Budowa pamięci RAM Parametry: tcl, trcd, trp, tras, tcr występują w specyfikacjach poszczególnych pamięci DRAM. Czym mniejsze są wartości tych

Transkrypt

1 Budowa pamięci RAM Parametry: tcl, trcd, trp, tras, tcr występują w specyfikacjach poszczególnych pamięci DRAM. Czym mniejsze są wartości tych parametrów, tym szybszy dostęp do komórek, co przekłada się na zwiększenie ogólnej wydajności takiej pamięci. FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM), najpopularniejszy w czasach procesorów 486 i wczesnych wersji procesorów Pentium rodzaj pamięci, zdolny do pracy przy częstotliwościach magistrali do 66. Pamięć FPM do pracy z procesorem o 64 bitowej szynie danych (Pentium) była instalowana parami. EDO RAM (ang. Extended Data Output Random Access Memory) - czasem nazywana także Hyper Page Mode enabled DRAM, jest podobna do modułów FPM DRAM, z tą różnicą, iż nowy cykl dostępu (odczytu lub zapisu) może zostać rozpoczęty jeszcze w trakcie trwania poprzedniego. Pozwala to na usunięcie "dziur" między operacjami spowodowanych głównie koniecznością odczekania kilku cykli zegarowych na zakończenie operacji wyboru kolumny (CAS). Średni przyrost wydajności tych pamięci w stosunku do modułów FPM wynosił około 5%. Moduły EDO zostały wprowadzone do powszechnego użytku w 1995 roku wraz z wydaniem przez Intela chipsetu i430fx, który zawierał obsługę ulepszonego mechanizmu EDO. (ang. Synchronous Dynamic Random Access Memory) rodzaj pamięci DRAM pracującej synchronicznie z magistralą systemową, co odróżnia ją od klasycznej pamięci DRAM typu FPM i EDO, które pracują asynchronicznie. Synchroniczna praca wiąże się takimi innowacjami jak przeplot czy przesył pakietowy. Dzięki przeplotowi który zastąpił przechodzenie przez proces aktywacja banku - odczyt danych - aktywacja kolejnego banku - zapis i tak dalej, w pamięci o dostępie przeplatanym istnieje możliwość jednoczesnej aktywacji dwóch banków, co umożliwia odczyt danych z jednego banku i zapis danych w drugim bez straty czasu na reaktywację takich banków. Dzięki przesyłowi pakietowemu, zamiast odczytu z zaledwie jednej lokacji w obszarze DRAM, system odczytuje również pewną liczbę lokalizacji sąsiednich, tak by przechowane w nich dane mogły zostać zachowane w pamięci cache. Ponieważ te dane najprawdopodobniej będą potrzebne w trakcie kilku następnych transakcji, odczytywanie ich z pamięci cache jest szybsze niż przechodzenie przez wszystkie wymagane cykle pamięci. SDR (Single Data Rate) SDR (przepustowość od 533 MB/s do 1066 MB/s) DDR (Double Data Rate) DDR (przepustowość od 1600 MB/s do 3200 MB/s) DDR2 (przepustowość od 3200 MB/s do 6400 MB/s) DDR3 (przepustowość od 6400 MB/s do MB/s) SDR (ang. Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) - chronologicznie i technologicznie najwcześniejsza odmiana pamięci. Przedrostek SDR (Single Data Rate) oznacza, że dane przesyłane są przy każdym narastającym zboczu sygnału zegarowego (w odróżnieniu od DDR w których przesył danych odbywa się przy narastającym i opadającym zboczu sygnału zegarowego). Pamięci te wprowadzono do sprzedaży pod koniec 1996 roku. Klasyfikowane są w zależności od maksymalnej częstotliwości taktowania. Typowe wartości to: PC66: częstotliwość 66, przepustowość 533 MB/s, czas dostępu ns (wprowadzone do sprzedaży w 1997 roku) PC100: częstotliwość 100, przepustowość 800 MB/s, czas dostępu 10-8 ns (wprowadzone do sprzedaży w 1998 roku) PC133: częstotliwość 133, przepustowość 1067 MB/s, czas dostępu 7,5 ns (wprowadzone do sprzedaży w 1999 roku) DDR (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) rodzaj pamięci typu RAM stosowany w komputerach jako pamięć operacyjna oraz jako pamięć kart graficznych i podobnych. Stosowane są dwa rodzaje oznaczeń pamięci DDR. Mniejszy (np. DDR-200) mówi o

2 częstotliwości efektywnej w porównaniu do SDR-, z jaką działają kości. Natomiast większy (np. PC1600) mówi o teoretycznej przepustowości jaką mogą osiągnąć. Szerokość magistrali pamięci wynosi 64 bity. Przepustowość obliczana jest metodą: DDR-200 (PC-1600) (64 bity * 2 * 100 )/8 = 1,6 GB/s DDR-266 (PC-2100) (64 bity * 2 * 133 )/8 = 2,1 GB/s DDR-333 (PC-2700) (64 bity * 2 * 166 )/8 = 2,7 GB/s DDR-400 (PC-3200) (64 bity * 2 * 200 )/8 = 3,2 GB/s DDR2 charakteryzuje się wyższą efektywną częstotliwością taktowania oraz niższym poborem prądu. Podobnie jak DDR, pamięć DDR2 wykorzystuje do przesyłania danych wznoszące i opadające zbocze sygnału zegarowego, czego nie należy mylić z technologią dual channel. Rodzaje: Nazwa chipa Zegar DDR DDR DDR DDR DDR Cykl zegara Taktowanie szyny Transfer danych Nazwa modułu Transfer szczytowy 10 ns mln/s PC MB/s 7.5 ns mln/s 6 ns mln/s PC PC PC PC MB/s 5333 MB/s 5 ns mln/s PC MB/s 3.75 ns mln/s PC PC MB/s DDR3 wykonana jest w technologii 90 nm, która umożliwia zastosowanie niższego napięcia (1,5 V w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Dzięki temu pamięć DDR3 charakteryzuje się zmniejszonym poborem mocy o około 40% w stosunku do pamięci DDR2 oraz większą przepustowością w porównaniu do DDR2 i DDR. PC (DDR3-800) o przepustowości 6,4 GB/s, PC (DDR3-1066) o przepustowości 8,5 GB/s, PC (DDR3-1333) o przepustowości 10,6 GB/s, PC (DDR3-1600) o przepustowości 12,7 GB/s, PC (DDR3-1866) o przepustowości 15 GB/s, PC (DDR3-2000) o przepustowości 16 GB/s PC (DDR3-2133) o przepustowości 17 GB/s PC (DDR3-2400) o przepustowości 19,2 GB/s Wyliczanie przepustowości pamięci oto wzory (DDR ang. Double Data Rate): pamięć SDR : przepustowość w MB/s = zegar magistrali * 64 bity/8 bitów; pamięć DDR : przepustowość w MB/s = zegar magistrali * 2 (DDR) * 64 bity/8 bitów; pamięć DDR2 : przepustowość w MB/s = zegar magistrali * 2 (DDR) * 2 (mnożnik magistrali) * 64 bity/8 bitów; pamięć DDR3 : przepustowość w MB/s = zegar magistrali * 2 (DDR) * 4 (mnożnik magistrali) * 64 bity/8 bitów. RDRAM (ang. Rambus DRAM) drogie pamięci połączone z dedykowaną magistralą, która umożliwia bardzo szybkie transfery danych. Stosowane są w konsolach do gier, wydajnych kartach graficznych i serwerach. (16 bitowe). Przesyąłja dane zboczem opadajacym i wznoszącym podobnie jak DDR

3 Typy pamięci RDRAM: PC-600, PC-700, PC-800, PC-1066, PC Fizyczna budowa kości RAM: DIP (ang. Dual In-line Package), czasami nazywany DIL (Dual In Line) w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali integracji, a także elementów takich jak transoptory, optotriaki. SIPP (z ang. Single Inline Pin Package) moduł pamięci komputerowej, którego złączem był, jeden rząd pinów. SIMM (z ang. Single Inline Memory Module) moduł pamięci RAM komputerów w postaci płytki drukowanej ze polami stykowymi znajdującymi się z jednej strony płytki. Jest to następna po SIPP generacja pamięci DRAM. SIMM 30-końcówkowy (mniejszy dla 8-bitowej magistrali pamięci) oraz SIMM 72-końcówkowy (większy dla 32-bitowych magistrali pamięci);

4 DIMM (ang. Dual In-Line Memory Module) standard podwójnych złącz na płycie głównej, w których można montować pamięci 168 pin DIMMS, 184 pin DDR DIMMS, 240 pin DDR2 DIMMS. Najpopularniejsze typy DIMM to: 72-pinowe, stosowane w SO-DIMM (32 bitowe) 144-pinowe, stosowane w SO-DIMM (64 bitowe) 168-pinowe, stosowane w SDR 184-pinowe, stosowane w DDR 240-pinowe, stosowane w DDR2 240-pinowe, stosowane w DDR3

5 SO DIMM (ang. Small Outline Dual In-line Memory Module) mniejszy rodzaj pamięci DIMM, stosowany głównie w notebookach, komputerach małogabarytowych oraz w niektórych drukarkach biurowych wysokiej klasy.