Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Podobne dokumenty
WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Struktura pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

GaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Zastosowanie diod elektroluminescencyjnych w pojazdach samochodowych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Urządzenia półprzewodnikowe

L E D light emitting diode

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Badanie charakterystyki diody

Elektryczne własności ciał stałych

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Badanie emiterów promieniowania optycznego

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

5. Tranzystor bipolarny

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Cel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Układy nieliniowe - przypomnienie

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

V. Fotodioda i diody LED

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

Skończona studnia potencjału

Elektryczne własności ciał stałych

Przyrządy półprzewodnikowe

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Dioda półprzewodnikowa

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

elektryczne ciał stałych

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ

W książce tej przedstawiono:

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Budowa. Metoda wytwarzania

Rozszczepienie poziomów atomowych

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Miłosz Andrzejewski IE

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

Diody LED w samochodach

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

35 KATEDRA FIZYKI STOSOWANEJ

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Zasada działania tranzystora bipolarnego

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

elektryczne ciał stałych

Tranzystory polowe JFET, MOSFET

Rozmaite dziwne i specjalne

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

10 K AT E D R A F I Z Y K I S T O S OWA N E J

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Transkrypt:

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK

PODSTAWOWE MECHANIZMY Generacja termiczna Fotogeneracja Jonizacja zderzeniowa JONIZACJI ELEKTRONY I DZIURY Kilka elektronów z pasma walencyjnego pokonuje przerwę energetyczną i przechodzi do pasma przewodnictwa Prąd elektronowy Prąd dziurowy

Ze względu na skład chemiczny pierwiastkowe zw.chemiczne ze wzgl. na właściwości fizyczne samoistne domieszkowane Ze wzgl.na zależność dyspersyjną z prostą przerwą wzbronioną z skośną przerwą wzbronioną

materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur

typu n typu p Nośniki większościowe - ELEKTRONY Nośniki większościowe - DZIURY

Złącze p-n styk obszarów o rożnym typie przewodnictwa ('p' oraz 'n') wytworzony w obrębie tego samego materiału półprzewodnikowego

nośniki większościowe przemieszczają się (dyfundują) do drugiego obszaru rekombinacja z nośnikami większościowymi 'połączenie' elektronu z dziurą rekombinacja powoduje redukcję nośników po obu stronach złącza, czego skutkiem jest pojawienie się nieruchomych jonów: ujemnych akceptorów i dodatnich donorów w pobliżu złącza powstaje warstwa ładunku przestrzennego, nazywana też warstwą zubożoną (tj. praktycznie nieposiadającą swobodnych nośników) lub warstwą zaporową

W kierunku zaporowym W kierunku przewodzenia

CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO NAPIĘCIOWA ZŁĄCZA p-n Polaryzacja zaporowa Polaryzacja przewodzenia

Złącze prostujące Przepuszczanie dodatniej części napięcia wejściowego i zatrzymanie ujemnej części tego sygnału.

Dioda LED Dioda elektroluminescencyjna, dioda świecąca, LED (ang. light-emitting diode) dioda zaliczana do półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych, emitujących promieniowanie w zakresie światła widzialnego i podczerwieni.

Dioda LED Warunkiem aby ilość emitowanego światła była duża tak by złącze było użyteczne jako źródło światła w materiale musi zachodzić dostatecznie dużo przejść dziura-elektron.

Ani czysty ani domieszkowany półprzewodnik nie zapewniają na tyle dużej ilości par elektron dziura aby można było wykorzystać je jako źródło światła Materiał można taki uzyskać silnie polaryzując w kierunku przewodnictwa silnie domieszkowane złącze p-n

Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem temperatury złącza. W zależności od długości fali i rodzaju materiału półprzewodnikowego emitują one różne barwy światła. Diody emitują promieniowanie : od 490 nm - do 950 nm Materiał Barwa GaAs Arsenek galu podczerwień GaP Fosforek galu czerwona, zielona, żółta GaAs 1-x P x Fosforoalsenek galu czerwona, pomarańczowa, żółta

Dioda LED ma napięcie przewodzenia, które wynosi 2V dla diody czerwonej i 3V dla diody zielonej i żółtej. Diody LED maja niskie napięcia zaporowe wahające się między 3, a 5V. Maksymalny prąd przewodzenia to 20-50mA, zależnie od typu diody.

Diody LED Z uwagi na: Wyższą sprawność świetlną Dłuższy czas życia Lepszą konsystencje barw Niższy koszt Zastępują żarowe oświetlenie

Laser złączowy Laser ten jest wielowarstwową strukturą półprzewodników typu n (nadmiar elektronów w paśmie przewodnictwa) i p (więcej dziur w paśmie walencyjnym). Zastosowanie: Odtwarzacze płyt (CD) Elektrokomunikacja światłowodowa

TRANZYSTOR Tranzystor - trójelektrodowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Zastosowanie: Budowa wzmacniaczy operacyjnych, akustycznych, pasmowych Element konstrukcji układów elektronicznych

TRANZYSTOR Pierwszy tranzystor został skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories. Wynalazcami są John Bardeen, Walter Houser Brattainora z William BradforShockley, za co otrzymali Nagrodę Nobla z fizyki w 1956 r.

Podział tranzystorów Tranzystory bipolarne, w których prąd wyjściowy jest funkcją prądu wejściowego (sterowanie prądowe). Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe), w których prąd wyjściowy jest funkcją napięcia (sterowanie napięciowe). Podział na materiał półprzewodnikowy: 1. german - materiał historyczny, obecnie rzadko stosowany 2. krzem - podstawowy materiał szeroko stosowany 3. arsenek galu - stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości

Tranzystor polowy MOSFET- wół roboczy współczesnego przemysłu elektronicznego Działanie opiera się na zjawiskach zachodzących w półprzewodnikach.

Układy scalone Układ scalony (chip) zminiaturyzowany układ elektroniczny zawierający w swym wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych: tranzystory, diody, rezystory, kondensatory. Przykładowo Na podłożu krzemowym o średnicy 20 cm powstaje około 300 układów.

Układy scalone

http://wazniak.mimuw.edu.pl M. P. Kaźmierkowski, J. T. Matysik: Wprowadzenie do elektroniki i energoelektroniki, Oficyna Wydawnicza PW, Warszawa 2005 J. Jaczewski, A. Opolski, J. Stolz: Podstawy elektroniki i energoelektroniki, WNT, Warszawa 1981 David Halliday, Robert Resnick, Jearl Walker Podstawy fizyki T 5