Wzmacniacz rezonansowy
|
|
- Paulina Maciejewska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 A B O R A T O R I U M P O D S T A W E E K T R O N I K I I M E T R O O G I I Wzmacniacz rezonanowy 3. Wtęp Ćwiczenie opracował Marek Wójcikowki na podtawie pracy dyplomowej Sławomira ichoza Ćwiczenie umoŝliwia zapoznanie ię z podtawowymi układami wzmacniaczy rezonanowych. Dotępne ą trzy wzmacniacze rezonanowe: z pojedynczym, podwójnym oraz potrójnym obwodem rezonanowym. Przed przytąpieniem do ćwiczenia naleŝy zapoznać ię z jego przebiegiem (podtawowe informacje zamiezczono w niniejzym opracowaniu). Prowadzący ma obowiązek prawdzić przygotowanie do ćwiczenia.. Pomiary Uwaga: wzytkie wzmacniacze zetrojone ą na czętotliwość środkową f o465khz.. Pomiar charakterytyki amplitudowej wzmacniacza z pojedynczym obwodem rezonanowym Pomiary naleŝy wykonać: a) bez dodatkowego obciąŝenia obwodu rezonanowego, wyjście z kolektora tranzytora (WY, P-rozwarty, P- rozwarty); b) z dodatkowym obciąŝeniem obwodu rezonanowego o wartości R 08kΩ, dołączonym przez pojemność przęgającą do kolektora tranzytora (WY, P-zwarty, P- rozwarty); c) bez dodatkowego obciąŝenia obwodu rezonanowego, wyjście z dzielnika pojemnościowego (WY, P-rozwarty, P-rozwarty); d) z dodatkowym obciąŝeniem obwodu rezonanowego o wartości R 04,3kΩ dołączonym poprzez pojemność przęgającą do dzielnika pojemnościowego, wyjście z dzielnika pojemnościowego (WY, P-rozwarty, P- zwarty). Pomiary wykonuje ię ręcznie utawiając czętotliwość i odczytując napięcie wyjściowe. Dobrać napięcie wejściowe z generatora V we0mv rm (ze względu na duŝe wzmocnienie wzmacniacza). zętotliwość generatora wejściowego naleŝy zmieniać w taki poób, aby dokładnie odczytać czętotliwości rezonanowe (f 0) oraz odpowiadające im wzmocnienie A 0 K u(f 0) i trzydecybelowe czętotliwości graniczne (w celu wyznaczenia pama trzydecybelowego - f 3dB), gdzie K u V wy/v we. harakterytykę czętotliwościową pomierzyć dla natępujących czętotliwości: f we f [khz] 0dB f 6dB f 3dB f 0 f H3dB f H6dB f H0dB K u 0.36 A0 0.5 A A0 A A0 0.5 A A0 [V/V] Miliwoltomierz uŝywany do pomiarów napięcia wyjściowego wzmacniacza powinien mieć moŝliwie duŝą rezytancję wejściową oraz małą pojemność wejściową, dlatego jet wypoaŝony w ondę (uwaga: onda wprowadza tałe tłumienie ygnału :700, co naleŝy uwzględnić w odczytach napięć z miliwoltomierza).. Pomiar charakterytyki amplitudowej wzmacniacza z podwójnym i potrójnym obwodem rezonanowym... NaleŜy zaoberwować charakterytyki wzmacniacza z podwójnym obwodem rezonanowym dla kolejnych wartości pojemności przęgających: a) a68pf (pozycja przełącznika obrotowego P); b) b47pf (pozycja przełącznika obrotowego P); c) c33pf (pozycja 3 przełącznika obrotowego P); d) d8pf (pozycja 4 przełącznika obrotowego P). Pomiary przeprowadzić dla a68pf oraz c33pf. Pomiary wykonuje ię w poób półautomatyczny. NaleŜy przełączyć generator w tryb przemiatania SWEEP, a ocylokop przełączyć w tryb pracy X-Y (ry.). Po wciśnięciu przyciku SWP załącza ię pomocniczy generator przebiegu piłokztałtnego o nikiej czętotliwości, którego ygnał teruje czętotliwością generatora głównego. W ten poób czętotliwość generatora głównego przemiatana jet w zakreie utalonym przez pokrętło główne generatora. Do wejścia X ocylokopu podłączyć naleŝy ygnał terujący (przemiatający), a do wejścia Y ygnał wyjściowy z badanego układu. Na ocylokopie otrzymamy obraz charakterytyki amplitudowej (odbitej ymetrycznie względem oi X). Aby odczytać wpółrzędne konkretnych punktów charakterytyki, naleŝy wyłączyć na chwilę przemiatanie (SWP), znaleźć pokrętłem dany punkt i odczytać czętotliwość na czętościomierzu, a amplitudę na mierniku napięcia wyjściowego. OSYOSKOP Przemiatający (SWEEP) GENERATOR Główny We X WZM.REZ. Ry. Wzmacniacz z pojedynczym obwodem rezonanowym Dobrać napięcie wejściowe z generatora V we00mv rm. Wyniki przeryować z ocylokopu; wpółrzędne najwaŝniejzych punktów zanotować w tabeli.... Oberwacje charakterytyki amplitudowej wzmacniacza z trzema obwodami rezonanowymi naleŝy wykonać dla kolejnych par pojemności przęgających: a) a 3a300pF (pozycja przełącznika P); b) B 3b70pF (pozycja przełącznika P); c) 3c50pF (pozycja 3 przełącznika P); Pomiary przeprowadzić dla a300pf. Pomiary wykonuje ię w poób półautomatyczny (Patrz punkt.). Dobrać napięcie wejściowe z generatora V we00mv rm. Wyniki przeryować z ocylokopu; wpółrzędne najwaŝniejzych punktów zanotować w tabeli. 3. Opracowanie wyników 3. Na podtawie wzorów podanych w protokole pomiarowym oraz pomiarów f 0 obliczyć wzmocnienie napięciowe A 0K u(f 0) i zerokość pama trzydecybelowego f 3dB dla pomiarów z punktu.. Wartość indukcyjności cewki wyznacza ię na podtawie pomiarów f 0 i danych wartości pojemności w obwodzie rezonanowym. Wyniki obliczeń pomocniczych umieścić w tabeli znajdującej ię w protokole. Do obliczeń przyjąć: g m50ms (wartość odczytana charakterytyki tranzytora BF5 dla I,5mA) Q 50; r o50kω; o 0. Wyniki obliczeń i pomiarów umieścić we wpólnej tabeli w protokole, aby moŝna je było łatwo porównać. 3. Na podtawie wyników pomiarowych z punktu. a,b,c,d na jednym ryunku: wykreślić 0log K u f(f). Oś rzędnych: liniowa, oś odciętych: logarytmiczna. 3.3 Dla pozotałych układów naryować zmierzone charakterytyki czętotliwościowe 0log K u f(f). Wy Y
2 3- Zamieścić włane wnioki i potrzeŝenia. Porównać układy pomiędzy obą, a takŝe komentować zgodność obliczeń teoretycznych z pomiarami. 4. Teoria (dla zaintereowanych) Wzmacniacze rezonanowe, nazwane tak ze względu na zatoowanie obwodów rezonanowych jako obciąŝenia tranzytora, ą wzmacniaczami środkowo przeputowymi wąkopamowymi. Ich charakterytyki modułu wzmocnienia ą podobne do charakterytyk środkowo przeputowych filtrów aktywnych R, touje ię je jednak dla więkzych czętotliwości niŝ filtry aktywne R. Wzmacniacze rezonanowe ą toowane głównie w urządzeniach radiokomunikacyjnych: jako wzmacniacze wielkiej czętotliwości o tounkowo zerokim paśmie, na przykład jako wzmacniacze antenowe odbiorników; jako wzmacniacze pośredniej czętotliwości, na przykład w odbiornikach z podwójną przemianą czętotliwości - w tym wypadku ą to wzmacniacze decydujące o elektywności odbiornika i charakteryzują ię wąkim pamem i zybkim opadaniem zboczy charakterytyki amplitudowej. Wzmacniacze rezonanowe touje ię wzędzie tam, gdzie konieczna jet filtracja i wzmocnienie ygnałów, a niemoŝliwe jet ze względów technicznych czy ekonomicznych zatoowanie innych rozwiązań. 4. Wzmacniacz z tranzytorem bipolarnym i pojedynczym obwodem rezonanowym. Najprotzy wzmacniacz rezonanowy moŝna otrzymać toując jako element wzmacniający tranzytor z dołączonym obwodem rezonanowym równoległym (ry.). Obwód rezonanowy Ry. Wzmacniacz z pojedynczym obwodem rezonanowym Schemat zatępczy wzmacniacza z ry. przedtawiono na ry.3. p : WE WY, v i v π r πgm v π R e r o R Ry.3 Schemat zatępczy wzmacniacza gdzie - indukcyjność cewki R - rezytancja trat cewki - pojemność rezonanu równoległego R o o () + p - przekładnia wynikająca z zatoowania dzielonej pojemności ( p + przy podłączeniu obciąŝenia do dzielonej pojemności oraz p przy podłączeniu Dzielona pojemność ma właściwości dzielonej indukcyjności tylko dla duŝych wartości obciąŝenia, co ma miejce dla wartości elementów zatoowanych w ćwiczeniu. v o obciąŝenia bezpośrednio do kolektora tranzytora (przekładnię touje ię w celu zmniejzenia wpływu oporności obciąŝenia na obwód rezonanowy). R o, o - rezytancja i pojemność obciąŝenia. Na chemacie zatępczym nie uwzględniono pojemności wewnętrznych tranzytora. W tym wypadku nie mają one znaczącego wpływu na pracę wzmacniacza w pobliŝu czętotliwości rezonanowej. Pojemności przęgające S, S i S3 zwarto, ze względu na ich duŝe wartości. Schemat zatępczy z ryunku 3 moŝna dodatkowo uprościć wprowadzając rezytancję dynamiczną cewki zamiat rezytancji wewnętrznej trat (ry.4). Ry.4 Zatąpienie rezytancji trat cewki rezytancją dynamiczną cewki Porównując admitancje obu tych obwodów otrzymuje ię: RD RS ( + Q) i ' + Q () R - zeregowa rezytancja trat cewki R d - rezytancja dynamiczna cewki ω Q - dobroć cewki, Q RS W praktyce Q», moŝna zatem uprościć wzory do potaci: RD RS Q, ' (3) Zatoowane przęŝenie zwrotne (rezytancja R e dołączona do emitera tranzytora) powoduje, Ŝe w porównaniu do tranzytora z uziemionym emiterem układ poiada natępujące właściwości: - rezytancja r o widziana przez obwód rezonanowy jet więkza F-krotnie, gdzie F jet róŝnicą zwrotną i wynoi: F+g mr e (4) - trankonduktancja ulega zmniejzeniu do wartości g m, g gm m (5) + gmre Dzięki temu parametry pamowe wzmacniacza oraz jego wzmocnienie zaleŝą w zaadzie tylko od parametrów obwodu rezonanowego. Schemat układu uwzględniający powyŝze wnioki przedtawiony jet na ry.5. Na chemacie przeprowadzono dodatkowo tranformację obciąŝenia do obwodu rezonanowego. v i g m v i F. r o p R o R in R D v o p R Σ Σ Ry.5 Schemat zatępczy wzmacniacza z pojedynczym obwodem rezonanowym z uwzględnieniem niektórych parametrów tranzytora, rezytancji dynamicznej cewki oraz obciąŝenia Oznaczając: ( o) D ( o ) o p R F r R p R (6) + po (7) moŝna zapiać dla powyŝzego obwodu: g v p v m o i (8) + + R Po przekztałceniach wzmocnienie układu wynoi:
3 3-3 vo R R Kv g v m i p + + R Oznaczając: gmr Kvr p β3db Q R ω o moŝna napiać: Q Kv Kvr ω + o Q + (9) (0) () () (3) K vr - wzmocnienie w rezonanie; ω o - pulacja środkowa; ß 3dB - pamo trzydecybelowe; Q - dobroć wzmacniacza. Dobroć wzmacniacza moŝna przedtawić takŝe w natępującej potaci: Q ω o R R (4) MoŜna zauwaŝyć, Ŝe potać wzoru 4 jet analogiczna do tranmitancji środkowo przeputowego filtru aktywnego R II-go rzędu. RozwaŜmy teraz rozkład biegunów obwodu obciąŝenia tranzytora: Z( ) (5) R R Funkcja Z() ma jedno zero w punkcie o0 oraz dwa bieguny zepolone przęŝone:, ± j R R Wiadomo, Ŝe ω o. (6) ω o R, bowiem Q R ω o, R Q MoŜna zatem bieguny przedtawić w potaci: o Q j o, ω ± o ω ω Q (7) JeŜeli dobroć Q układu jet duŝa, wówcza ω ω o o >> (8) Q ( ) i w rezultacie otrzymuje ię:, ± Q j ω o (9) Rozkład zer i biegunów przedtawiony jet na ry.6. Ry.6 Rozkład zer i biegunów funkcji Z() zęść rzeczywita biegunów i jet wpółczynnikiem σ o (0) Q nazwanym wpółczynnikiem tłumienia. część urojona jet pulacją dotrojenia ω o. Funkcję Z() moŝna zapiać takŝe jako: Z( ) o () ( R )( + + ) Przy czym w rozwaŝanym przypadku o0. zynniki (- o), (- ), (- ) moŝna traktować jako wektory. Wektory te dla dowolnie wybranej wartości przedtawiono na ry.7. Ry.7 PołoŜenie wektorów: - o, -, - w funkcji Z() dla dowolnie wybranej wartości Dla przypadku względnie wąkiego pama (σ«ω o) intereują na tylko wartości w ąiedztwie. Wówcza tounek o. () Jet to widoczne na ry.7. Równanie moŝna zapiać jako: Z( ) (3) Uprozczenie to doprowadza do tzw. aprokymacji wąkopamowej. Po przyjęciu takiego uprozczenia bierze ię pod uwagę tylko dodatnią część oi urojonej. Ponadto wpółczynnik tłumienia jet zawze ujemny, czyli intereuje na tylko jedna ćwiartka układu wpółrzędnych (σ,ω). PoniewaŜ waŝna jet dla na przede wzytkim zmienność funkcji Z() wzdłuŝ oi urojonej (zmiana czętotliwości), wygodnie jet obrócić układ wpółrzędnych o 90 w kierunku wkazówek zegara jak na ry.8. Ry.8 Obrócony układ wpółrzędnych Wektor - jet wektorem, którego amplituda (długość) zmienia ię w funkcji czętotliwości. Mierząc długość tego wektora moŝna określić zmienność Z(). Makymalna wartość Z() wytępuje wówcza, gdy - r oiąga wartość minimalną, a więc przy pulacji rezonanowej ω o, czyli Z(). MoŜna określić względną zmianę Z() w tounku do wartości makymalnej Z(). Określmy względną zmianę Z() przy pulacji. Z( ) Z( j) j Dzieląc pierwze równanie przez drugie otrzymujemy: Z( ) j A( ) Z( j ) (4) (5) (6) RozwaŜmy taką pulację ω, dla której wektor - tworzy
4 3-4 kąt 45 z protą protopadłą do oi czętotliwości i przechodzącą przez biegun (ry.9). wykracza poza zakre tego laboratorium. Wynikiem takiej analizy (przeprowadzonej metodą graficzną) jet charakterytyka pokazana na ry.. Wpółczynnik przęŝenia ℵ określony jet wzorem: ℵ gdzie +, +. Ry.9 Wyznaczanie 3-decybelowej zerokości pama wzmacniacza Z ryunku wyznaczamy: A j o ( ω ) (7) Przy pulacji ω oddalonej ymetrycznie od pulacji ω o wytępuje taki am tounek amplitud. W ten poób określiliśmy 3-decybelową zerokość pama: ω3db ω ω (8) W przypadku obwodu rezonanu równoległego biegun znajduje ię na zczycie półokręgu o średnicy ω 3dB i środku w punkcie ω o. Z ryunku moŝna odczytać równieŝ, Ŝe średnica półokręgu jet równa podwójnej wartości wpółczynnika tłumienia, co prowadzi do zaleŝności: ω ω3db oraz o Q (9) Q ω 3 db Ponadto między pulacjami ω i ω wytępuje zaleŝność: ω ω + (30) Impedancja obwodu w rezonanie wynoi: Z( j) R σ (3) o Potępując podobnie jak poprzednio równieŝ w przypadku innych wartości pulacji otrzymujemy krzywą rezonanową przedtawioną na ry.0. Ry. Geometryczne wyznaczenie kztałtu charakterytyki amplitudowej wzmacniacza z parą obwodów przęŝonych. Ry. przedtawia charakterytykę dla konkretnych wartości elementów. W zaleŝności od tounków pojemności, charakterytyki te mogą wyglądać róŝnie. Na ry.3 pokazano rodzinę krzywych uniweralnych. Ry.3 Rodzina krzywych uniweralnych wzmacniacza z parą obwodów przęŝonych Krzywe te podumowują właściwości obwodów przęŝonych w przypadku, gdy dobroci pozczególnych obwodów ą obie równe Q Q Q. Na ryunku oś odciętych wykalowana jet w jednotkach f 0/Q, a oś rzędnych w amplitudach względnych. Analizując kztałt tych krzywych moŝna twierdzić, Ŝe wzrot przęŝenia powoduje zwiękzenie odtępu czętotliwości między wierzchołkami, przy czym wzmocnienie odpowiadające wierzchołkom pozotaje tałe. 4.3 Wzmacniacz z trzema obwodami rezonanowymi przęŝonymi pojemnościowo Obwód rezonanowy I Ry.0 Geometryczne wyznaczenie krzywej rezonanowej wzmacniacza z pojedynczym obwodem rezonanowym 4. Wzmacniacz z parą obwodów rezonanowych przęŝonych pojemnościowo. Obwód rezonanowy II Obwód rezonanowy III Na ry. przedtawiono wzmacniacz z parą obwodów rezonanowych. Obwód rezonanowy I Obwód rezonanowy II Ry.4 Układ wzmacniacza z trzema obwodami rezonanowymi przęŝonymi pojemnościowo Na ry. 4 przedtawiony jet wzmacniacz z trzema przęŝonymi pojemnościowo obwodami rezonanowymi. Podobnie jak w przypadku układu z dwoma obwodami rezonanowymi, nie będzie tu przeprowadzona analiza wzmacniacza. harakterytyka amplitudowa jet jezcze bardziej komplikowana (ry.5). Krzywe uniweralne przedtawiono na ry. 6. Ry. Układ wzmacniacza z parą obwodów rezonanowych przęŝonych pojemnościowo Analiza takiego wzmacniacza jet bardziej komplikowana i
5 Schematy badanych układów 5. Wzmacniacz z pojedynczym obwodem rezonanowym W układzie itnieje moŝliwość pomiaru ygnału wyjściowego bądź bezpośrednio z kolektora tranzytora (nie włączając obciąŝenia - P rozwarty, lub z włączonym obciąŝeniem 8kΩ - P zwarty), bądź z dzielnika pojemnościowego (nie włączając obciąŝenia - P rozwarty, lub z włączonym obciąŝeniem 4.3kΩ - P zwarty). Ry.5 Geometryczne wyznaczenie krzywej rezonanowej wzmacniacza z trzema obwodami rezonanowymi 5 Ry.8 Wzmacniacz z pojedynczym obwodem rezonanowym 5. Wzmacniacz z dwoma obwodami rezonanowymi przęŝonymi pojemnościowo W układzie (ry.9) itnieje moŝliwość zmiany wpółczynnika przęŝenia ℵ poprzez zmianę pojemności przęgającej (przełącznik obrotowy P). Dobroci obwodów I i II ą obie równe, tzn. Q Q Q. Ry.6 Rodzina krzywych uniweralnych wzmacniacza z parą obwodów przęŝonych Wpółczynnik przęŝenia ℵ określony jet wzorem: ℵ 3 ( + ) + ( + 3 3) + 3 JeŜeli pojemności przęgające pełniają warunek 3, to: ℵ 3, 33 +, + + 3, Z ry. 6 widać, Ŝe ze wzrotem iloczynu ℵQ natępuje znaczne rozzerzenie pama bez wydatnego zwiękzenia zagłębień. Analizę układu wykonany przy załoŝeniu, Ŝe dobroć środkowego obwodu rezonanowego Q. Jednak wyniki zgodne z teorią uzykuje ię juŝ, gdy Q 0Q 0Q 30Q. W tym przypadku natępuje jednak tłumienie bocznych wierzchołków charakterytyki (ry.7). Ry.9 Wzmacniacz z parą obwodów rezonanowych 5. Wzmacniacz z trzema obwodami rezonanowymi przęŝonymi pojemnościowo W układzie (ry.0) itnieje moŝliwość zmiany wpółczynnika przęŝenia ℵ poprzez równoczeną zmianę dwóch pojemności przęgających (przełącznik obrotowy P). Dobroci obwodów I i III ą obie równe, tzn. Q Q 3Q. Obwody te ą obciąŝone rezytancją.kω, aby pełniony był warunek: Q 0Q0Q 0Q 3. Ry.0 Wzmacniacz z trzema obwodami rezonanowymi Ry.7 Kztałt charakterytyki czętotliwościowej wzmacniacza w przypadku Q < iteratura: [] S. ichoz "Wzmacniacz wielorezonanowy", Skrypt do aboratorium Układów iniowych. [] A. Guzińki, inowe elektroniczne układy analogowe WNT 99. [3] A. Filipkowki, Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe, WNT 978.
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M U K Ł A D Ó W L I N I O W Y C H Podtawowe układy pracy tranzytora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakuz 4. Wtęp Ćwiczenie umożliwia pomiar i porównanie parametrów podtawowych
Bardziej szczegółowoTransmitancja widmowa bieguna
Tranmitancja widmowa bieguna Podtawienie = jω G = G j ω = j ω Wyodrębnienie części rzeczywitej i urojonej j G j ω = 2 ω j 2 j ω = ω Re {G j ω }= ω 2 Im {G j ω }= ω ω 2 Arg {G j ω }= arctg ω 2 Moduł i faza
Bardziej szczegółowoKO OF Szczecin:
55OF D KO OF Szczecin: www.of.zc.pl L OLMPADA FZYZNA (005/006). Stopień, zadanie doświadczalne D Źródło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej A. Wymołek; Fizyka w Szkole nr 3, 006. Autor: Nazwa zadania:
Bardziej szczegółowoPomiar rezystancji. Rys.1. Schemat układu do pomiaru rezystancji metodą techniczną: a) poprawnie mierzonego napięcia; b) poprawnie mierzonego prądu.
Pomiar rezytancji. 1. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jet zapoznanie ię z najważniejzymi metodami pomiaru rezytancji, ich wadami i zaletami, wynikającymi z nich błędami pomiarowymi, oraz umiejętnością ich
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoProgramy CAD w praktyce inŝynierskiej
Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej Programy CAD w praktyce inŝynierkiej Wykład IV Filtry aktywne dr inż. Piotr Pietrzak pietrzak@dmc dmc.p..p.lodz.pl pok. 54, tel.
Bardziej szczegółowoCharakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej w przybliŝeniu pierwszego stopnia jest opisywana funkcją
1 CEL ĆWCZEN Celem ćwiczenia jet zapoznanie ię z: przebiegami tatycznych charakterytyk prądowo-napięciowych diod półprzewodnikowych protowniczych, przełączających i elektroluminecencyjnych, metodami pomiaru
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne czasu ciągłego i dyskretnego
Politechnika Wrocławka Intytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akutyki czau ciągłego i dykretnego Wrocław 9 Politechnika Wrocławka Intytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akutyki odzaje Ze względu
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne czasu ciągłego i dyskretnego
Politechnika Wrocławka Intytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akutyki czau ciągłego i dykretnego Wrocław 9 Politechnika Wrocławka Intytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akutyki odzaje Ze względu
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 1 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE DIOD P-N
LBORTORM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH ĆWCZENE 1 CHRKTERYSTYK STTYCZNE DOD P-N K T E D R S Y S T E M Ó W M K R O E L E K T R O N C Z N Y C H 1 CEL ĆWCZEN Celem ćwiczenia jet zapoznanie ię z: przebiegami
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne czasu ciągłego i dyskretnego
Politechnika Wrocławka czau ciągłego i dykretnego Wrocław 5 Politechnika Wrocławka, w porównaniu z filtrami paywnymi L, różniają ię wieloma zaletami, np. dużą tabilnością pracy, dokładnością, łatwością
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE UKŁADÓW DYNAMICZNYCH
CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE UKŁADÓW DYNAMICZNYCH Zadanie 1. (Charaterytyi czętotliwościowe) Problem: Wyznaczyć charaterytyi czętotliwościowe (amplitudową i fazową) członu całującego rzeczywitego
Bardziej szczegółowoUkład uśrednionych równań przetwornicy
Układ uśrednionych równań przetwornicy L C = d t v g t T d t v t T d v t T i g t T = d t i t T = d t i t T v t T R Układ jet nieliniowy, gdyż zawiera iloczyny wielkości zmiennych w czaie d i t T mnożenie
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne czasu ciągłego i dyskretnego
Politechnika Wrocławka czau ciągłego i dykretnego Wrocław 6 Politechnika Wrocławka Filtry toowanie filtrów w elektronice ma na celu eliminowanie czy też zmniejzenie wpływu ygnałów o niepożądanej czętotliwości
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne czasu ciągłego i dyskretnego
Politechnika Wrocławka Wydział Elektroniki, atedra 4 czau ciągłego i dykretnego Wrocław 8 Politechnika Wrocławka Wydział Elektroniki, atedra 4 Filtry toowanie iltrów w elektronice ma na celu eliminowanie
Bardziej szczegółowoSZEREGOWY SYSTEM HYDRAULICZNY
LABORATORIUM MECHANIKI PŁYNÓW Ćwiczenie N 1 SZEREGOWY SYSTEM HYDRAULICZNY 1. Cel ćwiczenia Sporządzenie wykreu Ancony na podtawie obliczeń i porównanie zmierzonych wyokości ciśnień piezometrycznych z obliczonymi..
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPRZEMIANA CZĘSTOTLWIOŚCI
EiT Vemetr AE kłady radioelektroniczne 1/1 PRZEMIANA CZĘSTOTLWIOŚCI Cel toowania: Przeunięcie ygnału w zakre czętotliwości, w którym łatwo go można dalej przekztałcać. Operacja nie zmienia kztałtu widma
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoKatedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki
Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i normatyki aboratorium Teorii Obwodów Przedmiot: Elektrotechnika teoretyczna Numer ćwiczenia: 4 Temat: Obwody rezonansowe (rezonans prądów i napięć). Wprowadzenie
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie F1. Filtry Pasywne
Laboratorium Podstaw Elektroniki Instytutu Fizyki PŁ Ćwiczenie F Filtry Pasywne Przed zapoznaniem się z instrukcją i przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia naleŝy opanować następujący materiał teoretyczny:.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Warszawska Instytut Automatyki i Robotyki. Prof. dr hab. inż. Jan Maciej Kościelny PODSTAWY AUTOMATYKI
Politechnika Warzawka Intytut Automatyki i Robotyki Prof. dr hab. inż. Jan acie Kościelny PODSAWY AUOAYKI 5. Charakterytyki czętotliwościowe ranmitanca widmowa Przekztałcenie Fouriera F f t e t dt F dla
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Badanie zjawiska Halla i przykłady zastosowań tego zjawiska do pomiarów kąta i indukcji magnetycznej
Ćwiczenie nr 4 Badanie zjawika alla i przykłady zatoowań tego zjawika do pomiarów kąta i indukcji magnetycznej Opracowanie: Ryzard Poprawki, Katedra Fizyki Doświadczalnej, Politechnika Wrocławka Cel ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE
ZESPÓŁ ABORATORIÓW TEEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TEEKOMUNIKAJI W TRANSPORIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POITEHNIKI WARSZAWSKIEJ ABORATORIUM EEKTRONIKI INSTRUKJA DO ĆWIZENIA NR OBWODY REZONANSOWE DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoAnaliza właściwości filtra selektywnego
Ćwiczenie 2 Analiza właściwości filtra selektywnego Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra selektywnego 2 rzędu i zakresami jego parametrów. 2. Analiza widma sygnału prostokątnego..
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoWłasności i charakterystyki czwórników
Własności i charakterystyki czwórników nstytut Fizyki kademia Pomorska w Słupsku Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności i charakterystyk czwórników. Zagadnienia teoretyczne. Pojęcia podstawowe
Bardziej szczegółowoStabilność liniowych układów dyskretnych
Akademia Morka w Gdyni atedra Automatyki Okrętowej Teoria terowania Miroław Tomera. WPROWADZENIE Definicja tabilności BIBO (Boundary Input Boundary Output) i tabilność zerowo-wejściowa może zotać łatwo
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoUkład napędowy z silnikiem indukcyjnym i falownikiem napięcia
Ćwiczenie 13 Układ napędowy z ilnikiem indukcyjnym i falownikiem napięcia 3.1. Program ćwiczenia 1. Zapoznanie ię ze terowaniem prędkością ilnika klatkowego przez zmianę czętotliwości napięcia zailającego..
Bardziej szczegółowoTEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM
TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 6 BADANIE CHARAKTERYSTYK CZĘSTOTLIWOŚCIOWYCH FILTRÓW AKTYWNYCH. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest doświadczalne
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ SAMOCHODÓW I MASZYN ROBOCZYCH Instytut Podstaw Budowy Maszyn Zakład Mechaniki
POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ SAMOCHODÓW I MASZYN ROBOCZYCH Intytut Podtaw Budowy Mazyn Zakład Mechaniki Laboratorium podtaw automatyki i teorii mazyn Intrukcja do ćwiczenia A-5 Badanie układu terowania
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoĆ W I C Z E N I E N R E-7
NSTYTT FYK WYDAŁ NŻYNER PRODKCJ TECHNOOG MATERAŁÓW POTECHNKA CĘSTOCHOWSKA PRACOWNA EEKTRYCNOŚC MAGNETYM Ć W C E N E N R E-7 WYNACANE WSPÓŁCYNNKA NDKCJ WŁASNEJ CEWK . agadnienia do przetudiowania 1. jawiko
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoI= = E <0 /R <0 = (E/R)
Ćwiczenie 28 Temat: Szeregowy obwód rezonansowy. Cel ćwiczenia Zmierzenie parametrów charakterystycznych szeregowego obwodu rezonansowego. Wykreślenie krzywej rezonansowej szeregowego obwodu rezonansowego.
Bardziej szczegółowoZastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH
POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH Gliwice, wrzesień 2007 Cyfrowe pomiary częstotliwości oraz parametrów RLC Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową,
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych. Sterowanie dławieniowe-szeregowe prędkością ruchu odbiornika hydraulicznego
Intrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Sterowanie dławieniowe-zeregowe prędkością ruchu odbiornika hydraulicznego Wtęp teoretyczny Prędkość ilnika hydrotatycznego lub iłownika zależy od kierowanego do niego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoDiagnostyka i monitoring maszyn część III Podstawy cyfrowej analizy sygnałów
Diagnotyka i monitoring mazyn część III Podtawy cyfrowej analizy ygnałów Układy akwizycji ygnałów pomiarowych Zadaniem układu akwizycji ygnałów pomiarowych jet zbieranie ygnałów i przetwarzanie ich na
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima 2010 L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4. Czwórniki bierne - charakterystyki częstotliwościowe
. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z podstawowymi pojęciami dotyczącymi czwórników i pomiarem ich charakterystyk czestotliwościowych na przykładzie filtrów elektrycznych. 2. Wprowadzenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie F3. Filtry aktywne
Laboratorium Podstaw Elektroniki Instytutu Fizyki PŁ 1 Ćwiczenie F3 Filtry aktywne Przed zapoznaniem się z instrukcją i przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia naleŝy opanować następujący materiał teoretyczny:
Bardziej szczegółowo2.Rezonans w obwodach elektrycznych
2.Rezonans w obwodach elektrycznych Celem ćwiczenia jest doświadczalne sprawdzenie podstawowych właściwości szeregowych i równoległych rezonansowych obwodów elektrycznych. 2.1. Wiadomości ogólne 2.1.1
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoε (1) ε, R w ε WYZNACZANIE SIŁY ELEKTROMOTOTYCZNEJ METODĄ KOMPENSACYJNĄ
WYZNACZANIE SIŁY ELEKTROMOTOTYCZNEJ METODĄ KOMPENSACYJNĄ I. Cel ćwiczenia: wyznaczanie metodą kompensacji siły elektromotorycznej i oporu wewnętrznego kilku źródeł napięcia stałego. II. Przyrządy: zasilacz
Bardziej szczegółowoINSTYTUT ELEKTROENERGETYKI POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ BADANIE PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH
INSTYTUT ELEKTROENERGETYKI POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ ZAKŁAD ELEKTROWNI LABORATORIUM POMIARÓW I AUTOMATYKI W ELEKTROWNIACH BADANIE PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH Instrukcja do ćwiczenia Łódź 1996 1. CEL ĆWICZENIA
Bardziej szczegółowoW celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,
Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 74. Pomiary mostkami RLC. Celem ćwiczenia jest pomiar rezystancji, indukcyjności i pojemności automatycznym mostkiem RLC.
Ćwiczenie nr 74 Pomiary mostkami RLC Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest pomiar rezystancji, indukcyjności i pojemności automatycznym mostkiem RLC. Dane znamionowe Przed przystąpieniem do wykonywania ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE
Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy
LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór
Bardziej szczegółowoWłasności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu
1 ĆWICZENIE 7. CEL ĆWICZENIA. Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu Celem ćwiczenia jest poznanie własności dynamicznych przetworników pierwszego rzędu w dziedzinie czasu i częstotliwości
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowo1 Ćwiczenia wprowadzające
1 W celu prawidłowego wykonania ćwiczeń w tym punkcie należy posiłkować się wiadomościami umieszczonymi w instrukcji punkty 1.1.1. - 1.1.4. oraz 1.2.2. 1.1 Rezystory W tym ćwiczeniu należy odczytać wartość
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Bardziej szczegółowo2. Wyznaczyć K(s)=? 3. Parametry układu przedstawionego na rysunku są następujące: Obiekt opisany równaniem: y = x(
Przykładowe zadania EGZAMINACYJNE z przedmiotu PODSTAWY AUTOMATYKI. Dla przedtawionego układu a) Podać równanie różniczkujące opiujące układ Y b) Wyznacz tranmitancję operatorową X C R x(t) L. Wyznaczyć
Bardziej szczegółowoCharakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego
1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoLVI Olimpiada Matematyczna
LVI Olimpiada Matematyczna Rozwiązania zadań konkurowych zawodów topnia trzeciego 13 kwietnia 2005 r (pierwzy dzień zawodów) Zadanie 1 Wyznaczyć wzytkie trójki (x, y, n) liczb całkowitych dodatnich pełniające
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoSTEROWANIE WG. ZASADY U/f = const
STEROWANIE WG. ZASADY U/f = cont Rozruch bezpośredni ilnika aynchronicznego (bez układu regulacji, odpowiedź na kok wartości zadanej napięcia zailania) Duży i niekontrolowany prąd przy rozruchu Ocylacje
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowo4.8. Badania laboratoryjne
BOTOIUM EEKTOTECHNIKI I EEKTONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 4 p. Nazwisko i imię Ocena Data wykonania ćwiczenia Podpis prowadzącego zajęcia 4. 5. Temat Wyznaczanie indukcyjności własnej i wzajemnej
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowoH f = U WY f U WE f =A f e j f. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie. H f
. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z podstawowymi pojęciami dotyczącymi czwórników i pomiarem ich charakterystyk czestotliwościowych na przykładzie filtrów elektrycznych. 2. Wprowadzenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Mechatronika (WM) Laboratorium Elektrotechniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDALNEGO
Bardziej szczegółowoTemat ćwiczenia. Pomiary przemieszczeń metodami elektrycznymi
POLITECHNIKA ŚLĄSKA W YDZIAŁ TRANSPORTU Temat ćwiczenia Pomiary przemieszczeń metodami elektrycznymi Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elektrycznymi metodami pomiarowymi wykorzystywanymi
Bardziej szczegółowoAnaliza właściwości filtrów dolnoprzepustowych
Ćwiczenie Analiza właściwości filtrów dolnoprzepustowych Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra dolnoprzepustowego (DP) rzędu i jego parametrami.. Analiza widma sygnału prostokątnego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 11. Projektowanie sekcji bikwadratowej filtrów aktywnych
Ćwiczenie nr 11 Projektowanie sekcji bikwadratowej filtrów aktywnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi filtrami elektrycznymi o charakterystyce dolno-, środkowo- i górnoprzepustowej,
Bardziej szczegółowoTEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM
TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 5 BADANIE STABILNOŚCI UKŁADÓW ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest ugruntowanie
Bardziej szczegółowoFiltry. Przemysław Barański. 7 października 2012
Filtry Przemysław Barański 7 października 202 2 Laboratorium Elektronika - dr inż. Przemysław Barański Wymagania. Sprawozdanie powinno zawierać stronę tytułową: nazwa przedmiotu, data, imiona i nazwiska
Bardziej szczegółowoTEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM
TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 4 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK CZĘSTOTLIWOŚCIOWYCH UKŁADÓW RLC. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest doświadczalne
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowo