Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14FT. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (2 marca 2016)

Podobne dokumenty
Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E09IS. Komparatory. Wersja 1.0 (19 kwietnia 2016)

Ćw. 8 Bramki logiczne

Politechnika Białostocka

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Politechnika Białostocka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E12FT. Elementy optoelektroniczne. Wersja 1.0 (18 marca 2016)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

TRANZYSTORY BIPOLARNE

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Politechnika Białostocka

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

Politechnika Białostocka

Systemy cyfrowe z podstawami elektroniki i miernictwa Wyższa Szkoła Zarządzania i Bankowości w Krakowie Informatyka II rok studia

Systemy i architektura komputerów

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Politechnika Białostocka

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

3. Funktory CMOS cz.1

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Badanie diody półprzewodnikowej

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Wzmacniacze operacyjne

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Politechnika Białostocka

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Politechnika Białostocka

Zapoznanie z przyrządami stanowiska laboratoryjnego. 1. Zapoznanie się z oscyloskopem HAMEG-303.

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

BADANIE ELEMENTÓW RLC

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

TECHNIKA CYFROWA ELEKTRONIKA ANALOGOWA I CYFROWA. Układy czasowe

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E10IN. Generator przebiegu prostokątnego. Wersja 1.0 (21 marca 2016)

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Ćwiczenie E03IS. Charakterystyki tranzystorów: bipolarnego (npn) w układzie WE i unipolarnego (z kanałem typu n) Laboratorium elektroniki

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Transkrypt:

Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14FT Elementy logiczne Wersja 1.0 (2 marca 2016)

Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. ZagroŜenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny... 5 4.2. Multimetry... 6 4.3. Zasilacz laboratoryjny... 6 4.4. Generator funkcyjny... 6 4.5. Oscyloskop... 6 5. Przebieg doświadczenia... 6 5.1. Charakterystyka wejściowa bramki logicznej (wersja podstawowa)... 6 5.2. Charakterystyka przejściowa i moc rozpraszana przez bramkę logiczną (wersja podstawowa)... 7 5.3. Charakterystyka wyjściowa bramki logicznej (wersja podstawowa)... 9 5.4. ObciąŜenie wyjścia bramki linią długą (wersja rozszerzona)... 11 5.5. Wizualizacja charakterystyki przejściowej bramki logicznej (wersja rozszerzona)... 12 6. Wskazówki do raportu... 13 7. Literatura... 14 7.1. Literatura podstawowa... 14 7.2. Literatura uzupełniająca... 14-2 -

Przed zapoznaniem się z instrukcją i przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia naleŝy opanować następujący materiał teoretyczny: 1. Reprezentacja stanów logicznych 0 i 1 w najpopularniejszych typach układów logicznych TTL i CMOS. [1-3,6] 2. Opis właściwości statycznych bramek logicznych. NajwaŜniejsze charakterystyki i parametry bramek. [1-4] 3. Co to jest margines zakłóceń? [1,2,6] 4. Symbole graficzne funktorów realizujących podstawowe funkcje logiczne AND, OR, NOT, NAND, NOR, EX-OR i EX-NOR oraz funktora wzmacniającego. [1-5] 5. Porównanie konstrukcji bramek NAND zrealizowanych w technice TTL i CMOS. [1-5] 6. Dopasowanie linii długich do przenoszenia sygnałów cyfrowych. [5] 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest: 1. Zbadanie statycznych charakterystyk wejściowych, przejściowych i wyjściowych bramki logicznej. 2. Jakościowe zapoznanie się ze zniekształceniami impulsów w liniach długich przy niedopasowanej rezystancji falowej linii i źródła sygnału. 2. Zagrożenia Rodzaj Brak Małe Średnie DuŜe zagroŝenie elektryczne + zagroŝenie optyczne + zagroŝenie mechaniczne (w tym akustyczne, hałas) + zagroŝenie polem elektro-magnetycznym (poza widmem optycznym) + zagroŝenie biologiczne + zagroŝenie radioaktywne (jonizujące) + zagroŝenie chemiczne + zagroŝenie termiczne (w tym wybuch i poŝar) + Przewody z wtykami bananowymi są przeznaczone wyłącznie do uŝytku w obwodach niskiego napięcia nie wolno podłączać ich do gniazda sieci zasilającej 230 V. 3. Wprowadzenie Układy scalone zrealizowane w technice TTL (ang. Transistor-Transistor Logic) były pierwszą szeroko wykorzystywaną klasą układów cyfrowych i stały się podstawą do budowy komputerów i innych urządzeń cyfrowych. Obecnie układy o bardzo wysokiej skali integracji wykonywane są w innych technologiach, natomiast układy TTL znajdują wciąŝ szerokie zastosowanie jako logika łącząca. - 3 -

Układy TTL zbudowane są z tranzystorów bipolarnych oraz rezystorów i zasilane są napięciem stałym 5 V. Podstawową bramką dla całej rodziny TTL jest bramka NAND, w której wejścia są połączone bezpośrednio z emiterami tranzystora wieloemiterowego (rys. 1). Struktura taka jest funkcjonalnie równowaŝna układowi tranzystorów o połączonych bazach oraz kolektorach. Dodatkowe diody przyłączone do wejść bramki zabezpieczają tranzystor przed oscylacjami powstającymi na liniach łączących bramki. Rozpatrzmy dokładniej działanie układu przedstawionego na rys. 1. Przy podaniu na oba wejścia układu sygnału logicznego 1 (zbliŝonego do napięcia zasilania +5 V) złącza baza-emiter tranzystora T1 są spolaryzowane zaporowo, co umoŝliwia przepływ prądu bazy T1 przez złącze baza-kolektor do bazy tranzystora T2 powodując jego nasycenie. Napięcie kolektora T2 spada do wartości bliskiej zero, tak więc tranzystor T3 nie przewodzi. Część prądu emiterowego tranzystora T2 wpływa do bazy tranzystora T4 powodując jego przewodzenie i w konsekwencji napięcie na wyjściu Y obniŝa się do wartości około +0,2V, co odpowiada sanowi logicznemu 0. JeŜeli na chociaŝ jednym wejściu bramki jest sygnał 0, to przez złącze baza-emiter tranzystora T1 przepływa do tego wejścia prąd o typowej wartości około 1 ma. Baza T1 jest wówczas na niskim potencjale i złącza baza-kolektor T1 i baza-emiter T2 nie przewodzą. Zatkanie tranzystora T2 powoduje, Ŝe rezystor 1,6 kω podnosi napięcie jego kolektora prawie do napięcia zasilającego, powodując tym przewodzenie T3. Stan wyjścia Y wynika wówczas z pracy T3 jako wtórnika emiterowego, w konsekwencji napięcie na wyjściu Y wynosi co najmniej +3,3 V, co odpowiada stanowi logicznemu 1. Rys. 1. Struktura dwuwejściowej bramki NAND w technologii TTL, seria standardowa. Na stanowisku pomiarowym badana jest pojedyncza bramka logiczna wykonana w technice TTL, seria standardowa, realizująca funkcję NOT. PoniewaŜ bramki o małej liczbie wejść są umieszczane po kilka sztuk w jednym układzie scalonym, zastosowano układ UCY 7430 zawierający jedną 8-io wejściową bramkę NAND. Dzięki temu pomiar prądu zasilania I z badanej bramki nie jest zaburzany przez inne bramki. Na panelu czołowym modułu pomiarowego wyprowadzono tylko jedno z wejść bramki NAND, podczas gdy pozostałe znajdują się zawsze w stanie wysokim. Gdy czas przejścia sygnału przez przewód zbliŝa się do czasu narastania impulsu, w przewodzie następują zniekształcenia impulsów, odbicia i drgania tłumione. Zjawiska te moŝna ograniczyć przez dopasowanie rezystancji falowej źródła sygnału, przewodu i odbiornika. Na stanowisku pomiarowym wyjścia generatora, przewody koncentryczne i wejścia oscyloskopu mają dopasowaną rezystancję falową 50 Ω. Do sterowania długich odcinków przewodów produkuje się specjalne układy scalone zwane sterownikami linii, - 4 -

jednakŝe badana bramka nie jest przeznaczona do takich zastosowań lecz do sterowania wejść kolejnych bramek. W przypadku podłączenia do jej wyjścia przewodu koncentrycznego o długości około 1 m występują silne zniekształcenia sygnału, które są innego rodzaju przy przejściu ze stanu logicznego wysokiego do niskiego a inne przy przejściu odwrotnym - wynika to ze zmian rezystancji wyjściowej bramki, która w stanie niskim jest bardzo mała, natomiast w stanie wysokim jest duŝo większa od rezystancji falowej przewodu 50 Ω. Zniekształcenia badane są na stanowisku pomiarowym tylko w sposób jakościowy przez porównanie oscylogramów na oscyloskopie połączonym przewodem najpierw bezpośrednio z generatorem a następnie za pośrednictwem badanej bramki. 4. Dostępna aparatura 4.1. Moduł doświadczalny Panel czołowy modułu doświadczalnego przedstawiono na rys. 2. Pod względem funkcjonalnym moduł ten moŝna podzielić na cztery części: a) dzielnik napięciowy zbudowany na potencjometrze P 1 pozwalający na sterowanie wejścia bramki napięciami regulowanymi w zakresie od 0 do 5V, b) badana bramka NOT, c) rezystancyjne obciąŝenie, umoŝliwiające regulację potencjometrem P 2 prądów wyjściowych bramki w zakresie od 0 do wartości około 15 ma zbliŝonej do katalogowego maksymalnego ciągłego prądu wyjściowego, d) alternatywne obciąŝenie wyjścia badanej bramki w postaci wejść kolejnych bramek w liczbie wybieranej od 1 do 12. Rys. 2. Panel czołowy modułu doświadczalnego. - 5 -

4.2. Multimetry Pomiary napięć i natęŝeń prądów w module doświadczalnym wykonuje się przy uŝyciu trzech multimetrów cyfrowych. Na stanowisku pomiarowym mogą być uŝywane następujące modele: Metex, model M-4650 lub M-4660A, Protek 506 lub UNI-T UT804 [7]. 4.3. Zasilacz laboratoryjny Zasilanie modułu doświadczalnego zrealizowano przy uŝyciu zasilacza laboratoryjnego SIGLENT SPD3303D [7]. W tym ćwiczeniu uŝywane jest tylko wyjście o nieregulowanym napięciu +5V. 4.4. Generator funkcyjny Generator funkcyjny DF1641B [7] jest wykorzystywany jako źródło przebiegu prostokątnego zgodnego ze standardem TTL. 4.5. Oscyloskop W tym ćwiczeniu wykorzystuje się dwukanałowy oscyloskop analogowy GOS-620 albo GOS-630 [7]. 5. Przebieg doświadczenia 5.1. Charakterystyka wejściowa bramki logicznej (wersja podstawowa) 1. Podłączyć zasilacz (Z SPD3303D), miliamperomierz (ma), woltomierz (V) oraz Zworki z modułem zawierającym badaną bramkę logiczną jak na rys. 3. UWAGA: a) moduł pomiarowy powinien być zasilany z wyjścia zasilacza zapewniającego stałe napięcie +5V (gniazda z prawej strony zasilacza). Nie uŝywać wyjść umoŝliwiających płynną zmianę napięcia, b) nie wolno łączyć linii zasilania +5V i masy z gniazdami nie naleŝącymi na schemacie do tych linii. Nieprzestrzeganie powyŝszych zaleceń grozi uszkodzeniem urządzeń. 2. W amperomierzu (ma) wybrać zakres pomiarowy odpowiedni dla prądów stałych o wartościach do 1 ma (zakres 2 ma DC w przypadku multimetrów Metex M-4650 i M-4660A, automatyczny zakres albo zakres 40 ma DC w multimetrze UNI-T UT804, natomiast multimetr Protek 506 nie jest zalecany do tego pomiaru z powodu braku odpowiedniego zakresu pomiarowego). 3. Na woltomierzu (V) wybrać zakres pomiarowy odpowiedni dla napięć stałych o wartościach do 5 V (zakres 20 V DC w multimetrach Metex M-4650 i M-4660A, automatyczny zakres albo zakres 40 V DC w multimetrach Protek 506 i UNI-T UT804). - 6 -

4. Po uzyskaniu zezwolenia od opiekuna włączyć zasilacz. Sprawdzić czy świeci się czerwona dioda umieszczona w module pomiarowym na linii +5V. 5. Zmieniając potencjometrem P 1 napięcie wejściowe bramki U we w zakresie od 0 do 5V wyznaczyć zaleŝność prądu wejściowego I we od U we. Dla napięć U we wynoszących około 1,3 1,6 V naleŝy zwrócić uwagę na zmniejszenie kroku pomiarowego, poniewaŝ w tym obszarze dochodzi do znacznych zmian prądu I we na skutek niewielkich przyrostów U we. Wyniki pomiarów zapisać w Tabeli 1. 6. Wyłączyć zasilanie i rozłączyć układ. 0,0-0,2 Iwe [ma] -0,4-0,6-0,8-1,0 0 1 2 3 4 5 U we [V] Rys. 3. Schemat układu do wyznaczania charakterystyki wejściowej bramki logicznej. Rys. 4. Przykładowa charakterystyka wejściowa bramki logicznej wykonanej w technice TTL. Lp. U we [V] I we [ma] Tabela 1. Tabela pomiarów dla charakterystyki wejściowej bramki logicznej. 5.2. Charakterystyka przejściowa i moc rozpraszana przez bramkę logiczną (wersja podstawowa) 1. Połączyć układ przedstawiony na rys. 5. Miliamperomierz (ma) ustawić na zakres optymalny do pomiaru prądów stałych do około 15 ma, natomiast woltomierze (V1) i (V2) na zakres optymalny dla napięć do 5 V. 2. Po uzyskaniu zezwolenia od opiekuna włączyć zasilacz. 3. Przełącznikiem n wybrać obciąŝenie wyjścia badanej bramki np. przez n = 10 wejść kolejnych bramek o ile prowadzący zajęcia nie zaleci innej wartości n. 4. Zmieniając potencjometrem P 1 napięcie wejściowe bramki U we w zakresie od 0 do 5V wyznaczyć zaleŝność napięcia wyjściowego U wy i prądu zasilania I z od U we. Dla napięć U we wynoszących około 1,2 1,5 V naleŝy zwrócić uwagę na zagęszczenie pomiarów w związku z gwałtownymi zmianami U wy i I z na skutek niewielkich przyrostów U we. Wyniki pomiarów zapisać w Tabeli 2. 5. Wyłączyć zasilanie i rozłączyć układ. - 7 -

Rys. 5. Schemat układu do wyznaczania charakterystyk przejściowych i prądu zasilania bramki logicznej. 4 70 Uwy [V] 3 2 1 n = 0 n = 12 Pz [mw] 60 50 40 30 20 10 n = 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0 1 2 3 4 5 U we [V] U we [V] Rys. 6. Przykładowa rodzina charakterystyk przejściowych bramki NOT wykonanej w technice TTL. Rys. 7. Przykładowa charakterystyka mocy rozpraszanej przez bramkę logiczną wykonaną w technice TTL. n = Lp. U we [V] U wy [V] I z [ma] P z [mw] Tabela 2. Tabela pomiarów dla charakterystyki przejściowej bramki logicznej i rozpraszanej mocy. - 8 -

5.3. Charakterystyka wyjściowa bramki logicznej (wersja podstawowa) 1. Podłączyć obwód zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 8. Miliamperomierz (ma) ustawić na zakres optymalny do pomiaru prądów stałych do około 15 ma, natomiast woltomierz (V) na zakres optymalny dla napięć do 5 V. 2. Po uzyskaniu zezwolenia od opiekuna włączyć zasilacz. 3. Zadać stan niski na wejściu bramki ustawiając gałkę potencjometru P 1 w skrajne lewe połoŝenie. 4. Zmieniając potencjometrem P 2 prąd wyjściowy I wyh z pewnym ustalonym krokiem (np. 1 ma) w całym dostępnym zakresie (od 0 do około 15 ma) wyznaczyć zaleŝność napięcia wyjściowego U wyh od I wyh odpowiadającą stanowi wysokiemu na wyjściu bramki. Wyniki pomiarów zapisać w Tabeli 3. 5. Zadać stan wysoki na wejściu bramki ustawiając gałkę potencjometru P 1 w skrajne prawe połoŝenie i powtórzyć pomiary z punktu 3 wyznaczając U wyl i I wyl odpowiadające stanowi niskiemu na wyjściu bramki. 6. Zamiast rezystancyjnego obciąŝenia wyjścia bramki zastosować teraz obciąŝenie wejściami kolejnych bramek. W tym celu najniŝej połoŝoną zworkę naleŝy obrócić o 90 o względem sytuacji pokazanej na rys. 8. 7. Zmieniając przełącznikiem n liczbę dołączonych wejść bramek obciąŝających kolejno od 1 do 12 mierzyć napięcia wyjściowe U wyh i prąd wyjściowy I wyh odpowiadające stanowi wysokiemu na wyjściu bramki. Dodatkowy pomiar dla n = 0 moŝna wykonać przez otwarcie zworki łączącej wyjście badanej bramki z obciąŝeniem. Wyniki pomiarów zapisać w Tabeli 4. 8. Powtórzyć pomiary z punktu 7 wyznaczając U wyl i I wyl odpowiadające stanowi niskiemu na wyjściu bramki. 9. Wyłączyć zasilanie i rozłączyć układ. Rys. 8. Schemat układu do wyznaczania charakterystyk wyjściowych bramki logicznej przy obciąŝeniu rezystancyjnym. - 9 -

stan wysoki stan niski Lp. I wyh [ma] U wyh [V] I wyl [ma] U wyl [V] 1 2 Tabela 3. Tabela pomiarów dla charakterystyk wyjściowych bramki logicznej przy obciąŝeniu rezystancyjnym. stan wysoki stan niski n I wyh [ma] U wyh [V] I wyl [ma] U wyl [V] 0 1 Tabela 4. Tabela pomiarów dla charakterystyk wyjściowych bramki logicznej przy obciąŝeniu wejściami kolejnych bramek. IwyH [ma] 0-2 -4-6 -8-10 -12-14 -16 0 1 2 3 4 5 IwyL [ma] 16 14 12 10 8 6 4 2 0-2 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 a) U wyh [V] b) U wyl [V] Rys. 9. Przykładowe charakterystyki wyjściowe bramki logicznej wykonanej w technice TTL przy obciąŝeniu rezystancyjnym. a) stan wysoki na wyjściu bramki, b) stan niski na wyjściu bramki. 0,00 14 IwyH [ma] -0,01-0,02-0,03-0,04-0,05-0,06-0,07-0,08 3,5 3,6 3,7 3,8 3,9 4,0 IwyL [ma] 12 10 8 6 4 2 0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 a) U wyh [V] b) U wyl [V] Rys. 10. Przykładowe charakterystyki wyjściowe bramki logicznej wykonanej w technice TTL przy obciąŝeniu wejściami kolejnych bramek. a) stan wysoki na wyjściu bramki, b) stan niski na wyjściu bramki. - 10 -

5.4. Obciążenie wyjścia bramki linią długą (wersja rozszerzona) 1. Połączyć oscyloskop bezpośrednio z wyjściem cyfrowym generatora TTL OUT. Pokrętła regulacji amplitudy, składowej stałej i symetrii przebiegu nie mają Ŝadnego wpływu na sygnał na wyjściu cyfrowym. 2. Po uzyskaniu zezwolenia włączyć oscyloskop, generator i zasilacz. W generatorze ustawić częstotliwość 2 MHz. 3. Przerysować oscylogram. 4. Wyłączyć generator, usunąć zworki w module pomiarowym, podłączyć generator (G) i miliamperomierz (ma) nastawiony na zakres optymalny do pomiaru prądów stałych rzędu kilku ma jak na rys. 11. Wyjście bramki pozostawić na razie nieobciąŝone. 5. Włączyć miliamperomierz i generator. Zanotować prąd zasilania bramki bez obciąŝania jej wyjścia przewodem koncentrycznym. 6. Połączyć wyjście bramki z oscyloskopem jak na rys. 11. Zwrócić uwagę na nierównowaŝność dwóch gniazd połączonych z wyjściem bramki, co nie zostało pokazane na schemacie - nie uŝywać wyjścia przeznaczonego we wcześniejszych układach do podłączenia woltomierza gdyŝ natęŝenie prądu jest w nim ograniczone w celu ochrony bramki przed omyłkowym podłączeniem multimetru pracującego jako amperomierz. 7. Zanotować prąd zasilania bramki i przerysować oscylogram. 8. Wyłączyć zasilanie i rozłączyć połączenia. Rys. 11. Schemat układu do obserwacji zniekształceń wnoszonych przez linię długą obciąŝającą wyjście bramki. - 11 -

5.5. Wizualizacja charakterystyki przejściowej bramki logicznej (wersja rozszerzona) 1. Podłączyć generator funkcyjny (G), oscyloskop (U X i U Y ) i zasilacz (Z) z bramką logiczną zgodnie ze schematem przedstawionym na rys. 12. Zwrócić uwagę na to, by sygnał z generatora był pobierany z wyjścia uniwersalnego OUTPUT a nie z wyjścia sygnału cyfrowego TTL OUT. Za pośrednictwem trójnika BNC doprowadzić sygnał z generatora jednocześnie do wejścia CH1 w oscyloskopie i do wejścia badanej bramki. 2. W generatorze ustawić minimalną amplitudę. 3. Po uzyskaniu zezwolenia od opiekuna włączyć generator, oscyloskop i zasilacz. 4. W generatorze funkcyjnym wybrać trójkątny kształt przebiegu o częstotliwość około 1 khz. Oscyloskop ustawić do pracy z kanałem CH1 i wyłączyć sygnał na tym wejściu przez ustawienie przełącznika trybu sprzęgania w pozycji GND. Następnie ustawić pionową pozycję poziomu 0 V na poziomej linii siatki na dole ekranu. Przełączyć kanał CH1 w tryb sprzęgania DC. W generatorze włączyć składową stałą przyciskiem DC OFFSET i dobrać wartość składowej stałej i amplitudy sygnału tak, by oscyloskop pokazał przebieg jednokierunkowy zmieniający się pomiędzy 0 V a 5 V. 5. Przełączyć oscyloskop w tryb pracy X-Y. W celu optymalnego wykorzystania powierzchni ekranu zalecane jest ustawienie punktu (0; 0) w lewym dolnym rogu ekranu. 6. Przełącznikiem n w module doświadczalnym zadać obciąŝenie wyjścia badanej bramki zgodne ze stosowanym wcześniej w rozdziale 5.2. Przerysować charakterystykę z ekranu oscyloskopu, zanotować wzmocnienia VOLTS/DIV dla wejść X oraz Y. 7. Powtórzyć obserwację dla innego obciąŝenia bramki. 8. Wyłączyć zasilanie i rozłączyć połączenia. Rys. 12. Schemat układu do wizualizacji charakterystyki przejściowej bramki logicznej. - 12 -

6. Wskazówki do raportu Raport powinien zawierać: 1. Stronę tytułową (wg wzoru). 2. Sformułowanie celu ćwiczenia. 3. Podstawowe definicje, wzory i opis uŝywanych oznaczeń. 4. Schematy układów pomiarowych. 5. Wykaz aparatury (nr inwentarzowy, typ i wykorzystywane nastawy i zakresy). 6. Wyniki pomiarów. 7. Wykresy, obliczenia, analizy, interpretacje i wnioski cząstkowe odnoszące się do wszystkich otrzymanych wyników. W szczególności: 7.1. Na podstawie uzyskanych wyników wykonać wykres charakterystyki wejściowej bramki I we = f 1 (U we ). Wykorzystując odczytaną z wykresu maksymalną co do modułu wartość I we max i katalogową wartość dopuszczalnego ciągłego prądu 16 ma na wyjściu standardowej bramki TTL sprawdzić czy maksymalna liczba bramek obciąŝających (16 ma /I we max ) przy pracy z niską częstotliwością przełączania jest większa od katalogowej wartości 10 uwzględniającej rozrzut parametrów i wzrost rozpraszanej mocy przy wyŝszych częstotliwościach. 7.2 Wykonać wykres charakterystyki przejściowej U wy = f 2 (U we ) dla wybranej liczby n bramek obciąŝających. Znaleźć w literaturze przedziały napięć przyjęte w technice TTL do reprezentowania stanu logicznego niskiego (logiczne zero), wysokiego (logiczna jedynka) i nieokreślonego. Sprawdzić czy badana bramka poprawnie odwzorowuje cały przedział napięć odpowiadających stanowi niskiemu na wejściu w stan wysoki na wyjściu oraz przedział napięć dla stanu wysokiego na wejściu w stan niski na wyjściu. Jeśli tak, obliczyć margines zakłóceń statycznych (czyli trwających długo w porównaniu do czasu propagacji sygnału przez bramkę). Margines zakłóceń statycznych bramki NOT odpowiadający stanowi niskiemu moŝna obliczyć jako róŝnicę U IL f 2 (U IH ), gdzie U IL jest progowym napięciem rozgraniczającym stan niski od nieokreślonego zdefiniowanym dla wejść układów TTL, U IH jest progowym napięciem między stanem wysokim i nieokreślonym, zaś f 2 (U IH ) jest odpowiedzią bramki na napięcie wejściowe U IH. Margines zakłóceń statycznych dla stanu wysokiego wynosi f 2 (U IL ) U IH. Wartości f 2 (U IL ) i f 2 (U IH ) odczytuje się z wykresu charakterystyki przejściowej. Mniejszy z dwóch znalezionych marginesów naleŝy uznać za margines zakłóceń statycznych dla dowolnego stanu. Aby zapewnić poprawne przenoszenie stanów logicznych, margines ten musi być większy od zakłóceń na linii łączącej wyjście z wejściem kolejnej bramki. 7.3. Na podstawie wartości prądu zasilania bramki I z obliczyć rozpraszaną moc P z = U z I z przyjmując napięcie zasilania U z = 5 V. Wykonać wykres mocy P z = f 3 (U we ). 7.4. Wykonać wykresy charakterystyk wyjściowych I wy = f 4 (U wy ) w stanie niskim i wysokim dla obu typów zastosowanych obciąŝeń bramki. Na podstawie wykresów stwierdzić, czy istnieje graniczne obciąŝenie bramki prowadzące do nieokreśloności stanu na wyjściu bramki przy jednoznacznie określonym stanie na jej wejściu. 7.5. Na podstawie prostoliniowych odcinków charakterystyk wyjściowych wykonanych w poprzednim punkcie wyznaczyć wyjściowe rezystancje róŝniczkowe U wy / I wy bramki w stanie niskim i wysokim. Rezystancje te są odwrotnościami współczynników kierunkowych odpowiednich prostych. Nie wyznaczać rezystancji róŝniczkowych na podstawie przyrostów wartości dla dwóch sąsiednich punktów pomiarowych, gdyŝ tak otrzymane przyrosty mogą być obciąŝone znacznym błędem względnym. - 13 -

7.6. JeŜeli zbadano transmisję sygnału z wyjścia bramki przez linię długą naleŝy zinterpretować oscylogramy opierając się na porównaniu rezystancji falowej uŝytego przewodu z rezystancjami wyjściowymi bramki wyznaczonymi w poprzednim punkcie. 7.7. Porównać charakterystykę przejściową bramki uzyskaną metodą oscyloskopową z charakterystyką wynikającą z pomiarów metodą punkt po punkcie. Przedyskutować zgodność uzyskanych wyników. 8. Uwagi i wnioski końcowe. W raporcie ocenie podlegać będzie obecność i poprawność wszystkich wymienionych powyŝej składników, czytelność prezentacji wyników (w postaci tabel, wykresów, oscylogramów i wyników obliczeń wraz z opisami) oraz jakość dyskusji wyników i sformułowanych wniosków. Wstęp teoretyczny nie jest wymagany i w przypadku jego zamieszczenia w raporcie nie wpłynie na ocenę. 7. Literatura 7.1. Literatura podstawowa [1] J. Kalisz, Podstawy elektroniki cyfrowej, WKiŁ, Warszawa 2002. [2] W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Zasady działania, technologia i zastosowania, WNT, Warszawa 1979. [3] P. Horowitz, W. Hill, Sztuka elektroniki, WKiŁ, Warszawa 2001, [4] A. Rusek, Podstawy elektroniki, część 2, Wydawnictwa Szkolne i Pedagogiczne, Warszawa, 1983. [5] U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa 1987. [6] A. Charoy, Zakłócenia w urządzeniach elektronicznych, tom 1, WNT, Warszawa 1999. 7.2. Literatura uzupełniająca [7] Instrukcje obsługi do multimetrów, zasilacza laboratoryjnego, generatora funkcyjnego i oscyloskopu dostępne są na stronie internetowej: http://fizyka.p.lodz.pl/pl/dla-studentow/podstawy-elektroniki-laboratorium/zasoby/ - 14 -