Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej

Podobne dokumenty
Dynamika w magnetycznych złączach tunelowych

Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej

Indukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym

Amorficzne warstwy w spintronice

Dynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur.

Podstawy Mikroelektroniki

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 02/18

Siła magnetyczna działająca na przewodnik

Maciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki, WIEiT, AGH

Spintronika fotonika: analogie

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM

Własności magnetyczne materii

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Stanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan

AFM. Mikroskopia sił atomowych

Magnetyczny Rezonans Jądrowy (NMR)

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Podstawy informatyki kwantowej

Menu. Badające rozproszenie światła,

Elementy przełącznikowe

Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB

Henryk Szymczak Instytut Fizyki PAN

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru

Autoreferat. 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie

Nadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Układ stabilizacji laserów diodowych

W książce tej przedstawiono:

MAGNETO Sp. z o.o. Możliwości wykorzystania taśm nanokrystalicznych oraz amorficznych

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Wykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

Podstawy mechatroniki 5. Sensory II

Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH

ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1)

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Materiały używane w elektronice

Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?

PL B1. UNIWERSYTET W BIAŁYMSTOKU, Białystok, PL BUP 23/14

Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów

II.6 Atomy w zewnętrznym polu magnetycznym

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

LABORATORIUM POMIARY W AKUSTYCE. ĆWICZENIE NR 4 Pomiar współczynników pochłaniania i odbicia dźwięku oraz impedancji akustycznej metodą fali stojącej

Moduł wejść/wyjść VersaPoint

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Nowe konstrukcje rozłączalnych przetworników prądowych oraz przetworników zasilanych z prądów operacyjnych

Memrystor. mgr inż. Piotr Kyzioł Zakład Teorii Obwodów i Sygnałów, Instytut Elektroniki Politechnika Śląska

Wykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm

SIŁOWNIKI CZUJNIK POZYCJI

Przystawki prądowe (AC) seria MINI

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Maciej Czapkiewicz. Magnetic domain imaging

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

F = e(v B) (2) F = evb (3)

Efekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego. Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu

6. Zjawisko Halla w metalach

Momentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:

30/01/2018. Wykład XII: Właściwości magnetyczne. Zachowanie materiału w polu magnetycznym znajduje zastosowanie w wielu materiałach funkcjonalnych

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

1. OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

UMO-2011/01/B/ST7/06234

The use of magnetoresistive sensor for measuring magnetic fields. Zastosowanie czujnika magnetorezystancyjnego do pomiaru pól magnetycznych.

Wykład XIII: Właściwości magnetyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wprowadzenie do optyki nieliniowej

Zadanie 106 a, c WYZNACZANIE PRZEWODNICTWA WŁAŚCIWEGO I STAŁEJ HALLA DLA PÓŁPRZEWODNIKÓW. WYZNACZANIE RUCHLIWOŚCI I KONCENTRACJI NOŚNIKÓW.

KOOF Szczecin:

Elektronika spinowa i główne kierunki jej rozwoju

Front-end do czujnika Halla

Modelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK. mgr inż. Maciej Bączek

Urządzenia półprzewodnikowe

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów

Właściwości chemiczne i fizyczne pierwiastków powtarzają się w pewnym cyklu (zebrane w grupy 2, 8, 8, 18, 18, 32 pierwiastków).

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych

Klasyczny efekt Halla

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego

V & A VA312 Multimetr cęgowy Numer katalogowy - # 5173

Transkrypt:

Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016

Plan prezentacji Spinowy efekt Halla Pomiar spinowego efektu Halla Nowoczesne nieulotne pamięci magnetyczne 2

z Spinowy efekt Halla y x O nowym działaniu magnesu na prąd elektryczny Tangens kąta Halla stosunek wyindukowanego pola elektrycznego i gęstości prądu elektrycznego. y z x E t θ H Edwin Hall, 1879 E(j) E H Przewodnik ferromagnetyczny anomalny efekt Halla (AHE) - obok zwykłego zjawiska Halla istnieje wkład zależny od namagnesowania 0,4 0,4 0,2 0,2 U H (mv) 0,0 U H (mv) 0,0-0,2 M x H -0,2 M z H -0,4-8 -6-4 -2 0 2 4 6 8 0 H (mt) -0,4-40 -20 0 20 40 0 H (mt) 3

Spinowy efekt Halla Przewodniki ze sprzężeniem spin-orbita (spinowo zależne rozpraszanie na defektach, oddziaływanie wewnętrzne) E(J) indukowana prądem elektrycznym poprzeczna akumulacja spinów w metalu niemagnetycznym generacja prądu spinowego prostopadłego do kierunku przepływu prądu ładunkowego Spinowy kąt Halla θ SH - stosunek prądu spinowego do prądu ładunkowego: θ SH = ħ(2e) 1 J s J e Wysoki spinowy kąt Halla w Ta, W, Pt, CuIr, BiSe Domieszkowanie Izolatory topologiczne 4

Spinowy efekt Halla Oddziaływanie na warstwę magnetyczną: wzbudzenie rotacji namagnesowania spin-orbit torque (SOT) zmiana kierunku namagnesowania K. Ando, et al., J. Appl. Phys. 109, 103913 (2011) L. Liu et al., Science 336, 555-558, (2012) 5

Wybór materiałów ferromagnetyki metale z wysokim oddziaływaniem spin-orbita 6

Struktura układu wielowarstwowego d Ta / 0.91 nm Co 40 Fe 40 B 40 / 5 nm MgO / 1 nm Ta d Ta = 5 nm, 10 nm, 15 nm Wygrzewane w 330 C przez 20min. Warstwa ochronna MgO sprzyja uzyskaniu PMA w CoFeB Warstwa ferromagnetyczna Metal z oddziaływaniem spin-orbita Termicznie utlenione podłoże Si(001) Napylanie jonowe: Singulus Timaris PVD Cluster Tool System PMA prostopadła anizotropia magnetyczna 7

Monika Cecot Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii Strukturyzacja 70 μm x 1 μm 8 20 μm x 2 μm

Stanowiska pomiarowe 9

Anizotropia w płaszczyźnie Metody pomiarowe o Efekt spinowo-diodowy o Poszerzenie linii rezonansowej V DC ( V) Field Anizotropia prostopadła 10

Anizotropia prostopadła Metoda harmonicznych napięcia Halla Detekcja sygnału przy pomocy wzmacniacza typu lock-in - modulacja sygnału wejściowego. Dwie składowe pola efektywnego: z H Z Damping Field-like ΔH L, T = -2 V 2ω H L,T 2 V ω H2 L,T f = 386 Hz H T y H L x Dwa momenty siły tzw. field-like i damping-like J. Kim et al. PRB 89, 174424 (2014) J. Sinova et al. Rev. Mod. Phys. 87, 4 (2015) 11

Metoda harmonicznych napięcia Halla Pole w płaszczyźnie, wzdłuż (H L ) i w poprzek paska (H T ) H L i H T ΔH L,T = -2 V 2f H L,T 2 V f H2 L,T 10μm ΔH L koresponduje do składowej damping-like ΔH T koresponduje do składowej field-like 12

1. Wyznaczanie składowych DL i FL: Spinowy kąt Halla w Ta ξ DL/FL = ΔH L,T 2eµ 0 M S t CoFeB J e Ta ħ 2. Spinowy kąt Halla w oparciu o model dryfu-dyfuzji: Spinowy kąt Halla w Ta na poziomie 20% W/CoFeB W. Skowroński, M. Cecot, J. Kanak, S. Ziętek, T. Stobiecki, L. Yao, S. van Dijken, T. Nozaki, K. Yakushiji, and S. Yuasa Appl. Phys. Lett. 109 062407 (2016) 13

Linia odczytu Zastosowanie: SOT - MRAM Linia zapisu Magnetyczne pamięci RAM wykorzystujące SOT (spin-orbit torque) Potrzeba 2 tranzystorów (albo jednego tranzystora i diody) Jeden duży tranzystor zasilający oraz mały tranzystor do odczytu Zajmowana powierzchnia jednej komórki: 18F 2, dla porównania SRAM: 6 tranzystorów 50-200F 2 Zajmowana powierzchnia większa niż w przypadku DRAM, jednak wciąż to duża konkurencja dla SRAM i dobry kandydat do aplikacji w systemach wbudowanych Wzmożone badania materiałów wykazujących SOT, optymalizacja wydajności pojedynczej komórki Możliwe osiągnięcie korzystnej stopy błędów (BER rzędu 10 14 ) Zastosowanie również w spintronicznych komponentach mikrofalowych takich jak detektory wysokiej częstotliwości lub nanooscylatory. 14

Podsumowanie Spinowy efekt Halla - zachodzi w metalach niemagnetycznych z oddziaływaniem spinowo-orbitalnym (Ta, W, Pt) - wygenerowany poprzeczny prąd spinowy oddziałuje momentem siły na namagnesowanie warstwy ferromagnetycznej Pomiar spinowego efektu Halla - metoda pomiaru harmonicznych napięcia Halla - wyznaczenie obu składowych momentu siły (damping-like i field-like) - Spinowy kąt Halla na poziomie 20% θ SH = ħ(2e) 1 J s J e Nowoczesne nieulotne pamięci magnetyczne - szybsze przełączanie, większa odporność - zastosowanie w systemach wbudowanych 15

Dziękuję za uwagę This work is supported by the NANOSPIN under Grant PSPB-045/2010 from Switzerland through the Swiss Contribution and in part by National Science Center, Poland, Grant No. 2015/17/D/ST3/00500