PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW

Podobne dokumenty
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

L E D light emitting diode

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Zastosowanie diod elektroluminescencyjnych w pojazdach samochodowych

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK /~bezet

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Diody LED w samochodach

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy

Optyczne elementy aktywne

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

VI. Elementy techniki, lasery

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Politechnika Poznańska, Zakład Techniki Świetlnej i Elektrotermii

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Fizyka Laserów wykład 10. Czesław Radzewicz

Materiały w optoelektronice

Podstawy krystalografii

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK

Struktura pasmowa ciał stałych

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

Badanie emiterów promieniowania optycznego

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Spektroskopia modulacyjna

spis urządzeń użytych dnia moduł O-01

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Zasada działania tranzystora bipolarnego

LIN2 / LIN2-L (Moduły LED światło użytkowe punktowe)

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

GaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy

Skończona studnia potencjału

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

Przejścia promieniste

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka

Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

V. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Skalowanie układów scalonych

LUXs2 (Odpowiednik żarówki halogenowej 20W)

ROTOs8 (Odpowiednik żarówki halogenowej 80W)

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

V. Fotodioda i diody LED

Badanie charakterystyk spektralnych lasera półprzewodnikowego.

Wykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Sposoby zasilania i sterowania diod LED dużej mocy

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Lampy Desk Light System

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Teoria pasmowa ciał stałych

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Zjawiska w niej występujące, jeśli jest ona linią długą: Definicje współczynników odbicia na początku i końcu linii długiej.

Technika laserowa, otrzymywanie krótkich impulsów Praca impulsowa

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Bernard Ziętek OPTOELEKTRONIKA

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

PRZYSZŁOŚĆ OŚWIETLENIA LED I OLED? Janusz Strzyżewski

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

Lasery półprzewodnikowe historia

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Urządzenia półprzewodnikowe

Diody świecące i lasery półprzewodnikowe

1 z :24

Govena Lighting Katalog produktów

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

Plan wykładu. 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD

Oświetlenie ledowe: wszystko o trwałości LEDów

ASER. Wykład 18: M L. Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321.

Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych

Lasery - konstrukcje i parametry. Sergiusz Patela Lasery - konstrukcje 1

UNIWERSYTET MARII CURIE-SKŁODOWSKIEJ W LUBLINIE

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE

VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ,

Specyfikacja techniczna Cleveo 2 LED

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Laser Niebieski. Piotr Wieczorek FiTKE

Widmo promieniowania

Właściwości światła laserowego

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

LASERY SĄ WSZĘDZIE...

Transkrypt:

PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW

DIODY LED I LASERY PÓŁPRZEWODNIKOWE wyświetlacze, systemy oświetleniowe telekomunikacja (WDM) drukowanie, poligrafia obróbka materiałów układy pomiarowe, badania naukowe zapis informacji (CD,DVD, HD-DVD etc.) pompowanie optyczne medycyna czytniki kodów paskowych wskaźniki, poziomowanie, geodezja

ELEKTRONOWA STRUKTURA PASMOWA pasma (dozwolone) całkowicie zajęte lub całkowicie puste 1 lub 2 pasma nieznacznie wypełnione lub niezn. nieobsadzone jedno z pasm (dozwolonych) wypełnione częściowo (~10%- 90% wypełnienia)

ZJAWISKA OPTYCZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH prosta/skośna przerwa energetyczna

ZJAWISKA OPTYCZNE W PÓŁPRZEWODNIKACH generacja i rekombinacja nośników

PRZERWA ENERGETYCZNA

PRZERWA ENERGETYCZNA

ZŁĄCZE P-N STRUKTURA PÓŁPRZEWODNIKOWA BĘDĄCA POŁĄCZENIEM PÓŁPRZEWODNIKA typu n i typu p NADMIAR ELEKTRONÓW W PAŚMIE PRZEWODNICTWA NADMIAR DZIUR W PAŚMIE WALENCYJNYM CO OTRZYMALIŚMY? ZRÓWNANIE POZIOMÓW FERMIEGO ALE POWSTAŁA BARIERA POTENCJAŁÓW JEST ZA DUŻA I DZIURY NIE MOGĄ JEJ PRZEKROCZYD!

ZŁĄCZE P-N POLARYZUJEMY ZŁĄCZE W KIERUNKU PRZEWODZENIA + PRZYŁOŻENIE NAPIĘCIA POWODUJE POWSTANIE PRĄDU PRZEWODZENIA ELEKTRONY I DZIURY SĄ UNOSZONE W KIERUNKU ZŁĄCZA SIŁAMI ZEWN. POLA ELEKTRYCZNEGO W OBSZARZE ZŁĄCZA WZBUDZONE ELEKTRONY REKOMBINUJĄ Z DZIURAMI I POZBYWAJĄ SIĘ NADWYŻKI ENERGII EMITUJĄC FOTON (REKOMBINACJA PROMIENISTA) ŹRÓDŁO: www.lediko.com.pl W TEN SPOSÓB ZBUDOWALIŚMY DIODĘ LED!

LED rys historyczny 1907 - H. J. Round odkrywa elektroluminescencję Emisja światła widzialnego z kryształu węglika krzemu (SiC) o przewodnictwie typu n na złączu metal półprzewodnik (barwa żółtej, zielona, pomaraoczowa i niebieska) Lata 60. opracowanie 2- i 3-składnikowych związków półprzewodnikowych 1962 pierwsza dioda LED GaAs bliska podczerwieo (870-980nm) Wkrótce potem stworzono pierwszą diodę pracującą w zakresie widzialnym dioda czerwona (710nm) z GaAsP (produkowana przez GE cena 260$/sztukę) 1968 pierwsza zielona dioda LED (sprawnośd wewnętrzna 0,6%) Kolejne lata to udoskonalanie technologii i parametrów oraz intensywne prace nad stworzeniem niebieskiego emitera. 1971 niebieska dioda LED z SiC bardzo słabe parametry; krótka żywotnośd, mała stabilnośd 1992 prezentacja pierwszej komercyjnej niebieskiej diody LED wykonanej z GaN na podłożu szafirowym (100x wydajniejsza niż dioda z SiC) 1995 dioda zielona na GaN W tym samym czasie powstaje nowy materiał AlGaInP, który nadaje się do produkcji emiterów światła czerwonego, pomaraoczowego i żółtego sprawnośd>60% Koniec lat 90. to kolejna rewolucja w optoelektronice połączenie barwy niebieskiej, zielonej i czerwonej pozwala na uzyskanie światła białego. ŹRÓDŁO: www.lediko.com.pl

LED stan obecny Szerokośd przerwy energetycznej jest charakterystyczna dla danego półprzewodnika Zmiana składu lub regulowanie udziału % pierwiastków w związku półprzewodnikowym wytwarzanie materiałów o różnych szerokościach przerwy energetycznej praktycznie dowolna barwa świecenia w zakresie od ultrafioletu po głęboką podczerwieo Color Name Wavelength (Nanometers) Semiconductor Composition Infrared 880 GaAlAs/GaAs Ultra Red 660 GaAlAs/GaAlAs Super Red 633 AlGaInP Super Orange 612 AlGaInP Orange 605 GaAsP/GaP Yellow 585 GaAsP/GaP Incandescent White 4500K (CT) InGaN/SiC Pale White 6500K (CT) InGaN/SiC Cool White 8000K (CT) InGaN/SiC Pure Green 555 GaP/GaP Super Blue 470 GaN/SiC Blue Violet 430 GaN/SiC Ultraviolet 395 InGaN/SiC ŹRÓDŁO: www.nichia.com/product/smd-color.html

LED w stronę światła białego Rank G(520~535nm) x 0.14 0.14 0.22 0.22 y 0.64 0.74 0.74 0.64 Rank W(464~475nm) x 0.11 0.11 0.15 0.15 y 0.04 0.10 0.10 0.04 Rank R(615~635nm) x 0.67 0.67 0.73 0.73 y 0.27 0.33 0.33 0.27 Rank a0 x 0.280 0.264 0.283 0.296 y 0.248 0.267 0.305 0.276 ŹRÓDŁO: www.nichia.com/product/smd-color.html

LED w stronę światła białego MIESZANIE KILKU BARW LUMINOFOR METODA HYBRYDOWA + najwyższa wydajnośd + max wskaźnik oddawania barw CRI - wysoki koszt - skomplikowany obwód + prosta technologią produkcji + niski koszt + nieskomplikowany układ zasilania - mała wydajnośd - szczątkowe promieniowanie UV + wysoka wydajnośd + proste wykonanie i obwód + brak promieniowania w paśmie UV - niższe CRI (75-80) - zimna temp. otrzymanej barwy ŹRÓDŁO: www.lediko.com.pl

Właściwości i parametry diod LED energooszczędnośd długi czas życia bardzo niski pobór prądu i napięcia zasilania pochłaniają 50% mniej energii niż dotychczasowe źródła światła do 100 000 godzin pracy wg gwarancji producenta zmniejszenie kosztów eksploatacji systemów i ułatwienie konserwacji duża sprawnośd sprawnośd rekombinacji promienistej teoretycznie sięga 95 ograniczeniem jest sprawnośd wyprowadzania światła w praktyce > 70% krótki czas reakcji t wł = 100ns, t wył = 200ns, czyli 2mln razy szybciej niż żarówki wysoki współczynnik możliwośd regulacji w pełnym zakresie wartości, do CRI 95 oddawania barw duża wartośd luminancji i strumienia świetlnego, mała moc wejściowa ŹRÓDŁO: www.apollolighting.eu/pliki/kwartalnik_light.pdf

bezpieczeostwo małe rozmiary duża wytrzymałośd brak iskrzenia, małe prądy i napięcia zasilające, duża niezawodnośd brak lub niski poziom promieniowania UV i IR (ochrona eksponatów) wymiary diody to kilka mm średnicy, z radiatorem < 25 mm brak elementów ruchomych, całośd zamknięta w hermetycznej obudowie łatwośd w sterowaniu i obsłudze możliwośd sterowania cyfrowego oświetlenie budynków tania produkcja masowa ochrona środowiska wytwarzane z materiałów przyjaznych dla środowiska LED problemy do rozwiązania: Właściwości i parametry diod LED Koniecznośd stosowania zupełnie nowych układów optycznych (szczególne wymagania dla konstruktorów opraw i projektantów oświetlenia) Diody mocy wymagają chłodzenia ze względu na dużą gęstośd wydzielanej mocy oraz dużą zależnośd parametrów diody od temperatury ŹRÓDŁO: www.led.philips.oprawy.pl

Zastosowanie diod LED Oświetlenie wnętrz, oświetlenie dekoracyjne zastąpienie żarówek i lamp fluorescencyjnych energooszczędnośd, wysokie parametry, coraz niższy koszt, duża sprawnośd, szeroki asortyment barw, łatwa instalacja i użytkowanie ŹRÓDŁO: www.led.philips.oprawy.pl

Zastosowanie diod LED Architektura świetlna, iluminacja budynków dowolne mieszanie barw, łatwośd sterowania, energooszczędnośd, wysokie parametry, coraz niższy koszt, duża sprawnośd, szeroki asortyment barw, łatwa instalacja i użytkowanie ŹRÓDŁO: www.swiatlo.tak.pl

Telekomunikacja światłowodowa lokalne łącza światłowodowe - średnia szybkośd modemy optyczne Cienkie, lekkie tablice informacyjne lotniska, stacje kolejowe, autobusy, tramwaje itp. tablice reklamowe Wyświetlacze wielkoformatowe Zastosowanie diod LED ŹRÓDŁO: images.google.pl hasło: LED

Światła uliczne i sygnalizatory Zastosowanie diod LED Motoryzacja oświetlenie w samochodach światła stopu (ze względu na bardzo krótki czas reakcji przy prędkości 100 km/h czas ten można przeliczyd na skrócenie drogi hamowania o dodatkowe 5,5 m podświetlenie deski rozdzielczej wskaźniki ŹRÓDŁO: images.google.pl hasło: LED

Urządzenia zdalnego sterowania Monitorowanie stanu urządzeo elektronicznych wskaźniki kontrolki, sygnalizacja stanu stand-by Zastosowanie dekoracyjne Zastosowanie diod LED ŹRÓDŁO: images.google.pl hasło: LED

High Power LED Jedno z najważniejszych zastosowao motoryzacja Lampy tylne, kierunkowskazy małe moce, brak dużych wymagao dostępne i seryjnie montowane od 2003r. (pierwsze było Audi) Stworzenie reflektora wielki problem! - Wymagana jest duża moc problemy z odprowadzaniem ciepła - 9 maja 2005 firma Hella przedstawia pierwszy prototyp reflektora LED na bazie reflektora do VW Golfa 5 w całości wykonanego w technologii LED (światła mijania, drogowe, kierunkowskazy, do jazdy dziennej) wynik 1000 lumenów, podobnie jak reflektor ksenonowy. ŹRÓDŁO: www.motofocus.pl

High Power LED Od prototypu do produkcji seryjnej upłynęły 3 lata Zalety: - Dłuższa żywotnośd i niezawodnośd - Mały pobór mocy oszczędnośd do 0.2l paliwa na 100km - Małe rozmiary i zupełnie inne oprawy dają możliwośd dowolnego kształtowania wyglądu samochodu Obecnie produkowane pojedyncze diody mają moce na poziomie kilku watów ŹRÓDŁO: www.motiontrends.com/2006/m01/aston_martin/

High Power LED ŹRÓDŁO: http://www.sz-wholesale.com/p/led-bulbs/led-car-motorcycle-lighting-44535.html

Ośrodek aktywny złącze półprzewodnikowe Inwersja obsadzeo (pompowanie) wstrzykiwanie mniejszościowych nośników ładunku do obszaru złącza Rezonator ELEMENTY LASERA PÓŁPRZEWODNIKOWEGO klasyczny rezonator FP lub rezonatory z rozłożonym sprzężeniem (DFB, DBR) Uproszczona struktura lasera wykonanego na podłożu fosforku indu InP. Ten typ laserów charakteryzuje się obniżonym napięciem progowym i mocą wyjściową powyżej 10mW.

Wracamy do lasera: ZŁĄCZE P-N

HOMOZŁĄCZE V.S. (BI)-HETEROZŁĄCZE

PASKOWY LASER BI-HETEROZŁĄCZOWY

ZALETY I WADY LASERÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH + wysoka sprawnośd (kilkadziesiąt %) + niewielkie rozmiary + niski koszt (przy masowej produkcji) + wygodne pobudzanie + możliwośd bezpośredniej modulacji + szeroki zakres spektralny generowanego promieniowania + szeroki zakres dostępnych mocy + możliwośd przestrajania (np. termicznego) +???

ZALETY I WADY LASERÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH - wrażliwośd na temperaturę - wrażliwośd na ESD - stosunkowo słabe parametry generowanego promieniowania - problemy z pracą w zakresie widzialnym -???

REZONATORY FABRY-PEROT Distributed Feedback - DFB Distributed Bragg Reflector - DBR Circular Grating DFB, DBR Planar C. Surface Emitting L. - PCSEL Vertical C. Surface Emitting L. - VCSEL rezonatory fotoniczne, mikrosferyczne, pierścieniowe, dyskowe etc.

Klasyczny rezonator FABRY-PEROT LASERY FP

LASERY FP

LASERY FP

LASERY DFB & DBR DBR Distributed Bragg Reflector W celu uprzywilejowania wybranego modu oscylacji, w kierunku propagacji tworzona jest periodyczna struktura odbijająca. Struktura ta sumuje małe odbicia, jest reflektorem selekcyjnym. W laserach półprzewodnikowych reflektory Bragga wytwarza się przez modulowanie współczynnika załamania światła. - odległośd między niejednorodnościami

LASERY DFB & DBR DBR - struktura Po obu stronach obszaru aktywnego umieszczono dwa reflektory Bragga. Częstotliwośd rezonansowa = częstotliwośd, przy której reflektory najsilniej odbijają falę.

LASERY DFB & DBR Zasada działania lasera DBR Schemat wnęki rezonatora Fabry-Perot ze zwierciadłami DBR I zwierciadło DBR II zwierciadło DBR n 2 n 1, 2, 3,... obszar aktywny 0 L r g th c/2l c/2l c/2l c/2l (q-2) (q-1) BRAGG (q) (q+1) (q+2)

DBR - struktura LASERY DFB & DBR

LASERY DFB & DBR Lasery DBR TEC 60 Intelligent DBR Laser System: CHEETAH DFB, DBR Lasers

LASERY DFB & DBR

LASERY DFB & DBR DFB Distributed Feed-Back Dokładna analiza warunków propagacji w laserze DFB pokazuje możliwośd propagowania 2 modów. Dodatkowe przesunięcie fazy z sekcją dwierdfalową usuwa dodatkowy mod. Połączenie obszarów aktywnych i rozłożonych reflektorów Bragga w laserze DFB obniża straty. Mniejszy prąd progowy => większe moce wyjściowe niż w DBR

LASERY DFB & DBR Zasada działania lasera DFB. Schemat wnęki rezonatora. Warunek Bragga: n 2 n - rząd ugięcia braggowskiego; R, S - amplitudy fal propagujących się wewnątrz wnęki laserowej. n 1, 2, 3,...

LASERY DFB & DBR Widmo modów podłużnych struktury DFB Przypadek modulacji współczynnika załamania g th c/2l c/2l c/2l Przypadek modulacji wzmocnienia g th c/2l c/2l c/2l c/2l BRAGG BRAGG Obszary absorbujące X w n c t 0 n f C 1 C 2 Z Falowód n s Podłoże

LASERY DFB & DBR Lasery DFB CATV DWDM

LASERY DFB & DBR DFB laser with external on-chip modulator Modulation section Laser section

LASERY CG DFB & CG DBR

LASERY VCSEL VCSEL - geneza Schemat konfiguracji lasera krawędziowego i lasera typu VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)

LASERY VCSEL VCSEL zasada działania Emisja promieniowania odbywa się w kierunku prostopadłym do płaszczyzny złącza. Rejon aktywny oddzielony jest od zwierciadeł dystansującymi warstwami półprzewodnika (zwiększenie długości rezonatora). Zwierciadła składają się z licznych par warstw niekoniecznie półprzewodnikowych o znacznej różnicy współczynnika załamania. Układ taki selektywnie odbija światło, a maksimum odbicia przypada dla fali elektromagnetycznej o długości równej czterokrotnej grubości optycznej pojedynczej warstwy (zwierciadło dwierdfalowe Bragga).

LASERY VCSEL VCSEL - zalety Możliwośd generacji jednego modu podłużnego niezależnie od zmian dynamicznych układu (w szczególności wraz z temperaturą). Mała rozbieżnośd wyjściowej wiązki światła (brak astygmatyzmu). Proste sprzęganie z innymi planarnymi elementami Możliwośd wytwarzania dwuwymiarowych matryc laserowych Bardzo szerokie pasmo modulacji Niskie prądy zasilania

VCSEL - struktura LASERY VCSEL

VCSEL - struktura LASERY VCSEL

VCSEL LASERY VCSEL

LASERY VCSEL VCSEL - zastosowania Zapis i odczyt informacji długośd fali =405nm (w czytnikach DVD =650nm) gęstośd zapisu informacji zależy od rozmiaru plamki światła generowanego przez laser (a więc od długości fali). Przemysł poligraficzny polepszenie jakości wydruku Telekomunikacja optyczna szerokopasmowe sieci Ethernet (Gigabit Ethernet), WDM/DWDM, LAN.

LASERY VCSEL VCSEL - zastosowania This laser mouse features a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) that provides 30x more tracking power than a regular optical mouse.

Mikrorezonatory Rezonatory optyczne (wnęki optyczne) stanowią podstawowy elementy składowy laserów oraz wielu urządzeo optoelektronicznych dla potrzeb telekomunikacji światłowodowej i optycznego przetwarzania informacji. Rozwój optoelektroniki zintegrowanej kieruje zainteresowanie w stronę elementów o rozmiarach mikrometrowych. W tej skali trudno jest wytwarzad dobrej jakości zwierciadła konwencjonalnych rezonatorów Fabry-Perot. Badania kierują się w stronę dielektrycznych rezonatorów wykorzystujących efekt całkowitego wewnętrznego odbicia (TIR) oraz rezonatorów o strukturze kryształu fotonowego. Fabry-Perot DBR, DFB fotoniczne sferyczne, pierścieniowe,walcowe,dyskowe F = 300 nm InP GaAs Si 1 mm

LASERY PRZESTRAJALNE Zmiana temperatury powoduje niewielkie zmiany częstotliwości generowanych przez laser (m.in. efekty rozszerzalności). Wstrzykiwanie nośników do obszaru aktywnego zmienia jego współczynnik załamania => zmiana (efekt dwierkania chirping). Efekt ten wykorzystano do prądowego przestrajania laserów

LASERY PRZESTRAJALNE Trójsekcyjny laser z reflektorem Bragga zmiana prądu I 3 powoduje zmianę współczynnika załamania, a więc zmianę częstotliwości, dla której reflektor odbija. Prąd I 1 zmienia poziom generowanej mocy. Max. zmiana n wynosi 1% => przestrojenie o 15nm

BLUE LASER

BLUE LASER Niebieski laser (dł. fali od ok. 420 do 480 nm) nie jest nowością jeśli chodzi o lasery gazowe taką długośd fali można uzyskad za pomocą np. laserów argonowych. Zajmiemy się więc diodami LED i LD, których wytwarzanie do niedawna sprawiało dużo problemów.

BLUE LASER 1992 pierwsza niebieska LED Shuji Nakamura obecnie profesor na Uniwersytecie Kalifornijskim, w tamtym czasie pracownik Nichia Corporation w Tokushimie. 1996 pierwsza LD na 405 nm, 2001 komercjalizacja 405 nm LD, 2003 pierwsza 405 nm LD o dużej mocy.

Zasada działania nie różni się od dotychczas stosowanych LD czy LED. Elektrony w paśmie przewodnictwa są pobudzane do rekombinacji z dziurami w paśmie walencyjnym. Aby powstał laser należy tak uformowad układ aby powstał rezonator optyczny. Warstwę aktywną w laserze niebieskim stanowi para studni kwantowych InGaN (o zawartości indu około 15% ) o grubościach 3,3-4 nm rozdzielonych 10 nm barierami domieszkowanych krzemem warstw InGaN. BLUE LASER

BLUE LASER Dwa podejścia: Budowa i związane z nią problemy technologiczne. japooskie

BLUE LASER Dwa podejścia: Budowa i związane z nią problemy technologiczne. polskie

Podłoże szafirowe (Al 2 O 3 ) jest gorsze od podłoża z GaN, gdyż gęstośd dyslokacji wykonanego na nim GaN wynosi 10 6 cm -2, natomiast w procesie homoepitaksji GaN- GaN, gęstośd dyslokacji jest ok. 10 2 cm -2 BLUE LASER

BLUE LASER Budowa i związane z nią problemy technologiczne.

BLUE LASER Budowa i związane z nią problemy technologiczne. GaN TopGaN I GaN/szafir

BLUE LASER Budowa i związane z nią problemy technologiczne. Większa gęstośd dyslokacji to: - rozpraszanie światła, - rozpraszanie ładunku, - zwiększenie dyfuzji, - rekombinacja bezpromienista. Mniejsza moc, szybsza degradacja lasera.

BLUE LASER Zastosowania. Pamięci optyczne, Medycyna diagnozowanie nowotworów, Wykrywanie skażeo biologicznych i chemicznych, Uzyskanie lepszych rozdzielczości w drukarkach laserowych, Komunikacja podwodna, Oświetlenie, Projektory, wyświetlacze.

Polski ślad BLUE LASER Instytut Wysokich Ciśnieo Unipress PAN.

Dziękuję za uwagę