7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Podobne dokumenty
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA

Temat: Tyrystor i triak.

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

Rozmaite dziwne i specjalne

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Rozmaite dziwne i specjalne

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR

Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Zasada działania tranzystora bipolarnego

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Półprzewodnikowe przyrządy mocy

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Dioda półprzewodnikowa

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

TYRYSTOROWY ŁĄCZNIK REGULATORA MOCY REZYSTANCYJNEGO URZĄDZENIA ELEKTROTERMICZNEGO

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Zasilacze: Prostowniki niesterowane, prostowniki sterowane

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

DANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Dioda półprzewodnikowa

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Wiadomości podstawowe

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

Diody półprzewodnikowe

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody półprzewodnikowe

Ćwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Budowa. Metoda wytwarzania

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Diody półprzewodnikowe

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

PL B BUP 14/05. Reszke Edward,Wrocław,PL WUP 05/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Przykładowe pytania do przygotowania się do zaliczenia poszczególnych ćwiczeń z laboratorium Energoelektroniki I. Seria 1

W4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC)

Politechnika Białostocka

AKADEMIA MORSKA W SZCZECINIE JEDNOSTKA ORGANIZACYJNA: ZAKŁAD KOMUNIKACYJNYCH TECHNOLOGII MORSKICH INSTRUKCJA

Stabilizatory impulsowe

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Badanie diod półprzewodnikowych

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

5. Elektronika i Energoelektronika

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

5. Tranzystor bipolarny

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

5. Elektronika i Energoelektronika test

Przetwornica mostkowa (full-bridge)

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których rezystywność (oporność właściwa) jest rzędu 10 8 do 10-6 Ohm*m.

Transkrypt:

7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej rezystancji) Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) Przyrząd półprzewodnikowy o strukturze czterowarstwowej. Ma trzy wyprowadzenia: anodę (A), katodę (K) i bramkę (G). Bramka jest elektrodą sterującą. symbole graficzne tyrystora 2 Charakterystyka prądowo-napięciowa tyrystora Wyróżnia się zakres dodatniej polaryzacji anody względem katody (pierwsza ćwiartka układu współrzędnych) i ujemnej polaryzacji anody względem katody (ćwiartka trzecia). W zakresie dodatniej polaryzacji anody tyrystor może znajdować się w dwóch stanach stabilnych, tj. stanie blokowania i stanie przewodzenia. W zakresie ujemnej polaryzacji anody tyrystor jest w stanie zaworowym. Stan zaworowy i blokowania są stanami wyłączenia tyrystora. Stan przewodzenia jest stanem włączenia tyrystora.. 3 1

Gdy prąd anodowy tyrystora zmniejszy się poniżej wartości I H tyrystor przechodzi ze stanu przewodzenia w stan blokowania, zatem jest wyłączany Wartość graniczna prądu przy przejściu ze stanu przewodzenia do stanu blokowania to prąd podtrzymania I H W stanie zaworowym, przy ujemnym napięciu anoda-katoda, właściwości tyrystora są podobne do właściwości diody. Dopóki napięcie nie przekroczy pewnej granicznej dopuszczalnej wartości, dopóty przez tyrystor płynie niewielki prąd, którego wartość zależy od temperatury złącza. Zdolność zaworowa tyrystora jest ograniczona powtarzalnym szczytowym napięciem wstecznym U RRM i niepowtarzalnym szczytowym napięciem wstecznym U RSM. ora. W stanie przewodzenia minimalna wartość prądu, jaki musi popłynąć tuż po przełączeniu ze stanu blokowania jest określona przez prąd załączenia I HS Charakterystyka prądowo-napięciowa tyrystora W stanie blokowania, przy dodatnim napięciu anoda-katoda, gdy prąd bramki nie płynie (I G =0) przebieg charakterystyki jest podobny jak w stanie zaworowym. Przekroczenie napięcia U B0 powoduje przełączenie tyrystora w stan przewodzenia. Przełączenie tyrystora w stan przewodzenia przy napięciu mniejszym niż U B0 wymaga przepływu prądu bramki o wartości tym większej, im mniejsze jest napięcie pomiędzy anodą a katodą tyrystor 4 W stanie zaworowym złącza j 1 i j 3 są spolaryzowane w kierunku zaporowym, a złącze j 2 w kierunku przewodzenia. W miarę zwiększania napięcia przy pewnej jego wartości następuje przebicie złącza, przy czym pierwszej kolejności przebija się złącze j 1, a następnie złącze j 3. Dzieje się tak uwagi na niesymetryczne właściwości złączy wynikające z technologii produkcji. Charakterystyka tyrystora w zakresie przebicia jest podobna do charakterystyki diody. W stanie blokowania złącza j 1 i j 3 są spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze j 2 w kierunku zaporowym. Rozkłady napięć na złączach tyrystora w stanie: a) zaworowym, b) blokowania, przewodzenia W stanie przewodzenia wszystkie złącza są spolaryzowane kierunku przewodzenia. Napięcie na złączu j 2 ma przeciwną biegunowość odejmuje się od spadków napięć na złączach pozostałych. 5 Model dwutranzystorowy tyrystora Modelu zastępczy złożony z dwóch tranzystorów p1-n1-p2 i n1-p2-n2, otrzymane przez myślowe rozsunięcie struktury przeciętej wzdłuż linii przerywanej jak na rys. Można uznać, że złącza: pierwsze (p1-n1) i trzecie (p2-n2) pełnią funkcje złączy emiterowych obu tranzystorów, a złącze drugie (n1-p2) jest wspólnym złączem kolektorowym. 6 2

Analizując schemat zastępczy z uwzględnieniem pracy tranzystorów, można napisać układ równań: α 1 α 2 I CB01 I CB02 I C1 = α 1 I E1 + I CBO1 I C2 = α 2 I E2 + I CBO2 - współczynniki wzmocnienia prądowego dla tranzystorów konfiguracji WB - prądy nasycenia złącz kolektorowych. Suma prądów kolektorów musi być równa prądowi anodowemu tyrystora, zatem I C1 + I C2 = I A Wprowadzając oznaczenie Otrzymujemy wyrażenie na prąd anodowy tyrystora I C0 = I CB01 + I CB02 I I + I C 0 2 G A = 1 - ( 1 + 2 ) 7 Sterowanie prądem bramki jest podstawowym sposobem włączenia tyrystora Pozostałe możliwości: Włączanie tyrystora SCR (tj. przejście ze stanu blokowania do stanu przewodzenia) 1) wzrost napięcia anodowego w stanie blokowania tyrystora do wartości, przy której zostanie zapoczątkowany proces przebicia lawinowego zaporowo spolaryzowanym złączu j 2 - powoduje to wzrost prądu i przełączenie tyrystora do stanu przewodzenia. 2) skokowe zmiany napięcia anodowego o dużej stromości narastania zboczy. Zaporowo spolaryzowane złącze j 2 w stanie blokowania tyrystora ma określoną pojemność i przez tę pojemność przepłynie prąd, który może włączyć tyrystor. 3) przekroczenie dopuszczalnej temperatury złączy. Przy wysokiej temperaturze prąd generacji cieplnej obu tranzystorów wzrasta do wartości powodującej przełączenie tyrystora. 4) promieniowanie świetlne. Bezpośrednie naświetlenie struktury złącza j 2 powoduje generację par elektron-dziura, przez co wzrasta prąd powodując włączenie tyrystora. Wykorzystywane jest to z reguły w fototyrystorach, gdzie funkcję sterującą bramki przejmuje strumień świetlny padający przez okno obudowie tyrystora. 8 Wyłączanie tyrystora SCR (tj. przejście ze stanu przewodzenia do stanu blokowania) Tylko w jeden sposób Wyłączenie następuje po zmniejszeniu prądu anodowego tyrystora poniżej wartości prądu podtrzymania I H Zwykle wyłączenie następuje wskutek chwilowej zmiany polaryzacji napięcia przemiennego zasilającego obwód anoda-katoda tyrystora lub w wyniku przejmowania prądu tyrystora przez inny obwód równoległy znajdujący się w jego układzie pracy. 9 3

TYRYSTOR GTO Tyrystor GTO (Gate Turn-Off) może być zarówno włączany, jak i wyłączany prądem bramki. Dodatni prąd bramki włącza go, a wyłącza prąd bramki o kierunku przeciwnym. Symbole graficzne tyrystora GTO 10 Włączanie tyrystora GTO Praca tyrystora GTO w stanie blokowania i proces przełączania w stan przewodzenia jest taki sam jak tyrystora SCR. Wyłączanie tyrystora GTO Możliwe jest wyłączanie prądem bramki poprzez doprowadzenie do bramki krótkotrwałego impulsu prądowego o wartości ujemnej. Amplituda tego impulsu musi być bardzo duża (ok. 20 do 30% wartości prądu anodowego), ale czas jego trwania może być niewielki (kilka do kilkunastu mikrosekund). Układ sterujący pracą tyrystora od strony bramki musi być dostosowany do przepływu dużych wartości prądu przy wyłączaniu tyrystora GTO, co wpływa znacząco na złożoność jego budowy. 11 wewnętrzna struktura triaka TRIAK Triak jest tyrystorem dwukierunkowym symbol graficzny triaka Triak ma trzy wyprowadzenia: anodę pierwszą A1, anodę drugą A2 i bramkę G W jego strukturze można wyróżnić dwa tyrystory SCR połączone odwrotnie równolegle, przy czym mają one tylko jedną bramkę sterującą. Struktury te to: p 1 -n 1 -p 2 -n 2 i p 2 -n 1 -p 1 -n 4 12 4

charakterystyka prądowo napięciowa triaka 13 Włączanie triaka 1. Gdy U A2 > U A1 wówczas struktura p 1 -n 1 -p 2 -n 2 pracuje jak klasyczny tyrystor. Dodatni prądowy impuls bramkowy I G > 0 powoduje wzrost współczynników wzmocnienia do wartości bliskiej jedności, co przełącza triak ze stanu blokowania w stan przewodzenia 2. Gdy U A2 > U A1 i prąd bramkowy jest ujemny I G < 0 wówczas prąd bazy tranzystora n 1 -p 2 -n 3 wprowadza triak w stan przewodzenia 3. Gdy U A2 < U A1 wówczas struktura p 2 -n 1 -p 1 -n 4 pracuje jako klasyczny tyrystor a bramką jest złącze n 3 -p 2. Doprowadzenie impulsu ujemnego do bramki I G < 0 przełącza triak ze stanu blokowania do stanu przewodzenia 4. Gdy U A2 < U A1 i impuls bramkowy jest I G > 0 wówczas bramką jest złącze p 2 -n 2 i wzrost prądu bramki włącza triak Wyłączanie triaka następuje, gdy wartość prądu anodowego zmniejszy się poniżej wartości prądu podtrzymania I H 14 5