Artykuł zawiera opis i dane techniczne

Pamięci EEPROM i FLASH stosowane w sprzęcie powszechnego użytku Jakub Wojciechowski Artykuł zawiera opis i dane techniczne popularnych pamięci stosowanych w sprzęcie powszechnego użytku. Klasyfikacja pamięci Układy sterujące wykorzystują pamięci do zapamiętywania danych i programu. Pamięci mogą być sklasyfikowane jako dwie podstawowe grupy: pamięci ulotne pamięci nieulotne. Pamięci ulotne tracą swoją zawartość po wyłączeniu napięcia zasilającego. Pamięci nieulotne nie tracą zawartości nawet wtedy, gdy nie są zasilane. Mogą być stosowane do przechowywania np. ustawień użytkownika, ustawień fabrycznych. W momencie włączenia urządzenia mikroprocesor układu sterującego inicjuje swoją pracę korzystając z danych zapisanych w pamięci nieulotnej. Na rysunku 1 przedstawiono ogólną budowę pamięci. Pamięć składa się z tablicy N M, układów detekcji adresu, układów wejścia / wyjścia, układów kontroli. Tablica pamięci ma zwykle wymiar prostokątny. Dla przykładu pamięć o pojemności 131072 8 (128kB) może być zorganizowana jako 512 256 8. Taki sposób organizacji pozwala na minimalizację budowy układu dekodera adresów. Pamięci nieulotne dzielone są na dwie kategorie: pamięci, które programowane są w procesie produkcji, i których zawartość nie jest wymieniana, pamięci programowane podczas produkcji, których zawartość będzie wymieniana podczas programowania w układzie. Pierwsze z nich są pamięciami zapisywanymi jednokrotnie (OTP One Time Programmable) i nie mogą być skasowane, drugi typ zawiera wewnętrzne układy pozwalające na wymianę zawartości pamięci podczas jej pracy w systemie. Układy te są zaprojektowane tak, że cykl zapisu i odczytu jest dłuższy i bardziej skomplikowany niż odczyt danych. Taka obsługa procesu zapis / odczyt ma za zadanie zabezpieczenie pamięci przed przypadkową modyfikacją zawartości pamięci. Pamięci ulotne mogą również być podzielone na dwie kategorie: pamięci, których zawartość nie jest zmieniana tak długo, jak długo pamięć jest zasilana są to pamięci statyczne, pamięci, których zawartość jest okresowo odświeżana, aby uniknąć przypadkowej utraty danych w czasie, gdy pamięć jest zasilana są to pamięci dynamiczne. Można zadać pytanie, jaki jest sens stosowania pamięci, których zawartość trzeba odświeżać aby ją utrzymać? Zaletą pamięci dynamicznych jest ich duża pojemność i niski koszt w stosunku do pamięci statycznych. Pamięci należą do grupy układów scalonych, które są standaryzowane na zgodność ze standardem JEDEC. Standaryzacja obejmuje przyporządkowanie wyprowadzeń i funkcjonalność układów. Dzięki standaryzacji możliwe jest stosowanie w jednej aplikacji pamięci wyprodukowanych przez różnych producentów. Pamięci EPROM Pamięci EPROM Erasable-Programmable Read Only Memory są podstawowym typem pamięci nieulotnych stosowanych już w latach 60. XX wieku. W latach 70. aż do 90. pamięci EPROM były podstawowym typem pamięci nieulotnych. Pamięć EPROM jest programowana jeden raz w procesie produkcji i następnie przez cały okres swojego życia jedynie odczytywana. Pamięć EPROM może być kasowana poprzez wystawienie jej struktury na działanie światła ultrafioletowego na czas ok. 30 minut. Praktycznie więc EPROM zastosowany np. w komputerze nie jest Sterowanie Układ kontroli odczytu / zapisu Adres starsze bity adresu wybierające rząd N Tablica N M bity kolumny M wybrane z N rzędów odczyt 1 bit wybrany z kolumny M Układ wejścia / wyjścia Dane młodsze bity adresu wybierające kolumnę M dane zapisywane w kolumnie M N-tego rzędu Rys.1. Ogólna budowa pamięci

nigdy kasowany, a jedynie odczytywany, działa więc jak pamięć ROM (Read Only Memory). Pamięć EPROM zbudowana jest z komórek z tranzystorami MOSFET. Tranzystor taki wyposażony jest w dwie bramki: sterującą i pływającą. Bramka pływająca tranzystora utrzymuje ładunek dostarczony w czasie programowania. Programowanie polega na przyłożeniu do bramki sterującej napięcia 12V (w starszych technologiach 21V), co powoduje umieszczenie ładunku w pływającej bramce tranzystora. Na rysunku 2 przedstawiono schemat blokowy tranzystora MOSFET pojedynczej komórki pamięci EPROM. Napięcie programujące Bramka sterująca technologii NMOS wymagają napięcia programującego 21V, mają większy pobór mocy i czas dostępu 200-450ns. Nowsze pamięci wykonywane w technologii CMOS oznaczane jako 27Cxxx wymagają napięcia programującego na poziomie 12V, pobór mocy przez te pamięci jest znacznie niższy a czas dostępu wynosi ok. 45ns (zależy od pojemności pamięci i producenta). Pamięci EPROM wykorzystują klasyczny interfejs asynchroniczny. W większości aplikacji pamięć EPROM jest traktowana jako pamięć ROM jest tylko odczytywana, zapis do pamięci nie jest stosowany. Wyprowadzenia Vpp i PGM służą odpowiednio jako wejście napięcia programującego i wejście włączające programowanie. Wyprowadzenia te mogą być ustawione w aplikacji jako nieaktywne i nie będą wówczas wykorzystywane. Schemat blokowy pamięci EPROM typu 27C64 przedstawiono na rysunku 3. Wyjście komórki -bit Dren Bramka pływająca Podłoże krzemowe Źródło OE CE Adres A[12:0] Tablica EPROM 65 536 bitów Układ wyjściowy Dane D[7:0] Rys.2. Schemat blokowy pojedynczej komórki pamięci EPROM Gdy do bramki sterującej tranzystora MOSFET przyłożone zostanie napięcie programujące 12V, w bramce pływającej pojawia się ładunek. Bramka pływająca jest odizolowana i działa jak kondensator z bardzo niewielkim prądem rozładowującym, dzięki czemu napięcie na bramce pływającej praktycznie nie zmienia się. Naładowana pływająca bramka, powoduje, że warstwa krzemu pomiędzy źródłem i drenem przewodzi tworząc połączenie pomiędzy masą a wyjściem komórki pamięci. Odczyt zawartości takiej komórki daje w wyniku 0. Odczyt komórki nie zaprogramowanej daje w wyniku 1, ponieważ brak ładunku w pływającej bramce komórki pamięci powoduje, że nie ma połączenia wyjścia komórki z masą. Ładunek z pływającej bramki nie może być usunięty elektrycznie. Fotony promieniowania UV powodują, że dielektryk otaczający bramkę zaczyna przewodzić powodując usunięcie ładunku z bramki. Pamięci EPROM produkowane są z okienkiem pozwalającym na wystawienie struktury pamięci na promieniowanie UV. Pamięci produkowane we wczesnych latach 80. nie były wyposażane w takie okienka i były to pamięci programowane jednokrotnie OTP (One Time Programmable). Pamięci EPROM oznaczane są symbolem 27xxx, gdzie xxx oznacza pojemność pamięci w kb. Pamięci typu 27256, 27512 są bardzo popularne. Inne takie jak: 2708, 2716, 2732, 2764, 27128 są pamięciami starszego typu. Coraz powszechniej używane są pamięci 27010, (1MB), 27020 (2MB) i 27040 (4MB). Słowo zapisywane w pamięci EPROM serii 27xxx ma zwykle długość 8 bitów, dłuższe słowa 16- i 32-bitowe są spotykane rzadziej. Starsze pamięci typu 2716, 2732 produkowane w Rys.3. Schemat blokowy pamięci EPROM typu 27C64 Wyprowadzenia, które są wykorzystywane w aplikacjach pamięci EPROM to: CE Chip Enable gdy na wyprowadzenie podany jest stan wysoki, pamięć jest w stanie małego poboru energii jest nieaktywna, OE Output Enable gdy na wyprowadzenie jest podany stan wysoki, szyna danych pamięci jest utrzymywana w stanie wysokiej impedancji, wyprowadzenia szyny adresowej A[xx:0], wyprowadzenia szyny danych D[xx:0]. W czasie, gdy na wyprowadzenia CE i OE jest podany jednocześnie stan niski, na wyjściach D[xx:0] pojawia się zawartość słowa pamięci o adresie ustawionym przez szynę adresową A[xx:0]. Zależności czasowe w czasie odczytu z pamięci przedstawiono na rysunku 4. CE OE A[12:0] D[7:0] D1 A2 D2 t t t OE ACC OEZ Rys.4. Zależności czasowe przy odczycie danych z pamięci EPROM Gdy wyprowadzenie OE przechodzi w stan niski, dane spod odpowiedniego adresu po czasie t OE pojawiają się na wyjściach D[7:0] pamięci i pozostają na wyjściach

przez czas t ACC. Gdy wyprowadzenie OE staje się nieaktywne - stan wysoki, szyna danych przechodzi w stan wysokiej impedancji po czasie t OEZ. Większość mikroprocesorów 8-bitowych jest wyposażona w szynę, która działa w trybie asynchronicznymi, co pozwala na bezpośrednie sterowanie pamięcią EPROM. Mikroprocesory 32-bitowe mogą inicjować się w trybie asynchronicznym z zewnętrznej pamięci EPROM i następnie konfigurować się do pracy w innych trybach. Pamięci FLASH Pamięć FLASH jest rozbudowaną pamięcią EPROM, która może być kasowana i zapisywana elektrycznie bez konieczności stosowania promieniowania UV. Pamięci FLASH nie wymagają stosowania drogich obudów z okienkiem. Pamięci te wykorzystywane są praktycznie we wszystkich współczesnych urządzeniach: telewizorach, telefonach komórkowych, urządzeniach przenośnych, komputerach stacjonarnych, itp. Podobnie jak pamięci EPROM, pierwsze wersje pamięci FLASH wymagały oddzielnego napięcia programującego. Wkrótce jednak zaczęto produkować pamięci wymagające tylko jednego napięcia zasilającego. Struktura pamięci FLASH jest bardzo podobna do struktury pamięci EPROM. Podstawowe różnice to: bardzo cienka warstwa dielektryka izolującego bramkę pływającą od podłoża oraz możliwość sterowania bramką sterującą napięciem zmiennym. Komórka programowana jest poprzez podanie wysokiego napięcia do bramki sterującej. Pamięci FLASH wyposażono w układy generujące napięcie programujące, nie ma więc konieczności stosowania kilku napięć zasilających. Podstawowa różnica pomiędzy pamięciami EPROM i FLASH widoczna jest w procesie kasowania pamięci. Podczas usuwania zawartości komórki pamięci do bramki sterującej podawane jest napięcie ujemne a do źródła napięcie dodatnie jak to pokazano na rys.5. Wyjście komórki -bit Dren -Vkasowania Bramka sterująca Bramka pływająca Podłoże krzemowe Źródło +Vkasowania Rys.5. Kasowanie komórki pamięci FLASH Taka kombinacja napięć na bramce sterującej i źródle powoduje, że z bramki pływającej usuwany jest ładunek. Pamięci FLASH mają ograniczoną liczbę cykli kasowania. Pierwsze pamięci pozwalały na 100 000 cykli kasowania, obecnie produkowane pamięci pozwalają na 1 000 000 cykli. Milion cykli wydaje się liczbą dużą, ale należy pamiętać że mikroprocesory pracują z częstotliwością dziesiątek lub setek cykli na sekundę. Jeżeli mikroprocesor zapisuje i kasuje milion komórek pamięci w każdej sekundzie, konieczne jest stosowanie w systemie pamięci FLASH o odpowiednich parametrach i odpowiednio używanej nie kasowanej zbyt często, aby zwiększyć jej czas życia w systemie. Systemy mikroprocesorowe zwykle wyposażone są w algorytmy zapewniające ograniczenie cykli kasowania pamięci tak, aby nie przekroczyć dopuszczalnej liczy cykli kasowania pamięci w spodziewanym czasie życia systemu. Prosty algorytm może polegać na tym, że oprogramowanie systemu jest aktualizowane tylko kilka razy w roku. Bardziej skomplikowane algorytmy sprawdzają, jak często kasowane są wydzielone obszary pamięci i w zależności od tego podejmowana jest decyzja, w którym obszarze umieszczać dane. Pamięci FLASH są oferowane jako dwa typy: NOR i NAND. Tablica pamięci NOR jest dostępna bezpośrednio i dlatego pamięci te są stosowane do zapisu danych inicjujących system i programu. Pamięci typu NAND mają architekturę, która pozwala na sekwencyjny dostęp do zawartości pamięci. Pamięci NAND są dzielone na strony zawierające typowo 256 lub 512 bajtów. Każda strona jest dostępna jako oddzielna jednostka pamięci. Pamięci NAND nie pozwalają więc na bezpośredni dostęp tak jak pamięci NOR. Są wolniejsze i wymagają bardziej rozbudowanych układów interfejsów. W zamian za to oferują duże pojemności i są stosowane do przechowywania dużej ilości danych. Jeżeli w pamięci NAND przechowywane są dane programu, to konieczne jest przed ich użyciem przepisanie ich do pamięci RAM. Pamięci NAND są szeroko stosowane w urządzeniach elektroniki użytkowej, takich jak cyfrowe aparaty fotograficzne lub jako pamięci nieulotne w systemach cyfrowych. Pamięci NOR wykorzystywane jako pamięci tylko do odczytu mogą być sterowane przez prosty interfejs asynchroniczny podobnie jak pamięci EPROM. Stosowane są w systemach procesorowych do przechowywania danych inicjujących system. Zapis do pamięci FLASH wymaga najpierw wyczyszczenia komórki, a następnie zapisu bitu. Proces kasowania komórki trwa dłużej niż odczyt z komórki i wymaga podania do bramki i źródła odpowiedniego napięcia. Proces kasowania pojedynczych komórek trwałby zbyt długo i wymagałby stosowania układów przełączających dla każdej komórki. Zamiast tego pamięć dzielona jest na bloki wielu komórek, które są kasowane jednocześnie. Pamięci FLASH są segmentowane w bardzo różny sposób zależy to od producenta i typu pamięci. Dzięki segmentacji nie ma potrzeby kasowania całej pamięci i bloki zawierające szczególnie ważne informacje są chronione. Kasowanie bloku pamięci wymaga relatywnie długiego czasu, jeśli porównać ten czas z czasem trwania cyklu zegarowego procesora. Do kasowania stosowane są specjalne algorytmy wymagające odpowiedniej sekwencji komend umożliwiającej dostęp do kasowanych obszarów.

Nowoczesne pamięci FLASH wymagają pojedynczego napięcia zasilającego i zawierają wewnętrzne układy do wytwarzania niestandardowych napięć programujących i kasujących. Układ sterujący określa, który blok pamięci w danym momencie czasu podlega kasowaniu lub zapisywaniu. Pamięć FLASH MX25L512 Pamięć MX25L512 jest pamięcią FLASH o pojemności 512kb skonfigurowana jako 65 536 8 bitów. Układ posiada szeregowy interfejs SPI sterowany szyną trójprzewodową. Szynę stanowią sygnały: SCLK sygnał zegarowy, SI sygnał danych wejściowych, SO sygnał danych wyjściowych. Wejście CS zezwala na dostęp poprzez interfejs SPI. Pamięć pozwala na sekwencyjny odczyt całej zawartości. Po wysłaniu komendy programowania / kasowania pamięci następuje wykonanie algorytmów programowania / kasowania i weryfikacji strony pamięci lub sektora / bloku pamięci. Komenda programowania powoduje programowanie całej strony pamięci (256 bajtów), komenda kasowania pamięci powoduje kasowanie 4 kilobajtowych sektorów. Gdy pamięć nie wykonuje żadnej operacji i na wejściu CS jest stan wysoki, układ przechodzi w tryb Standby, w którym pobór prądu jest mniejszy niż 10µA. Minimalna ilość cykli programowania i kasowania komórki pamięci wynosi 100 000. Właściwości pamięci MX25L512 przedstawiono w tablicy 1. Tablica 1. Napięcie zasilania Pobór prądu w trybie pracy Pobór prądu w trybie Standby Organizacja pamięci Właściwości układu MX25L512 1.6V - 6V maks. 150mA maks. 4mA 524 288 1 bit 16 sektorów po 4kB każdy szeregowy, trójprzewodowy, SPI Mode 0 i Mode 3 Kasowanie pamięci każdy sektor może być kasowany indywidualnie Częstotliwość zegara 85MHz i 66MHz Czas kasowania maks. 120ms / sektor maks. 2s / cała pamięć Ilość cykli kasowania / zapisu 10 5 Pamięci produkowane są w obudowach SOP8, SON8. W tablicy 2 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 2. Opis wyprowadzeń układu MX25L512 1 CS włączanie układu 2 SO wyjście danych szeregowych 3 WP blokada zapisu 4 GND masa 5 SI wejście danych szeregowych 6 SCLK wejście zegarowe 7 HOLD zatrzymanie pracy pamięci bez wyłączania układu 8 napięcie zasilania 3.3V Na rysunku 6 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układu MX25L512. CS SO WP GND SOP8 SON8 1 8 CS 1 8 2 7 HOLD SO 2 7 3 6 SCLK WP 3 6 4 5 SI GND 4 5 Rys.6. Wyprowadzenia układu MX25L512 Pamięci EEPROM HOLD SCLK Pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) są pamięciami nieulotnymi. Indywidualne bajty tych pamięci mogą być kasowane bez wpływu na zawartość komórek sąsiednich. Pamięci te zwykle nie mają dużych pojemności. Stosowane są w aplikacjach, gdzie wymagane są reprogramowalne obszary pamięci ROM. Przechowywane są w nich dane konfiguracyjne systemu. Pamięci EEPROM można podzielić w zależności interfejsu na szeregowe i równoległe. Szeregowe pamięci EEPROM produkowane są w małych obudowach DIP i SOIC i mają pojemności rzędu kilku - kilkudziesięciu kb. Szeregowy interfejs, małe rozmiary pamięci i niski pobór mocy sprawiają, że pamięci te są bardzo praktyczne do przechowywania danych o numerze seryjnym urządzenia, danych produkcyjnych i konfiguracyjnych. Równoległe pamięci EEPROM są ciągle dostępne i mają oznaczenia 28xx. Są one kompatybilne pod względem wyprowadzeń i funkcji (dla odczytu) z pamięciami EPROM serii 27xxx. Pamięci szeregowe EEPROM są bardzo popularne jako nieulotne pamięci o małej pojemności. Ponieważ interfejs szeregowy wymaga niewielkiej liczby wyprowadzeń, pamięci są produkowane w obudowach DIP 8-nóżkowych lub 5-nóżkowych SOT23s. Komórka pamięci EEPROM zbudowana jest podobnie do komórki pamięci EPROM, stanowi ją tranzystor polowy o dwóch bramkach sterującej i pływającej. Różnica leży w warstwie tlenkowej, która w pamięci EEPROM jest cieńsza i pozwala na wystąpienie zjawisk tunelowych przy sterowaniu tranzystora za pomocą bramki sterującej. Przyłożenie odpowiednio wysokiego napięcia do tej bramki powoduje gromadzenie się lub rozładowywanie ładunku elektronów na bramce pływającej. Jeśli bramka pływająca zostanie naładowana ładunkiem elektronów, to wytworzone przez nie napięcie będzie blokowało w trakcie normalnej pracy funkcje tranzystora polowego będzie to komórka ze stanem logicznym 0. Jeśli ładunek bramki pływającej zostanie rozładowany, to przestanie ona wpływać na pracę tranzystora będzie to komórka ze stanem logicznym 1. Kasowanie i programowanie komórki odbywa się na drodze elektrycznej, pamięci EEPROM można programować nową zawartością bezpośrednio w układzie cyfrowym, bez konieczności ich wyjmowania i naświetlania SI

światłem UV jak w przypadku zwykłych pamięci EPROM. Pamięć wytrzymuje kilkanaście tysięcy cykli kasowania. A0 PDIP/SOP/TSOP 1 8 Pamięci EEPROM Układy są szeregowymi pamięciami EEPROM o pojemnościach odpowiednio 1024 / 2048 bitów. Komórki pamięci zawierają tranzystory polowe CMOS z pływającą bramką. Obszar pamięci zorganizowany jest jako matryca 128 (24LC01) / 256 (24LC02) słów 8-bitowych. Układy są przystosowane do pracy zarówno w urządzeniach przemysłowych, jak i powszechnego użytku, gdzie wymagany jest niewielki pobór mocy i praca z małym napięciem zasilania. Układy sterowane są dwuprzewodową szyną I 2 C. Do tej samej szyny podłączone może być do ośmiu układów pamięci. Wyprowadzenie WP służy do blokowania zawartości pamięci przed przypadkowym zapisem. Właściwości pamięci przedstawiono w tablicy 3. Tablica 3. Właściwości układów Napięcie zasilania 2.4V - 5.5V Pobór prądu w trybie pracy Pobór prądu w trybie Standby Organizacja pamięci maks. 5mA maks. 5mA Kasowanie pamięci przed zapisem automatyczne Czas przechowywania danych 40 lat Ilość cykli kasowania / zapisu 10 6 Częstotliwość zegara maks. 100kHz Czas zapisu maks. 10ms 24LC01 128 słów 8-bitowych 24LC02 256 słów 8-bitowych szeregowy, dwuprzewodowy, I 2 C Pamięci produkowane są w obudowach SIP8, SO8, TSSOP8. W tablicy 4 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 4. Opis wyprowadzeń układów 1 A0 wejście adresowe 2 wejście adresowe 3 A2 wejście adresowe 4 VSS masa 5 SDA wejście / wyjście danych 6 SCL wejście zegarowe 7 WP blokada zapisu 8 napięcie zasilania 4000 słów 8 bitowych (4k 8). Pamięć przystosowana jest do odczytu sekwencyjnego lub przypadkowego. Trzy linie adresowe pozwalają na przyłączenie do ośmiu układów do tej samej szyny sterującej. Układ może pracować w dwóch trybach: standard - maks. częstotliwość zegara 100kHz lub fast - maks. częstotliwość zegara 400kHz. Właściwości pamięci 24C32 przedstawiono w tablicy 5. Tablica 5. Właściwości układu 24C32 Napięcie zasilania 4.5V - 5.5V Pobór prądu w trybie zapisu maks. 3mA Pobór prądu w trybie odczytu maks. 150µA Pobór prądu w trybie Standby maks. 5µA Organizacja pamięci 4000 słów 8-bitowych szeregowy, dwuprzewodowy, I 2 C Czas przechowywania danych 200 lat Ilość cykli kasowania / zapisu 10 6 Częstotliwość zegara 100kHz lub 400kHz Czas zapisu bajtu lub strony typ. 5ms Odporność na wyładowania elektrostatyczne >4000V Pamięci produkowane są w obudowach SIP8, SO8, TSSOP8. W tablicy 6 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 6. A2 VSS Opis wyprowadzeń układów 1 A0 wejście adresowe 2 wejście adresowe 3 A2 wejście adresowe 4 VSS masa 5 SDA wejście / wyjście danych 6 SCL wejście zegarowe 7 8 napięcie zasilania 2 3 Na rysunku 8 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układu 24C32. PDIP/SOIC 7 6 4 5 WP SCL SDA Rys. 7. Wyprowadzenia układów Na rysunku 7 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układów. A0 1 2 8 7 NC Pamięć EEPROM 24C32 Układ scalony 24C32 firmy Microchip jest szeregową pamięcią EEPROM o pojemności 32kb zorganizowanej jako A2 3 6 SCL VSS 4 5 SDA Rys.8. Wyprowadzenia układu 24C32 }