T 2 zwartej z masą oraz przy: a) zasilaniu prądowym I E = 1.5 ma oraz I E = 0.5 ma, b) zasilaniu oporowym R E Rys.5. Uproszczony schemat układu badanego przy obserwacji statycznych charakterystyk przejściowych Następnie zaobserwować wpływ zmian napięcia bazy T 2 (włączyć u b2 = V) na położenie obu charakterystyk przejściowych. Na zakończenie zaobserwować dokładny przebieg charakterystyk przejściowych w zakresie przełączania prądu zwiększając 50-krotnie czułość odchylania we wkładce DN031A. Należy przy tym ponownie zewrzeć bazę T2 do masy. Zagadnienia: a) na podstawie nachylenia zaobserwowanych charakterystyk można oszacować wzmocnienie różnicowe i sumacyjne układu różnicowego. Należy przeprowadzić odpowiednie obliczenia i zapisać ich wyniki, porównać z wynikami obliczeń wstępnych;

7 7 b) określić szerokość strefy przełączania układu różnicowego jako taki przedział napięcia u b1, w którym zachodzi prawie całkowita zmiana prądu kolektora tranzystorów T 1, T 2, tzn. od 10% do 90% I E. Zaproponować zmiany układowe w kierunku poszerzenia tego zakresu; c) skomentować zmiany kształtu charakterystyk przejściowych pod wpływem zmian napięcia u b2 dla układu z rezystorem R E. Rys.6. Schemat połączenia przyrządów pomiarowych do obserwacji charakterystyk przejściowych układu różnicowego DN031A 5.2 Pomiary wzmocnienia układu różnicowego W dalszej części ćwiczenia układ badany będzie traktowany jako wzmacniacz różnicowy, którego wejściem nieodwracającym jest baza T 1, odwracającym - baza T 2, zaś wyjściem - kolektor T 2. Wzmocnienie różnicowe k ur układu badanego określa się na podstawie pomiaru przyrostu napięcia kolektora T 2 (WY 2 ), który powstaje wskutek zwiększenia napięcia różnicowego o 5 mv ( u b1 przy u b2 = 0; dokonuje się tego wciskając chwilowo klawisz " " przy włączonym klawiszu " V", przy czym baza T 2 powinna być połączona z masą za pomocą klawisza " " - por. rys. 1). Wzmocnienie sumacyjne k us określa się natomiast mierząc przyrost napięcia wyjściowego, wynikający z jednoczesnej zmiany napięcia na obu wejściach w zakresie -2, +2 V ( w tym celu zwiera się bazy tranzystorów T 1, T 2 i dołącza je do napięcia V wciskając oba klawisze oznaczone tym symbolem). Zmianę napięcia wejściowego kontroluje się również woltomierzem cyfrowym, który powinien być połączony z układem badanym poprzez przełącznik dwukanałowy SA4011 (rys. 7). Uproszczone schematy układu badanego przy pomiarach wzmocnienia przedstawiono na rys. 8. Rys.7. Układ do pomiarów wzmocnienia różnicowego i sumacyjnego

8 8 Wzmocnienie różnicowe i sumacyjne układu badanego należy zmierzyć sześciokrotnie, w warunkach podanych w tablicy 2. Zagadnienia: a) uzasadnić różnicę między wartościami wzmocnienia k ur w przypadkach 1 i 2 i zależność tego wzmocnienia od prądu I E ; b) uzasadnić różnicę między wartościami wzmocnienia k us w przypadkach 2 i 3 oraz podać zależność tego wzmocnienia od rezystancji obwodu zasilania emiterów; c) uzasadnić różnicę między wartościami wzmocnienia k ur w przypadkach 4 i 5. Podać, czym ograniczona jest maksymalna wartość wzmocnienia różnicowego w badanym układzie; d) podać, jakie skutki spowodowałoby zwiększenie R C z 2 do 20kΩ przy pracy układu różnicowego z obciążeniem liniowym. Czy skutkom tym można byłoby zapobiec przez ewentualne zmiany wartości innych elementów schematu? Przedyskutować wpływ tych zmian na wielkość k ur ; e) wyjaśnić różnicę między wartościami wzmocnienia sumacyjnego w przypadkach 3 i 6. Jaki wpływ na wartość k us ma w przypadku 6 ewentualna niesymetria wtórnika (lustra) prądowego T 6, T 7? Rys.8. Uproszczone schematy ideowe układu badanego przy pomiarach wzmocnienia różnicowego (a) i sumacyjnego (b) Tabela B. Warunki pomiaru wzmocnienia różnicowego i sumacyjnego badanego układu Lp. Obciążenie Zasilanie emiterów liniowe, R C = 2 kω jw jw dynamiczne, R C = 2 kω dynamiczne, R C = 20 kω dynamiczne, R C = 2 kω I E = 0.5 ma I E = 1.5 ma R E I E = 1.5 ma I E = 1.5 ma R E

9 9 5.3 Badanie wzmacniacza różnicowego jako układu analogowego mnożenia sygnałów Wykorzystując zależność wzmocnienia k ur od prądu zasilającego emitery tranzystorów układu różnicowego, można zrealizować w tym układzie operację mnożenia analogowego. W szczególnym przypadku właściwość ta może być wykorzystana do modulacji amplitudowej sygnałów, przy czym wykorzystanie desymetryzujących własności obciążenia dynamicznego prowadzi do uzyskania modulatora zrównoważonego. Rys.9. Uproszczony schemat układu badanego pracującego jako modulator amplitudy Uproszczony schemat ideowy układu badanego pracującego w układzie modulatora przedstawiono na rys. 9. Do sterowania tego układu należy wykorzystać generator sygnałów synfazowych SN3112 (por. schemat pomiarowy na rys. 10). Amplitudę sygnałów modulowanego (sinusoida, wejście "mod1") oraz modulującego (trapezoida, wejście "mod2") należy ustawić zgodnie z wynikami obliczeń wstępnych. Układ różnicowy powinien współpracować z obciążeniem dynamicznym przy R C = 2 kω oraz I E = 1.5 ma. Przebieg napięcia wyjściowego przerysować do protokółu z zachowaniem skali obu współrzędnych. Następnie przełączyć obciążenie dynamiczne na liniowe i ponownie przerysować obserwowany przebieg do protokółu. Należy pamiętać o synchronizacji oscyloskopu z generatora SN3112. Zagadnienia: a) wyjaśnić ewentualne rozbieżności między obliczonymi a uzyskanymi parametrami przebiegu zmodulowanego; b) uzasadnić różnice kształtu przebiegów zmodulowanych w układzie z obciążeniem dynamicznym i liniowym, np. przez wyprowadzenie zależności analitycznych, opisujących te przebiegi. LITERATURA 1. Filipkowski A. Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe. WNT, Nosal Z., Baranowski J. Układy elektroniczne cz. I Układy analogowe liniowe. WNT, Rys.10. Schemat pomiarowy do badania układu różnicowego pracującego jako modulator amplitudy

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe własności tranzystorowego układu różnicowego. Ten elementarny układ jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych we współczesnej elektronice,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 UKŁAD RÓŻNICOWY BIAŁYSTOK 2017 2 Program

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE

PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE 1. WSTĘP Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących struktury wewnętrznej, zasad działania i właściwości, klasycznych przerzutników bi- i mono-stabilnych

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych

WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE

GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej

Bardziej szczegółowo

Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne

Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania sygnałów. Historycznie, nazwa operacyjny odnosi się do zamierzchłych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze różnicowe

Wzmacniacze różnicowe Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj

Bardziej szczegółowo

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji

Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji Ćwiczenie 4 Zakłócenia równoległe w systemach pomiarowych i metody ich minimalizacji Program ćwiczenia 1. Uruchomienie układu współpracującego z rezystancyjnym czujnikiem temperatury KTY81210 będącego

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

Opis techniczny badanego układu

Opis techniczny badanego układu WZMACNIACZ MOCY Cel ćwiczenia: - wyznaczanie charakterystyk przejściowych przeciwsobnego wzmacniacza mocy, - obserwacja zniekształceń nieliniowych powstających w stopniu końcowym wzmacniacza mocy, - poznanie

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

UKŁADY POLARYZACJI I STABILIZACJI PUNKTU PRACY

UKŁADY POLARYZACJI I STABILIZACJI PUNKTU PRACY P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 UKŁADY POLAYZAJI I TAILIZAJI PUNKTU PAY TANZYTOÓW 1. WTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystorów

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając

Bardziej szczegółowo

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh, EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

UKŁADY PRZEKSZTAŁCAJĄCE

UKŁADY PRZEKSZTAŁCAJĄCE Zakład Elektroniki I I P i B Laboratorium Ukł adów Elektronicznych UKŁADY PZEKSZTAŁCAJĄCE TEMATYKA ĆWICZENIA MAGANE WIADOMOŚCI Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych operacji przeprowadzanych na sygnałach

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY W UKŁADACH LINIOWYCH

WZMACNIACZ OPERACYJNY W UKŁADACH LINIOWYCH P.Rz. K.P.E. Laboratorium Elektroniki FD 003/0/0 WZMCNICZ OPERCYJNY W UKŁDCH LINIOCH. CEL ĆWICZENI Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących: elementarnej teorii sprzężenia zwrotnego, asymptotycznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie energii elektrycznej w fotowoltaice. Ćwiczenie 12 Metody sterowania falowników

Przetwarzanie energii elektrycznej w fotowoltaice. Ćwiczenie 12 Metody sterowania falowników Przetwarzanie energii elektrycznej w fotowoltaice Ćwiczenie 12 Metody sterowania falowników wer. 1.1.2, 2016 opracowanie: Łukasz Starzak Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania.

Ćwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania. Ćwiczenie 10 Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania. 2. Wiadomości podstawowe Przerzutnikami nazywamy układy,

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2

POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2 Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.

Bardziej szczegółowo

BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM)

BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM) Zespół Szkół Technicznych w Suwałkach Pracownia Sieci Teleinformatycznych Ćwiczenie Nr 1 BADANIE MODULATORÓW I DEMODULATORÓW AMPLITUDY (AM) Opracował Sławomir Zieliński Suwałki 2010 Cel ćwiczenia Pomiar

Bardziej szczegółowo