SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Podobne dokumenty
TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Uniwersytet Pedagogiczny

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Politechnika Białostocka

Badanie tranzystorów MOSFET

Politechnika Białostocka

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Politechnika Białostocka

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

SERIA II ĆWICZENIE 2_3. Temat ćwiczenia: Pomiary rezystancji metodą bezpośrednią i pośrednią. Wiadomości do powtórzenia:

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Pomiar parametrów tranzystorów

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

Ćwiczenie E03IS. Charakterystyki tranzystorów: bipolarnego (npn) w układzie WE i unipolarnego (z kanałem typu n) Laboratorium elektroniki

BADANIE EFEKTU HALLA. Instrukcja wykonawcza

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET

Badanie wzmacniacza operacyjnego

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Ćwiczenie E03FT. Charakterystyki tranzystorów: bipolarnego (npn) w układzie WE i unipolarnego (z kanałem typu n) Laboratorium elektroniki

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7. Pomiar mocy czynnej, biernej i cosφ

SERIA V. a). b). c). R o D 2 D 3

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Ćwiczenie 14 Temat: Pomiary rezystancji metodami pośrednimi, porównawczą napięć i prądów.

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

ĆWICZENIE 6 POMIARY REZYSTANCJI

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

Generator. R a. 2. Wyznaczenie reaktancji pojemnościowej kondensatora C. 2.1 Schemat układu pomiarowego. Rys Schemat ideowy układu pomiarowego

(a) Układ prostownika mostkowego

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE

Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Budowa. Metoda wytwarzania

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Ćwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego

Ćwiczenie 4 Pomiar prądu i napięcia stałego

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

SERIA IV ĆWICZENIE 4_3. Temat ćwiczenia: Badanie termistorów i warystorów. Wiadomości do powtórzenia:

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Ćwiczenie nr 10. Pomiar rezystancji metodą techniczną. Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z różnymi metodami pomiaru rezystancji.

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

SPRAWDZANIE SŁUSZNOŚCI PRAWA OHMA DLA PRĄDU STAŁEGO

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

Ćwiczenie 4 Pomiar prądu i napięcia stałego

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

BADANIE PROSTEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO POMIAR NAPRĘŻEŃ

Ćwiczenie 2. Waga elektroniczna. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Transkrypt:

SERIA IV ĆWICZENIE _ Temat ćwiczenia: Badanie tranzystorów unipolarnych. Wiadomości do powtórzenia:. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.. Charakterystyki statyczne tranzystora unipolarnego JFET z kanałem typu N w układzie OS: a. Charakterystyka przejściowa I D = f (U GS ) U DS =const. b. Charakterystyka wyjściowa I D = f(u DS ) U GS =const. I D [A] I D U DS I D U DS I D -U GS U DS U GS [V] U T U DS > U DS > U DS Obszar zniszczenia tranzystor a

Przebieg ćwiczenia:. Badanie tranzystora złączowego JFET. Zmontować układ pomiarowy posługując się schematem montażowym modułu KL - 00 (blok b): 7 8 (R) (R) - + + -, - zasilacz U GS, - woltomierz U GS, - woltomierz U DS 7, 8 - amperomierz I D, - zasilacz U DS

7 8 - zworki - gniazda przewodowe (miejsca, do których łączymy przyrządy zewnętrzne) Połączenia z urządzeniami zewnętrznymi (zasilacze, woltomierze, amperomierz) wykonać za pomocą adapterów bananowych dołączonych do zestawu. Wyznaczyć charakterystyki: przejściową I D = f(u GS ) i wyjściową I D = f(u DS ). a) charakterystyka przejściowa I D = f(u GS ) U DS = const. Pomiary wykonać dla napięcia U GS regulowanego od wartości ujemnych do zera. Należy pamiętać stałej wartości U DS, którą trzeba przy każdym pomiarze ustawiać. UWAGA!!! U DS V, -,V U GS 0V Wyniki pomiarów zapisać w tabelce U DS =. U DS =. U DS =. U GS I D U GS I D U GS I D

Na podstawie pomiarów narysować rodzinę charakterystyk przejściowych I D = f(u GS ) U DS = const. w jednym układzie współrzędnych dla różnych wartości U DS. b) charakterystyka wyjściowa I D = f(u DS ) U GS = const. Pomiary wykonać dla napięć -,V U GS 0V Wyniki pomiarów zapisać w tabelce U GS =. U GS =. U GS =. U DS I D U DS I D U DS I D Na podstawie pomiarów narysować rodzinę charakterystyk wyjściowych I D = f(u DS ) U GS = const. w jednym układzie współrzędnych dla różnych wartości U GS.. Badanie tranzystora z izolowaną bramką z kanałem zubożonym MOSFET. Zmontować układ pomiarowy posługując się schematem montażowym modułu KL-00 (blok b): 7 8 (R) (R) -(+) +(-) + -, - zasilacz U GS, - woltomierz U GS, - woltomierz U DS 7, 8 - amperomierz I D, - zasilacz U DS

7 8 - zworki - gniazda przewodowe (miejsca, do których łączymy przyrządy zewnętrzne) Połączenia z urządzeniami zewnętrznymi (zasilacze, woltomierze, amperomierz) wykonać za pomocą adapterów bananowych dołączonych do zestawu. Wyznaczyć charakterystyki: przejściową I D = f(u GS ) i wyjściową I D = f(u DS ). c) charakterystyka przejściowa I D = f(u GS ) U DS = const Pomiary wykonać dla napięcia U GS regulowanego od wartości ujemnych do dodatnich aby ściągnąć pełną charakterystykę tego tranzystora. Należy pamiętać stałej wartości U DS, którą trzeba przy każdym pomiarze ustawiać. UWAGA!!! U DS V oraz - 0,7V U GS 0,7V Wyniki pomiarów zapisać w tabelce: U DS =. U DS =. U DS =. U GS I D U GS I D U GS I D

Na podstawie pomiarów narysować rodzinę charakterystyk przejściowych I D = f(u GS ) U DS = const. w jednym układzie współrzędnych dla różnych wartości U DS. d) charakterystyka wyjściowa I D = f(u DS ) U GS = const. Pomiary wykonać dla napięć U GS = 0V, U GS < 0V, U GS > 0V. Należy pamiętać stałej wartości U GS, którą trzeba przy każdym pomiarze ustawiać. UWAGA!!! U DS V oraz - 0,7V U GS 0,7V Wyniki pomiarów zapisać w tabelce U GS =. U GS =. U GS =. U DS I D U DS I D U DS I D Na podstawie pomiarów narysować rodzinę charakterystyk wyjściowych I D = f(u DS ) U GS = const. w jednym układzie współrzędnych dla różnych wartości U GS.