ĆWICZENIE 1 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE DIOD P-N



Podobne dokumenty
Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej w przybliŝeniu pierwszego stopnia jest opisywana funkcją

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Pomiar rezystancji. Rys.1. Schemat układu do pomiaru rezystancji metodą techniczną: a) poprawnie mierzonego napięcia; b) poprawnie mierzonego prądu.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Dioda półprzewodnikowa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Badanie własności fotodiody

R X 1 R X 1 δr X 1 R X 2 R X 2 δr X 2 R X 3 R X 3 δr X 3 R X 4 R X 4 δr X 4 R X 5 R X 5 δr X 5

KO OF Szczecin:

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Politechnika Białostocka

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.

SPRAWDZENIE PRAWA OHMA POMIAR REZYSTANCJI METODĄ TECHNICZNĄ

Politechnika Białostocka

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

WYZNACZANIE MODUŁU SPRĘŻYSTOŚCI POSTACIOWEJ G ORAZ NAPRĘŻEŃ SKRĘCAJĄCYCH METODĄ TENSOMETRYCZNĄ

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia

Ćw. III. Dioda Zenera

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

SZEREGOWY SYSTEM HYDRAULICZNY

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćwiczenie nr 4 Badanie zjawiska Halla i przykłady zastosowań tego zjawiska do pomiarów kąta i indukcji magnetycznej

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

SERIA II ĆWICZENIE 2_3. Temat ćwiczenia: Pomiary rezystancji metodą bezpośrednią i pośrednią. Wiadomości do powtórzenia:

Pomiar rezystancji metodą techniczną

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Politechnika Białostocka

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

POMIAR NAPIĘCIA STAŁEGO PRZYRZĄDAMI ANALOGOWYMI I CYFROWYMI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

ε (1) ε, R w ε WYZNACZANIE SIŁY ELEKTROMOTOTYCZNEJ METODĄ KOMPENSACYJNĄ

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

POMIARY REZYSTANCJI. Cel ćwiczenia. Program ćwiczenia

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Ćwiczenie F3. Filtry aktywne

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Temat ćwiczenia. Pomiary przemieszczeń metodami elektrycznymi

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Budowa. Metoda wytwarzania

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

INSTRUKCJA. Ćwiczenie A2. Wyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyny metodą dynamiczną.

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 6 POMIARY REZYSTANCJI

SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM Z FIZYKI

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Ćwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Programy CAD w praktyce inŝynierskiej

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Akustyczne wzmacniacze mocy

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Laboratorium Sprzętu Oświetleniowego

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

2. Narysuj schemat zastępczy rzeczywistego źródła napięcia i oznacz jego elementy.

i odwrotnie: ; D) 20 km h

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE

Zad. 4 Oblicz czas obiegu satelity poruszającego się na wysokości h=500 km nad powierzchnią Ziemi.

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

PROFIL PRĘDKOŚCI W RURZE PROSTOLINIOWEJ

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe

Ćwiczenie 2. Analiza błędów i niepewności pomiarowych. Program ćwiczenia:

Transkrypt:

LBORTORM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH ĆWCZENE 1 CHRKTERYSTYK STTYCZNE DOD P-N K T E D R S Y S T E M Ó W M K R O E L E K T R O N C Z N Y C H

1 CEL ĆWCZEN Celem ćwiczenia jet zapoznanie ię z: przebiegami tatycznych charakterytyk prądowo-napięciowych diod półprzewodnikowych protowniczych, przełączających i elektroluminecencyjnych, metodami pomiaru charakterytyk tatycznych diod półprzewodnikowych, działaniem i obługą urządzeń pomiarowych: ocylokop, amperomierz, woltomierz 2 ZDN 21 Zadania do wykonania w laboratorium Z1 Oberwacja ocylokopowa charakterytyk Na Ry 1 przedtawiono układ do oberwacji na ekranie ocylokopu charakterytyk diod dla kierunku przewodzenia 12 k B 0,2 TM 2 B 0,2 Db 7 R1 14 9 29 13 18 19 22 1k Dp BP17 10 R2 1 OS-9000SRS 30 Y X 20 21 Ry 1 kład do oberwacji ocylokopowej charakterytyki diody Napięcie na rezytancji R2 (1Ω) jet wprot proporcjonalne do prądu badanej diody Db NaleŜy doprowadzić je do wejścia Y ocylokopu Pomocnicza dioda Dp ogranicza ujemne impuly napięcia doprowadzanego do diody badanej Db Na tablicy montaŝowej TM2 zmontować układ z Ry 1 do oberwacji ocylokopowej diod półprzewodnikowych Podane na Ry 1 numery charakterytyk tatycznych ( ) węzłów odpowiadają numerom końcówek na tablicy montaŝowej TM2 Obejrzeć i przeryować z ekranu ocylokopu charakterytyki wzytkich badanych diod na wpólny wykre kład zailać napięciem zmiennym 12 k tawić tryb pracy ocylokopu XY Proponowane natawy ocylokopu: kanał X 02 /cm, kanał Y 5m/cm NaleŜy pamiętać o prawidłowym utawieniu punktu (0,0) (np w lewym dolnym rogu ekranu ocylokopu) oraz kalibrowaniu obu kanałów 2

Opiać dokładnie ocylogram Zanotować natawy ocylokopu (OLTS/D) obu kanałów m, natomiat oś napięcia (oś Oś prądu (oś Y) naleŝy wykalować w miliamperach [ ] X) naleŝy wykalować w woltach [ ] NaleŜy pamiętać, Ŝe prąd diody odczytywany jet jako napięcie na rezytorze R2, którego rezytancja wynoi 1Ω Zatem wartość prądu diody równa jet co do wartości napięciu na rezytorze R2 np jeśli natawa ocylokopu w kanale Y OLTS/D= 5m, wówcza na ocylogramie naleŝy przyjąć jednotkę 5m Wyjaśnić z czego wynikają róŝnice wartości padków napięć na diodach przy tej amej wartości prądu, np =10m Diody ą zamontowane na płytce PE1 patrz Ry 2 D1 D2 PE 1 D1 BYP 401 D4 D2 CQYP 16 D3 D3 BP 17 D4 CQP 431 dioda krzemowa protownicza dioda LED z arenku galu dioda krzemowa przełączająca dioda LED z foforku Ry 2 Płytka PE1 z badanymi diodami Z2 Pomiar charakterytyk metodą punkt po punkcie Z21 Na tablicy montaŝowej TM1 zmontować układ z Ry 3 do pomiaru charakterytyk tatycznych metodą punkt po punkcie kład zailać napięciem tałym + 5 Zmierzyć charakterytyki ( ) diod BYP 401 i BP17 polaryzowanych w kierunku przewodzenia +5 2 3 RZN Metex 1 max =100m TM 1 Db 8 9 12 C 33n 10 726 11 Ry 3 kład do pomiaru charakterytyki diody w kierunku przewodzenia Jako amperomierz zatoować miernik 726, na którym padek napięcia dla kaŝdego zakreu wynoi 100m przy wkazywaniu makymalnej wartości prądu Przed przytąpieniem do pomiarów miernik ten naleŝy wykalibrować Do węzłów 9, 10 naleŝy dołączyć kondenator ceramiczny C=33nF w celu zmniejzenia poziomu zakłóceń na zacikach wejściowych amperomierza Dla dowolnej wartości prądu odczytywanego przez amperomierz 726 padek napięcia na tym amperomierzu wynoi 100m =, (1) ZK 3

gdzie: padek napięcia na amperomierzu, wartość prądu mierzonego przez amperomierz, wartość prądu zakreowego ZK Oznacza to, Ŝe np jeśli na zakreie pomiarowym = 10m mierzony jet prąd = 1m, to 1m padek napięcia na amperomierzu wynoi = 100m = 10m Natomiat gdyby ten 10m am prąd = 1m mierzyć na zakreie = 1m, to padek napięcia na amperomierzu wyniółby 1m = 100m = 100m 1m ZK Ŝycie miernika 726 jako amperomierza umoŝliwia łatwe obliczanie napięcia na diodzie Napięcie mierzone przez woltomierz (Metex) jet umą padku napięć na diodzie badanej oraz padku napięcia na amperomierzu : Zatem napięcie faktycznie wytępujące na diodzie wynoi: ZK = + (2) 100m = = (3) Przykładowo, jeśli napięcie mierzone woltomierzem wynoi = 850m przy prądzie = 30m mierzonym na zakreie = 100m, wówcza napięcie na diodzie wynoi 30m = = 850m 100m = 850m 30m = 820m 100m ZK Z22 Zgodnie ze chematem przedtawionym na ry4 zmierzyć, a natępnie wykreślić na diod BYP 401 i BP17 w kierunku zaporowym jednym ryunku charakterytyki ( ) Porównać wartości prądu zaporowego diod dla napięcia polaryzującego = -5 z wyznaczonymi w zadaniu Z21 prądami naycenia ZK + 2 3 8 9 12 0-24 RZN Metex 1 max =5m TM 1 Db C 33n 10 726 11 Ry 4 kład do pomiaru charakterytyki diody w kierunku zaporowym 4

Spoób określania parametrów modelu diody W celu wyznaczenia parametrów charakterytyki tycznej diody naleŝy korzytać z diody dla kierunku wykreu zmierzonej charakterytyki prądowo-napięciowej ( ) przewodzenia Typową charakterytykę prądowo-napięciową diody przedtawiono w kali logarytmiczno liniowej na Ry 4 (linia ciągła) Na charakterytyce tej widać zakre średnich gętości prądów, w którym zaleŝność prądu od napięcia moŝe być opiana funkcją ekponencjalną (4), oraz zakre duŝych gętości prądów, w którym ujawnia ię wpływ rezytancji zeregowej r nt = e, (4) gdzie oznacza prąd naycenia, n to wpółczynnik nieidealności złącza, natomiat T to potencjał elektrokinetyczny, który w temperaturze pokojowej równy jet 26m Po zlogarytmowaniu zaleŝności (4) otrzymuje ię równanie protej tanowiącej aprokymację charakterytyki ( ) w kali logarytmiczno-liniowej ln = ln S + (5) nt Prota, którą opiuje powyŝze równanie (5), pozwala na graficzne wyznaczenie oraz n (patrz Ry 4) wyznacza ię z punktu przecięcia tej protej z oią prądów Natomiat wpółczynnik nieidealności złącza wyznacza ię jako nachylenie protej n = ln T (6) Dla duŝych gętości prądów nie moŝna pominąć padku napięcia na rezytancji zeregowej r Spadek napięcia na rezytancji r naleŝy wyznaczyć dla najwiękzej wartości ' zmierzonego prądu diody ' Zgodnie z Ry 4 rezytancję tę moŝna obliczyć jako r =, ' gdzie ' oznacza róŝnicę pomiędzy wartością napięcia oberwowaną na diodzie, a napięciem, które panowałoby na tej diodzie, gdyby rezytancja zeregowa byłaby równa zero T 5

100m 30m 10m 3m = r 1m 300µ (ln) 100µ 30µ 10µ ln 3µ 1µ 300n 100n 30n 10n 3n 1n 0 200m 400m 600m 800m Ry 4 kład do pomiaru charakterytyki diody w kierunku przewodzenia 3 WYPOSśENE STNOWSK LBORTORYJNEGO 1 Napięcia zailające: tałe + 5, -24, zmienne ~ 12 k 2 kłady laboratoryjne i podzepoły: tablice montaŝowe: TM1 z modułem regulowanego źródła napięcia RZN oraz TM2, zepół badanych diod zmontowanych na płytce PE1, dioda pomocnicza Dp typ BP 17, zmontowana na łączówce 2-kontaktowej, kondenator ceramiczny C=33nF, rezytory wymienne o rezytancjach: R = 1Ω, 1kΩ 6