DZPIE/003/NZU/672/2015 Warszawa, 2 kwietnia 2015 r. Dotyczy udzielenia zamówienia publicznego w trybie "przetargu nieograniczonego" na Uniwersalna linia technologiczna do badań procesów wytwarzania nanostruktur i prototypów przyrządów półprzewodnikowych, nadprzewodnikowych i metalicznych. Instytut Fizyki PAN w trybie art. 38 ust. 4 Ustawy PZP, dokonuje niniejszym zmiany treści SIWZ w zakresie wymagań stawianym urządzeniu w pkt. 7, 11, 16, 17, i 19 dla ICP-RIE oraz 5, 8, 10, 12, 13, 16 i 18 dla ICP-PECVD : Przed zmianami: Lp. 7. 11. Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching) System wytwarzania próżni w komorze reaktora: - system próżni suchej składający się z układu pompy próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa o wydajności min. 32m3/h, - do wytworzenia próżni właściwej musi być wykorzystana pompa turbomolekularna z łożyskami magnetycznymi, o wydajności min. 500l/s, - pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu technicznym, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar lub lepszą, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów trawienia. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych, które mają podlegać logowaniu), pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms, Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać *
automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump ( dla ręcznego przełączenia). W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 2 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 16. 1. Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1 2.Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 10:1 3.Trawienie Polikrzemu - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 2:1 -Jednorodność procesu: ±5% -Nachylenie ścian trawionych okien: >88 4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2) - Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 3:1 - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 4:1 5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3) - Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5% - Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1 6. Trawienie ZnO - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
, 7. Trawienie GaAs/AlGaAs - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1 - Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 8. Trawienie CdTe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 9. Trawienie ZnSe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 17. 19. Lp. 5. Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowo - diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być wykonane ze stali nierdzewnej elektropolerowanej, - spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą być wyposażone w wskaźnik zanieczyszczenia. Neutralizator lub neutralizatory muszą być właściwe dla gazów wymienionych. Wymaga się wykonanie bezpłatnych przeglądów technicznych po dwóch latach w okresie gwarancji, obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami fluoru z funkcjonalnością osadzania związków krzemu ICP-PECVD (Inductively -Coupled Plasma Plasma - Enhanced Chemical Vapour Deposition) Elektroda górna: - aluminiowa elektroda zintegrowana z wlotem gazów roboczych do komory reaktora, - budowa odpowiednia do jednorodnego rozprowadzania gazów roboczych, Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać *
8. 10. 12. 13. - zasilana ze źródła RF (13,56 MHz) oraz chłodzona wodą, - ruchoma pneumatycznie/mechanicznie (w kierunku góra/dół/bok) w celu łatwego dostępu do podłoży. System wytwarzania próżni w komorze procesowej: - układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa, - układ zapewniający próżnię 4x10-6 mbar, - czas uzyskania próżni w komorze procesowej od ciśnienia atmosferycznego do ciśnienia 4x10-6 mbar wynosi t 12 godzin, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów osadzania i trawienia. System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości komory załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) która umożliwi transfer próbek o różnych kształtach i wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować możliwość podłączenia śluzy w laboratorium Zamawiającego. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą być wyposażone w wskaźnik zanieczyszczenia. Neutralizator lub neutralizatory muszą być właściwe dla gazów wymienionych. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych), pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms, automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7.
16. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump (dla ręcznego przełączenia). W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 3 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 1. Trawienie SiO2: - Szybkość trawienia: 50nm/min ±5% - Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >87 - głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm 2. Trawienie poliamidu: - Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1 3. Trawienie emulsji fotolitograficznych z powierzchni półprzewodników i dielektryków: - Szybkość trawienia: >100nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >70 4. Trawienie Si: - Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 5. Trawienie SixNy: - Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1 6. Osadzanie SiO2: - Szybkość osadzania: co najwyżej 30nm/min - Jednorodność procesu: ±3% - Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm) - Współczynnik załamania światła dla 630nm ~1.45-1.5 6. Osadzanie azotek krzemu (SixNy): - Szybkość osadzania: co najwyżej 10nm/min - Jednorodność procesu: ±3% - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,9 2,1 - Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), - Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm), 7. Osadzanie tlenko-azotku krzemu (SiOxNy): - Szybkość osadzania: co najwyżej 15nm/min, - Jednorodność procesu: ±3%, - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5 1,8 - Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm),
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm), 8. Osadzanie krzemu amorficznego (a-si): - Szybkość osadzania: co najwyżej 15nm/min, - Jednorodność procesu: ±3%, - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5 1,8, - Jednorodność grubości warstwy: ±3% (na podłożu 50mm). 9. Sprawdzenie selektywności procesu trawienia warstw dielektrycznych (SiO2, Si3N4) względem różnych emulsji fotolitograficznych oraz sprawdzenie powtarzalności procesu trawienia. 18. Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowodiagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy. Wymaga się wykonanie bezpłatnych przeglądów technicznych po dwóch latach w okresie gwarancji, obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca. Po zmianach: Lp. 7. 11. Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching) System wytwarzania próżni w komorze reaktora: - system próżni suchej składający się z układu pompy próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa o wydajności min. 90m3/h, - do wytworzenia próżni właściwej musi być wykorzystana pompa turbomolekularna z łożyskami magnetycznymi, o wydajności min. 500l/s, - pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu technicznym, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar lub lepszą, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów trawienia. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych, które mają Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać *
podlegać logowaniu), pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC, automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump ( dla ręcznego przełączenia). W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 2 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 1. Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1 16. 2.Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 10:1 3.Trawienie Polikrzemu - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do SiO2: co najmniej 2:1 -Jednorodność procesu: ±5% -Nachylenie ścian trawionych okien: >85 4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2) - Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5% 5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3) - Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5%
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1 6. Trawienie ZnO - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1, 7. Trawienie GaAs/AlGaAs - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1 - Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 8. Trawienie CdTe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 9. Trawienie ZnSe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 17. 19. Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowo - diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być wykonane ze stali nierdzewnej elektropolerowanej, - spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości ph. Neutralizator absorber musi być właściwy dla gazów wymienionych. Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu technicznych po pod koniec okresu gwarancji, obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca.
Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami fluoru z Lp. funkcjonalnością osadzania związków krzemu ICP-PECVD (Inductively -Coupled Plasma Plasma - Enhanced Chemical Vapour Deposition) 5. Skasowano ten podpunkt. System wytwarzania próżni w komorze procesowej: - układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa, - układ zapewniający próżnię 4x10-6 mbar, - czas uzyskania próżni w komorze procesowej od ciśnienia atmosferycznego do ciśnienia 4x10-6 mbar 8. wynosi t 12 godzin, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s oraz pompy wstępnej bezolejowej o wydajności minimum 90m3/godzinę, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów osadzania i trawienia. System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości komory załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) czy komory załadowczej w postaci klastera (loadlock for clustering) która umożliwi transfer próbek o różnych kształtach i 10. wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować możliwość podłączenia śluzy w laboratorium Zamawiającego. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i 12. odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości ph. Neutralizator absorber musi być właściwy dla gazów wymienionych. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych), 13. pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC, automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać *
16. - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump (dla ręcznego przełączenia). W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 3 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 1. Trawienie SiO2: - Szybkość trawienia: 30nm/min ±5% - Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >87 - głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm 2. Trawienie poliamidu: - Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1 3. Trawienie emulsji fotolitograficznych z powierzchni półprzewodników i dielektryków: - Szybkość trawienia: >100nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >70 4. Trawienie Si: - Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 5. Trawienie SixNy: - Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1 6. Osadzanie SiO2: - Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min - Jednorodność procesu: ±3% - Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm) - Współczynnik załamania światła dla 630nm ~1.45-1.5 7. Osadzanie azotek krzemu (SixNy): - Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min - Jednorodność procesu: ±3% - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,9 2,1 - Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%, - Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm), 8. Osadzanie tlenko-azotku krzemu (SiOxNy): - Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min, - Jednorodność procesu: ±3%, - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5 1,8 - Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%, - Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm), 9. Osadzanie krzemu amorficznego (a-si): - Szybkość osadzania: co najwyżej 7nm/min, - Jednorodność procesu: ±3%, - Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5 1,8, - Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%, 10. Sprawdzenie selektywności procesu trawienia warstw dielektrycznych (SiO2, Si3N4) względem różnych emulsji fotolitograficznych oraz sprawdzenie powtarzalności procesu trawienia. 18. Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowodiagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy. Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu technicznych po pod koniec okresu gwarancji, obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca. Pełen opis w załączniku.
pieczęć adresowa Oferenta data Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP-RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching) i związkami fluoru z funkcjonalnością osadzania związków krzemu (ICP-PECVD Inductively-Coupled Plasma Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition) wchodzących w skład uniwersalnej linii technologicznej do badań procesów wytwarzania nanostruktur i prototypów przyrządów półprzewodnikowych, nadprzewodnikowych i metalicznych. Lp. 1. 2. 3. 4 Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP-RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching) Selektywne, kontrolowane i powtarzalne trawienie metodą ICP-RIE warstw technologicznych w plazmie opartej o związki chloru. Urządzenie stanowi integralną całość, ale musi zostać zapewniona możliwość dołączenia Urządzenia do systemu urządzeń (ang. cluster tool ). Dozownik gazów roboczych (ang. gaspod/gasbox) oraz źródło zasilania nie muszą być integralnymi częściami Urządzenia. Urządzenie musi umożliwić trawienie miedzy innymi takich materiałów jak: GaAs, GaAs/AlGaAs, InP, GaN, ZnO, Al, CdTe, ZnSe, HfO 2. Komora procesowa: - wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego (full block of Al), - z połączeniem kołnierzowym o średnicy nie mniejszej niż 150mm dla efektywnego odpompowywania, - flansza wejściowa o średnicy nie mniejszej niż 40mm z oknem obserwacyjnym, - dodatkowa flansza o średnicy nie mniejszej niż 40mm do systemu detekcji końca procesu, - wewnątrz brak połączeń skręcanych i spawanych, - wykonywanie procesów dla płytek o wielkości od 5 mm x 5 mm do 2 oraz dla płytek o nieregularnych kształtach, - grzanie komory (np. rezystancyjnie) do co najmniej 60 C. Obudowa Urządzenia: - elementy kontrolne pracy Urządzenia zintegrowane w obudowie, - obudowa zawiera w sobie pompy turbomolekularne i wszelkie zawory. Elektroda dolna: - średnica elektrody dostosowana do przeprowadzania procesów technologicznych na podłożach o wymiarach od 5mm x 5mm do podłoży o średnicy co najmniej 50mm (2 cale), - chłodzona wodą, - zasilana ze źródła RF (13,56 MHz), - aluminiowa przesłona maskująca uziemiona (osłona ciemnego regionu - ang. dark space shield), - regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym zakresie od -30 C do 80 C przy dostarczonym chłodzeniu wodnym, sterowanie za pomocą komputera, - regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym zakresie od -150 C do 400 C przy chłodzeniu LN2 włączając He (ang. helium backside cooling), - musi być dostarczony transfer do chłodzenia (transfer do Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać *
. 5. 6. 7. 8. 9. - połączenia elektrody podłożowej z posiadanym Dewar-em), - średnica elektrody w zakresie od 200 mm do 220 mm. Generator plazmy RF: - generator RF o częstotliwości 13,56 MHz o mocy od co najwyżej 30W do co najmniej 300W z układem automatycznego dopasowania impedancji, - kontrola mocy wychodzącej i/lub ujemnego potencjału autopolaryzacji, - wstępne niezależne, automatyczne dopasowanie impedancji poprzez kondensatory dopasowujące dla każdego etapu procesu sterowane z zaprogramowanych pozycji sterowanych za pomocą komputera (work in automatic matching mode with preset positions (from the PC, for each step)), - praca z ustalonymi pozycjami kondensatorów sterowanych za pomocą komputera na każdym etapie procesu (work with fixed capacitor positions (from the PC, for each step)), - praca w trybie automatycznego dopasowania impedancji (work in automatic matching mode). Źródło plazmy ICP: - średnica źródła zoptymalizowana do przeprowadzania procesów na podłożach do 50 mm (2 cale), z jednorodnością procesu ±5%, - zoptymalizowane do pracy z małymi próbkami (5x5mm)do maksymalnej średnicy 75 mm, - źródło typu helical, - generator o częstotliwości minimum 13,56 MHz o mocy od co najwyżej 30W do co najmniej 300 W z układem automatycznego dopasowania impedancji, - układ dopasowania mocy wejściowej jako parametr procesowy (Matching unit capacitor positions selectable as process parameters), - ekranowanie elektrostatyczne w celu minimalnego defektowania podłoża oraz trawionych okien w trakcie procesu (With no capacitance component, ie electrostatic shielding), - flansza o średnicy 25mm w górnej elektrodzie do instalacji i elipsometru laserowego - interferometru laserowego. System wytwarzania próżni w komorze reaktora: - system próżni suchej składający się z układu pompy próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa o wydajności min. 90m3/h, - do wytworzenia próżni właściwej musi być wykorzystana pompa turbomolekularna z łożyskami magnetycznymi, o wydajności min. 500l/s, - pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu technicznym, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar lub lepszą, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów trawienia. System pomiaru próżni w komorze reaktora: - pomiar próżni do 100 mtorr, - rozdzielczość wskaźnika co najmniej 1 mtorr, - kompensacja temperaturowa. System dostarczania gazów roboczych: - dozownik gazów (ang. gaspod/gasbox) umożliwiający dystrybucję minimum 8 typów gazów roboczych, - dozownik gazów (ang. gaspod/gasbox) wyposażony w przepływomierze (MFC) wykalibrowane na następujące gazy: sześciofluorek siarki (SF 6 ), chlor (Cl 2 ), trójchlorek boru (BCl 3 ),
10. 11. 12. metan (CH 4 ), azot analityczny (N), tlen (O 2 ), argon (Ar), wodór (H 2 ), - linie gazów szczególnie niebezpiecznych wyposażone w systemy dodatkowego przedmuchu oraz tzw. bypass, - linie gazowe doprowadzające gazy technologiczne do komory procesowej elektropolerowane, spawane orbitalnie, - każda linia gazowa wyposażona w filtr pyłów, elektropneumatyczny zawór odcinający, linie gazowe z bypassem powinny być wyposażone w min. 3 zawory, - linie dostarczające gazy robocze oparte o chlor i bromowodór charakteryzujące się dodatnim gradientem temperatury do przepływomierza w celu eliminacji efektu kondensacji, konieczność zachowania dodatniego gradientu temperatury od butli z gazem aż do przepływomierza, tj. w przypadku przechowywania butli w temp. ~20 C, linia gazowa musi być utrzymywana w temperaturze ~35 C, natomiast przepływomierz ~40 C; zapobiega to kondensacji gazu w linii, - wykorzystane złączki tylko typu VCR, - system musi być wyposażony w odpowiedni komin i podłączony do posiadanego systemu wentylacji. Automatyczna komora załadowcza/śluza (vacuum loadlock): - wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego, - objętość komory nie większa niż 5 litrów, - wyposażona we własny system wytwarzający próżnię pompa próżni suchej wstępnej o wydajności min. 15m3/h i pompa turbomolekularna o wydajności min. 70 l/s - wyposażona w próżniomierze typu Pirani i Penning oraz zawory, - komora załadowcza wyposażona w transfer do transportu próbek o różnych kształtach o wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do komory reakcyjnej. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych, które mają podlegać logowaniu), pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC, automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump ( dla ręcznego przełączenia). Układ chłodzenia: - wymaga się dostarczenia odpowiedniego układu do chłodzenia zapewniającego stabilną prace całego systemu (układ chłodzenia może być wspólny dla urządzeń ICP-RIE i ICP-PECVD),
13. 14. 15. - musi zapewniać chłodzenie pompy turbo, generatora plamy, podłoża oraz innych komponentów urządzenia, - układ do chłodzenia woda-powietrze, - przepływ minimum 10 l/minutę, - temperatura chłodziwa od 10 do 25 C. Elipsometr laserowy - interferometr laserowy: - wymaga się dostarczenia dedykowanego systemu do monitorowania głębokości trawienia in-situ heterostruktur, - monitorowanie głębokości trawienia in-situ heterostruktur dla małych próbek 5x5mm oraz większych do minimum 50 mm, - wyposażonego w kamerę CCD, stolik x/y z przesuwem w zakresie ± 1cm oraz w dedykowany laser o długości 675 nm. - wyposażony w odpowiednie oprogramowanie do pomiaru głębokości trawienia heterostruktur. - oprogramowanie do obsługi elipsometru laserowego musi być zintegrowane z oprogramowaniem do obsługi ICP-RIE oraz ICP- PECVD używając sygnału z elipsometru i jego pierwszej pochodnej. - system musi mieć możliwość przenoszenia i wykonywania pomiarów zarówno u rządzeniu ICP-RIE i ICP-PECVD. System efektywnego chłodzenia (kriogenicznego) elektrody podłożowej zapewniający doskonały kontakt termiczny podłoża półprzewodnikowego z elektrodą - dodatkowe wyposażenie w klemę przytrzymującą podłoże, wykonaną z SiO 2 lub innego materiału o podobnej odporności, dostosowaną do podłoży: od 5x5mm do minimum 50mm. System musi być przystosowany do pracy w pomieszczeniu typu clean room, minimum klasy 1000. W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 2 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 1. Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1 16. 2.Trawienie GaN - Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 10:1 3.Trawienie Polikrzemu - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do SiO2: co najmniej 2:1 -Jednorodność procesu: ±5% -Nachylenie ścian trawionych okien: >85 4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2) - Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5%
5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3) - Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5% - Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1 6. Trawienie ZnO - Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5% - Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1, 7. Trawienie GaAs/AlGaAs - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1 - Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 8. Trawienie CdTe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 9. Trawienie ZnSe - Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5% 17. 18. Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowo - diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być wykonane ze stali nierdzewnej elektropolerowanej, - spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości ph. Neutralizator absorber musi być właściwy dla gazów wymienionych. Maksymalne wymiary systemu (footprint): szerokość 68 cm, długość 190 cm, wysokość 200 cm.
19. 20. 21. 22. 23. 24. Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu technicznych po pod koniec okresu gwarancji, obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca. Wszystkie wtyczki, gniazda elektryczne, zasilanie, złącza wodne etc. muszą być zgodne z polskimi standardami. Producent musi potwierdzić, że posiada własne laboratorium aplikacyjne od minimum 20 lat w zakresie aparatury ICP i posiada tam minimum 4 systemy ICP. Producent musi potwierdzić, że posiada zainstalowanych minimum 100 urządzeń to trawienia plazmowego ICP z śluzą. Urządzenie musi posiadać Certyfikat zgodności z normą ISO 14001:2004 (zarządzanie środowiskiem). System musi posiadać i spełniać wymogi norm CE: - Dyrektywa Maszynowa - 2006/42 / WE, - Dyrektywa niskonapięciowa LVD - 2006/95 / WE, - Dyrektywa dotycząca kompatybilność elektromagnetycznej EMC 2004/108 / WE. Lp. Wymagania (wymagane parametry minimalne) Stanowisko do trawienia związkami fluoru z funkcjonalnością osadzania związków krzemu ICP-PECVD (Inductively-Coupled Plasma Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition) Kolumna do wypełnienia przez oferenta Należy potwierdzić lub opisać * 1. 2. Selektywne, kontrolowane i powtarzalne trawienie metodą ICP- PECVD warstw technologicznych w plazmie opartej o związki fluoru (trawienia warstw dielektrycznych: SiO 2, SiC, Si, Si 3 N 4 oraz krzemowych warstw półprzewodnikowych, usuwanie emulsji fotolitograficznych oraz masek dielektrycznych z powierzchni półprzewodników) z funkcją osadzania warstw dielektrycznych, m.in.: osadzania dwutlenku krzemu (SiO 2 ), azotku krzemu (Si 3 N 4 ), tlenkuazotku krzemu (SiO x N y ) oraz półprzewodnikowych (amorficznego krzemu a-si) na podłożach półprzewodnikowych o średnicy do co najmniej 50mm. Urządzenie stanowi integralną całość, ale musi zostać zapewniona możliwość dołączenia Urządzenia do systemu urządzeń (ang. cluster tool ). Dozownik gazów roboczych (ang. gaspod/gasbox) oraz źródło zasilania nie muszą być integralnymi częściami urządzenia. Komora procesowa: - wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego - z połączeniem kołnierzowym o średnicy nie mniejszej niż 150mm w celu zapewnienia efektywnego pompowania komory jednakże pod warunkiem spełnienia parametrów związanych ze sprawnością odpompowywania, - flansza wejściowa o średnicy nie mniejszej niż 40 mm z oknem obserwacyjnym, - flansza dla systemu detekcji końca procesu, - wewnątrz brak połączeń skręcanych i spawanych, - wykonywanie procesów dla płytek o wielkości od 5 mm x 5 mm do 2 oraz dla płytek o nieregularnych kształtach, - grzanie ścian komory (np. rezystancyjnie) do co najmniej 60 C, - grzanie układu pompowania, pump cylinder.
Obudowa Urządzenia: - elementy kontrolne pracy Urządzenia zintegrowane są w 3. obudowie, - zawiera w sobie pompy i wszelkie zawory. (nie musi zawierać pomp wstępnych). Elektroda dolna: - średnica elektrody dostosowana do przeprowadzania procesów technologicznych na podłożach o wymiarach do minimum 50 mm, - zasilana ze źródła RF (13,56 MHz), - możliwość programowanego podgrzewania elektrody do min. 400 C z dokładnością ±10 C - chłodzenie wodą bądź innym czynnikiem chłodzącym. 4. - aluminiowa przesłona maskująca uziemiona (osłona ciemnego regionu - ang. dark space shield), - regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym zakresie od -30 C do 80 C, - regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym zakresie od -150 C do 400 C przy chłodzeniu LN2 włączając He (ang. helium backside cooling), Zamawiający zapewnia LN2 dewar, - średnica elektrody w zakresie od 200 mm do 220 mm. 5. Skasowano ten podpunkt. Generacja plazmy RF: - generator o częstotliwości 13,56 MHz o mocy od co najwyżej 30W do co najmniej 300 W z układem automatycznego dopasowania impedancji, - możliwość kontroli mocy wychodzącej i/lub ujemnego potencjału autopolaryzacji, - wstępne niezależne, automatyczne dopasowanie impedancji 6. poprzez kondensatory dopasowujące dla każdego etapu procesu sterowane z zaprogramowanych pozycji sterowanych za pomocą komputera (work in automatic matching mode with preset positions (from the PC, for each step)), - praca z ustalonymi pozycjami kondensatorów sterowanych za pomocą komputera na każdym etapie procesu (work with fixed capacitor positions (from the PC, for each step)), - praca w trybie automatycznego dopasowania impedancji (work in automatic matching mode). Źródło plazmy ICP zoptymalizowane dla próbek maksymalnie 2 calowych: - średnica źródła zoptymalizowana do przeprowadzania procesów na podłożach do 50 mm (2 cale), z jednorodnością procesu ±5%, - zoptymalizowane do pracy z małymi próbkami (5x5mm) do maksymalnej średnicy 75 mm, - źródło typu helical - generator RF (f =13,56 MHz) z automatycznym dopasowaniem 7. impedancji, - minimalna moc generatora P = 300 W, - układ dopasowania mocy wejściowej jako parametr procesowy (Matching unit capacitor positions selectable as process parameters), - z ekranowaniem elektrostatycznym (with no capacitance component, ie electrostatic shielding), - flansza o średnicy 25 mm w górnej elektrodzie do instalacji elipsometru - interferometru laserowego. System wytwarzania próżni w komorze procesowej: 8. - układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej, - do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa bezolejowa,
9. 10. 11. 12. 13. - układ zapewniający próżnię 4x10-6 mbar, - czas uzyskania próżni w komorze procesowej od ciśnienia atmosferycznego do ciśnienia 4x10-6 mbar wynosi t 12 godzin, - układ próżniowy odporny na gazy korozyjne, - układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s oraz pompy wstępnej bezolejowej o wydajności minimum 90m3/godzinę, - automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów osadzania i trawienia. System pomiaru próżni w komorze reaktora: - pomiar próżni do 100 mtorr, - rozdzielczość wskaźnika co najmniej 1 mtorr, - kompensacja temperaturowa. System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości komory załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) czy komory załadowczej w postaci klastera (loadlock for clustering) która umożliwi transfer próbek o różnych kształtach i wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować możliwość podłączenia śluzy w laboratorium Zamawiającego. System dostarczania gazów roboczych: - dozownik gazów (gaspod/gasbox) umożliwiający dystrybucję co najmniej 9 typów gazów roboczych, - dozownik gazów (gaspod/gasbox) wyposażony w przepływomierze (MFC) wykalibrowane na następujące gazy: silan (SiH 4 ), podtlenek azotu (N 2 O), tlen (O 2 ), argon (Ar), wodór (H 2 ), azot (N 2 ), sześciofluorek siarki (SF 6 ), trifluorometan (CHF 3 ), octafluorocyclobutane (C 4 F 8 ), - linie gazów szczególnie niebezpiecznych (np. silan, czterofluorek węgla) wyposażone w systemy dodatkowego przedmuchu oraz tzw. bypas, - pierścień do dystrybucji gazów umożliwiający procesy ICP PECVD, - linie gazowe doprowadzające gazy technologiczne do komory procesowej elektropolerowane, spawane orbitalnie, - wszystkie zastosowane złączki typu VCR, - każda linia gazowa wyposażona w filtr pyłów, elektropneumatyczny zawór odcinający, natomiast linie gazowe z bypasem powinny być wyposażone w min. 3 zawory, - system musi być wyposażony w odpowiedni komin i podłączony do posiadanego systemu wentylacji. Gazy robocze: - urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych gazów, - system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości ph. Neutralizator absorber musi być właściwy dla gazów wymienionych. Sterowanie Urządzenia: - sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem, - sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O, - oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów cyfrowych i analogowych), pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC,
14. 15. 16. automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów, - komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z monitorem minimum 19 LCD (zestaw komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania. - Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym Windows 7. - Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania hold (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk skoku jump (dla ręcznego przełączenia). Układ chłodzenia: - wymaga się dostarczenia odpowiedniego układu do chłodzenia zapewniającego stabilną prace całego systemu (układ chłodzenia może być wspólny dla urządzeń ICP-RIE i ICP-PECVD),, - musi zapewniać chłodzenie pompy turbo, generatora plamy, podłoża oraz innych komponentów urządzenia, - układ do chłodzenia woda-powietrze, - przepływ minimum 10 l/minutę, - temperatura chłodziwa od 10 do 25 C. System musi być przystosowany do pracy w pomieszczeniu typu clean room, minimum klasy 1000. W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 3 procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego): 1. Trawienie SiO2: - Szybkość trawienia: 30nm/min ±5% - Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >87 - głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm 2. Trawienie poliamidu: - Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1 3. Trawienie emulsji fotolitograficznych z powierzchni półprzewodników i dielektryków: - Szybkość trawienia: >100nm/min ±5% - Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >70 4. Trawienie Si: - Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1 - Nachylenie ścian trawionych okien: >88 5. Trawienie SixNy: - Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5% - Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1 6. Osadzanie SiO2: