Ćwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Ćwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie"

Transkrypt

1 Ćwiczenie 6 WYRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 1. el ćwiczenia Większość z dostępnych na rynku urządzeń elektronicznych wymaga zasilania napięciem i prądem stałym. Jak wiadomo, napięcie i prąd w gniazdkach są sygnałami sinusoidalnie zmiennymi w czasie. Używanie elementów elektronicznych było by więc możliwe jedynie przy zasilaniu ze źródeł stałoprądowych, jak baterie czy akumulatory. Jednak istnieje wiele sposobów budowy zasilaczy stałoprądowych, których zadaniem jest transformacja zmiennego w czasie napięcia i prądu, na sygnały jednokierunkowe, z możliwie jak najmniejszymi pulsacjami. elem niniejszego ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobami konstrukcji prostowników do zasilania podzespołów elektronicznych, oraz z pracą wybranych elementów elektronicznych. 2. Wprowadzenie 3 3 Półprzewodnikami nazywane są substancje, których rezystywność ( Ω cm ) jest znacznie mniejsza niż rezystywność izolatorów oraz większa niż oporność przewodników. Układ pasm energetycznych jest podobny do izolatorów (rys. 1). podstawowe (pasmo, w którym krążą elektrony walencyjne) jest całkowicie wypełnione, przez co nie ma wolnych poziomów energetycznych. Najbliższe wolne poziomy energetyczne (pasmo przewodzenia) dzieli od pasma podstawowego pewna różnica energii W i, której elektrony nie mogą pokonać w normalnych warunkach. Szerokość tego pasma jest jednak niewielka, w skutek czego istnieje możliwość przewodzenia prądu już w temperaturach pokojowych. W przewodnictwa podstawowe Rys. 1. Schemat pasm energetycznych półprzewodnika Półprzewodniki podzielić można na samoistne i niesamoistne. Do pierwszych zalicza się substancje, w których szerokość pasma zabronionego jest tak niewielka ( ev), iż w normalnych warunkach wykazują znaczną konduktywność. Mechanizm przewodzenia prądu polega na przechodzeniu elektronów z pasma podstawowego do pasma przewodzenia w skutek ruchów cieplnych. Pojawiają się pary nośników prądu: elektron w paśmie przewodzenia i dziura (czyli brak elektronu) w paśmie podstawowym. Nośniki te mogą poruszać się pod wpływem pola elektrycznego, co umożliwia przewodzenie prądu. Półprzewodniki niesamoistne charakteryzują się tak dużą szerokością pasma zabronionego ( W ), iż w normalnych warunkach temperaturowych mają znikomą i 1

2 konduktywność. Właściwości te ulegają zmianie po wprowadzeniu niewielkiej ilości (rzędu 1 8 atom na 10 atomów półprzewodnika) domieszek, co skutkuje pojawieniem się defektów sieci krystalicznej. Domieszki dzieli się na donorowe (wprowadza się atomy pięciowartościowe), oraz akceptorowe (do półprzewodnika wprowadzane są atomy trójwartościowe, Al., Ga). Domieszkowanie półprzewodników powoduje powstawanie nowych poziomów energetycznych, co ułatwia przewodzenie prądu elektrycznego. Domieszki donorowe (P, Sb, As) są przyczyną powstawania poziomów lokalnych, odległych od pasma przewodnictwa o około 0.01eV (rys. 2a). Nośnikami prądu w domieszkowanym donorowo półprzewodniku są elektrony przedostające się z poziomów lokalnych do pasma przewodnictwa. Taki półprzewodnik nazywa się półprzewodnikiem typu n (negative). Atom pozbawiony elektronu staje się jonem dodatnim, nie biorącym udziału w przewodzeniu prądu, ze względu na ścisłe powiązanie z siecią krystaliczną. Domieszki akceptorowe powodują powstawanie poziomów lokalnych w okolicy pasma podstawowego (rys. 2b).Elektrony przenoszą się z pasma podstawowego do poziomów lokalnych, wobec czego w paśmie podstawowym powstają wolne miejsca (tzw. dziury) zachowujące się jak elementarne ładunki dodatnie (+e). Prąd elektryczny przewodzony jest dzięki pozornemu ruchowi dziur w sieci krystalicznej. Tego typu półprzewodnika nazywany jest półprzewodnikiem typu p (positive). Atomy domieszek stają się w tym przypadku nieruchomymi jonami ujemnymi, mającymi ładunek ( e). a) b) W przewodnictwa W przewodnictwa Poziom lokalny podstawowe Poziom lokalny podstawowe Rys. 2. Schematy pasm energetycznych półprzewodników niesamoistnych. a) typ n; b) typ p W rzeczywistości w każdym półprzewodniku występują zarówno wolne elektrony jak i dziury. Przewaga jednego typu nośnika (nośniki większościowe) decyduje o właściwościach półprzewodnika. Zjawiska występujące w materiałach półprzewodnikowych są bardzo skomplikowane, zwłaszcza w przypadku styku obszarów o różnych typach przewodnictwa. Wykorzystuje się zjawiska przewodzenia, fotoelektryczne, magnetyczne, piezoelektryczne i inne. Tak duża rozmaitość pozwala na budowanie przyrządów półprzewodnikowych o różnorakich zastosowaniach. Spośród wielu typów, w niniejszym ćwiczeniu pokazano kilka podstawowych elementów półprzewodnikowych, będących przyrządami w wielu współczesnych urządzeniach elektronicznych. 3. harakterystyka wybranych elementów półprzewodnikowych Diody półprzewodnikowe Prostowniki zamieniają sygnał (prąd i napięcie) przemienny, na przebieg jednokierunkowy. Idealne elementy prostownicze to elementy stanowiące zwarcie dla jednego kierunku przewodzenia prądu, oraz przerwę dla kierunku przeciwnego. Właśnie prostowanie jest jednym z podstawowych i najważniejszych zastosowań diod, zwanych często prostownikami. 2

3 Diody są bardzo pożytecznymi elementami dwuzaciskowymi, pasywnymi (nie mają wbudowanych źródeł energii). Są to elementy nieliniowe, co oznacza, że prąd przepływający przez diodę nie jest proporcjonalny do występującego na niej napięcia. Dioda jest prostym elementem zawierającym złącze p-n (rys. 3a) powstałe w wyniku styku półprzewodników typu p i n. Przez złącze dyfundują większościowe ładunki elektryczne, czyli elektrony z obszaru n przedostają się do obszaru p, i na odwrót, dziury z obszaru p przedostają się do obszaru n. Ładunki większościowe po przejściu przez złącze ulegają rekombinacji, natomiast nowe ładunki większościowe powstają ciągle w skutek generacji. W wyniku tych procesów w pobliżu złącza tworzy się obszar pozbawiony ładunków większościowych (rys. 3b). W obszarze tym pozostają jedynie nieruchome jony o ładunku ujemnym w obszarze p, i dodatnim w obszarze n. Gęstość ładunku wypadkowego (rys. 3c) wykazuje dwa maksima, będące wynikiem istnienia tylko jonów nieruchomych. Taki układ ładunków powoduje powstanie na złączu różnicy potencjałów (tzw. bariery potencjału U ), o zwrocie dodatnim w kierunku warstwy n. Wartość tej bariery zależna jest od gęstości nośników prądu po obu stronach złącza i wynosi zazwyczaj V. ariera potencjału oddziałuje na nośniki prądu poprzez hamowanie ruchu dyfuzyjnego nośników większościowych, przez co prąd dyfuzyjny ulega zmniejszeniu. Jednocześnie bariera potencjału powoduje zwiększenie intensywności dyfuzji ładunków mniejszościowych, a więc elektronów z obszaru p do n, oraz dziur z obszaru n do p. Zjawisko przenoszenia ładunków mniejszościowych zwane jest prądem cieplnym, który w spoczynku równy jest co do wartości prądowi dyfuzji. a) b) c) d) p qw n p q n p U n p n - U + Rys. 3. Złącze p-n. a) budowa; b) gęstość ładunków większościowych; c) gęstość jonów; d) rozkład potencjału. Jeżeli do zewnętrznych zacisków złącza p-n przyłączone zostanie źródło napięcia stałego w taki sposób, że zacisk dodatni przyłączony będzie do obszaru p (rys. 4a), to nastąpi obniżenie bariery potencjału o wartość U Z przyłożonego napięcia. Powoduje to zmniejszenie działania hamującego złącza na ładunki większościowe, dzięki czemu możliwe jest przewodzenie dużych prądów przez złącze. Odwrotne spolaryzowanie złącza (rys. 4b) powoduje podwyższenie bariery potencjału, wskutek czego zwiększa się hamujące działanie złącza na ładunki większościowe i prąd praktycznie będzie przewodzony w tym kierunku. Opisane powyżej zjawiska zachodzące w złączu p-n wykorzystywane są w diodach półprzewodnikowych. Symbol diody przedstawiono na rys. 5a. Strzałka na symbolu diody wskazuje kierunek przepływu prądu (od anody (warstwa p) do katody(warstwa n)). harakterystykę prądowo napięciową diody pokazano na rys. 5b. Jak z niego wynika, jeżeli przez diodę przepływa prąd o wartości około 10 ma, potencjał anody jest o około 0.6 V wyższy niż potencjał katody. Jest to tak zwany spadek napięcia na przewodzącej diodzie. Prąd płynący przez diodę w kierunku zaporowym (jeżeli potencjał katody jest większy od potencjału anody) jest praktycznie zerowy. Jednak przekroczenie krytycznego napięcia wstecznego powoduje przebicie złącza półprzewodnikowego i zniszczenie diody. Zazwyczaj napięcia te wynoszą kilkadziesiąt kilkaset woltów. 3

4 a) b) p n p n Uz Uz U U UZ U UZ U Rys. 4. Złącze p-n zasilane napięciem zewnętrznym. a) w kierunku przewodzenia; b) w kierunku wstecznym. a) b) 20mA kierunek przewodzenia katoda 10mA -120V -80V -40V 1V 2V anoda 1uA 2uA kierunek zaporowy 3uA Rys. 5. Dioda półprzewodnikowa. a- symbol graficzny; b- charakterystyka napięciowo - prądowa Najprostszy prostownik może wyglądać jak na rysunku 6a. Jeżeli do takiego układu doprowadzone zostanie napięcie sinusoidalne, to dioda będzie przewodziła tylko w tych częściach okresu, w których potencjał anody będzie wyższy niż potencjał anody. Jako, że dioda jest elementem przewodzącym jednokierunkowo, przebieg napięcia na wyjściu układu będzie wyglądał jak na poniższym rysunku (6b). Taki prostownik z jedną diodą nazywany jest prostownikiem jednopołówkowym, gdyż przez diodę przepuszczana jest w przybliżeniu jedynie połowa okresu napięcia wejściowego. a) b) ac Uobc Robc Rys. 6. Przykład prostownika jednopołówkowego; a-schemat; b- przebieg napięcia na obciążeniu t 4

5 Innym przykładem prostownika może by układ przedstawiony na rys. 7a. W tym przypadku użyto dwóch diod prostowniczych, podłączonych wstecznie w stosunku do masy transformatora. W każdej połowie okresu przewodzi tylko jedna dioda, ponieważ druga jest w tym czasie spolaryzowana zaporowo. Inny układ spełniający tą samą funkcję pokazano na rys. 7.b. W tym przypadku zastosowano cztery diody w tzw. układzie Gretz a. Mimo, że układ zawiera więcej elementów, jest on bardziej popularny niż układ z rys. 7a, ponieważ nie wymaga się stosowania transformatorów z wyprowadzoną końcówką masy, oraz układy te są bardziej efektywne. Na rysunku 7b przedstawiono przebieg napięcia na wyjściu układów z rys. 7 a i b. Należy zwrócić uwagę na fakt, iż diody nie przewodzą w całym okresie ze względu na spadek napięcia na przewodzącej diodzie, a ściślej, konieczność uzyskania większego napięcia (niż 0,6V), by dioda zaczęła przewodzić (pokonanie bariery potencjału). a) c) b) Uwy t Rys. 7. Prostownik dwupołówkowy. a) schemat; b) przebieg napięcia wyjściowego. Przedstawione przebiegi nie są jeszcze wyprostowane. Są one stałoprądowe tylko w tym sensie, iż są jednokierunkowe. Mają jednak dużą zawartość tętnień, co dyskwalifikuje je do zasilania wielu przyrządów elektronicznych. Najpopularniejszym sposobem ograniczenia tętnień jest zastosowanie filtru dolnoprzepustowego zbudowanego z szeregowego rezystora, oraz kondensatora dołączonego równolegle do obciążenia (rys. 8). Aby zapewnić niewielką amplitudę tętnień, pojemność kondensatora należy dobierać zgodnie z warunkiem: R obc >> 1/ f Gdzie f jest częstotliwością tętnień. Spełnienie warunku opisanego powyższą zależnością daje gwarancję, iż stała rozładowania kondensatora jest dłuższa niż czas pomiędzy jego kolejnymi doładowaniami. Obliczanie przybliżonej wartości napięcia tętnień jest dosyć proste. Zakładając, iż kondensator rozładowuje się nieco podczas trwania okresu (lub półokresu przy prostowniku dwupołówkowym), oraz, że prąd obciążenia jest stały, to otrzymuje się: I U = τ Powyższa zależność wynika bezpośrednio ze wzoru określającego napięcie w kondensatorze: du I = dτ Po przyjęciu, że czas pomiędzy kolejnymi doładowaniami kondensatora wynosi t = 1 / f dla prostownika jednopołówkowego oraz t = 1 / 2 f dla dwupołówkowego, z powyższych zależności można łatwo otrzymać przybliżony wzór na amplitudę tętnień napięcia wyjściowego. Schemat układu, oraz napięcie wyjściowe pokazano na rys. 8. 5

6 a) b) Uwy Uwy Napięcie wyjściowe w układzie bez kondensatora Napięcie wyjściowe w układzie z kondensatorem t u Rys. 8. Prostownik dwupołówkowy z kondensatorem filtrującym. a) schemat; b) przebieg napięcia wyjściowego 3.2. Elementy prostownicze sterowane. Złącze p-n nie przewodzi prądu w kierunku wstecznym, ze względu na fakt istnienia tam warstwy zaporowej, w której nie znajdują się nośniki prądu elektrycznego. Szerokość tej warstwy może ulec zmianie w wyniku polaryzacji złącza (na przykład doprowadzenie napięcia wstecznego spowoduje zwiększenie szerokości warstwy). Przewodzenie złącza p-n spolaryzowanego wstecznie można jednak uzyskać, na przykład poprzez wprowadzenie z zewnątrz dodatkowych nośników prądu. Zdecydowanie najważniejszym elementem działającym w ten sposób jest tyrystor zbudowanych z czterech warstw mających kolejno przewodnictwa typu p-n-p-n. Schemat tyrystora pokazano na rys. 9a. Złącza o różnych rodzajach przewodnictwa działają jak trzy diody skierowane kolejno w różnych kierunkach (rys. 9b). Dla każdego kierunku przewodzenia prądu tyrystor stanowi więc dużą rezystancję, gdyż zawsze co najmniej jedna dioda pracuje wstecznie. Z tego powodu nie sterowany tyrystor ma charakterystykę (rys. 9c) składającą się z dwóch gałęzi wstecznych dla dwóch kierunków przewodzenia, z charakterystycznym przebiciem dla dużych napięć. Doprowadzenie prądu do elektrody sterującej powoduje uzupełnienie nośników prądu w okolicy złącza, wobec czego spolaryzowana zaporowo dioda zaczyna przewodzić od anody do katody. Przebicie tego spolaryzowanego zaporowo złącza następuje przy tym niższym napięciu, im większa jest wartość prądu elektrody sterującej (rys. 9d). Przebicie utrzymuje się dopóty, dopóki trwa przepływ prądu w danym kierunku. Zmiana napięcia wymuszającego powoduje powrócenie tyrystora do stanu pierwotnego. Spadek napięcia na przewodzącym tyrystorze jest niewielki, dzięki czemu elementy te są chętnie wykorzystywane przy stosunkowo niskich częstotliwościach. Przy pracy w częstotliwościach wysokich może wystąpić zjawisko samozapłonu tyrystora wywołane prądami pojemnościowymi w złączu zaporowym. 6

7 a) b) A K A K p n p n c) d) i ib i ib ib2>ib1 ib1 u ib=0 u Rys. 9. Tyrystor. a), b) schematy; c) charakterystyka tyrystora bez sterowania; d) charakterystyka statyczna Diody Zenera Diody Zenera są odmianą diod stosowanych w celu uzyskiwania w określonych miejscach układu stałych napięć, czyli do stabilizacji napięć. W diodach tych wykorzystuje się zjawisko przebicia występujące przy dużych napięciach wstecznych (rys. 5b). Wykorzystuje się więc odmienną niż przy klasycznych diodach część charakterystyki napięciowo prądowej. Diody te charakteryzują się dużą stałością napięcia przebicia, oraz małą jego zależnością od czasu. Napięcia przebicia stosowanych diod Zenera zawierają się w granicach 1 do kilkuset woltów. Uwe R Uwy Rys. 10. Podstawowy stabilizator z diodą Zenera. Najprostszy stabilizator może wyglądać jak na rys. 10. Przez diodę musi cały czas płynąć prąd, więc parametry układu należy dobierać korzystając z zależności: U we U wy > I wy MAX R Takie proste stabilizatory są czasem wykorzystywane w układach o małych prądach. Mają one jednak pewne wady, z których wymienić należy niemożliwość regulacji i dokładnego nastawiania napięcia wyjściowego, umiarkowane tłumienie tętnień, oraz konieczność używania dużych diod w przypadku znacznych zmian prądu wyjściowego. 7

8 3.4. Tranzystory Tranzystory są elementami aktywnymi, co oznacza, iż mogą wzmacniać sygnał wyjściowy w stosunku do wejściowego. W tranzystorach wykorzystywane są zjawiska zachodzące w złączu p-n lub kilku takich złączach. W tranzystorze warstwowym używane są dwa złącza, utworzone na płytce o trzech warstwach mających kolejno przewodnictwa typu p-n-p lub n-p-n (rys. 11). Każda z tych warstw zaopatrzona jest w doprowadzenie metaliczne, więc tranzystory są elementami trój końcówkowymi. Środkowa elektroda nazywana jest bazą, elektroda spolaryzowana w kierunku przewodzenia emiterem, a elektroda spolaryzowana w kierunku zaporowym kolektorem. E p n p E n p n E E Rys. 11. Trazystory. a) p-n-p; b)n-p-n Działanie tranzystora wyjaśnić można na podstawie analizy barier potencjałów, które powstają na złączach między emiterem a bazą, oraz pomiędzy bazą i kolektorem (rys. 12). Gdy do kolektora doprowadzone jest napięcie ujemne względem bazy, wówczas bariera potencjałów na tym złączu wzrasta i prąd płynący przez złącze jest minimalny. Doprowadzenie napięcia dodatniego między emiter a bazę powoduje obniżenie bariery potencjału na tym złączu, wobec czego następuje przepływ prądu wywołany ruchem dziur od emitera do bazy. Wobec nieznacznej grubości bazy, dziury dyfundują dalej, do kolektora pod działaniem bariery potencjału miedzy bazą a kolektorem. a) b) c) E p n p u u Rys. 12. Rozkład potencjałów w tranzystorze p-n-p. b) w stanie spoczynku; b) podczas polaryzacji bazy i kolektora. Należy zwrócić uwagę na charakterystyczne strzałki w oznaczeniu emiterów tranzystora (rys. 11). Grot strzałki wskazuje kierunek prądu w obwodzie zewnętrznym. Dla poprawnej pracy tranzystora, zakłada się, że potencjał kolektora jest większy niż emitera. Obwody baza emiter i baza kolektor zachowują się jak diody, przy czym w warunkach normalnej pracy dioda baza emiter spolaryzowana jest w kierunku przewodzenia, a baza kolektor w kierunku zaporowym. W tranzystorach bipolarnych prąd kolektora ( I ) jest proporcjonalny do prądu bazy ( I ), gdzie współczynnikiem proporcjonalności jest tak zwany współczynnik wzmocnienia prądowego (β ): I = βi Główną zaletą tranzystorów jest możliwość sterowania relatywnie dużym prądem wpływającym do kolektora za pomocą niewielkiego prądu bazy. 8

9 Układów wykorzystujących tranzystory jest bardzo wiele, począwszy od elementów wykorzystujących tranzystor jako przełącznik, a na elementach wzmacniających kończąc. Oddzielając diodę Zenera od obciążenia za pomocą wtórnika emiterowego, otrzymuje się udoskonalony układ, w którym prąd diody jest praktycznie niezależny od prądu obciążenia, ponieważ prąd bazy tranzystora jest minimalny. Wtórnik emiterowy jest elementem wykonywanym z tranzystora, którego wyjściem jest właśnie emiter. Napięcie na wyjściu wtórnika (na emiterze) równe jest co do wartości napięciu wejściowemu (na bazie), pomniejszonemu o spadek napięcia na przewodzącej diodzie (0.6 V). Napięcie na bazie musi więc wynosić ponad 0,6V, gdyż przy niespełnieniu tego warunku wyjście będzie cały czas pozostawać na potencjale masy. Impedancja wyjściowa wtórnika jest znacznie mniejsza niż impedancja wejściowa. Fakt ten oznacza, iż dane obciążenie pobierać będzie ze źródła znacznie mniej prądu, niż w przypadku niezastosowania wtórnika emiterowego. Uwe Uwy 4. Zakres badań Rys. 13. Wtórnik emiterowy Układ pomiarowy przedstawiono na rys. 14. Składa się on z zestawu elementów elektronicznych umieszczonych we wspólnej obudowie. Stanowisko zasilane jest z transformatora obniżającego napięcie. Na wejściu układu mamy więc napięcie sinusoidalnie zmienne. Za pomocą dołączonych przewodów należy łączyć układy pomiarowe według rozdziału 5 niniejszej instrukcji. Pomiary kształtu napięć w poszczególnych punktach układu dokonywane są za pomocą oscyloskopu dołączanego do odpowiednich zacisków stanowiska. Pomiary napięć i prądów należy wykonywać za pomocą woltomierzy i amperomierzy. Zarówno kształty jak i wartości napięć i prądów należy odnotowywać w protokóle pomiarowym. Rys. 14. Stanowisko pomiarowe 9

10 5. Pomiary We wszystkich przypadkach należy badać wpływ obciążenia na pracę konkretnych układów wykonywanych w ćwiczeniu oraz obserwować pracę wykorzystywanych elementów elektronicznych Prostownik jednopołówkowy W pierwszej kolejności należy wykonać układ prostownika jednopołówkowego, wykorzystując diodę prostowniczą i obciążając ją rezystorem regulowanym. Należy zwiększać wartość prądu płynącego przez odbiornik i notować prąd, wartości napięcia zasilającego i kształt przebiegów napięcia na obciążeniu. Następnie równolegle do obciążenia należy włączać kondensatory filtrujące o różnych pojemnościach. Na podstawie wykonanych pomiarów należy wyznaczyć przybliżoną pojemność użytych kondensatorów. Po wykonaniu badań należy wykonać układ stabilizator napięcia z diodą Zenera w układzie z wtórnikiem emiterowym. Układ wykonać bez kondensatorów filtrujących. Zbadać pracę obu układów w zależności od prądu płynącego przez obciążenie. W podobny sposób należy wykonać układ sterowanego prostownika, wykorzystując zamiast diody prostowniczej, tyrystor. Zbadać wpływ kąta wyzwalania tyrystora na wartości prądów i napięć na obciążeniu układu Prostownik dwupołówkowy Wykonać analogiczne czynności jak przy badaniu prostowników jednopołówkowych Opracowanie wyników Na podstawie wykonanych pomiarów i oscylogramów należy skomentować pracę poszczególnych elementów elektronicznych używanych w ćwiczeniu. Należy obliczyć pojemność używanych w ćwiczeniu kondensatorów. Podać sposoby regulacji prądu i napięcia w układach prostowników. Na podstawie poczynionych obserwacji należy zaproponować układ prostownika spełniającego parametry podane przez prowadzącego. Podać wnioski i uwagi z wykonanego ćwiczenia. 10

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Badanie układów prostowniczych

Badanie układów prostowniczych Instrukcja do ćwiczenia: Badanie układów prostowniczych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia Poznanie budowy, zasady działania i właściwości podstawowych układów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych . Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E11 BADANIE NIESTABILIZOWANYCH

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

Prostowniki. 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników. Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Prostowniki 1. Prostowniki jednofazowych 2. Prostowniki trójfazowe 3. Zastosowania prostowników ELEKTRONIKA Jakub Dawidziuk sobota, 16

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Instytut Fizyki oświadczalnej UG Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na:

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na: Układy zasilające Ryszard J. Barczyński, 2010 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasilacz Zasilacz urządzenie, służące do

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na:

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: 1 Układy diodowe Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: izolatory - bardzo słabo przewodzą prąd, cząsteczki tych substancji mają bezpostaciową, amorficzną strukturę powiązań,

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Opracował: Mgr inż. Marek Staude Część 1 Podstawowe prawa obwodów elektrycznych Prąd elektryczny definicja fizyczna Prąd elektryczny powstaje jako uporządkowany ruch

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W

UKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W UKŁADY PROSTOWNICZE. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 8. Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego.

Ćwiczenie 8. Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego. Ćwiczenie 8 Badanie ilaczy i stabilizatorów napięcia stałego. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z własnościami i podstawomi parametrami układów ilaczy i stabilizatorów napięcia stałego.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia 22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo