Nowoczesne narzędzia dla analityki chemicznej na bazie układów mikromechanicznych i nanoelektronicznych
|
|
- Radosław Smoliński
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur Autoreferat rozprawy doktorskiej Nowoczesne narzędzia dla analityki chemicznej na bazie układów mikromechanicznych i nanoelektronicznych AUTOR: mgr inż. Piotr Pałetko PROMOTOR: prof. dr hab. inż. Teodor Gotszalk Wrocław, 2016
2 1. Wprowadzenie i Cel Pracy Analizowanie substancji chemicznych (analitów) przy wykorzystaniu różnych platform pomiarowych jest jednym z kluczowych kierunków rozwoju współczesnej chemii. Szczególne znaczenie, w tych badaniach ma analiza związków chemicznych wytwarzanych przez żywe organizmy lub substancji bioaktywnych. Wiele z tych substancji może mieć negatywny wpływ na zdrowie ludzkie czy też środowisko naturalne. W ostatnich latach znacząco zwiększa się ilość i różnorodność procesów chemicznych i substancji wykorzystywanych w rolnictwie, przetwarzaniu żywności, medycynie czy też w codziennym życiu. Sprawia to, że ilość zagrożeń związanych z obecnością tych substancji również ulega zwiększeniu. Metody charakteryzujące się wysoką czułością i selektywnością detekcji znajdują zastosowanie w diagnostyce klinicznej, profilaktyce medycznej, opracowywaniu nowych leków, kontroli żywności, monitorowaniu środowiska, systemach zabezpieczeń czy też zrozumieniu funkcjonowania układów biologicznych. Opracowanie tych narzędzi wymaga interdyscyplinarnego łączenia technik z pogranicza fizyki, mechaniki, chemii, biochemi oraz elektroniki. W nowoczesnych metodach analitycznych systemy spełniające postawione wyzwania nazywane są biosensorami (ang. biosensors). Biosensor jest to analityczny przyrząd powstały w wyniku połączenia poszczególnych (bio)chemicznych elementów oraz elementów fizycznych pozwalający na detekcję określonych indywiduów (bio)chemicznych [1]. Typowy biosensor jest złożony z trzech głównych składowych: przetwornika odbierającego sygnał, części elektronicznej przetwarzającej sygnał oraz komputera wyposażonego w odpowiednie oprogramowanie pozwalające na analizę uzyskanych informacji (rysunek 1.1). Kluczowym elementem konstrukcyjnym jest przetwornik od którego wymaga się wysokiej czułości na zachodzące zmiany. W celu pomiaru bardzo małych wartości (stężeń, siły, ciepła, etc.) wymagane jest użycie odpowiednio małych narzędzi pomiarowych. Współczesne technologie mikrowytwarzania pozwalają na wykonanie wystarczająco małych przetworników dla potrzeb czujnikowych analityki chemicznej. Rysunek 1.1 Schemat ideowy budowy typowego biosensora. Sygnał (bio)chemiczy pochodzący z powierzchni przetwornika jest przetwarzany na sygnał elektryczny. Odpowiedni dobór układów elektronicznych i oprogramowania pozwala na uzyskanie jakościowej lub/i ilościowej informacji. Selektywne oddziaływanie z analizowaną substancją zapewnia receptor Urządzenia mikromechaniczne takie jak mikrodźwignia sprężysta czy nanoelektroniczne jak nanodruty krzemowe spełniają te założenia i mogą posłużyć konstruowaniu systemów analitycznych o dużej czułości
3 i rozdzielczości. Selektywność przetwornika na daną substancję zapewnia dobór odpowiedniej warstwy receptorowej. Warstwa ta jest w stanie wychwycić pożądaną substancję z mieszaniny i związać ją z powierzchnią przetwornika na drodze selektywnych i specyficznych oddziaływań. Jedną z możliwości modyfikacji powierzchni przetworników jest wytwarzanie tak zwanych warstw samoorganizujących się (SAM ang. self assembled monolayers). Prostota ich uzyskania oraz duża ich różnorodność stanowią o olbrzymim zainteresowaniu tymi strukturami powierzchniowymi. Warstwy samoorganizujące się same w sobie stanowić mogą warstwę receptorową lub też posłużyć za bazę dla (bio)chemicznej modyfikacji powierzchni. Celem niniejszej rozprawy było: opracowanie technologii receptorowych molekularnych warstw samoorganizujących się (SAM) integrowanych z czujnikami mikromechanicznymi i nanoelektronicznych. zastosowanie platformy czujników mikromechanicznych i nanoelektronicznych nowej generacji do detekcji wybranych biomolekuł i jonów metali ciężkich, Cele pracy zrealizowano w pracach eksperymentalnych związanych z wytworzeniem odpowiednich konstrukcji czujnikowych oraz zastosowaniem odpowiednich warstw receptorowych. 2. Warstwy Samoorganizujące Się W materiałach molekularnych samoorganizacja (ang. self-assembly) dotyczy procesu samorzutnego gromadzenia się określonych jednostek (tj. atomów, molekuł lub biomolekuł) w uporządkowane struktury ponad cząsteczkowe [2]. Układy supramolekularne powstają dzięki różnego typu oddziaływaniom między poszczególnymi cząsteczkami. W literaturze znane są jako molekularne warstwy samoorganizujące się (ang. self-assembled monolayers; SAM). Struktury te wykazują wysoki stopień upakowania, uporządkowania oraz orientacji molekuł. Odkąd struktury SAM zostały opisane po raz pierwszy w 1980 roku, wiedza o nich, metody wytwarzania oraz możliwości zastosowań znacząco się poszerzyły [3]. Prostota uzyskania struktur SAM, i możliwości ich modyfikacji są powodem tak olbrzymiego zainteresowania tymi strukturami supramolekularnymi w laboratoriach badawczych. W swoich badaniach autor pracy warstwy SAM zastosował jako warstw receptorowe czujników mikromechanicznych i nanoelektonicznych, stosując związki siarkoorganiczne i krzemoorganiczne do ich funkcjonalizacji (tabela 2.1 ). Ze względu na budowę warstw samoorganizujących molekuły zdolne do tworzenia układów SAM z energetycznego punktu widzenia składają się z trzech elementów: grupy czołowej, łańcucha alkilowego oraz grupy funkcyjnej. Grupa czołowa (ang. head group) zwana również grupą wiążącą (ang. linking group) jest to reaktywna chemicznie grupa, która umożliwia chemisorpcję molekuł do podłoża, tworząc wiązanie chemiczne. Determinuje ona właściwości powstałych warstw pod względem trwałości w czasie i kąt pod jakim molekuły układają się do podłoża, co ma między innymi wpływ na wysokość warstwy.
4 Skrót stosowany w pracy Silany Struktura chemiczna /nazwa (ang.) Skrót stosowany w pracy Struktura chemiczna /nazwa (ang.) Si NH 2 Si CH 3 APTES 3-aminopropyltrimethoxysilane OTMS trimethoxy(octyl)silane Si NH NH 2 Si Na O O N N O O O Na EDA ETA N-(2-aminoethyl)-3- aminopropyltrimethoxysilane Si NH NH EDTA O Na N-(trimethoxysilylopropyl ethylenediamine triacetic tri sodium salt (EDTA-silane) NH 2 Si N C N -(3-trimethoxysilylpropyl)- diethylenetriamine TESPIC 3-(triethoxysilyl)propyl isocyanate Skrót stosowany w pracy Si O O Si GOPTES 3-glicydyloxypropylotrimethyoxysilane MPTES (3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane Tiole Struktura chemiczna Struktura chemiczna /nazwa (ang.) /nazwa (ang.) Skrót stosowany w pracy SH HS CH 3 HS UDT 1-undecanethiol TP thiophenol O HS OH NH 2 HS MUA 11-mercaptoundecanoic acid CS cystamine [2-aminoethanethiol] Tabela 2.1 Tabela związków chemicznych tworzących warstwy SAM, wykorzystanych w badaniach autora pracy 2.1 Metody selektywnej funkcjonalizacji powierzchni W trakcie realizacji rozprawy autor rozprawy wdrożył techniki selektywnej funkcjonalizacji powierzchni warstwami SAM. Dało to możliwości wytwarzania określonych warstw receptorowych w ściśle określonych miejscach zarówno w układach testowych jak i selektywnej funkcjonalizacji czujników. Pierwszą z metod jest tzw. mikropieczątkowanie (µcp - ang. Microcontact Printing), należące do technik tzw. miękkiej litografii (ang. soft lithography), umożliwia wytwarzanie warstw samoorganizujących się na ściśle określonej powierzchni i o określonych wzorach. Technika mikropieczątkowania z powodzeniem
5 może być stosowana do wykonywania wzorów molekularnych na innych powierzchniach przy zastosowaniu odpowiednich związków [4]. Autor rozprawy zaadoptował technikę mikropieczątkowania nieciągłych wzorów molekularnych warstw SAM. Na rysunku 2.1 przedstawiono proces uzyskiwania nieciągłych warstw SAM metodą µcp. Rysunek 2.1 Proces uzyskiwania nieciągłych warstw samoorganizujących się o zdefiniowanych kształtach metodą mikropieczątkowania. a) Wytworzenie formy o zdefiniowanych kształtach b) Wykonanie pieczątki z PDMS c) Naniesienie roztworu związku do funkcjonalizacji powierzchni adsorpcja molekuł do powierzchni pieczątki d) Wysuszenie pieczątki na powierzchni znajduje się cieńka warstwa nanoszonego związku. e) Pieczątkowanie transfer molekuł związku funkcjonalizującego na płaską powierzchnię podłoża. f) Oderwanie pieczątki od podłoża na podłożu powstaje chemicznie związana monowarstwa o zdefiniowanym kształcie. Wyliczona wysokość: 1,15 nm b) Zmierzona wysokość: 1,10 nm O CH 3 a) C H 3 Si O O CH 3 CH 3 c) Rysunek 2.2 Struktura OTMS uzyskana z pomocą techniki mikropieczątkowania (pomiary wykonany przez autora) a) Obraz topografii przedstawiony w 3D b) Przekrój przez mierzoną strukturę c) Molekuła OTMS wraz z wysokością zmierzoną i obliczoną
6 Autor pracy w trakcie prowadzonych badań opracował i wdrożył technikę µcp do praktyki ZMMiN. Przykładem warstwy uzyskanej za pomocą techniki mikropieczątkowania jest warstwa OTMS na powierzchni tlenku krzemu widoczna na rysunku 2.2 Wysokość mierzonej warstwy zależy od długości łańcucha alkilowego i wynosi 1,10 nm, co odpowiada wartości teoretycznej wynoszącej 1,15 nm. Drugą metodą wdrożoną przez autora rozprawy była tzw. nanolitografia ze zwilżonym ostrzem (DPN - ang. Dip Pen Nanolitography) stanowi interesującą metodę tworzenia warstw molekularnych, w kontrolowany sposób. Metoda umożliwia tworzenie molekularnych struktur, o dowolnych kształtach oraz wymiarach na płaskich powierzchniach. Nanoszenie warstw SAM odbywa się przez dyfuzję cząsteczek zaadsorbowanych do ostrza na skanowaną powierzchnię przez menisk wodny, dzięki zjawisku występowania kapilary wodnej w punkcie styku ostrza i powierzchni. Tworzenie warstw przedstawiono schematycznie na rysunek 2.3. Rysunek 2.3 Tworzenie warstwy SAM metodą litografii ze zwilżonym ostrzem Metoda ta daje możliwość wytwarzania stabilnych nanostruktur dzięki zastosowaniu substancji chemicznej, której molekuły na skutek chemisorpcji silnie wiążą się z atomami podłoża i mogącymi tworzyć warstwy SAM.. Niewątpliwą zaletą DPN jest możliwość wytwarzania wzorów z różnych molekularnych atramentów na tym samym podłożu. a) b) c) d) Rysunek 2.4 Struktury OTMS wytworzone w procesie DPN na podłożu tlenku krzemu. Obrazy otrzymano przy użyciu komercyjnego mikroskopu: Veeco Dimension V Scanning Probe Microscope zmierzone w trybie TM AFM. a) Obraz topografii struktury OTMS prędkość nanoszenia struktur 1µm/s; temperatura pokojowa; wilgotność 28% ; ostrze MPP ; siła nacisku 30nN b) Obraz kontrastu fazowego struktury c) Obraz topografii pojedynczej struktury uzyskanej w procesie DPN d) Przekrój przez strukturę zmierzona wysokość 0,55nm
7 Do wykonania prostych doświadczeń wykorzystujących litografię ze zwilżonym ostrzem może zostać użyty praktycznie każdy mikroskop sił atomowych, umożliwiający pomiary w trybie kontaktowym. Przykładem mogą być przedstawione na rysuku 2.4 struktury OTMS wytworzone za pomocą mikroskopu Veeco Dimension V. W trakcie prowadzonych prac autor rozprawy opracował system widoczny na rysunku 2.5, który pozwala na nanoszenie struktur warstw receptorowych na bazie tioli i silanów na podłożach tlenku krzemu i złota o wielkości dziesiątków nanometrów w polu do 100x100 µm, przy dowolności rysowanego kształtu. Rysunek 2.16 System do litografii ze zwilżonym ostrzem (DPN) wraz z komorą klimatyczną umożliwiającą kontrolę wilgotności w zakresie od 10% do 90%. Na potrzeby systemu opracowano oprogramowanie w języku C++, które jest modułem rozszerzającym możliwości programu DSP skaner. Aplikacja umożliwia rysowanie dowolnych kształtów, konwersję plików graficznych oraz generację testowych struktur periodycznych. 2.2 Wykorzystanie metod mikroskopii sił atomowych do diagnostyki warstw receptorowych Mikroskopia sił atomowych (ang. Atomic Force Microscopy - AFM) jest jedną z powszechnie stosowanych technik do obrazowania powierzchni. W pomiarach metodami mikroskopii AFM wykorzystywane są oddziaływania między atomami mierzonej powierzchni i atomami ostrza dźwigni sprężystej. Powstające oddziaływania odchylają sprężystą dźwignię od stanu równowagi powodując jej ugięcie. Ponieważ ostrze i powierzchnia znajdują się w polu bliskich oddziaływań, występujące siły międzycząsteczkowe umożliwiają wysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni zarówno izolatorów jak i przewodników. Technikami mikroskopii AFM wykorzystanymi w obrazowaniu i diagnostyce warstw receptorowych, a w szczególności SAM, są między innymi: tryb kontaktowy, tryb przerywanego kontaktu, mikroskopia sił chemicznych, ciągła spektroskopia sił czy mikroskopia z sondą Kelvina. W ramach realizowanych prac autor rozprawy z powodzeniem wykorzystywał powyżej wymienione techniki do diagnostyki warstw receptorowych.
8 3. Układy oparte na mikrodźwigniach sprężystych Badania prowadzone nad rozwojem technik mikroskopii bliskich oddziaływań w pierwszej połowie lat 90. XX wieku, doprowadziły do powstania pierwszych systemów z czujnikami mikrodźwigniowmi (ang. cantilever sensors, microcantilever sensors). Przedstawiona na rysunku 3.1 liczba rozwiązań oraz przewidywanych aplikacji jako przetworników dla danych wielkości fizycznych i chemicznych obrazuje jak uniwersalnym narzędziem jest mikrodźwignia. Współcześnie techniki te sprawdzają się jako doskonałe, wysokorozdzielcze narzędzia analityczne i badawcze. Rysunek 3.1 Proponowane zastosowania czujników mikrodźwigniowych wg H.P. Langa [5] Czujniki wykorzystujące konstrukcje mikrodźwigni sprężystej dają możliwość uzyskania taniej, przenośnej, bezznacznikowej detekcji molekuł o wysokiej czułości. Selektywność na określone indywidua chemiczne uzyskiwana jest przez dobór odpowiednich pokryć powierzchni czujnika warstwami funkcjonalnymi. Właściwości mechaniczne oraz wysoki stosunek powierzchni do objętości mikrodźwigni sprężystych powoduje, że są one bardzo dobrymi czujnikami masy i siły. W połączeniu z technologiami funkcjonalizacji powierzchni możliwa jest obserwacja fizycznych i chemicznych zjawisk w skali molekularnej. Prezentowane w rozprawie układy pomiarowe ugięcia dźwigni wykonano na podstawie konstrukcji mikroskopu AFM wykonanego w ZMMiN. W rozwiązaniach tych wykorzystywana jest
9 metoda optycznej detekcji ugięcia dźwigni (OBD - ang. Optical Beam Deflection), która charakteryzuje się wysoką czułością. Rysunek 3.2 Schemat ideowy układu pomiarowego wychylenia mikrodźwigni sprężystej. Głównymi składowymi omawianych systemów pomiarowych konstrukcji własnej są: układ zasilania, źródło wiązki świetlnej, układ ogniskowania i justowania wiązki, mikrodźwignia sprężysta, układ detekcji wiązki odbitej, karta przetwornikowej oraz komputer PC (rysunek 3.2). W zależności od zastosowań systemu, opracowano szereg celek gazowo-cieczowych oraz elektrochemicznych. Przy zastosowaniu odpowiedniego układu optycznego rozszerzającego wiązkę lasera (EBD ang. Expanded Beam Deflection), oraz zwielokrotnieniu układów detekcji oraz przetwarzania wiązki lasera możliwy jest pomiar ugięcia wielu dźwigni jednocześnie w czasie rzeczywistym. a) b) c) Rysunek 3.3 Obrazy SEM przykładowych matryc mikrodźwigni sprężystych Komercyjna matryca 2 dźwigni - Arrow-TL2Au, NanoWorld a) Wytworzona w ITE w Warszawie matryca 2 dźwigni z osobno wyprowadzoną metalizacją, przeznaczona do pomiarów elektrochemicznych. b) Przekrój przez strukturę mikrodźwigni (c) - Na dźwigni obecne są powierzchnie złota zdolne do wiązania tioli lub innych związków siarkoorganicznych, oraz powierzchnie tlenku krzemu zdolne do wiązania związków siarkoorganicznych
10 W trakcie prowadzonych prac wykorzystywano mikrodźwignie wytworzone w ITE w Warszawie oraz komercyjnie dostępne struktury. Na rysunku 3.3 widoczne są przykładowe struktury wykorzystywanych matryc mikrodźwigni. Mirodźwignie mają strukturę warstwową, w której każda warstwa ma inny współczynnik rozszerzalności cieplnej. Wpływ zmian temperatury na odczyt ugięcia czujnika eliminuje się przez zastosowanie dodatkowego czujnika odniesienia. Ze względu na przetwarzanie sygnału pochodzącego z dźwigni wyróżnia się dwa tryby pomiarowe: statyczny i dynamiczny. Analit Warstwa SAM; Warstwa receptorowa Przetwornik Rysunek 3.4 Zasada odpowiedzi czujników na bazie mikrodźwigni sprężystych W trybie statycznym mikrodźwignia sprężysta jest przetwornikiem powstających na jej powierzchni naprężeń oraz zmiany masy wywołanej adsorpcją molekuł (rysunek 3.4). Odpowiednio dobrana funkcjonalizacja prowadzi do powstania selektywnej warstwy receptorowej dla analizowanej substancji. W trybie rezonansowym (dynamicznym) mierzona jest zmiana częstotliwości wywołana zmianą masy związanej na elemencie drgającym jakim jest mikrodźwignia. Rysunek 3.8 Wynik pomiaru w trybie statycznym pojedynczej mikrodźwigni - Funkcjonalizacja czujnika przez wytworzenie warstwy 11MUA na powierzchni złota W trakcie realizacji rozprawy wykonano szereg eksperymentów przy wykorzystaniu mikrodźwigni sprężystych. Powierzchnię mikrodźwigni funkcjonalizowano warstwami SAM. Przykład takiej
11 funkcjonalizacji widoczny jest na rysunku 3.5 przedstawiono wynik statycznego pomiaru ugięcia dźwigni podczas funkcjonalizacji jej powierzchni molekułami MUA. Dodatkowo autor rozprawy współpracował przy opracowaniu nowatorskich metod pomiarowych polegających na: Odpowiedź mechanicznej dźwigni w układzie woltamperometrycznym [6] oraz metodzie bezpośredniego pomiaru naprężeń powierzchniowych [7]. 4.1 Układ Pomiarowy Do charakteryzacji jonoczułych tranzystorów polowych oraz nanodrutów krzemowych, autor rozprawy skonstruował system pomiarowy składający się z dwóch mierników Keithley 2400SMU. Schemat układu widoczny jest na rysunku 4.1. Rysunek 4.1 Schemat układu pomiarowego do pomiarów czujników ISFET oraz tranzystorowych nanodrutów krzemowych. W systemie pomiarowym jeden miernik pracuje jako stabilne źródło napięciowe sprzężone z pomiarem prądu płynącego przez element półprzewodnikowy. Drugi służy jako źródło napięcia przykładanego do bramki tranzystora lub elektrody referencyjnej. Rysunek 4.2 Rozszerzenie układu pomiarowego PWr (rysunek 5.12) o dodatkowy moduł miernik Keithley 2400SMU. Daje to możliwość pomiaru prądu dwóch nanodrutów w tym samym czasie.
12 System może służyć zarówno jako układ pomiarowy do badań chemicznych jak i układ do charakteryzacji tranzystorów. Zakres podawanych napięć jest rzędu pojedynczych mv, natomiast mierzone prądy to pojedyncze na. W kolejnych etapach prac rozwinięto ten układ pomiarowy. Na rysunku 4.2 przedstawiono schemat układu do pomiarów dwóch czujników jednocześnie. W układzie tym zastosowano dodatkowy miernik Keithley 2400SMU, który mierzy prąd płynący przez dodatkowy czujnik o charakterze tranzystora. System jest sterowany z poziomu komputera za pomocą magistrali GPIB. Stanowisko wykorzystuje oprogramowanie w środowisku LabView 8.6. dzięki temu system pomiarowy jest charakter otwarty na kolejne usprawnienia. a) b) Rysunek 4.3 Oprogramowanie do badania odpowiedzi czujników na bazie tranzystorów ISFET. a) Okno dialogowe programu FET meas v1.0.; Wynik pomiarów czujnika ISFET ITE Warszawa b) zestaw charakterystyk przedstawionych w przestrzeni 3D. Oprogramowanie umożliwia charakteryzację czujnika przez pomiar rodzin charakterystyk przejściowych i wyjściowych. Wyniki widoczne są na rysunku 4.3. Pomiar odbywa się przez zadawanie rosnącego napięcia między źródło a dren i określanie prądu drenu w kolejnych punktach, przy zadanym napięciu bramki. Niewątpliwym atutem stworzonego oprogramowania jest dowolność zadawania parametrów pomiaru, 4.2 Pomiarowa celka cieczowa Dla przeprowadzenia pomiarów czujników w małej objętości cieczy dla kolejnych generacji czujników zostały zaprojektowane i wykonane kolejne celki pomiarowe. W celu realizacji pomiaru temperatury autor rozprawy opracował układ pomiaru temperatury. Na rysunku 4.4 przedstawiono celkę pomiarową ISFET.
13 a) b) Rysunek 4.4 Pomiarowa celka cieczowa do pomiarów ISFET PWr; a) elementy celki, b) złożona celka. Do pomiarów nanodrutów krzemowych została zaprojektowana i wykonana przepływowa celka pomiarowa widoczna na rysunku 4.5. Celka umożliwia zarówno pomiary statyczne jak i przepływowe. Objętość komory pomiarowej wynosi 1 ml, co uwarunkowane jest kształtem matrycy czujników. a) b) Rysunek 4.5 Pomiarowa celka cieczowa do pomiarów nanodrutów krzemowych. a) rysunek projektowy (AutoDesk) b) złożona celka z zamontowanym czujnikiem. W obydwóch konstrukcjach celek zastosowano komercyjnie dostępne chlorosrebrowe elektrody referencyjne. 5. Jonoczuły Tranzystor Polowy Jonoczułe tranzystory polowe (ang. Ion Sensitive Field Effect Transistor - ISFET) są jednymi z najbardziej popularnych przetworników do detekcji różnych substancji (bio)chemicznych. Budowa tych urządzeń i zasada działania oparta jest o konstrukcje struktur MIS. Różnicą jest metaliczna bramka, odseparowana i zastąpiona elektrodą referencyjną umieszczoną w mierzonym roztworze wodnym, będącą w kontakcie z izolatorem bramkowym (rysunek 5.1). Wiele uwagi poświęcono w literaturze modyfikacji technologii oraz poprawie wydajności procesów produkcji [8]. Łatwy dostęp do powierzchni aktywnej czujnika zaowocował szeregiem modyfikacji mających na celu wytworzenie urządzenia, którym w sposób efektywny można mierzyć określone wielkości (bio)chemiczne. W ten sposób osiągnięto urządzenia o powtarzalnych właściwościach, co ma kluczowe znaczenie w potencjalnych zastosowaniach. Dodatkowo
14 możliwość seryjnej produkcji obniża koszt wytwarzania tych czujników oraz daje możliwość wytwarzanych matryc czujników. Rysunek 5.1 Porównanie budowy tranzystorów. [9] a) MISFET b) ISFET 5.1 Struktury jonoczułych tranzystorów polowych wykorzystywanych w badaniach Rysunek 5.2 Struktury ISFET wytwarzane w ITE w Warszawie z kontaktami wyprowadzonymi od spodu (BSC), stosowane w pomiarach autora rozprawy. a) Struktury ISFET; b) pojedynczy czujnik; c) d) Widok kanału czujnika o szerokości 50 µm.
15 Wykorzystywane w badaniach struktury ISFET wytwarzano w ITE w Warszawie, w technologii CMOS. Wymiary pojedynczego chipu wynoszą: 4,9 mm długośći, 4,9 mm szerokości, grubość 1,7 mm. Grubość samej struktury ISFET wynosi 380 µm. Czujnik przeznaczony jest do pracy w zakresie U DS = 0-10 V przy maksymalnym prądzie drenu I D = 5 ma. Struktury ISFET widoczne na rysunku 5.2 mają kanał typu n normalnie otwarty pokryty warstwą Si 3 N 4. Struktury te zostały dobrze opisane w literaturze [10] i wykorzystane w wielu konstrukcjach czujnikowych. 5.2 Porównanie metod pomiarowych jonoczułych tranzystorów polowych Rysunek 5.3 Porównanie dwóch systemów pomiaru ISFET. Oryginalnym pomiarem był, przedstawiony na rysunku 5.3, porównawczy pomiar dla dwóch różnych systemów pomiarowych przeprowadzony w dwóch trybach, w tych samych warunkach i na tych samym czujniku. Porównano dwa układy pomiarowe, w których stabilizowano napięcie U DS system PWr oraz prąd I DS system zaproponowany przez ITE Warszawa.W celu poprawnego porównania poziomu odpowiedzi punkt pracy dla układu PWr został wyznaczony przez pomiar napięć w układzie z ITE i wynosił: U DS = 1,38 V oraz U GS = 1,34 V. Wyniki obydwu pomiarów znormalizowano i zestawiono na rysunku Wynika z nich, że poziom odpowiedzi dla tych technik jest porównywalny, co za tym idzie techniki te mogą być uznane za równorzędne. Wydawać by się mogło że stabilniejszy jest pomiar prądu drenu, jednakże był on realizowany w dłuższym czasie. Porównanie metod pomiarowych wykonano również dla układów bioligicznych. Dodatkowo wykonano szereg pomiarów funkcjonalizacji czujników ISFET oraz pomiarów biologicznych.
16 6. Nanodruty Krzemowe Podczas realizacji pracy badano nanodruty krzemowe wytwarzane w technologii FinFET przez ITE w Warszawie. Nazwa technologii pochodzi od wyglądu struktur, które w widoku od góry przypominają rybie płetwy. Angielskie słowo fin oznacza płetwę (ość, żebro) natomiast FET podkreśla fakt że urządzenie działa na zasadzie tranzystora polowego. Wytworzone struktury FinFET pozbawione fizycznej bramki, spełniają wszelkie wymagania do zastosowań czujnikowych jako struktury ISFET. Zwielokrotnienie bramki skutecznie podnosi kontrolę przewodnictwa kanału, co stanowi niewątpliwą ich zaletę. Wykorzystywane struktury nanodrutów w pełni scharakteryzowano za pomocą technik obrazowania (AFM, SEM, optycznie) oraz elektrycznie. 6.1 Charakteryzacja struktur nanodrutów krzemowych Struktury NW-1 wytworzono w dwóch wariantach długośći: 10 µm i 20 µm oraz liczbie nanodrutów w pojedynczej strukturze mieszczącej się w zakresie od 2 do 32. Nanodruty NW-1 scharakteryzowano przy użyciu mikroskopii optycznej (rysunek 6.1), SEM) oraz AFM. a) b) Rysunek 6.6 Obraz mikroskopii optycznej struktur nanodrutów NW-1 a) Trzy struktury nanodrutów krzemowych b) Struktura NW-1-20Fin16 Drugi typ matryc wykorzystywanych w badaniach, oznaczono jako NW-2. Pojedyncze struktury nanodrutów, w przekroju mają wymiary wynoszące 100 nm szerokości oraz 200 nm wysokości. Na pojedynczej matrycy przedstawionej na rysunku 6.2 znajduje się 16 struktur nanodrutów krzemowych. Struktury można podzielić ze względu na długość (8 lub 20 µm) oraz rodzaj domieszkowania obszaru kanału oraz kontaktów.
17 Rysunek 6.2 Matryca NW-2; Obraz z mikroskopu optycznego złożony z 8 fotografii. W trakcie prowadzenia badań nanodruty NW-1 oraz NW-2 charakteryzowano za pomocą zaawansowanych technik mikroskopii AFM. Pomiary metodami mikroskopii termicznej ( SThM - ang. Scanning thermal microscopy). W tym samym układzie polaryzacji struktur przeprowadzono pomiary metodą mikroskopii z sondą Kelvina. Metoda KPFM pozwala na obrazowanie rozkładu ładunku na powierzchni urządzenia. Pozwoliło to na eksperymentalne zaobserwowanie efektu odcinania kanału na nanodrucie. Trzecim typem matryc wykorzystanych w badaniach były matryce nanodrutów uwolnionych z podłoża, oznaczone jako snw-2 (rysunek6.3) będących pochodną struktur NW-2.. Rysunek 6.3 Obraz SEM struktur nanodrutów uwolnionych a) Struktura 2 nanodrutów długości 8µm snw-2-a8fin2 b) Kontakt pojedynczego uwolnionego nanodrutu - szacowana szerokość wynosi 121 nm c) Nanodrut zerwany za pomocą mikromanipulatora
18 Proces uwalniania nanodrutów NW-2 prowadzi do zmiany charakterystyk prądowo napięciowych tych struktur. Zaobserwowane efekty są wynikiem wyższego ilorazu pola powierzchni do objętości uwolnionych nanodrutów niż w strukturach nieuwolnionych. Nanodruty snw-2 wykazują potencjalnie wyższą czułość co jest szczególnie dobrze widoczne przy porównaniu charakterystyk wyjściowych widocznych na rysunku 6.4. Porównanie parametrów, transkonduktancyjnch pozwala stwierdzić czterokrotną wyższą czułość uwolnionych struktur. Rysunek 6.4 Porównanie charakterystyk wyjściowych nanodrutów NW-2 i snw-2 analogicznych do struktur A20Fin2. Charakterystyki mierzone w roztworze zawierającym PBS o stężeniu 1mM oraz KCl o stężeniu 10 mm, przy polaryzacji U DS=2V. 6.2 Funkcjonalizacja nanodrutów krzemowych Rysunek 6.5 Charakterystyki wyjściowe nanodrutów NW-1-20Fin16 przed i po procesie funkcjonalizacji warstwą APTES zestaw charakterystyk wyjściowych przed i po funkcjonalizacji nanodrutu
19 Struktury nanodrutów w celu użycia ich jako czujniki chemiczne lub biologiczne wymagają odpowiedniej funkcjonalizacji polegającej na wytworzeniu warstw SAM. Opracowana przez autora procedura pomiarów charakterystyk pozwala na szybkie testowanie uformowanych warstw SAM bez konieczności stosowania zaawansowanych metod pomiarowych. Na rysunku 6.5 przedstawiono wynik zmian charakterystyk wyjściowych spowodowany wytworzeniem warstwy receptorowej. W trakcie prowadzonych prac zaimplementowano litografię ze zwilżonym ostrzem do selektywnej funkcjonalizacji czujników. DPN jest metodą, umożliwiającą w ściśle określone miejsca nanoszenie warstw SAM za pomocą ostrza mikroskopu AFM. Przy użyciu komercyjnego mikroskopu Veeco Dimension V wykonano selektywną funkcjonalizację struktur NW-1. Do eksperymentu użyto struktur NW-1-20Fin2 oraz NW-1-20Fin4. Wynik eksperymentu przedstawiono na rysunku 6.6. Widoczna jest różnica odpowiedzi czujników na zadane stężenie jonów miedzi. Rysunek 6.6 Oznaczanie jonów Cu 2+ przy użyciu czujników sfunkcjonalizowanych techniką DPN. OTMS NW-2-20Fin4 (2 finy aktywne); ETA NW-2-20Fin2 (U DS=2V dla obu czujników, U GS=1V)
20 6.3 Pomiary wykonywane za pomocą funkcjonalizowanych nanodrutów krzemowych W trakcie prowadzonych prac autor rozprawy wykonał szereg oznaczeń jonów metali oraz substancji biologicznych. Struktury nanodrutów modyfikowano za pomocą warstw SAM tak, aby stały się one selektywne dla danych indywiduów chemicznych. Przykładem może być widoczny na rysunku 6.7 przykład oznaczania endotoksyn bakteryjnych. Endotoksyny są szkodliwymi dla organizmu substancjami wytwarzanymi dostarczanymi przez bakterie do środowiska. LPS jest podstawowym składnikiem ściany komórkowej bakterii gram ujemnych. Mechanizm odpowiedzi immunologicznej w momencie pojawienia się LPS w środowisku opiera się na selektywnym i specyficznym wiązaniu endotoksyn z odpowiednimi przeciwciałami. Jest to jeden z możliwych sposobów identyfikacji szkodliwych dla organizmu bakterii. -4,14 60µl kanal "P" SiO 2 struktura 8 fin 20µm Ugs=-3V Uds=-3V -4,16-4,18 20µl 40µl c=12µg/ml Current (µa) -4,20-4,22 LPS c=6µg/ml -4,24-4,26 c=2µg/ml dodatek przeciwcial o c =1mg/ml Time (s) Rysunek 6.7 Oznaczanie przeciwciał endotoksyn bakteryjnych LPS na odpowiednio przygotowanej strukturze NW-2-B20Fin8
21 7. Podsumowanie W rozprawie omówiono zagadnienia związane z nowoczesnymi narzędziami analitycznymi. Autor rozprawy rozwijał techniki pomiarowe dla mikromechanicznych i nanoelektronicznych układów. W zakresie rozprawy jako układ mikromechaniczny badano czujniki na bazie mikrodźwigni sprężystej natomiast układami nanoelektronicznymi były nanodruty krzemowe, które są rozwinięciem konstrukcji jonoczułych tranzystorów polowych. Dodatkowo autor rozprawy opracował technologię osadzania warstw receptorowych dla obu typów układów analitycznych, bazującą na warstwach samoorganizujących się, w celu uzyskania czujników selektywnych na określone jony metali ciężkich, molekuły organiczne, oraz molekuły pochodzenia biologicznego. Opracowano metody selektywnego nanoszenia warstw receptorowych na powierzchnie czujnikowe. Dla warstw samoorganizujących się opracowano metodologie pomiarów technikami mikroskopii sił atomowych bazującą na warstwach nieciągłych. Do najważniejszych osiągnięć autora rozprawy należą: W zakresie funkcjonalizacji powierzchni: - wdrożenie technologii mikropieczątkowania; opracowanie matryc i technologii wytwarzania pieczątek dla tej technologii, - uzyskanie szeregu warstw nieciągłych, zarówno na podłożach złotych jak i tlenku krzemu i przeprowadzenie diagnostyki tych warstw szeregiem nowoczesnych technik mikroskopii sił atomowych, - opracowanie warstw receptorowych dla czujników bazujących na systemach mikrodźwigni sprężystej oraz nanodrutów krzemowych, - opracowanie technik selektywnej funkcjonalizacji czujników. W zakresie układów mikromechanicznych - opracowanie nowatorskich technik pomiarowych bazujących na systemach pomiaru ugięcia mikrodźwigni sprężystej. W zakresie układów nanoelektronicznych: - opracowanie metod funkcjonalizacji nanodrutów metodami litografii ze zwilżonym ostrzem - opracowanie selektywnych metod funkcjonalizacji nanodrutów przez sterowanie potencjałem nanodrutu - opracowanie metod wyznaczania parametrów mechanicznych nanodrutów uwolnionych metodami mikroskopii AFM - opracowanie metod charakteryzacji nanodrutów krzemowych technikami mikroskopii sił atomowych, - opracowanie systemu pomiarowego dla jonoczułych tranzystorów polowych oraz nanodrutów krzemowych, - opracowanie metody pomiarowej nanodrutów krzemowych oraz jonoczułych tranzystorów polowych dla selektywnego oznaczania substancji biologicznych: BSA; Igg/anty-Igg; Awidyna-biotyna, streptavidyna oraz jonów metali: miedzi, kadmu, rtęci, ołowiu, - wykazanie zwiększonej czułości detekcji ph za pomocą nanodrutów uwolnionych. Badania przedstawione w niniejszej rozprawie były realizowane w ścisłej współpracy z zespołami z Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie.
22 LITERATURA [1] L. Su, W. Jia, C. Hou, and Y. Lei, Microbial biosensors: A review, Biosensors and Bioelectronics, vol. 26, no. 5. pp , [2] "Chemiczna funkcjonalizacja powierzchni dla potrzeb nanotechnologii, przaca zbiorowa pod redakcją G. Schroedera, Cursiva [3] J. Sagiv, Organized monolayers by adsorption. 1. Formation and structure of oleophobic mixed monolayers on solid surfaces, J. Am. Chem. Soc., vol. 399, no. 1976, pp , [4] S. Alom Ruiz and C. S. Chen, Microcontact printing: A tool to pattern, ; Soft Matter, vol. 3, no. 2. p. 168, [5] H. P. Lang, M. K. Baller, R. Berger, C. Gerber, J. K. Gimzewski, F. M. Battiston, P. Fornaro, J. P. Ramseyer, E. Meyer, and H. J. Güntherodt, An artificial nose based on a micromechanical cantilever array, Analytica Chimica Acta, 1999, vol. 393, no. 1 3, pp [6] K. Nieradka, P. Pałetko, D. Kopiec, P. Grabiec, P. Janus, G. Schroeder, T. Ossowski, and T. Gotszalk, Electrochemical cell with electrically addressable cantilever arrays, pp , [7] D. Kopiec, P. Pałetko, K. Nieradka, W. Majstrzyk, P. Kunicki, A. Sierakowski, G. Jóźwiak, and T. Gotszalk, Closed-loop surface stress compensation with an electromagnetically actuated microcantilever, Sensors Actuators B Chem., vol. 213, pp , [8] S. J. P. Fan Ren, "Semiconductor Device-Based Sensors for Gas, Chemical, and Biomedical Applications". CRC Press, [9] W. W. Zbigniew Brzózka, "Sensory chemiczne". Oficyna Wydawnicza PW, [10] M. Zaborowski, B. Jaroszewicz, D. Tomaszewski, P. Prokaryn, E. Malinowska, E. Grygolowicz-Pawlak, and P. Grabiec, Fabrication of MOS - Compatible Ion - Sensitive Devices for Water Pollution Monitoring (Warmer), th Int. Conf. Mix. Des. Integr. Circuits Syst., 2007.
prof. dr hab. inż. Andrzej DZIEDZIC Wrocław, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska
prof. dr hab. inż. Andrzej DZIEDZIC Wrocław, 01-03-2016 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra PAŁETKO Nowoczesne narzędzia
SUB-NANO Matryce czujników mikromecha-nicznych do detekcji bakterii Gram-ujemnych i ich endotoksyn T.Gotszalk
MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00
PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.
PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź
Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, 91-403 Łódź Dr Paweł Krzyczmonik Łódź, marzec 2014 1 Plan wykładu Tranzystor polowy MSFET Tranzystor jonoczuły ISFET Chemicznie
Grafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Budowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Podstawy fizyki wykład 2
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali
Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
AFM. Mikroskopia sił atomowych
AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości
Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej
Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej 1 2 NR 147 Julian Kubisztal Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej Wydawnictwo Uniwersytetu
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15
PL 226438 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226438 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406862 (22) Data zgłoszenia: 16.01.2014 (51) Int.Cl.
WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI CELE PRZEDMIOTU
Zał. nr 4 do ZW /01 WYDZIAŁ PPT KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Nanodiagnostyka Nazwa w języku angielskim Nanodiagnostics Kierunek studiów (jeśli dotyczy): Fizyka Techniczna Specjalność (jeśli
Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej
Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233
MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG
MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00
Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są
Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
EWA PIĘTA. Streszczenie pracy doktorskiej
EWA PIĘTA Spektroskopowa analiza struktur molekularnych i procesu adsorpcji fosfinowych pochodnych pirydyny, potencjalnych inhibitorów aminopeptydazy N Streszczenie pracy doktorskiej wykonanej na Wydziale
(zwane również sensorami)
Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.
Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym
Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
FITOREMEDIACJA. Jest to proces polegający na wprowadzeniu roślin do określonego ekosystemu w celu asymilacji zanieczyszczeń poprzez korzenie i liście.
FITOREMEDIACJA Jest to proces polegający na wprowadzeniu roślin do określonego ekosystemu w celu asymilacji zanieczyszczeń poprzez korzenie i liście. Proces ten jest wykorzystywany do usuwania takich ksenobiotyków
Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Materiały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej
Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej 1. Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wstęp Pomiar profilu wiązki
TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
WZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii
P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji
IV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Z47 BADANIA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTROFIZJOLOGICZNYCH BŁON KOMÓRKOWYCH
Z47 BADANIA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTROFIZJOLOGICZNYCH BŁON KOMÓRKOWYCH I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawową wiedzą na temat pomiarów elektrofizjologicznych żywych komórek metodą Patch
Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia
MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 3 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. W ćwiczeniu zostaną
Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych w pomiarach nanosił
Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur Autoreferat rozprawy doktorskiej Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych
Uniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Sesja prezentacji Wydziału Chemicznego
9 50 11 10 Sesja prezentacji Wydziału Chemicznego Spotkania z Przemysłem, 8 marca 2018 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Centrum Zarządzania Innowacjami i Transferem Technologii Sesja prezentacji
Ćw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Metody badań składu chemicznego
Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Kierunek: Inżynieria Materiałowa Metody badań składu chemicznego Ćwiczenie : Elektrochemiczna analiza śladów (woltamperometria) (Sprawozdanie drukować dwustronnie
LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7 TRANZYSTOR UNIPOLARNY DO
METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW
METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW 1 Cel badań: ograniczenie ryzyka związanego ze stosowaniem biomateriałów w medycynie Rodzaje badań: 1. Badania biofunkcyjności implantów, 2. Badania degradacji implantów w środowisku
November 21 23, 2012
November 21 23, 2012 Electrochemicalmicrosensorsfor non invasivemeasurementof partialpressureof O 2 and CO 2 inarterialbloodby invivo epidermal method Tadeusz Palko Warsaw University of Technology(Poland)
III. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Funkcjonalne nano- i mikrocząstki dla zastosowań w biologii, medycynie i analityce
Funkcjonalne nano- i mikrocząstki dla zastosowań w biologii, medycynie i analityce dr Magdalena Oćwieja (ncocwiej@cyf-kr.edu.pl) Prace prowadzone w ramach projektu Funkcjonalne nano i mikrocząstki synteza
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź
Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, 91-403 Łódź Dr Paweł Krzyczmonik Łódź, marzec 2014 1 Plan wykładu Spektroskopia UV-ViS Światłowody- podstawy teoretyczne Fala
Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych
MIROSYSTEMY - LABRATORIUM Ćwiczenie nr 2 Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych Charakterystyka badanego elementu: Odporny na korozję czujnik ciśnienia został opracowany w
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA KATEDRA ZARZĄDZANIA PRODUKCJĄ Instrukcja do zajęć laboratoryjnych z przedmiotu: Towaroznawstwo Kod przedmiotu: LS03282; LN03282 Ćwiczenie 4 POMIARY REFRAKTOMETRYCZNE Autorzy: dr
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Kierunek Międzywydziałowy - Inżynieria Biomedyczna. Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Specjalność:
Kierunek Międzywydziałowy - Inżynieria Biomedyczna Specjalność: CHEMIA W MEDYCYNIE CHEMIA W MEDYCYNIE Studia mają charakter interdyscyplinarny, łączą treści programowe m.in. takich obszarów, jak: Analityka
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki
Opis efektów dla kierunku Elektronika Studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Objaśnienie oznaczeń: K kierunkowe efekty W kategoria wiedzy U kategoria umiejętności K (po podkreślniku)
(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:
. (Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11 Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: 1) Mikroskop AFM według pkt 1 a) załącznika nr 7 do SIWZ, model / producent..... Detekcja
Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012
Warszawa dn. 2012-07-26 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie
Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem
Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze
METODYKA WYBRANYCH POMIARÓW. w inżynierii rolniczej i agrofizyce. pod redakcją AGNIESZKI KALETY
METODYKA WYBRANYCH POMIARÓW w inżynierii rolniczej i agrofizyce pod redakcją AGNIESZKI KALETY Wydawnictwo SGGW Warszawa 2013 SPIS TREŚCI Przedmowa... 7 Wykaz ważniejszych oznaczeń... 11 1. Techniki pomiarowe
Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii
Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii Grażyna Rudnicka Mariusz Wiśniewski, Dariusz Czułek, Robert Szumski, Piotr Sosinowski Główny Urząd Miar Mapy drogowe EURAMET
STUDIA I STOPNIA NA KIERUNKU ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE. specjalność Biofizyka molekularna
STUDIA I STOPNIA NA KIERUNKU ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE 1. CELE KSZTAŁCENIA specjalność Biofizyka molekularna Biofizyka to uznana dziedzina nauk przyrodniczych o wielkich tradycjach, która
ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE Specjalność: Biofizyka molekularna. 3-letnie studia I stopnia (licencjackie)
ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE Specjalność: Biofizyka molekularna 3-letnie studia I stopnia (licencjackie) 1. OGÓLNA CHARAKTERYSTYKA STUDIÓW Biofizyka to uznana dziedzina nauk przyrodniczych
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
WYZNACZANIE ROZMIARÓW
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTRUKCJA Z LABORATORIUM W ZAKŁADZIE BIOFIZYKI Ćwiczenie 6 WYZNACZANIE ROZMIARÓW MAKROCZĄSTECZEK I. WSTĘP TEORETYCZNY Procesy zachodzące między atomami lub cząsteczkami w skali molekularnej
4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Dr hab. inż. Wojciech Simka, prof. Pol. Śl.
Gliwice, 09.09.2016 Recenzja pracy doktorskiej Pani mgr Ewy Wierzbickiej pt. Electrochemical sensors for epinephrine determination based on gold nanostuctures Przedstawiona do recenzji rozprawa doktorska
ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Pytania na egzamin magisterski Kursy kierunkowe
Pytania na egzamin magisterski Kursy kierunkowe Nr pyta nia Kod kursu Nazwa kursu Kurs: kierunkowy /specjalnośc iowy Semestr studiów I, II stopień Prowadzący Pytanie 1. MDP2900W, kierunkowy 1 semestr,
Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.
Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój
Wymiar: Forma: Semestr: 30 h wykład VII 30 h laboratoria VII
Pomiary przemysłowe Wymiar: Forma: Semestr: 30 h wykład VII 30 h laboratoria VII Efekty kształcenia: Ma uporządkowaną i pogłębioną wiedzę z zakresu metod pomiarów wielkości fizycznych w przemyśle. Zna
Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010. Koercyjne natężenie pola Hcj
Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010 Koercyjne natężenie pola Hcj KOERZIMAT 1.097 HCJ jest sterowanym komputerowo przyrządem pomiarowym do szybkiego, niezależnego od geometrii
Ćw. 8 Bramki logiczne
Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.
Spektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip
NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Beata Grabowska, pok. 84A, Ip http://home.agh.edu.pl/~graboska/ Mikroskopia Słowo mikroskop wywodzi się z języka greckiego: μικρός - mikros "mały
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury. Czujniki stacjonarne.
Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury Niemiecka firma Micro-Epsilon, której WObit jest wyłącznym przedstawicielem w Polsce, uzupełniła swoją ofertę sensorów o czujniki podczerwieni
Odniesienie do obszarowych efektów kształcenia 1 2 3. Kierunkowe efekty kształcenia WIEDZA (W)
EFEKTY KSZTAŁCENIA NA KIERUNKU "MECHATRONIKA" nazwa kierunku studiów: Mechatronika poziom kształcenia: studia pierwszego stopnia profil kształcenia: ogólnoakademicki symbol kierunkowych efektów kształcenia
PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG
MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji