Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
|
|
- Karol Marek
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
2 Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier
3 Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 n 1 n 1 p 2 p 2 I G G n 2 I K K
4 Tyrystory konwencjonalne schemat równoważny
5 Tyrystory konwencjonalne równania W przypadku gdy I G = 0: I A I C0 1 N1 N 2 Gdy nastąpi powielanie lawinowe: I A MI C0 1 M N1 N 2 M wsp. Powielania lawinowego Kiedy I A wzrośnie??? Gdy: M 1 N 1 N 2
6 Tyrystory konwencjonalne równania Wpływ prądu bramki: N N G N C A I I I Wsp. wzmocnienia prądowego: G A G A I I i i
7 Tyrystory konwencjonalne charakterystyki wyjściowe
8 Tyrystory konwencjonalne charakterystyki wejściowe Charakterystyki bramkowe: 1 - obszar nieprzełączania, 2 obszar możliwych przełączeń, 3 obszar pewnych przełączeń, 4 obszar szkodliwych przełączeń
9 Tyrystory konwencjonalne praca impulsowa Krytyczna stromość narastania napięcia blokowania (a co za tym idzie prądu): du AK [ V / s dt ] jest to największa dopuszczalna wartość stromości narastania napięcia anoda katoda, o wartość maksymalnej mniejszej pd danego U B, nie powodująca przełączania tyrystora w stan przewodzenia. i A C duak C jc dt 1 jc C 1 C 2 jc1 jc 2 Występuje efekt Millera zwiększający prąd: eff 1 i A W konsekwencji: duak Ceff dt C C 1 jc 2
10 Tyrystory konwencjonalne praca impulsowa
11 Tyrystory konwencjonalne parametry - graniczne napięcie przełączania U B0 - graniczny prąd przewodzenia I C0max przy U B0 - dopuszczalne napięcię anoda katoda w stanie nieprzewodzenia (około 0.8U B0 ) - dopuszczalny prąd anododwy w stanie przewodzenia I T(AV) - prąd anodowy w stanie przewodzenia (dla U AK = 1V) - prąd podtrzymania I H - maksymalne napięcię wsteczne U RSM - dopuszczalne wsteczne napięcie anodowe U RRM (równe 0.8U RSM ) - maksymalna moc admisyjna - napięcie przełączające bramki U GT - prąd przełączający bramki I GT
12 Tyrystory konwencjonalne model R1 wpływa na część ch-ki U-I o ujemnym nachyleniu R2 wpływa na wartośc prądu podtrzymania I H R3 wpływa na wartość U B0
13 Tyrystory konwencjonalne rodzaje Sieciowe najstarszy typ, stosowane w układach o częstotliwościach pracy 50, 60 Hz jako sterowane prostowniki i włączniki. Szybkie przystosowane do pracy przy częstotliwościach 2 10 khz, budowa z wykorzystaniem tzw. bramki wzmacniającej: dwie struktury pnpn: pomocnicza i główna. Po podaniu impulsu bramkowego włącza się struktura pomocnicza, wywołany w niej przepływ prądu anodowaego włącza strukturę główną. Stosowane jako przełączniki mocy Impulsowe - o bardzo krótkich czasach przełączania, dużych wartościach chwilowego prądu szczytowego i małych średniego, stosowane np. w urządzeniach radarowych
14 Tyrystory konwencjonalne rodzaje Czasy wyłączania tyrystorów wynoszą: - dla napięcia U B0 równych ok. 1kV (12 20) s - dla napięcia U B0 równych ok. 2kV (40 60) s - dla napięć U B0 równych ok. 3 kv (80 100) s Prądy znamionowe nie przekraczają zwykle 2 ka.
15 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor Dla dodatniej polaryzacji bramki sterujemy załączaniem tyrystora tak jak w przypadku SCR. Gdy do bramki doprowadzimy prąd o ujemnej polaryzacji i wartości około 20% prądu anodowego wyłączamy tyrystor.
16 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor
17 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor
18 Tyrystor wyłączany prądem bramki GTO Gate Turn off Thyristor Czasy wyłączania tyrystorów wynoszą (10 40) ms. Prądy znamionowe nie przekraczają 3 ka. Maksymalne częstotliwości pracy wynoszą 2 khz. Maksymalny narost napięcia 1.3 kv/s.
19 Triak tyrystor dwukierunkowy
20 Triak tyrystor dwukierunkowy
21 Dynistor dioda Shockleya Jest to tyrystor bez bramki. Przejście w stan przewodzenia następuje po przekroczeniu odpowiedniej wartości napięcia anoda katoda (U B0 ) I A I A p 1 j 1 + n 1 j C - U B0 U AK p 2 n 2 j 2 I K Stosowany w układach elektronicznych małej mocy jako element przełączający.
22 Fototyrystory LTT Light Triggered Thyristor Załączany strumieniem świetlnym (światło uwalnia dodatkowe pary nośników co powoduje wzrost prądu anodowego). Wiązka światła wytwarzana np. przez laser jest doprowadzona do struktury tyrystora światłowodem. Takie rozwiązanie umozliwia izolację galwaniczną obwodu sterującego od obwodu sterowanego zazwyczaj wysoko napięciowego/prądowego. I A I A R F p 1 p 1 j 1 + j 1 + n 1 j C - n 1 j C - p 2 p 2 j 2 j 2 n 2 n 2 I K I K
23 Diak dwukierunkowa dioda Shockleya Dynistor pracujący dwukierunkowo. I A -U B0 U AK U B0 Stosowany w układach sterowania tyrystorów.
24 Tyrystory asymetryczne ASCR Asymetrical Silicon Controlled Rectifier ASCR tyrystor o niskim napięciu wstecznym (20V 50V) i o dużym napięciu blokowania ok.. 2kV. Tyrystory te charakteryzują się krótkim czasem wyłączania (dla U B0 = 1.2kV t q = 8-20 s, dla 2kV t q = 25 40s). Dopuszczalne częstotliwości przełaczania wynoszą khz. Maksymalny narost napięcia (0.4 1) kv/s. Maksymalny narost prądu ( ) ka/s Posiadająmniejsze straty mocy niż klasyczne SCR.
25 Tyrystory asymetryczne ASCR Asymetrical Silicon Controlled Rectifier
26 RCT (Reverse Conducting Thyristor) Tyrystory przewodzące wstecznie Tyrystor przełączany impulsami prądu bramki. Posiada wbudowaną diodę przewodzacą dla polaryzacji wsteczne napięcia A-K tyrystora (zamiast łączenia równolegle do SCR diody). Dla U B0 = 1.2kV t dr = (10 15) s, dla 2kV (20 40) s, a dla 2.5 kv (40-60) s. Maksymalny narost napięcia (0.4 1) kv/s. Częstotliwości pracy (10-20) khz.
27 RCT (Reverse Conducting Thyristor) Tyrystory przewodzące wstecznie
28 SITH (Static Induction Thyristor) Tyrystory elektrostatyczne Stosuje się także nazwy: FCT ( Field Controlled Thyristor), FCD ( Field Controlled Thyristor). Tyrystory te przewodzą prąd przy braku sygnału sterującego. Przerwe w przewodzeniu uzyskuje się poprzez doprowadzenie do bramki ujemnego względem katody napięcia. Maksymalne napięcia włączające tyrystor wynoszą (1.5 2) kv. Maksymalny prąd przewodzenia wynosi 0.8 ka. Czas załaczenia wynosi 2 s a wyłaczenia (2 3) s. Maksymalny narost prądu 0.9 ka/s. Częstotliwości pracy ( ) khz.
29 SITH (Static Induction Thyristor) Tyrystory elektrostatyczne
30 MCT (MOS Controlled Thyristor) Tyrystory sterowane napięciowo Siemens stosuje nazwę MOS GTO. Działa jak klasyczny tyrystor z tym że sterowanie odbywa się tak jak w tranzystorach MOS (wciąż w fazie badawczej) Zaleta możliwość bezpośredniego sterowania z układów logicznych typu CMOS.
31 MCT (MOS Controlled Thyristor) Tyrystory sterowane napięciowo
32 Tyrystory porównanie właściwości
33 Tyrystory porównanie właściwości
34 Tyrystory porównanie właściwości
35 Tyrystory porównanie właściwości
36 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Połączenie właściwości tranzystorów: bipolarnego i polowego: - niskie napięcie przewodzenia, - krótkie czasy przełączania: t on (0.4 1) s, t off (0.8 2) s, - częstotliwości pracy (10 50) khz, - duża impedancja wejściowa, - duża dopuszczalna gęstość prądów - duży obszar pracy bezpiecznej
37 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Struktura i schemat zastępczy
38 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Charakterystyki wyjściowe i przejściowe
39 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Obszar pracy bezpiecznej
40 IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor) Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką
41 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Sterowany napięciowo tranzystor w którym regulujemy przepływ prądu bramki (tak jak MOSFET). Charakteryzuje się mniejszymi od tranzystorów MOSFET stratami mocy i wiekszymi mocami przenoszonymi. Właściwości przyrządu: - zdolność do pracy przy b. dużych napięciach, - dobre właściwości łączeniowe - konstrukcję ułatwiającą chłodzenie
42 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Symbol i budowa
43 SIT ( Static Induction Transistor) Tranzystor elektrostatyczny Charakterystyki tranzystora
44 Tranzystory przełączające mocy - porównanie
45 Tranzystory przełączające mocy - porównanie
46 Tranzystory przełączające mocy - porównanie
47 Tranzystory przełączające mocy - porównanie
48 Tranzystory przełączające mocy kryteria doboru dla różnych układów przekształcających
49 Tranzystory przełączające mocy moc strat dla kluczowania prądu stałego Wsp. wypełnienia 50%
50 Tranzystory przełączające mocy moc strat tranzystorów stosowanych w falownikach impulsowych f = 50Hz, cosf = I = 0.8I m I = 1.25I m
7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.
POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTemat: Tyrystor i triak.
Temat: Tyrystor i triak. Tyrystor jest to półprzewodnikowy element który składa się z 4 warstw w układzie P N P N. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe przyrządy mocy
Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoWłączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA
ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoWykaz symboli, oznaczeń i skrótów
Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)
Laboratorium Energoelektroniki BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT) Prowadzący: dr inż. Stanisław Kalisiak dr inż. Marcin Hołub mgr inż. Michał Balcerak mgr inż. Tomasz Jakubowski
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoEnergoelektronika Cyfrowa
Energoelektronika Cyfrowa dr inż. Maciej Piotrowicz Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ piotrowi@dmcs.p.lodz.pl http://fiona.dmcs.pl/~piotrowi -> Energoelektr... Energoelektronika Dziedzina
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI I ENERGOELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 Prostowniki sterowane trójpulsowe KATEDRA ELEKTRONIKI WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI WPROWADZENIE Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoElementy i Układy Sterowania Mocą
Elementy i Układy Sterowania Mocą Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 15 godz. laboratorium 15 godz. Materiały
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ENERGOELEKTRONIKA WYKŁAD 1
ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA ENERGOELEKTRONIKA WYKŁAD 1 Program wykładów 1. Energoelektronika cele i zadania, ogólna charakterystyka przedmiotu Celem energoelektroniki jest przetwarzanie i sterowanie
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.1 Dioda 3.2 Tranzystor bipolarny BJT 3.3 Tyrystor SCR P W Mieczysław Nowak Instytut
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.7 Nietypowe i rzadko stosowane łączniki mocy/ Kierunki rozwoju i specyfika aplikacji
Bardziej szczegółowoTemat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe
Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe 1. Wprowadzenie Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia
Bardziej szczegółowoĆwicz. 4 Elementy wykonawcze EWA/PP
1. Wprowadzenie Temat ćwiczenia: Przekaźniki półprzewodnikowe Istnieje kilka rodzajów przekaźników półprzewodnikowych. Zazwyczaj są one sterowane optoelektrycznie z pełną izolacja galwaniczną napięcia
Bardziej szczegółowo2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
2. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE 2.1. DODY ENERGETYCZNE Wykorzystywanie właściwości zaworów o parametrach energetycznych w układach energoelektronicznych przedstawia rysunek 2.1. (+) Obszar uszkodzeń lub zniszczenia
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoWydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Ćwiczenie nr 4 Energoelektronika układy prądu zmiennego. Wstęp Energoelektronika to dział elektroniki, zajmująca się projektowaniem i stosowaniem
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoProste układy wykonawcze
Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoProwadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h
Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzykładowe pytania do przygotowania się do zaliczenia poszczególnych ćwiczeń z laboratorium Energoelektroniki I. Seria 1
ENERGOELEKTRONIKA Laboratorium STUDIA STACJONARNE EEDI-3 Przykładowe pytania do przygotowania się do zaliczenia poszczególnych ćwiczeń z laboratorium Energoelektroniki I. Seria 1 1. Badanie charakterystyk
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoW4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC)
W4. UKŁADY ZŁOŻONE I SPECJALNE PRZEKSZTAŁTNIKÓW SIECIOWYCH (AC/DC, AC/AC) W W2 i W3 przedstawiono układy jednokierunkowe 2 i 3-pulsowe (o jednokierunkowym prądzie w źródle napięcia przemiennego). Ich poznanie
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoPL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1. (54) Tranzystorowy zasilacz łuku spawalniczego prądu stałego z przemianą częstotliwości
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 169111 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 296357 (22) Data zgłoszenia: 23.10.1992 (5 1) IntCl6: B23K 9/09 (54)
Bardziej szczegółowoDANE: wartość skuteczna międzyprzewodowego napięcia zasilającego E S = 230 V; rezystancja odbiornika R d = 2,7 Ω; indukcyjność odbiornika.
Zadanie 4. Prostownik mostkowy 6-pulsowy z tyrystorami idealnymi o komutacji natychmiastowej zasilany z sieci 3 400 V, 50 Hz pracuje z kątem opóźnienia załączenia tyrystorów α = 60º. Obciążenie prostownika
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu
Zespół Szkół Technicznych im. J. i J. Śniadeckich w Grudziądzu Laboratorium Elektryczne Pracownia Automatyki i Robotyki (s.48) Instrukcja Laboratoryjna: 11. BADANIE I ZASTOSOWANIE UKŁADÓW Z TYRYSTORAMI
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH 3. Przegląd właściwości łączników mocy 3.4 Tyrystor GTO/Tyrystor GCT 3.5 Tranzystor polowy MOSFET 3.6 Tranzystor IGBT
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
Bardziej szczegółowoElementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne
Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje
Bardziej szczegółowo5. Elektronika i Energoelektronika test
5. Elektronika i Energoelektronika test 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A)
Bardziej szczegółowo5. Elektronika i Energoelektronika
5. Elektronika i Energoelektronika 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A) Wyższy
Bardziej szczegółowo(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/BE00/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 207881 (21) Numer zgłoszenia: 364697 (22) Data zgłoszenia: 11.07.2000 (13) B1 (51) Int.Cl. H03K 17/082 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE
ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE Opracował: mgr inż. Adam Kowalczyk Pierwotna wersja ćwiczenia i instrukcji jest dziełem mgr. inż. Leszka Widomskiego WPROWADZENIE Działanie i parametry przełącznika
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoCyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem
Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,
Bardziej szczegółowo(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2328264 (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 29.09.2009 09171606.8 (13) (51) T3 Int.Cl. H02M 5/27 (2006.01)
Bardziej szczegółowoW2. Wiadomości nt. doboru termicznego (część 1)
W2. Wiadomości nt. doboru termicznego (część 1) Wstęp: Zgodnie z podanym w pierwszym wykładzie stwierdzeniem, kluczowym zagadnieniem przy projektowaniu przekształtnika jest przeprowadzenie obliczeń termicznych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoTable of Contents. Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika. Lucas Nülle GmbH 1/14
Table of Contents Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika 1 2 2 3 Lucas Nülle GmbH 1/14 www.lucas-nuelle.pl UniTrain-I UniTrain is a multimedia e-learning system with integrated,
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoWejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych
Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych Semestr zimowy 2013/2014, WIEiK PK 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/15
PL 223865 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223865 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406254 (22) Data zgłoszenia: 26.11.2013 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoPrzekaźniki w automatyce przemysłowej
Przekaźniki w automatyce przemysłowej 1 Podział przekaźników Przekaźniki elektromagnetyczne Przekaźniki półprzewodnikowe (SSR) 2 1 Przekaźniki elektromagnetyczne Podział przekaźników ze względu na: napięcie
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Bardziej szczegółowoTrójfazowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania
Trójfazowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania Streszczenie Pracy Doktorskiej 1. Wstęp Sprawność falowników napięcia jest wysoka i zawiera się w przedziale
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowo