Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których rezystywność (oporność właściwa) jest rzędu 10 8 do 10-6 Ohm*m.
|
|
- Judyta Nowak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Materiały półprzewodnikowe Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których rezystywność (oporność właściwa) jest rzędu 10 8 do 10-6 Ohm*m. Pod względem przewodnictwa zajmują miejsce pośrednie pomiędzy przewodnikami a izolatorami. W przewodnikach ładunki elektryczne (elektrony walencyjne) mogę się swobodnie poruszać wewnątrz przewodnika, natomiast w izolatorach (dielektrykach) elektrony te są unieruchomione. RóŜnice te wynikają z róŝnic budowy sieci krystalicznej poszczególnych substancji.
2 Materiały półprzewodnikowe Pasma energetyczne dla róŝnych substancji.
3 Materiały półprzewodnikowe W przypadku dobrze przewodzących metali (np. miedzi) pasmo energetyczne 1 jest tylko częściowo zajęte, więc elektrony walencyjne mogą łatwo przejść do wyŝszych poziomów (pasmo przewodnictwa), a zatem poruszać się swobodnie w ciele stałym. W przypadku izolatora, np. chlorku sodu, pasmo 1 jest całkowicie zajęte, a pasmo przewodnictwa jest energetycznie za wysoko, aby pozwolić jakiejkolwiek znaczącej liczbie elektronów pasma 1 przeskoczyć tę przerwę energetyczną. W czystym półprzewodniku, np. krzemie, pasmo 1 jest równieŝ całkowicie wypełnione, ale pasmo przewodnictwa jest energetycznie blisko, tak więc elektrony mogą łatwo "przeskoczyć" na niezapełnione poziomy tego pasma.
4 Materiały półprzewodnikowe Przewodnictwo elektryczne w półprzewodnikach jest wynikiem niezaleŝnego ruchu dwóch rodzajów nośników: dziur i elektronów. Są one skutkiem braku lub nadmiaru elektronu walencyjnego w sieci krystalicznej. Koncentracje nośników elektrycznych w półprzewodnikach moŝna zmieniać w bardzo szerokich granicach przez zmianę temperatury półprzewodnika lub natęŝenia padającego na niego światła lub nawet przez ściskanie lub rozciąganie półprzewodnika.
5 Materiały półprzewodnikowe Przewodnictwo elektryczne w półprzewodnikach jest wynikiem niezaleŝnego ruchu dwóch rodzajów nośników: dziur i elektronów. Są one skutkiem braku lub nadmiaru elektronu walencyjnego w sieci krystalicznej. Koncentracje nośników elektrycznych w półprzewodnikach moŝna zmieniać w bardzo szerokich granicach przez zmianę temperatury półprzewodnika lub natęŝenia padającego na niego światła lub nawet przez ściskanie lub rozciąganie półprzewodnika.
6 Materiały półprzewodnikowe Rodzaje półprzewodników: samoistne półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez Ŝadnych Zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur, domieszkowane (niesamoistne) domieszkowanie polega na wprowadzeniu do struktury kryształu dodatkowych atomów pierwiastka, który nie wchodzi w skład półprzewodnika samoistnego.
7 Materiały półprzewodnikowe Wprowadzenie domieszki produkującej nadmiar elektronów (w stosunku do ilości niezbędnej do stworzenia wiązań) powoduje powstanie półprzewodnika typu n, domieszka taka zaś nazywana jest domieszką donorową. W takim półprzewodniku powstaje dodatkowy poziom energetyczny połoŝony w obszarze energii wzbronionej bardzo blisko dna pasma przewodnictwa, lub w samym paśmie przewodnictwa. Nadmiar elektronów jest uwalniany do pasma przewodnictwa (prawie pustego w przypadku półprzewodników samoistnych) w postaci elektronów swobodnych zdolnych do przewodzenia prądu. Mówimy wtedy o przewodnictwie elektronowym lub przewodnictwie typu n
8 Materiały półprzewodnikowe Wprowadzenie domieszki produkującej niedobór elektronów powoduje powstanie półprzewodnika typu p domieszka akceptorową. W takim półprzewodniku powstaje dodatkowy poziom energetyczny (poziom akceptorowy) połoŝony w obszarze energii wzbronionej bardzo blisko wierzchołka pasma walencyjnego lub w samym paśmie walencyjnym. Poziomy takie wiąŝą elektrony z paśma walencyjnego (prawie zapełnionego) powodując powstanie w nim wolnych miejsc, tzw. dziur elektronowych. Dziura zachowuje się jak swobodna cząstka dodatnia zdolna do przewodzenia prądu - przewodnictwo dziurowe. Dziury, ze względu na swoją masę efektywną, zwykle większą od masy efektywnej elektronów, mają mniejszą ruchliwość, a przez to oporność materiałów typu p jest z reguły większa niŝ materiałów typu n.
9 łącze półprzewodnikowe Złą Styk dwóch rodzajów materiałów półprzewodnikowych nazywany jest złączem n-p. Większość elementów półprzewodnikowych zawiera jedno lub więcej takich złącz. Aby powstało złącze półprzewodnikowe, zmiana koncentracji nośników powinna zachodzić na odcinku nie dłuŝszym niŝ 1µm. W złączu n-p powstaje dyfuzja nośników, czyli samoistne ich przejście do sąsiedniego obszaru półprzewodnika i zmiana ich koncentracji, na skutek czego tworzy się bariera potencjału. a) rozkład koncentracji ładunku b) bariera potencjału
10 Złącze półprzewodnikowe Polaryzacja złącza n-p a) zaporowo złącze nie przewodzi prądu b) w kierunku przewodzenia złącze przewodzi prądu
11 Elementy półprzewodnikowe Diody Tranzystory bipolarne unipolarne Tyrystory Triaki Pozostałe elementy
12 Dioda półprzewodnikowa Symbole diody Końcówki: Anoda Katoda
13 Dioda półprzewodnikowa gdy i>0 wtedy R małe gdy i<0 wtedy R duŝe
14 Dioda półprzewodnikowa Charakterystyka diody Charakterystyka uproszczona
15 Parametry: Dioda półprzewodnikowa U F napięcie przewodzenia (Si 0,7 0,9V ; Ge 0,3 0,4V; GaAs 1,1 1,2V) I F prąd przewodzenia I FSM niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia I FRM powtarzalny szczytowy prąd przewodzenia, U R dopuszczalne napięcie wsteczne U RSM niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne, które moŝe pojawić się na diodzie przypadkowo w znacznych odstępach czasu, U RRM powtarzalne napięcie wsteczne
16 Parametry diody c.d. I R prąd wsteczny (I0) P tot straty mocy przy danej temperaturze otoczenia diody małej mocy <1W diodyśredniej mocy od 1W do 10 W diody duŝej mocy >10W T jmax dopuszczalna temperatura złącza
17 Diody przełączające Diody impulsowe są przeznaczone do przełączania napięć i prądów oraz do formowania impulsów elektrycznych. W układach spełniają one najczęściej funkcję tzw. kluczy, czyli przełączników.
18 Właściwości dynamiczne diod Proces przełączania diody mocy ze stanu przewodzenia do stanu zaporowego i odwrotnie nazywa się komutacją. Proces komutacji składa się z dwóch części: procesu załączania i procesu wyłączania. W obu tych procesach na przez diodę płynie prąd znacznie większy od prądu wstecznego i jednocześnie na jej zaciskach występuje napięcie znaczne większe od napięcia przewodzenia. W efekcie impuls mocy chwilowej jaka wydziela się w diodzie ma znaczną amplitudę i przy częstych przełączeniach kumulacja energii moŝe być tak duŝa, Ŝe dioda ulegnie zniszczeniu w wyniku przegrzania struktury półprzewodnikowej.
19 Właściwości dynamiczne diod W procesie załączania istotna jest takŝe szybkość narastania prądu przewodzenia, poniewaŝ na występującej w strukturze płytki krzemowej indukcyjności oraz na indukcyjności wyprowadzeń będą indukowały się napięcia, które dodając się do napięcia zasilania spowodują wystąpienie przepięcia i w konsekwencji uszkodzenie diody. W procesie wyłączania istotny jest natomiast prąd wsteczny diody poniewaŝ przewodząca wstecznie dioda moŝe spowodować po załączeniu innego elementu niekontrolowane zwarcie w układzie przekształtnika.
20 Właściwości dynamiczne diód Dla procesu komutacji istotnymi parametrami są zatem: di F /dt - maksymalna szybkość narastania prądu przewodzenia t fr - czas ustalania się napięcia przewodzenia t rr czas ustalania charakterystyki wstecznej
21 Praca przełączająca diody
22 Dioda Schottkyego - symbol W przypadku, gdy chcemy włączyć diodę w układ z sygnałem o duŝej częstotliwości to lepiej jest zastosować diodę Schottky'ego. W diodzie Schottky'ego miejsce złącza p-n zajmuje złącze metal-półprzewodnik, które teŝ ma właściwości prostownicze (przepuszczanie prądu w jednym kierunku). Ładunek magazynowany w takim złączu jest bardzo mały i dlatego typowy czas przełączania jest rzędu 100ps. Oprócz tego diody Schottky'ego mają mniejsze napięcie przewodzenia niŝ diody krzemowe (U F =0,3V).
23 Dioda Zenera Diody Zenera i diody lawinowe (stabilistory) są diodami krzemowymi, które stosuje się do stabilizacji napięć stałych. Diody takie pracują spolaryzowane w kierunku wstecznym. W kierunku przewodzenia zachowują się jak zwykłe diody. Diody o napięciu przebicia U Z0 < 6V mają ujemny współczynnik temperaturowy napięcia przebicia i dominującym jest w nich zjawisko Zenera, a w diodach o U Z0 > 6V współczynnik temperaturowy napięcia przebicia jest dodatni i dominującym zjawiskiem jest zjawisko lawinowe.
24 Dioda Zenera - charakterystyka Diody Zenera parametry U Z0 napięcie przebicia (Zenera) 2,4V; 2,7V; 3,0V; 3,3V; 3,6V; 3,9V;4,3V; 4,7V; 5,1V; 5,6V; 6,2V; 6,8V; 7,5V; 8,2V; 9,1V; 10V; 11V; 12V; 13V; 15V; 16V; 18V; 20V; 22V; 24V; 27V;... I Z prąd diody Zenera (max) P tot straty mocy
25 Fotodioda W fotodiodach wykorzystano tzw. efekt fotoelektryczny prosty, który polega tym, Ŝe w materiale półprzewodnikowym, pod wpływem światła padającego na złącze następuje jonizacja atomów sieci krystalicznej i generacja par elektron-dziura.
26 Diody elektroluminescencyjne LED W diodach elektroluminescencyjnych wykorzystano tzw. efekt fotoelektryczny odwrotny, w którym dioda emituje światło pod wpływem przepływającego przez złącze prądu. Przy polaryzacji w kierunku zaporowym dioda elektroluminescencyjna zachowuje się ja zwykła dioda sygnałowa. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody LED ma kształt podobny do charakterystyki diody sygnałowej. Napięcia przebicia są niewielkie od 3 V do 10 V. Spadek napięcia przy polaryzacji w kierunku przewodzenia (dioda świeci) leŝy w zakresie wartości od 1,2 V do 5 V.
27 Diody elektroluminescencyjne LED I F = 20mA U FR = 1,7V U FY =1,9V U FG =2,1V U FB =3,7V U FW =3,6V
28 Diody elektroluminescencyjne LED
29 Dioda tunelowa i=f (u) u=f -1 (i) Pomiędzy punktami szczytu i doliny dioda tunelowa ma ujemną rezystancję dynamiczną. JeŜeli rezystancja obwodu dołączonego równolegle do diody tunelowej jest większa od ujemnej rezystancji dynamicznej diody powstały w ten sposób układ będzie niestabilny. Tę właściwość diody tunelowej wykorzystano przy odtłumianiu obwodów rezonansowych w prostych generatorach z obwodami rezonansowymi LC w zakresie wielkich częstotliwości.
30 Parametry diody 1N4007
31 Parametry diody 1N4148 (max)
32 Parametry diody 1N4148 (typ)
33 Parametry diody Bat43 (max) Schottkyego
34 Parametry diody Bat43 (typ)
35 Parametry diody POWER LED
36 Parametry diody POWER LED > 26 lat >14 lat >3,3 lata >250 dni
37 Tranzystory bipolarne npn diody połączone anodami pnp diody połączone katodami
38 Tranzystory bipolarne Oznaczenia napięć i prądów tranzystorów
39 Tranzystory bipolarne Sposoby zasilania tranzystorów
40 Tranzystory bipolarne Elementarne układy pracy układ WE
41 Tranzystory bipolarne Elementarne układy pracy układ WE PołoŜenie punktu pracy
42 Tranzystory bipolarne Elementarne układy pracy układ WE C1, C2 kondensatory separujące Ustalanie punktu pracy- polaryzacja stałym prądem bazy.
43 Tranzystory bipolarne Elementarne układy pracy układ WK Wtórnik emiterowy
44 Tranzystory bipolarne Elementarne układy pracy układ WB
45 Tranzystory bipolarne Tranzystor pracujący w układzie WE charakteryzuje się: * duŝym wzmocnieniem prądowym, * duŝym wzmocnieniem napięciowym, * duŝym wzmocnieniem mocy. Tranzystor pracujący w układzie WB charakteryzuje się: # małą rezystancją wejściową, # bardzo duŝą rezystancją wyjściową, # wzmocnienie prądowe blisko jedności Tranzystor pracujący w układzie WK charakteryzuje się: # duŝą rezystancją wejściową co ma istotne znaczenie we wzmacniaczach małej częstotliwości, # wzmocnieniem napięciowym równym jedności, # duŝym wzmocnieniem prądowym
46 Układ Darlingtona Tranzystory bipolarne Tranzystor złoŝony w układzie Darlingtona: wzrost współczynnika wzmocnienia, wzrost rezystancji wejściowej, malenie rezystancji wyjściowej
47 Tranzystory bipolarne Wzmacniacz róŝnicowy Wykorzystywany jest jako stopień wejściowy wzmacniaczy prądu stałego oraz w scalonych wzmacniaczach operacyjnych (w formie rozbudowanej)
48 Charakterystyki Tranzystory bipolarne
49 Tranzystory bipolarne I E =I C +I B U BE 0,6-0,7V U CE =U BE +U CB
50 Tranzystory bipolarne Model małosygnałowy (zlinearyzowany)
51 Tranzystory bipolarne Model małosygnałowy czwórnikowy dla układu WE
52 Tranzystory bipolarne Model małosygnałowy czwórnikowy dla układu WE
53 Tranzystory bipolarne h 21e =β - małosygnałowy współczynnik wzmocnienia (WE) h 21b = α - wielkosygnałowy współczynnik wzmocnienia (WB) I E =I C +I B
54 Tranzystory bipolarne - parametry I Cmax maksymalny prąd kolektora U CEmax maksymalne napięcie kolektor-emiter (wartość zaleŝy od sposobu wysterowania tranzystora) h FE współczynnik wzmocnienia prądowego P tot maksymalną moc strat w kolektorze lub tranzystorze U BEmax maksymalne napięcie wsteczne baza-emiter I Bmax maksymalny prąd przewodzenia złącza baza-emiter f α częstotliwość, przy której wartość współczynnika α zmniejszy się o 3 db f β częstotliwość przy której wartość współczynnika β zmniejszy się o 3 db f T częstotliwość przy której wartość współczynnika β zmniejszy się do wartości 1
55 Fototranzystor Fototranzystorem nazywamy element półprzewodnikowy z dwoma złączami p-n. Działa tak samo jak tranzystor z tą róŝnicą, Ŝe prąd kolektora nie zaleŝy od prądu bazy, lecz od natęŝenia promieniowania oświetlającego obszar bazy. Oświetlenie wpływa na rezystancję obszaru emiter-baza. Wykorzystuje się tu zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne, tj. zjawisko fotoprzewodnictwa. Fotoprzewodnictwo polega na zwiększaniu przewodnictwa elektrycznego pod wpływem energii promieniowania powodującej jonizacje atomów w danym ciele, wskutek czego zwiększa się liczba swobodnych elektronów powstających w tym ciele. Fototranzystor jest detektorem o czułości wielokrotnie większej niŝ czułość fotodiody, poniewaŝ prąd wytworzony pod wpływem promieniowania ulega dodatkowemu wzmocnieniu. Fototranzystory wykonuje się najczęściej z krzemu.
56 Fototranzystor IR
57 Tranzystor BC337
58 Tranzystor BD135
59 Tranzystor TIP122
60 Tranzystory unipolarne (polowe) Tranzystory polowe tak jak i tranzystory bipolarne są elementami półprzewodnikowymi. RóŜnią się od bipolarnych tym, Ŝe są sterowane polem elektrycznym co oznacza, Ŝe nie pobierają mocy na wejściu oraz faktem, ze w ich działaniu bierze udział jeden rodzaj ładunków stąd nazwa: unipolarne. Pomimo róŝnicc oba rodzaje tranzystorów mają wspólną cechę: są to elementy działające na zasadzie sterowania przepływem ładunku. W obu przypadkach są to elementy trzykońcówkowe (kolektorowi C odpowiada dren D, emiterowi E -źródło S, a bazie B - bramka G.), w których przewodność między dwoma końcówkami zaleŝy od liczby nośników ładunków znajdujących się między nimi, a z kolei liczba nośników ładunków zaleŝy od wartości napięcia doprowadzonego do elektrody sterującej zwanej bazą w tranzystorach bipolarnych lub bramką w tranzystorach polowych.
61 Tranzystory unipolarne (polowe) JFET N MOSFET P * Tranzystory złączowe - JFET (Field-Effect Transistor) * Tranzystory polowe z izolowaną bramką MOSFET (metal-tlenek-półprzewodnik) * Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT (Thin Film Transistor)
62 Tranzystory unipolarne (polowe) Polaryzacja tranzystorów unipolarnych złączowych z kanałem typu n z kanałem typu p
63 Tranzystory unipolarne (polowe) Charakterystyki przejściowe - zaleŝność I D od U GS przy ustalonym U DS Charakterystyki wyjściowe zaleŝność I D i U DS przy U GS jako parametrze
64 Tranzystory unipolarne (polowe) Wielkości charakterystyczne dla charakterystyk przejściowych : napięcie odcięcia bramka źródło U GSOFF napięcie jakie naleŝy doprowadzic do bramki, aby przy ustalonym napięciu U DS nie płynął prąd drenu prąd nasycenia I DSS prąd drenu płynący przy napięciu U GS =0 i określonym mapięciu U DS
65 Tranzystory unipolarne (polowe) Parametry: R DSON rezystancja statyczna włączenia dren-źródło tranzystora pracującego w zakresie liniowym charakterystyki przy U GS =0 I Dmax prąd drenu maksymalny U DSmax napięcie maksymalne źródło-dren P tot U GSOFF
66 Tranzystory unipolarne (polowe) Tranzystory MOSFET niewiele się róŝnią od JFET. Izolowana bramka powoduje Ŝe praktycznie nie płynie przez nią prąd. JFET > 1pA 10nA MOSFET > 1000 x mniejszy prąd bramki
67 Tranzystory unipolarne (polowe)
68 Tranzystor IRF540
69 Tranzystor IRF540 (typ1)
70 Tranzystor IRF540 (typ2)
71 Tyrystor
72 Tyrystor A-obszar nieprzełączania B- obszar moŝliwych przełączeń C- obszar pewnych przełączeń Załączenie tyrystora jest moŝliwe po przekroczeniu określonego napięcia i prądu anodowego oraz podaniu impulsu bramkowego. Wyłączenie tyrystora zmniejszenie prądu anodowego poniŝej prądu podtrzymania I H lub zmiana polaryzacji.
73 Tyrystor - parametry U DRM dopuszczalna wartość szczytowa napięcia blokowania U RRM dopuszczalna wartość szczytowa napięcia wstecznego I T dopuszczalny prąd przewodzenia I GT prąd bramki
74 Triak Triaki moŝna załączać zarówno przy dodatnim, jak i ujemnym napięciu anodakatoda. (Anoda1- Anoda2)
75 Triak BT138
76 Diak Diak jest elementem dwuzłączowym o symetrycznej strukturze pnp. Ma symetryczną charakterystykę prądowo-napięciową. MoŜna go traktować jak dwa połączone odwrotnie równolegle łączniki progowe.
SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych
Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoWYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPrzewodniki, półprzewodniki i izolatory
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier Tyrystory
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoMiłosz Andrzejewski IE
Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA
ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe przyrządy mocy
Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoTemat: Tyrystor i triak.
Temat: Tyrystor i triak. Tyrystor jest to półprzewodnikowy element który składa się z 4 warstw w układzie P N P N. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoWłączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie
Ćwiczenie 6 WYRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 1. el ćwiczenia Większość z dostępnych na rynku urządzeń elektronicznych wymaga zasilania napięciem i prądem stałym. Jak wiadomo, napięcie i prąd w gniazdkach
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowo