Nowoczesne narzędzia dla analityki chemicznej na bazie układów mikromechanicznych i nanoelektronicznych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Nowoczesne narzędzia dla analityki chemicznej na bazie układów mikromechanicznych i nanoelektronicznych"

Transkrypt

1 Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur Autoreferat rozprawy doktorskiej Nowoczesne narzędzia dla analityki chemicznej na bazie układów mikromechanicznych i nanoelektronicznych AUTOR: mgr inż. Piotr Pałetko PROMOTOR: prof. dr hab. inż. Teodor Gotszalk Wrocław, 2016

2 1. Wprowadzenie i Cel Pracy Analizowanie substancji chemicznych (analitów) przy wykorzystaniu różnych platform pomiarowych jest jednym z kluczowych kierunków rozwoju współczesnej chemii. Szczególne znaczenie, w tych badaniach ma analiza związków chemicznych wytwarzanych przez żywe organizmy lub substancji bioaktywnych. Wiele z tych substancji może mieć negatywny wpływ na zdrowie ludzkie czy też środowisko naturalne. W ostatnich latach znacząco zwiększa się ilość i różnorodność procesów chemicznych i substancji wykorzystywanych w rolnictwie, przetwarzaniu żywności, medycynie czy też w codziennym życiu. Sprawia to, że ilość zagrożeń związanych z obecnością tych substancji również ulega zwiększeniu. Metody charakteryzujące się wysoką czułością i selektywnością detekcji znajdują zastosowanie w diagnostyce klinicznej, profilaktyce medycznej, opracowywaniu nowych leków, kontroli żywności, monitorowaniu środowiska, systemach zabezpieczeń czy też zrozumieniu funkcjonowania układów biologicznych. Opracowanie tych narzędzi wymaga interdyscyplinarnego łączenia technik z pogranicza fizyki, mechaniki, chemii, biochemi oraz elektroniki. W nowoczesnych metodach analitycznych systemy spełniające postawione wyzwania nazywane są biosensorami (ang. biosensors). Biosensor jest to analityczny przyrząd powstały w wyniku połączenia poszczególnych (bio)chemicznych elementów oraz elementów fizycznych pozwalający na detekcję określonych indywiduów (bio)chemicznych [1]. Typowy biosensor jest złożony z trzech głównych składowych: przetwornika odbierającego sygnał, części elektronicznej przetwarzającej sygnał oraz komputera wyposażonego w odpowiednie oprogramowanie pozwalające na analizę uzyskanych informacji (rysunek 1.1). Kluczowym elementem konstrukcyjnym jest przetwornik od którego wymaga się wysokiej czułości na zachodzące zmiany. W celu pomiaru bardzo małych wartości (stężeń, siły, ciepła, etc.) wymagane jest użycie odpowiednio małych narzędzi pomiarowych. Współczesne technologie mikrowytwarzania pozwalają na wykonanie wystarczająco małych przetworników dla potrzeb czujnikowych analityki chemicznej. Rysunek 1.1 Schemat ideowy budowy typowego biosensora. Sygnał (bio)chemiczy pochodzący z powierzchni przetwornika jest przetwarzany na sygnał elektryczny. Odpowiedni dobór układów elektronicznych i oprogramowania pozwala na uzyskanie jakościowej lub/i ilościowej informacji. Selektywne oddziaływanie z analizowaną substancją zapewnia receptor Urządzenia mikromechaniczne takie jak mikrodźwignia sprężysta czy nanoelektroniczne jak nanodruty krzemowe spełniają te założenia i mogą posłużyć konstruowaniu systemów analitycznych o dużej czułości

3 i rozdzielczości. Selektywność przetwornika na daną substancję zapewnia dobór odpowiedniej warstwy receptorowej. Warstwa ta jest w stanie wychwycić pożądaną substancję z mieszaniny i związać ją z powierzchnią przetwornika na drodze selektywnych i specyficznych oddziaływań. Jedną z możliwości modyfikacji powierzchni przetworników jest wytwarzanie tak zwanych warstw samoorganizujących się (SAM ang. self assembled monolayers). Prostota ich uzyskania oraz duża ich różnorodność stanowią o olbrzymim zainteresowaniu tymi strukturami powierzchniowymi. Warstwy samoorganizujące się same w sobie stanowić mogą warstwę receptorową lub też posłużyć za bazę dla (bio)chemicznej modyfikacji powierzchni. Celem niniejszej rozprawy było: opracowanie technologii receptorowych molekularnych warstw samoorganizujących się (SAM) integrowanych z czujnikami mikromechanicznymi i nanoelektronicznych. zastosowanie platformy czujników mikromechanicznych i nanoelektronicznych nowej generacji do detekcji wybranych biomolekuł i jonów metali ciężkich, Cele pracy zrealizowano w pracach eksperymentalnych związanych z wytworzeniem odpowiednich konstrukcji czujnikowych oraz zastosowaniem odpowiednich warstw receptorowych. 2. Warstwy Samoorganizujące Się W materiałach molekularnych samoorganizacja (ang. self-assembly) dotyczy procesu samorzutnego gromadzenia się określonych jednostek (tj. atomów, molekuł lub biomolekuł) w uporządkowane struktury ponad cząsteczkowe [2]. Układy supramolekularne powstają dzięki różnego typu oddziaływaniom między poszczególnymi cząsteczkami. W literaturze znane są jako molekularne warstwy samoorganizujące się (ang. self-assembled monolayers; SAM). Struktury te wykazują wysoki stopień upakowania, uporządkowania oraz orientacji molekuł. Odkąd struktury SAM zostały opisane po raz pierwszy w 1980 roku, wiedza o nich, metody wytwarzania oraz możliwości zastosowań znacząco się poszerzyły [3]. Prostota uzyskania struktur SAM, i możliwości ich modyfikacji są powodem tak olbrzymiego zainteresowania tymi strukturami supramolekularnymi w laboratoriach badawczych. W swoich badaniach autor pracy warstwy SAM zastosował jako warstw receptorowe czujników mikromechanicznych i nanoelektonicznych, stosując związki siarkoorganiczne i krzemoorganiczne do ich funkcjonalizacji (tabela 2.1 ). Ze względu na budowę warstw samoorganizujących molekuły zdolne do tworzenia układów SAM z energetycznego punktu widzenia składają się z trzech elementów: grupy czołowej, łańcucha alkilowego oraz grupy funkcyjnej. Grupa czołowa (ang. head group) zwana również grupą wiążącą (ang. linking group) jest to reaktywna chemicznie grupa, która umożliwia chemisorpcję molekuł do podłoża, tworząc wiązanie chemiczne. Determinuje ona właściwości powstałych warstw pod względem trwałości w czasie i kąt pod jakim molekuły układają się do podłoża, co ma między innymi wpływ na wysokość warstwy.

4 Skrót stosowany w pracy Silany Struktura chemiczna /nazwa (ang.) Skrót stosowany w pracy Struktura chemiczna /nazwa (ang.) Si NH 2 Si CH 3 APTES 3-aminopropyltrimethoxysilane OTMS trimethoxy(octyl)silane Si NH NH 2 Si Na O O N N O O O Na EDA ETA N-(2-aminoethyl)-3- aminopropyltrimethoxysilane Si NH NH EDTA O Na N-(trimethoxysilylopropyl ethylenediamine triacetic tri sodium salt (EDTA-silane) NH 2 Si N C N -(3-trimethoxysilylpropyl)- diethylenetriamine TESPIC 3-(triethoxysilyl)propyl isocyanate Skrót stosowany w pracy Si O O Si GOPTES 3-glicydyloxypropylotrimethyoxysilane MPTES (3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane Tiole Struktura chemiczna Struktura chemiczna /nazwa (ang.) /nazwa (ang.) Skrót stosowany w pracy SH HS CH 3 HS UDT 1-undecanethiol TP thiophenol O HS OH NH 2 HS MUA 11-mercaptoundecanoic acid CS cystamine [2-aminoethanethiol] Tabela 2.1 Tabela związków chemicznych tworzących warstwy SAM, wykorzystanych w badaniach autora pracy 2.1 Metody selektywnej funkcjonalizacji powierzchni W trakcie realizacji rozprawy autor rozprawy wdrożył techniki selektywnej funkcjonalizacji powierzchni warstwami SAM. Dało to możliwości wytwarzania określonych warstw receptorowych w ściśle określonych miejscach zarówno w układach testowych jak i selektywnej funkcjonalizacji czujników. Pierwszą z metod jest tzw. mikropieczątkowanie (µcp - ang. Microcontact Printing), należące do technik tzw. miękkiej litografii (ang. soft lithography), umożliwia wytwarzanie warstw samoorganizujących się na ściśle określonej powierzchni i o określonych wzorach. Technika mikropieczątkowania z powodzeniem

5 może być stosowana do wykonywania wzorów molekularnych na innych powierzchniach przy zastosowaniu odpowiednich związków [4]. Autor rozprawy zaadoptował technikę mikropieczątkowania nieciągłych wzorów molekularnych warstw SAM. Na rysunku 2.1 przedstawiono proces uzyskiwania nieciągłych warstw SAM metodą µcp. Rysunek 2.1 Proces uzyskiwania nieciągłych warstw samoorganizujących się o zdefiniowanych kształtach metodą mikropieczątkowania. a) Wytworzenie formy o zdefiniowanych kształtach b) Wykonanie pieczątki z PDMS c) Naniesienie roztworu związku do funkcjonalizacji powierzchni adsorpcja molekuł do powierzchni pieczątki d) Wysuszenie pieczątki na powierzchni znajduje się cieńka warstwa nanoszonego związku. e) Pieczątkowanie transfer molekuł związku funkcjonalizującego na płaską powierzchnię podłoża. f) Oderwanie pieczątki od podłoża na podłożu powstaje chemicznie związana monowarstwa o zdefiniowanym kształcie. Wyliczona wysokość: 1,15 nm b) Zmierzona wysokość: 1,10 nm O CH 3 a) C H 3 Si O O CH 3 CH 3 c) Rysunek 2.2 Struktura OTMS uzyskana z pomocą techniki mikropieczątkowania (pomiary wykonany przez autora) a) Obraz topografii przedstawiony w 3D b) Przekrój przez mierzoną strukturę c) Molekuła OTMS wraz z wysokością zmierzoną i obliczoną

6 Autor pracy w trakcie prowadzonych badań opracował i wdrożył technikę µcp do praktyki ZMMiN. Przykładem warstwy uzyskanej za pomocą techniki mikropieczątkowania jest warstwa OTMS na powierzchni tlenku krzemu widoczna na rysunku 2.2 Wysokość mierzonej warstwy zależy od długości łańcucha alkilowego i wynosi 1,10 nm, co odpowiada wartości teoretycznej wynoszącej 1,15 nm. Drugą metodą wdrożoną przez autora rozprawy była tzw. nanolitografia ze zwilżonym ostrzem (DPN - ang. Dip Pen Nanolitography) stanowi interesującą metodę tworzenia warstw molekularnych, w kontrolowany sposób. Metoda umożliwia tworzenie molekularnych struktur, o dowolnych kształtach oraz wymiarach na płaskich powierzchniach. Nanoszenie warstw SAM odbywa się przez dyfuzję cząsteczek zaadsorbowanych do ostrza na skanowaną powierzchnię przez menisk wodny, dzięki zjawisku występowania kapilary wodnej w punkcie styku ostrza i powierzchni. Tworzenie warstw przedstawiono schematycznie na rysunek 2.3. Rysunek 2.3 Tworzenie warstwy SAM metodą litografii ze zwilżonym ostrzem Metoda ta daje możliwość wytwarzania stabilnych nanostruktur dzięki zastosowaniu substancji chemicznej, której molekuły na skutek chemisorpcji silnie wiążą się z atomami podłoża i mogącymi tworzyć warstwy SAM.. Niewątpliwą zaletą DPN jest możliwość wytwarzania wzorów z różnych molekularnych atramentów na tym samym podłożu. a) b) c) d) Rysunek 2.4 Struktury OTMS wytworzone w procesie DPN na podłożu tlenku krzemu. Obrazy otrzymano przy użyciu komercyjnego mikroskopu: Veeco Dimension V Scanning Probe Microscope zmierzone w trybie TM AFM. a) Obraz topografii struktury OTMS prędkość nanoszenia struktur 1µm/s; temperatura pokojowa; wilgotność 28% ; ostrze MPP ; siła nacisku 30nN b) Obraz kontrastu fazowego struktury c) Obraz topografii pojedynczej struktury uzyskanej w procesie DPN d) Przekrój przez strukturę zmierzona wysokość 0,55nm

7 Do wykonania prostych doświadczeń wykorzystujących litografię ze zwilżonym ostrzem może zostać użyty praktycznie każdy mikroskop sił atomowych, umożliwiający pomiary w trybie kontaktowym. Przykładem mogą być przedstawione na rysuku 2.4 struktury OTMS wytworzone za pomocą mikroskopu Veeco Dimension V. W trakcie prowadzonych prac autor rozprawy opracował system widoczny na rysunku 2.5, który pozwala na nanoszenie struktur warstw receptorowych na bazie tioli i silanów na podłożach tlenku krzemu i złota o wielkości dziesiątków nanometrów w polu do 100x100 µm, przy dowolności rysowanego kształtu. Rysunek 2.16 System do litografii ze zwilżonym ostrzem (DPN) wraz z komorą klimatyczną umożliwiającą kontrolę wilgotności w zakresie od 10% do 90%. Na potrzeby systemu opracowano oprogramowanie w języku C++, które jest modułem rozszerzającym możliwości programu DSP skaner. Aplikacja umożliwia rysowanie dowolnych kształtów, konwersję plików graficznych oraz generację testowych struktur periodycznych. 2.2 Wykorzystanie metod mikroskopii sił atomowych do diagnostyki warstw receptorowych Mikroskopia sił atomowych (ang. Atomic Force Microscopy - AFM) jest jedną z powszechnie stosowanych technik do obrazowania powierzchni. W pomiarach metodami mikroskopii AFM wykorzystywane są oddziaływania między atomami mierzonej powierzchni i atomami ostrza dźwigni sprężystej. Powstające oddziaływania odchylają sprężystą dźwignię od stanu równowagi powodując jej ugięcie. Ponieważ ostrze i powierzchnia znajdują się w polu bliskich oddziaływań, występujące siły międzycząsteczkowe umożliwiają wysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni zarówno izolatorów jak i przewodników. Technikami mikroskopii AFM wykorzystanymi w obrazowaniu i diagnostyce warstw receptorowych, a w szczególności SAM, są między innymi: tryb kontaktowy, tryb przerywanego kontaktu, mikroskopia sił chemicznych, ciągła spektroskopia sił czy mikroskopia z sondą Kelvina. W ramach realizowanych prac autor rozprawy z powodzeniem wykorzystywał powyżej wymienione techniki do diagnostyki warstw receptorowych.

8 3. Układy oparte na mikrodźwigniach sprężystych Badania prowadzone nad rozwojem technik mikroskopii bliskich oddziaływań w pierwszej połowie lat 90. XX wieku, doprowadziły do powstania pierwszych systemów z czujnikami mikrodźwigniowmi (ang. cantilever sensors, microcantilever sensors). Przedstawiona na rysunku 3.1 liczba rozwiązań oraz przewidywanych aplikacji jako przetworników dla danych wielkości fizycznych i chemicznych obrazuje jak uniwersalnym narzędziem jest mikrodźwignia. Współcześnie techniki te sprawdzają się jako doskonałe, wysokorozdzielcze narzędzia analityczne i badawcze. Rysunek 3.1 Proponowane zastosowania czujników mikrodźwigniowych wg H.P. Langa [5] Czujniki wykorzystujące konstrukcje mikrodźwigni sprężystej dają możliwość uzyskania taniej, przenośnej, bezznacznikowej detekcji molekuł o wysokiej czułości. Selektywność na określone indywidua chemiczne uzyskiwana jest przez dobór odpowiednich pokryć powierzchni czujnika warstwami funkcjonalnymi. Właściwości mechaniczne oraz wysoki stosunek powierzchni do objętości mikrodźwigni sprężystych powoduje, że są one bardzo dobrymi czujnikami masy i siły. W połączeniu z technologiami funkcjonalizacji powierzchni możliwa jest obserwacja fizycznych i chemicznych zjawisk w skali molekularnej. Prezentowane w rozprawie układy pomiarowe ugięcia dźwigni wykonano na podstawie konstrukcji mikroskopu AFM wykonanego w ZMMiN. W rozwiązaniach tych wykorzystywana jest

9 metoda optycznej detekcji ugięcia dźwigni (OBD - ang. Optical Beam Deflection), która charakteryzuje się wysoką czułością. Rysunek 3.2 Schemat ideowy układu pomiarowego wychylenia mikrodźwigni sprężystej. Głównymi składowymi omawianych systemów pomiarowych konstrukcji własnej są: układ zasilania, źródło wiązki świetlnej, układ ogniskowania i justowania wiązki, mikrodźwignia sprężysta, układ detekcji wiązki odbitej, karta przetwornikowej oraz komputer PC (rysunek 3.2). W zależności od zastosowań systemu, opracowano szereg celek gazowo-cieczowych oraz elektrochemicznych. Przy zastosowaniu odpowiedniego układu optycznego rozszerzającego wiązkę lasera (EBD ang. Expanded Beam Deflection), oraz zwielokrotnieniu układów detekcji oraz przetwarzania wiązki lasera możliwy jest pomiar ugięcia wielu dźwigni jednocześnie w czasie rzeczywistym. a) b) c) Rysunek 3.3 Obrazy SEM przykładowych matryc mikrodźwigni sprężystych Komercyjna matryca 2 dźwigni - Arrow-TL2Au, NanoWorld a) Wytworzona w ITE w Warszawie matryca 2 dźwigni z osobno wyprowadzoną metalizacją, przeznaczona do pomiarów elektrochemicznych. b) Przekrój przez strukturę mikrodźwigni (c) - Na dźwigni obecne są powierzchnie złota zdolne do wiązania tioli lub innych związków siarkoorganicznych, oraz powierzchnie tlenku krzemu zdolne do wiązania związków siarkoorganicznych

10 W trakcie prowadzonych prac wykorzystywano mikrodźwignie wytworzone w ITE w Warszawie oraz komercyjnie dostępne struktury. Na rysunku 3.3 widoczne są przykładowe struktury wykorzystywanych matryc mikrodźwigni. Mirodźwignie mają strukturę warstwową, w której każda warstwa ma inny współczynnik rozszerzalności cieplnej. Wpływ zmian temperatury na odczyt ugięcia czujnika eliminuje się przez zastosowanie dodatkowego czujnika odniesienia. Ze względu na przetwarzanie sygnału pochodzącego z dźwigni wyróżnia się dwa tryby pomiarowe: statyczny i dynamiczny. Analit Warstwa SAM; Warstwa receptorowa Przetwornik Rysunek 3.4 Zasada odpowiedzi czujników na bazie mikrodźwigni sprężystych W trybie statycznym mikrodźwignia sprężysta jest przetwornikiem powstających na jej powierzchni naprężeń oraz zmiany masy wywołanej adsorpcją molekuł (rysunek 3.4). Odpowiednio dobrana funkcjonalizacja prowadzi do powstania selektywnej warstwy receptorowej dla analizowanej substancji. W trybie rezonansowym (dynamicznym) mierzona jest zmiana częstotliwości wywołana zmianą masy związanej na elemencie drgającym jakim jest mikrodźwignia. Rysunek 3.8 Wynik pomiaru w trybie statycznym pojedynczej mikrodźwigni - Funkcjonalizacja czujnika przez wytworzenie warstwy 11MUA na powierzchni złota W trakcie realizacji rozprawy wykonano szereg eksperymentów przy wykorzystaniu mikrodźwigni sprężystych. Powierzchnię mikrodźwigni funkcjonalizowano warstwami SAM. Przykład takiej

11 funkcjonalizacji widoczny jest na rysunku 3.5 przedstawiono wynik statycznego pomiaru ugięcia dźwigni podczas funkcjonalizacji jej powierzchni molekułami MUA. Dodatkowo autor rozprawy współpracował przy opracowaniu nowatorskich metod pomiarowych polegających na: Odpowiedź mechanicznej dźwigni w układzie woltamperometrycznym [6] oraz metodzie bezpośredniego pomiaru naprężeń powierzchniowych [7]. 4.1 Układ Pomiarowy Do charakteryzacji jonoczułych tranzystorów polowych oraz nanodrutów krzemowych, autor rozprawy skonstruował system pomiarowy składający się z dwóch mierników Keithley 2400SMU. Schemat układu widoczny jest na rysunku 4.1. Rysunek 4.1 Schemat układu pomiarowego do pomiarów czujników ISFET oraz tranzystorowych nanodrutów krzemowych. W systemie pomiarowym jeden miernik pracuje jako stabilne źródło napięciowe sprzężone z pomiarem prądu płynącego przez element półprzewodnikowy. Drugi służy jako źródło napięcia przykładanego do bramki tranzystora lub elektrody referencyjnej. Rysunek 4.2 Rozszerzenie układu pomiarowego PWr (rysunek 5.12) o dodatkowy moduł miernik Keithley 2400SMU. Daje to możliwość pomiaru prądu dwóch nanodrutów w tym samym czasie.

12 System może służyć zarówno jako układ pomiarowy do badań chemicznych jak i układ do charakteryzacji tranzystorów. Zakres podawanych napięć jest rzędu pojedynczych mv, natomiast mierzone prądy to pojedyncze na. W kolejnych etapach prac rozwinięto ten układ pomiarowy. Na rysunku 4.2 przedstawiono schemat układu do pomiarów dwóch czujników jednocześnie. W układzie tym zastosowano dodatkowy miernik Keithley 2400SMU, który mierzy prąd płynący przez dodatkowy czujnik o charakterze tranzystora. System jest sterowany z poziomu komputera za pomocą magistrali GPIB. Stanowisko wykorzystuje oprogramowanie w środowisku LabView 8.6. dzięki temu system pomiarowy jest charakter otwarty na kolejne usprawnienia. a) b) Rysunek 4.3 Oprogramowanie do badania odpowiedzi czujników na bazie tranzystorów ISFET. a) Okno dialogowe programu FET meas v1.0.; Wynik pomiarów czujnika ISFET ITE Warszawa b) zestaw charakterystyk przedstawionych w przestrzeni 3D. Oprogramowanie umożliwia charakteryzację czujnika przez pomiar rodzin charakterystyk przejściowych i wyjściowych. Wyniki widoczne są na rysunku 4.3. Pomiar odbywa się przez zadawanie rosnącego napięcia między źródło a dren i określanie prądu drenu w kolejnych punktach, przy zadanym napięciu bramki. Niewątpliwym atutem stworzonego oprogramowania jest dowolność zadawania parametrów pomiaru, 4.2 Pomiarowa celka cieczowa Dla przeprowadzenia pomiarów czujników w małej objętości cieczy dla kolejnych generacji czujników zostały zaprojektowane i wykonane kolejne celki pomiarowe. W celu realizacji pomiaru temperatury autor rozprawy opracował układ pomiaru temperatury. Na rysunku 4.4 przedstawiono celkę pomiarową ISFET.

13 a) b) Rysunek 4.4 Pomiarowa celka cieczowa do pomiarów ISFET PWr; a) elementy celki, b) złożona celka. Do pomiarów nanodrutów krzemowych została zaprojektowana i wykonana przepływowa celka pomiarowa widoczna na rysunku 4.5. Celka umożliwia zarówno pomiary statyczne jak i przepływowe. Objętość komory pomiarowej wynosi 1 ml, co uwarunkowane jest kształtem matrycy czujników. a) b) Rysunek 4.5 Pomiarowa celka cieczowa do pomiarów nanodrutów krzemowych. a) rysunek projektowy (AutoDesk) b) złożona celka z zamontowanym czujnikiem. W obydwóch konstrukcjach celek zastosowano komercyjnie dostępne chlorosrebrowe elektrody referencyjne. 5. Jonoczuły Tranzystor Polowy Jonoczułe tranzystory polowe (ang. Ion Sensitive Field Effect Transistor - ISFET) są jednymi z najbardziej popularnych przetworników do detekcji różnych substancji (bio)chemicznych. Budowa tych urządzeń i zasada działania oparta jest o konstrukcje struktur MIS. Różnicą jest metaliczna bramka, odseparowana i zastąpiona elektrodą referencyjną umieszczoną w mierzonym roztworze wodnym, będącą w kontakcie z izolatorem bramkowym (rysunek 5.1). Wiele uwagi poświęcono w literaturze modyfikacji technologii oraz poprawie wydajności procesów produkcji [8]. Łatwy dostęp do powierzchni aktywnej czujnika zaowocował szeregiem modyfikacji mających na celu wytworzenie urządzenia, którym w sposób efektywny można mierzyć określone wielkości (bio)chemiczne. W ten sposób osiągnięto urządzenia o powtarzalnych właściwościach, co ma kluczowe znaczenie w potencjalnych zastosowaniach. Dodatkowo

14 możliwość seryjnej produkcji obniża koszt wytwarzania tych czujników oraz daje możliwość wytwarzanych matryc czujników. Rysunek 5.1 Porównanie budowy tranzystorów. [9] a) MISFET b) ISFET 5.1 Struktury jonoczułych tranzystorów polowych wykorzystywanych w badaniach Rysunek 5.2 Struktury ISFET wytwarzane w ITE w Warszawie z kontaktami wyprowadzonymi od spodu (BSC), stosowane w pomiarach autora rozprawy. a) Struktury ISFET; b) pojedynczy czujnik; c) d) Widok kanału czujnika o szerokości 50 µm.

15 Wykorzystywane w badaniach struktury ISFET wytwarzano w ITE w Warszawie, w technologii CMOS. Wymiary pojedynczego chipu wynoszą: 4,9 mm długośći, 4,9 mm szerokości, grubość 1,7 mm. Grubość samej struktury ISFET wynosi 380 µm. Czujnik przeznaczony jest do pracy w zakresie U DS = 0-10 V przy maksymalnym prądzie drenu I D = 5 ma. Struktury ISFET widoczne na rysunku 5.2 mają kanał typu n normalnie otwarty pokryty warstwą Si 3 N 4. Struktury te zostały dobrze opisane w literaturze [10] i wykorzystane w wielu konstrukcjach czujnikowych. 5.2 Porównanie metod pomiarowych jonoczułych tranzystorów polowych Rysunek 5.3 Porównanie dwóch systemów pomiaru ISFET. Oryginalnym pomiarem był, przedstawiony na rysunku 5.3, porównawczy pomiar dla dwóch różnych systemów pomiarowych przeprowadzony w dwóch trybach, w tych samych warunkach i na tych samym czujniku. Porównano dwa układy pomiarowe, w których stabilizowano napięcie U DS system PWr oraz prąd I DS system zaproponowany przez ITE Warszawa.W celu poprawnego porównania poziomu odpowiedzi punkt pracy dla układu PWr został wyznaczony przez pomiar napięć w układzie z ITE i wynosił: U DS = 1,38 V oraz U GS = 1,34 V. Wyniki obydwu pomiarów znormalizowano i zestawiono na rysunku Wynika z nich, że poziom odpowiedzi dla tych technik jest porównywalny, co za tym idzie techniki te mogą być uznane za równorzędne. Wydawać by się mogło że stabilniejszy jest pomiar prądu drenu, jednakże był on realizowany w dłuższym czasie. Porównanie metod pomiarowych wykonano również dla układów bioligicznych. Dodatkowo wykonano szereg pomiarów funkcjonalizacji czujników ISFET oraz pomiarów biologicznych.

16 6. Nanodruty Krzemowe Podczas realizacji pracy badano nanodruty krzemowe wytwarzane w technologii FinFET przez ITE w Warszawie. Nazwa technologii pochodzi od wyglądu struktur, które w widoku od góry przypominają rybie płetwy. Angielskie słowo fin oznacza płetwę (ość, żebro) natomiast FET podkreśla fakt że urządzenie działa na zasadzie tranzystora polowego. Wytworzone struktury FinFET pozbawione fizycznej bramki, spełniają wszelkie wymagania do zastosowań czujnikowych jako struktury ISFET. Zwielokrotnienie bramki skutecznie podnosi kontrolę przewodnictwa kanału, co stanowi niewątpliwą ich zaletę. Wykorzystywane struktury nanodrutów w pełni scharakteryzowano za pomocą technik obrazowania (AFM, SEM, optycznie) oraz elektrycznie. 6.1 Charakteryzacja struktur nanodrutów krzemowych Struktury NW-1 wytworzono w dwóch wariantach długośći: 10 µm i 20 µm oraz liczbie nanodrutów w pojedynczej strukturze mieszczącej się w zakresie od 2 do 32. Nanodruty NW-1 scharakteryzowano przy użyciu mikroskopii optycznej (rysunek 6.1), SEM) oraz AFM. a) b) Rysunek 6.6 Obraz mikroskopii optycznej struktur nanodrutów NW-1 a) Trzy struktury nanodrutów krzemowych b) Struktura NW-1-20Fin16 Drugi typ matryc wykorzystywanych w badaniach, oznaczono jako NW-2. Pojedyncze struktury nanodrutów, w przekroju mają wymiary wynoszące 100 nm szerokości oraz 200 nm wysokości. Na pojedynczej matrycy przedstawionej na rysunku 6.2 znajduje się 16 struktur nanodrutów krzemowych. Struktury można podzielić ze względu na długość (8 lub 20 µm) oraz rodzaj domieszkowania obszaru kanału oraz kontaktów.

17 Rysunek 6.2 Matryca NW-2; Obraz z mikroskopu optycznego złożony z 8 fotografii. W trakcie prowadzenia badań nanodruty NW-1 oraz NW-2 charakteryzowano za pomocą zaawansowanych technik mikroskopii AFM. Pomiary metodami mikroskopii termicznej ( SThM - ang. Scanning thermal microscopy). W tym samym układzie polaryzacji struktur przeprowadzono pomiary metodą mikroskopii z sondą Kelvina. Metoda KPFM pozwala na obrazowanie rozkładu ładunku na powierzchni urządzenia. Pozwoliło to na eksperymentalne zaobserwowanie efektu odcinania kanału na nanodrucie. Trzecim typem matryc wykorzystanych w badaniach były matryce nanodrutów uwolnionych z podłoża, oznaczone jako snw-2 (rysunek6.3) będących pochodną struktur NW-2.. Rysunek 6.3 Obraz SEM struktur nanodrutów uwolnionych a) Struktura 2 nanodrutów długości 8µm snw-2-a8fin2 b) Kontakt pojedynczego uwolnionego nanodrutu - szacowana szerokość wynosi 121 nm c) Nanodrut zerwany za pomocą mikromanipulatora

18 Proces uwalniania nanodrutów NW-2 prowadzi do zmiany charakterystyk prądowo napięciowych tych struktur. Zaobserwowane efekty są wynikiem wyższego ilorazu pola powierzchni do objętości uwolnionych nanodrutów niż w strukturach nieuwolnionych. Nanodruty snw-2 wykazują potencjalnie wyższą czułość co jest szczególnie dobrze widoczne przy porównaniu charakterystyk wyjściowych widocznych na rysunku 6.4. Porównanie parametrów, transkonduktancyjnch pozwala stwierdzić czterokrotną wyższą czułość uwolnionych struktur. Rysunek 6.4 Porównanie charakterystyk wyjściowych nanodrutów NW-2 i snw-2 analogicznych do struktur A20Fin2. Charakterystyki mierzone w roztworze zawierającym PBS o stężeniu 1mM oraz KCl o stężeniu 10 mm, przy polaryzacji U DS=2V. 6.2 Funkcjonalizacja nanodrutów krzemowych Rysunek 6.5 Charakterystyki wyjściowe nanodrutów NW-1-20Fin16 przed i po procesie funkcjonalizacji warstwą APTES zestaw charakterystyk wyjściowych przed i po funkcjonalizacji nanodrutu

19 Struktury nanodrutów w celu użycia ich jako czujniki chemiczne lub biologiczne wymagają odpowiedniej funkcjonalizacji polegającej na wytworzeniu warstw SAM. Opracowana przez autora procedura pomiarów charakterystyk pozwala na szybkie testowanie uformowanych warstw SAM bez konieczności stosowania zaawansowanych metod pomiarowych. Na rysunku 6.5 przedstawiono wynik zmian charakterystyk wyjściowych spowodowany wytworzeniem warstwy receptorowej. W trakcie prowadzonych prac zaimplementowano litografię ze zwilżonym ostrzem do selektywnej funkcjonalizacji czujników. DPN jest metodą, umożliwiającą w ściśle określone miejsca nanoszenie warstw SAM za pomocą ostrza mikroskopu AFM. Przy użyciu komercyjnego mikroskopu Veeco Dimension V wykonano selektywną funkcjonalizację struktur NW-1. Do eksperymentu użyto struktur NW-1-20Fin2 oraz NW-1-20Fin4. Wynik eksperymentu przedstawiono na rysunku 6.6. Widoczna jest różnica odpowiedzi czujników na zadane stężenie jonów miedzi. Rysunek 6.6 Oznaczanie jonów Cu 2+ przy użyciu czujników sfunkcjonalizowanych techniką DPN. OTMS NW-2-20Fin4 (2 finy aktywne); ETA NW-2-20Fin2 (U DS=2V dla obu czujników, U GS=1V)

20 6.3 Pomiary wykonywane za pomocą funkcjonalizowanych nanodrutów krzemowych W trakcie prowadzonych prac autor rozprawy wykonał szereg oznaczeń jonów metali oraz substancji biologicznych. Struktury nanodrutów modyfikowano za pomocą warstw SAM tak, aby stały się one selektywne dla danych indywiduów chemicznych. Przykładem może być widoczny na rysunku 6.7 przykład oznaczania endotoksyn bakteryjnych. Endotoksyny są szkodliwymi dla organizmu substancjami wytwarzanymi dostarczanymi przez bakterie do środowiska. LPS jest podstawowym składnikiem ściany komórkowej bakterii gram ujemnych. Mechanizm odpowiedzi immunologicznej w momencie pojawienia się LPS w środowisku opiera się na selektywnym i specyficznym wiązaniu endotoksyn z odpowiednimi przeciwciałami. Jest to jeden z możliwych sposobów identyfikacji szkodliwych dla organizmu bakterii. -4,14 60µl kanal "P" SiO 2 struktura 8 fin 20µm Ugs=-3V Uds=-3V -4,16-4,18 20µl 40µl c=12µg/ml Current (µa) -4,20-4,22 LPS c=6µg/ml -4,24-4,26 c=2µg/ml dodatek przeciwcial o c =1mg/ml Time (s) Rysunek 6.7 Oznaczanie przeciwciał endotoksyn bakteryjnych LPS na odpowiednio przygotowanej strukturze NW-2-B20Fin8

21 7. Podsumowanie W rozprawie omówiono zagadnienia związane z nowoczesnymi narzędziami analitycznymi. Autor rozprawy rozwijał techniki pomiarowe dla mikromechanicznych i nanoelektronicznych układów. W zakresie rozprawy jako układ mikromechaniczny badano czujniki na bazie mikrodźwigni sprężystej natomiast układami nanoelektronicznymi były nanodruty krzemowe, które są rozwinięciem konstrukcji jonoczułych tranzystorów polowych. Dodatkowo autor rozprawy opracował technologię osadzania warstw receptorowych dla obu typów układów analitycznych, bazującą na warstwach samoorganizujących się, w celu uzyskania czujników selektywnych na określone jony metali ciężkich, molekuły organiczne, oraz molekuły pochodzenia biologicznego. Opracowano metody selektywnego nanoszenia warstw receptorowych na powierzchnie czujnikowe. Dla warstw samoorganizujących się opracowano metodologie pomiarów technikami mikroskopii sił atomowych bazującą na warstwach nieciągłych. Do najważniejszych osiągnięć autora rozprawy należą: W zakresie funkcjonalizacji powierzchni: - wdrożenie technologii mikropieczątkowania; opracowanie matryc i technologii wytwarzania pieczątek dla tej technologii, - uzyskanie szeregu warstw nieciągłych, zarówno na podłożach złotych jak i tlenku krzemu i przeprowadzenie diagnostyki tych warstw szeregiem nowoczesnych technik mikroskopii sił atomowych, - opracowanie warstw receptorowych dla czujników bazujących na systemach mikrodźwigni sprężystej oraz nanodrutów krzemowych, - opracowanie technik selektywnej funkcjonalizacji czujników. W zakresie układów mikromechanicznych - opracowanie nowatorskich technik pomiarowych bazujących na systemach pomiaru ugięcia mikrodźwigni sprężystej. W zakresie układów nanoelektronicznych: - opracowanie metod funkcjonalizacji nanodrutów metodami litografii ze zwilżonym ostrzem - opracowanie selektywnych metod funkcjonalizacji nanodrutów przez sterowanie potencjałem nanodrutu - opracowanie metod wyznaczania parametrów mechanicznych nanodrutów uwolnionych metodami mikroskopii AFM - opracowanie metod charakteryzacji nanodrutów krzemowych technikami mikroskopii sił atomowych, - opracowanie systemu pomiarowego dla jonoczułych tranzystorów polowych oraz nanodrutów krzemowych, - opracowanie metody pomiarowej nanodrutów krzemowych oraz jonoczułych tranzystorów polowych dla selektywnego oznaczania substancji biologicznych: BSA; Igg/anty-Igg; Awidyna-biotyna, streptavidyna oraz jonów metali: miedzi, kadmu, rtęci, ołowiu, - wykazanie zwiększonej czułości detekcji ph za pomocą nanodrutów uwolnionych. Badania przedstawione w niniejszej rozprawie były realizowane w ścisłej współpracy z zespołami z Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie.

22 LITERATURA [1] L. Su, W. Jia, C. Hou, and Y. Lei, Microbial biosensors: A review, Biosensors and Bioelectronics, vol. 26, no. 5. pp , [2] "Chemiczna funkcjonalizacja powierzchni dla potrzeb nanotechnologii, przaca zbiorowa pod redakcją G. Schroedera, Cursiva [3] J. Sagiv, Organized monolayers by adsorption. 1. Formation and structure of oleophobic mixed monolayers on solid surfaces, J. Am. Chem. Soc., vol. 399, no. 1976, pp , [4] S. Alom Ruiz and C. S. Chen, Microcontact printing: A tool to pattern, ; Soft Matter, vol. 3, no. 2. p. 168, [5] H. P. Lang, M. K. Baller, R. Berger, C. Gerber, J. K. Gimzewski, F. M. Battiston, P. Fornaro, J. P. Ramseyer, E. Meyer, and H. J. Güntherodt, An artificial nose based on a micromechanical cantilever array, Analytica Chimica Acta, 1999, vol. 393, no. 1 3, pp [6] K. Nieradka, P. Pałetko, D. Kopiec, P. Grabiec, P. Janus, G. Schroeder, T. Ossowski, and T. Gotszalk, Electrochemical cell with electrically addressable cantilever arrays, pp , [7] D. Kopiec, P. Pałetko, K. Nieradka, W. Majstrzyk, P. Kunicki, A. Sierakowski, G. Jóźwiak, and T. Gotszalk, Closed-loop surface stress compensation with an electromagnetically actuated microcantilever, Sensors Actuators B Chem., vol. 213, pp , [8] S. J. P. Fan Ren, "Semiconductor Device-Based Sensors for Gas, Chemical, and Biomedical Applications". CRC Press, [9] W. W. Zbigniew Brzózka, "Sensory chemiczne". Oficyna Wydawnicza PW, [10] M. Zaborowski, B. Jaroszewicz, D. Tomaszewski, P. Prokaryn, E. Malinowska, E. Grygolowicz-Pawlak, and P. Grabiec, Fabrication of MOS - Compatible Ion - Sensitive Devices for Water Pollution Monitoring (Warmer), th Int. Conf. Mix. Des. Integr. Circuits Syst., 2007.

prof. dr hab. inż. Andrzej DZIEDZIC Wrocław, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska

prof. dr hab. inż. Andrzej DZIEDZIC Wrocław, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska prof. dr hab. inż. Andrzej DZIEDZIC Wrocław, 01-03-2016 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra PAŁETKO Nowoczesne narzędzia

Bardziej szczegółowo

SUB-NANO Matryce czujników mikromecha-nicznych do detekcji bakterii Gram-ujemnych i ich endotoksyn T.Gotszalk

SUB-NANO Matryce czujników mikromecha-nicznych do detekcji bakterii Gram-ujemnych i ich endotoksyn T.Gotszalk MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat. PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź

Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, 91-403 Łódź Dr Paweł Krzyczmonik Łódź, marzec 2014 1 Plan wykładu Tranzystor polowy MSFET Tranzystor jonoczuły ISFET Chemicznie

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 2

Podstawy fizyki wykład 2 D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych

Bardziej szczegółowo

AFM. Mikroskopia sił atomowych

AFM. Mikroskopia sił atomowych AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości

Bardziej szczegółowo

Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej

Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej 1 2 NR 147 Julian Kubisztal Elektrochemiczne metody skaningowe i ich zastosowanie w in ynierii korozyjnej Wydawnictwo Uniwersytetu

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15 PL 226438 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226438 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406862 (22) Data zgłoszenia: 16.01.2014 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI CELE PRZEDMIOTU

WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI CELE PRZEDMIOTU Zał. nr 4 do ZW /01 WYDZIAŁ PPT KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Nanodiagnostyka Nazwa w języku angielskim Nanodiagnostics Kierunek studiów (jeśli dotyczy): Fizyka Techniczna Specjalność (jeśli

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,

Bardziej szczegółowo

EWA PIĘTA. Streszczenie pracy doktorskiej

EWA PIĘTA. Streszczenie pracy doktorskiej EWA PIĘTA Spektroskopowa analiza struktur molekularnych i procesu adsorpcji fosfinowych pochodnych pirydyny, potencjalnych inhibitorów aminopeptydazy N Streszczenie pracy doktorskiej wykonanej na Wydziale

Bardziej szczegółowo

(zwane również sensorami)

(zwane również sensorami) Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

FITOREMEDIACJA. Jest to proces polegający na wprowadzeniu roślin do określonego ekosystemu w celu asymilacji zanieczyszczeń poprzez korzenie i liście.

FITOREMEDIACJA. Jest to proces polegający na wprowadzeniu roślin do określonego ekosystemu w celu asymilacji zanieczyszczeń poprzez korzenie i liście. FITOREMEDIACJA Jest to proces polegający na wprowadzeniu roślin do określonego ekosystemu w celu asymilacji zanieczyszczeń poprzez korzenie i liście. Proces ten jest wykorzystywany do usuwania takich ksenobiotyków

Bardziej szczegółowo

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej 1. Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wstęp Pomiar profilu wiązki

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii

Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Z47 BADANIA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTROFIZJOLOGICZNYCH BŁON KOMÓRKOWYCH

Z47 BADANIA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTROFIZJOLOGICZNYCH BŁON KOMÓRKOWYCH Z47 BADANIA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTROFIZJOLOGICZNYCH BŁON KOMÓRKOWYCH I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawową wiedzą na temat pomiarów elektrofizjologicznych żywych komórek metodą Patch

Bardziej szczegółowo

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 3 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. W ćwiczeniu zostaną

Bardziej szczegółowo

Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych w pomiarach nanosił

Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych w pomiarach nanosił Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur Autoreferat rozprawy doktorskiej Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Sesja prezentacji Wydziału Chemicznego

Sesja prezentacji Wydziału Chemicznego 9 50 11 10 Sesja prezentacji Wydziału Chemicznego Spotkania z Przemysłem, 8 marca 2018 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Centrum Zarządzania Innowacjami i Transferem Technologii Sesja prezentacji

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Metody badań składu chemicznego

Metody badań składu chemicznego Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Kierunek: Inżynieria Materiałowa Metody badań składu chemicznego Ćwiczenie : Elektrochemiczna analiza śladów (woltamperometria) (Sprawozdanie drukować dwustronnie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7 TRANZYSTOR UNIPOLARNY DO

Bardziej szczegółowo

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW 1 Cel badań: ograniczenie ryzyka związanego ze stosowaniem biomateriałów w medycynie Rodzaje badań: 1. Badania biofunkcyjności implantów, 2. Badania degradacji implantów w środowisku

Bardziej szczegółowo

November 21 23, 2012

November 21 23, 2012 November 21 23, 2012 Electrochemicalmicrosensorsfor non invasivemeasurementof partialpressureof O 2 and CO 2 inarterialbloodby invivo epidermal method Tadeusz Palko Warsaw University of Technology(Poland)

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Funkcjonalne nano- i mikrocząstki dla zastosowań w biologii, medycynie i analityce

Funkcjonalne nano- i mikrocząstki dla zastosowań w biologii, medycynie i analityce Funkcjonalne nano- i mikrocząstki dla zastosowań w biologii, medycynie i analityce dr Magdalena Oćwieja (ncocwiej@cyf-kr.edu.pl) Prace prowadzone w ramach projektu Funkcjonalne nano i mikrocząstki synteza

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź

Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, Łódź Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Uniwersytet Łódzki ul.tamka 12, 91-403 Łódź Dr Paweł Krzyczmonik Łódź, marzec 2014 1 Plan wykładu Spektroskopia UV-ViS Światłowody- podstawy teoretyczne Fala

Bardziej szczegółowo

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych MIROSYSTEMY - LABRATORIUM Ćwiczenie nr 2 Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych Charakterystyka badanego elementu: Odporny na korozję czujnik ciśnienia został opracowany w

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA KATEDRA ZARZĄDZANIA PRODUKCJĄ Instrukcja do zajęć laboratoryjnych z przedmiotu: Towaroznawstwo Kod przedmiotu: LS03282; LN03282 Ćwiczenie 4 POMIARY REFRAKTOMETRYCZNE Autorzy: dr

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (

Bardziej szczegółowo

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja

Bardziej szczegółowo

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez

Bardziej szczegółowo

Kierunek Międzywydziałowy - Inżynieria Biomedyczna. Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Specjalność:

Kierunek Międzywydziałowy - Inżynieria Biomedyczna. Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Specjalność: Kierunek Międzywydziałowy - Inżynieria Biomedyczna Specjalność: CHEMIA W MEDYCYNIE CHEMIA W MEDYCYNIE Studia mają charakter interdyscyplinarny, łączą treści programowe m.in. takich obszarów, jak: Analityka

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Opis efektów dla kierunku Elektronika Studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Objaśnienie oznaczeń: K kierunkowe efekty W kategoria wiedzy U kategoria umiejętności K (po podkreślniku)

Bardziej szczegółowo

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: . (Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11 Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: 1) Mikroskop AFM według pkt 1 a) załącznika nr 7 do SIWZ, model / producent..... Detekcja

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-07-26 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie

Bardziej szczegółowo

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze

Bardziej szczegółowo

METODYKA WYBRANYCH POMIARÓW. w inżynierii rolniczej i agrofizyce. pod redakcją AGNIESZKI KALETY

METODYKA WYBRANYCH POMIARÓW. w inżynierii rolniczej i agrofizyce. pod redakcją AGNIESZKI KALETY METODYKA WYBRANYCH POMIARÓW w inżynierii rolniczej i agrofizyce pod redakcją AGNIESZKI KALETY Wydawnictwo SGGW Warszawa 2013 SPIS TREŚCI Przedmowa... 7 Wykaz ważniejszych oznaczeń... 11 1. Techniki pomiarowe

Bardziej szczegółowo

Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii

Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii Grażyna Rudnicka Mariusz Wiśniewski, Dariusz Czułek, Robert Szumski, Piotr Sosinowski Główny Urząd Miar Mapy drogowe EURAMET

Bardziej szczegółowo

STUDIA I STOPNIA NA KIERUNKU ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE. specjalność Biofizyka molekularna

STUDIA I STOPNIA NA KIERUNKU ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE. specjalność Biofizyka molekularna STUDIA I STOPNIA NA KIERUNKU ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE 1. CELE KSZTAŁCENIA specjalność Biofizyka molekularna Biofizyka to uznana dziedzina nauk przyrodniczych o wielkich tradycjach, która

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE Specjalność: Biofizyka molekularna. 3-letnie studia I stopnia (licencjackie)

ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE Specjalność: Biofizyka molekularna. 3-letnie studia I stopnia (licencjackie) ZASTOSOWANIA FIZYKI W BIOLOGII I MEDYCYNIE Specjalność: Biofizyka molekularna 3-letnie studia I stopnia (licencjackie) 1. OGÓLNA CHARAKTERYSTYKA STUDIÓW Biofizyka to uznana dziedzina nauk przyrodniczych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE ROZMIARÓW

WYZNACZANIE ROZMIARÓW POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTRUKCJA Z LABORATORIUM W ZAKŁADZIE BIOFIZYKI Ćwiczenie 6 WYZNACZANIE ROZMIARÓW MAKROCZĄSTECZEK I. WSTĘP TEORETYCZNY Procesy zachodzące między atomami lub cząsteczkami w skali molekularnej

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

Dr hab. inż. Wojciech Simka, prof. Pol. Śl.

Dr hab. inż. Wojciech Simka, prof. Pol. Śl. Gliwice, 09.09.2016 Recenzja pracy doktorskiej Pani mgr Ewy Wierzbickiej pt. Electrochemical sensors for epinephrine determination based on gold nanostuctures Przedstawiona do recenzji rozprawa doktorska

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Pytania na egzamin magisterski Kursy kierunkowe

Pytania na egzamin magisterski Kursy kierunkowe Pytania na egzamin magisterski Kursy kierunkowe Nr pyta nia Kod kursu Nazwa kursu Kurs: kierunkowy /specjalnośc iowy Semestr studiów I, II stopień Prowadzący Pytanie 1. MDP2900W, kierunkowy 1 semestr,

Bardziej szczegółowo

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój

Bardziej szczegółowo

Wymiar: Forma: Semestr: 30 h wykład VII 30 h laboratoria VII

Wymiar: Forma: Semestr: 30 h wykład VII 30 h laboratoria VII Pomiary przemysłowe Wymiar: Forma: Semestr: 30 h wykład VII 30 h laboratoria VII Efekty kształcenia: Ma uporządkowaną i pogłębioną wiedzę z zakresu metod pomiarów wielkości fizycznych w przemyśle. Zna

Bardziej szczegółowo

Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010. Koercyjne natężenie pola Hcj

Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010. Koercyjne natężenie pola Hcj Zastrzeżony znak handlowy Copyright Institut Dr. Foerster 2010 Koercyjne natężenie pola Hcj KOERZIMAT 1.097 HCJ jest sterowanym komputerowo przyrządem pomiarowym do szybkiego, niezależnego od geometrii

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip

NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Beata Grabowska, pok. 84A, Ip http://home.agh.edu.pl/~graboska/ Mikroskopia Słowo mikroskop wywodzi się z języka greckiego: μικρός - mikros "mały

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury. Czujniki stacjonarne.

Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury. Czujniki stacjonarne. Czujniki podczerwieni do bezkontaktowego pomiaru temperatury Niemiecka firma Micro-Epsilon, której WObit jest wyłącznym przedstawicielem w Polsce, uzupełniła swoją ofertę sensorów o czujniki podczerwieni

Bardziej szczegółowo

Odniesienie do obszarowych efektów kształcenia 1 2 3. Kierunkowe efekty kształcenia WIEDZA (W)

Odniesienie do obszarowych efektów kształcenia 1 2 3. Kierunkowe efekty kształcenia WIEDZA (W) EFEKTY KSZTAŁCENIA NA KIERUNKU "MECHATRONIKA" nazwa kierunku studiów: Mechatronika poziom kształcenia: studia pierwszego stopnia profil kształcenia: ogólnoakademicki symbol kierunkowych efektów kształcenia

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo