Wydział Fizyki UW (wer a, opracowano z wykorzystaniem materiałów z Pracowni Elektronicznej WF UW) Pracownia fizyczna i elektroniczna dla Inżyn
|
|
- Jarosław Mazur
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Wydział Fizyki UW (wer a, opracowano z wykorzystaniem materiałów z Pracowni Elektronicznej WF UW) Pracownia fizyczna i elektroniczna dla Inżynierii Nanostruktur oraz Energetyki i Chemii Jądrowej C6n PFiE IN-EChJ Ćwiczenie 6 Cel Badanie diod półprzewodnikowych ze złączem p-n Celem ćwiczenia jest zbadanie podstawowych własności złącza półprzewodnikowego p-n oraz różnych rodzajów diod półprzewodnikowych: prostowniczej wykonanej z krzemu, detekcyjnej wykonanej z germanu, diody Zenera oraz diody elektroluminescencyjnej LE. Zostaną wyznaczone: charakterystyka prądowo-napięciowa diody prostowniczej, przybliżone wartości napięć przewodzenia powyższych rodzajów diod (w przypadku diody Zenera także napięcia przebicia wstecznego). Poznamy metodę wykreślania charakterystyk bezpośrednio oscyloskopem pracującym w modzie wyświetlania XY napięcie-napięcie (w odróżnieniu od dotychczas poznanego modu YT napięcie - czas). Wprowadzenie Złącza półprzewodnikowe p-n oraz wykonane z ich wykorzystaniem diody półprzewodnikowe o różnym przeznaczeniu są podstawowymi elementami elektroniki półprzewodnikowej. ioda (złącze półprzewodników typu p i typu n) jest elementem o nieliniowej charakterystyce prąd-napięcie (czyli nieliniowej zależności prądu płynącego przez diodę od przyłożonego do niej napięcia). Jak było już podane w ćwiczeniu C3n, natężenie prądu I płynącego przez diodę w funkcji przyłożonego napięcia U dane jest wzorem diodowym Shockley a: U M VT I 1 I0 e, (1) gdzie U napięcie zewnętrzne przyłożone do diody, V T - nosi nazwę napięcia termicznego diody i wynosi k T V T e, gdzie e to ładunek elementarny e = C, k = R/N A to stała Boltzmanna (R = 8.31 J/mol. K - stała gazowa, N A = /mol liczba Avogadro), T - temperatura złącza p-n diody. Wartość k T VT 25 mv e dla temperatury pokojowej 20 o C, I 0 to prąd wsteczny nasycenia diody, czyli natężenie prądu płynącego przez diodę przy podłączeniu diody w kierunku zaporowym (zwykle I 0 << 1 μ A). Współczynnik M nazywany współczynnikiem nieidealności diody, wynosi dla diod krzemowych ok. M=1-2, a dla różnych rodzajów diod LE złożonych w swojej budowie może być dużo większy. Współczynnik ten opisuje występowanie bardziej złożonych zjawisk w złączu p-n, niż tylko dyfuzji elektronów i dziur w polu elektrycznym obszaru zubożonego złącza p-n rozważanej przy wyprowadzeniu wzoru Shockleya w najprostszy sposób (np. wykład W2 PFiE). Współczynnik M może przyjmować różne wartości zależnie od napięcia przyłożonego do diody, ale nie będziemy się tym szerzej zajmować. la diod można określić napięcie przewodzenia diody, V F, czyli wartość napięcia, przy którym znacznie wzrasta natężenie prądu płynącego przez diodę. Producenci diod zwykle definiują je jako
2 napięcie przy którym przez diodę płynie określonej wartości natężenia prądu np. 1 ma lub 10mA, zależnie od maksymalnego natężenia prądu dopuszczalnego przez producenta dla danego typu diody. Wartość ta jest podawana w danych katalogowych diody (ang. datasheet) przez producenta diody, przykład dla diody tzw. przełączającej (szybko reagującej zmianą prądu na zmianę napięcia, np. o czasie przełączania ok. 4-8 ns) podaje Tabela 1 (pochodzący z karty katalogowej diody typu 1N4148 firmy Vishay): Tabela 1. ane katalogowe diody przełączającej typu 1N4148. Tabela podaje różne parametry diody (kolumna Parameter) mierzone przy określonych warunkach pomiarowych (kolumna Test conditions), przy czym zwykle producenci podają wartość minimalną dopuszczalną w sprzedawanej serii elementów, wartość typową (najczęściej występującą czyli średnią w produkowanej serii) i wartość maksymalną dopuszczalną. Kolejno w wierszach podane są: napięcie przewodzenia (Forward voltage, V F ) przy prądzie przewodzenia I F =10mA (tu podana jest maksymalna dopuszczalna wartość w serii produkowanych diod = 1V), prąd wsteczny (Reverse current, I R ) przy napięciu w kierunku zaporowym V R =20V oraz 75V, napięcie przebicia złącza w kierunku zaporowym (Breakdown voltage, V BR ) czyli napięcie, którego nie należy przekraczać w zastosowaniach tej diody, pojemność elektryczną złącza diody (iode capacitance, C ) w określonych warunkach (tutaj napięcie stałe przyłożone V R = 0V i napięcie zmienne 50mV o częstości 1MHz wykorzystane do pomiaru pojemności złącza p-n), wydajność prostowania napięcia zmiennego (Rectification efficiency) przy częstości 100MHz oraz czas przełączania natężenia prądu (Reverse recovery time) dla dwu różnych warunków przełączania prądu płynącego w przeciwnych kierunkach. Tabela pochodzi z karty katalogowej producenta: Rysunek 1 przedstawia charakterystykę I-V (prąd - napięcie) dla diody typu 1N4148. wie linie obrazują skrajne zależności dopuszczalne w produkowanej serii diod. Przy prądzie przewodzenia 10mA napięcie przewodzenia powinno wynosić ok V. Widać eksponencjalną zależność I F =f(v F ) - w przybliżeniu linię prostą w skali logarytmicznej natężenia prądu dla napięć do około 1V. Spowolnienie tempa wzrostu prądu zwiększając napięcie powyżej ok. 1V jest zwykle opisywane nieidealnością diody (szeregowym oporem wewnętrznym diody, którego rola rośnie przy wzroście płynącego prądu, oraz Rys. 1. Charakterystyka I-V diody 1N4148.
3 wzrostem wartości współczynnika nieidealności diody M). Oznaczenia na Rys. 1 odpowiadają oznaczeniom w równaniu Shockley a (1) dla diody: U =V F, I =I F. Symbol F użyty jako indeks w oznaczeniach prądu I F oraz napięcia V F na Rys. 1 oznacza, że prąd i napięcie dotyczą kierunku przewodzenia diody (ang. Forward). W danych katalogowych diod kierunek zaporowy jest oznaczany jako R (ang. Reverse). Wykres zależności I (U ), podobny do przedstawionego na Rys. 1., ale narysowany w liniowych skalach obu osi współrzędnych, jest przedstawiony na Rys. 2. Widać silnie nieliniową zależność I (U ). W ćwiczeniu będziemy badać m.in. diodę prostowniczą krzemową typu 1N4001 o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 1A. Będziemy chcieli zmierzyć podobną charakterystykę do tej z Rys. 1, ale dla małych natężeń prądu około 3mA, czyli w bardzo małym zakresie prądów dopuszczalnych dla diody 1N4001. Rys. 2. Zależność prądu diody od przyłożonego napięcia, obliczona wg wzoru diodowego Shockley a (1) dla różnych wartości prądów wstecznych I 0. Przyjęto wartość współczynnika M=1. Widać, że we współrzędnych liniowych obu osi natężenie prądu wzrasta znacząco od pewnego napięcia, w przybliżeniu określanego jako napięcie przewodzenia diody. Aparatura do wykonania ćwiczenia Miernik uniwersalny (Brymen 805), generator funkcji, oscyloskop 2 kanałowy (Tektronix TS1002 lub podobny), płytka drukowana z dwoma gniazdami BNC (ta sama, co w ćwiczeniu C5n) akcesoria pomocnicze (kolba lutownicza, kable łączeniowe, chwytaki pomiarowe, trójniki rozgałęziające). iody (po 2 sztuki każdego typu): krzemowa prostownicza typu 1N4001, germanowa detekcyjna, krzemowa Zenera, elektroluminescencyjna LE, oraz oporniki 1kΩ oraz ew Ω. Wykonanie ćwiczenia 1. Identyfikacja diod Ćwiczenie rozpoczynamy od rozpoznania typów otrzymanych diod. la diody krzemowej prostowniczej (czarna plastikowa obudowa), germanowej detekcyjnej (szklana owalna obudowa) oraz diody Zenera (mała szklana obudowa) mierzymy napięcie przewodzenia diody wykorzystując miernik uniwersalny Brymen 805 ustawiony na mod testu diod, czyli mod pomiaru napięcia przewodzenia diody. Instrukcja testowania diod miernikiem Brymen 805 Miernik Brymen 805 umożliwia pomiar napięcia przewodzenia diod (ale tylko do wartości 1.6V). Pomiar wykonywany jest przy prądzie diody około 0.25 ma (dane z karty katalogowej miernika dostępnej w Pracowni Elektronicznej). la wyboru funkcji testu diod należy ustawić główne pokrętło miernika na pomiar oporności Ω (i przy symbolu diody) i dwukrotnie nacisnąć przycisk SELECT, wtedy w prawym górnym rogu wyświetlacza pojawi się ikona diody.
4 Napięcie przewodzenia standardowych diod germanowych i krzemowych zawiera się w przedziale 0,200 V 0,900 V. Wyższe wartości wskazują na niesprawność diody lub inny typ diody (np. dioda świecąca LE). Wskazanie zero oznacza zwarcie wewnętrzne diody. Wskazanie 0L (ang. overload = przekroczenie zakresu) oznacza brak przewodzenia lub inny typ diody o wyższym napięciu przewodzenia (np. dioda świecąca U przew = 1,8 V). Każde inne wskazanie jest nieprawidłowe i oznacza, że dioda jest niesprawna. iodę podłączamy do gniazda COM i ΩV miernika, jak przy pomiarze oporności, najlepiej za pomocą zwykłych kabli z końcówkami bananowymi i założonymi chwytakami pomiarowymi z jednej strony. Ważny jest kierunek podłączenia diody - należy to sprawdzić samodzielnie. ioda podłączona w kierunku zaporowym daje rezultat 0L. 2. ioda krzemowa Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej I f U ) krzemowej diody prostowniczej. ( Rys. 3. Schemat układu pomiarowego i oczekiwany wykres na dwu kanałach oscyloskopu w modzie pracy YT (napięcie - czas). Zbudować układ pomiarowy zawierający generator i oscyloskop według schematu z Rys. 3. Podłączyć wyjścia układu do kanałów CH1, CH2 oscyloskopu. Ustawić oba kanały oscyloskopu w tryb sprzężenia stałoprądowego (przycisk MENU CH1,2 > Coupling C) Z generatora podać napięcie trójkątne o wartościach szczytowych około U pp ( 3, +3) V i częstości około 100 Hz. Posługując się odczytem z ekranu oscyloskopu z wykorzystaniem kursora pomiarowego zmierzyć charakterystyki diody I ) dla co najmniej 8-10 punktów pomiarowych wiedząc, że prąd płynący przez diodę U I R R U U GEN U R. UWAGA : Można skorzystać z trybu precyzyjnego wyboru czułości pionowej kanałów oscyloskopu fine. okonać pomiarów kursorami w trybie fine starając się rozciągnąć przebiegi na całą wysokość ekranu (przycisk MENU CH1, CH2 Volt/iv coarse / fine). Warunkiem poprawnego pomiaru jest ustawienie jednakowej czułości w obu kanałach i nałożenie poziomu zer obu kanałów na siebie (strzałki z lewej strony ekranu). Z pomiarów należy wykonać dwa wykresy I ), jeden we współrzędnych liniowych prądu i napięcia diody (podobny do wykresu z Rys. 2), a drugi we współrzędnych logarytmicznych prądu diody i liniowych napięcia diody (podobny do Rys. 1).
5 3. Automatyczny pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych diody I ) oscyloskopem w modzie wyświetlania XY. Oscyloskop pracujący w modzie XY wyświetla napięcie z kanału CH2 w funkcji napięcia z kanału CH1. Należy pamiętać, że kanały CH1 i CH2 oscyloskopu mają wspólny jeden przewód podłączeniowy - wspólną masę, więc można mierzyć dwa napięcia w układzie badanym tylko względem wspólnego punktu układu. Rys. 4. Schemat układu pomiarowego z generatorem i z dwiema gałęziami zawierającymi szeregowo podłączone diodę i opornik. W takim układzie napięcia na diodzie i oporniku można mierzyć względem wspólnego punktu pomiarowego, zaznaczonego jako masa układu. Taki sposób pomiaru zakłada identyczność obu diod i obu oporników. Prawy panel rysunku przedstawia spodziewany wykres prądu diody w funkcji napięcia na diodzie wyświetlany w modzie XY oscyloskopu. a) Charakterystyka prądowo-napięciowa diody krzemowej Zbudować układ pomiarowy z generatorem i dwiema diodami według schematu z Rys. 4. Opornik podłączony do masy w gałęzi obwodu bliższej generatora pełni funkcję czujnika prądu płynącego przez diodę, I U R. R / Alternatywnie, można zbudować tylko jedną gałąź obwodu (tylko prawą na Rys. 4) włączając między diodę a masę opornik o niewielkiej oporności ok Ω, aby wykorzystać go jako czujnik prądu diody. Należy wtedy podłączyć CH1 do anody diody (punkt wspólny z opornikiem 1kΩ), a CH2 do opornika 10-20Ω. Taki sposób pomiaru wprowadza niewielki błąd systematyczny pomiaru napięcia diody w CH1, bo jako napięcie diody mierzona jest suma napięć na diodzie i oporniku 10-20Ω. Błąd ten jest mały, bo napięcie na oporniku ok. 10Ω przy prądach diody do ok. 3mA (ograniczonych przez opornik 1kΩ) jest dużo mniejsze od napięcia przewodzenia diody krzemowej ok. 0.6V. Z generatora podać napięcie sinusoidalne o wartości szczytowej około U pp ( 3, +3) V i częstości około 100 Hz. Ustawić oscyloskop w trybie wyświetlania XY (przycisk isplay - format XY), w obu kanałach oscyloskopu ustawić sprzężenie stałoprądowe (przycisk MENU CH1,2 Coupling C) Zaobserwować charakterystykę prądowo-napięciową diody, odczytać napięcie przewodzenia. b) Charakterystyka prądowo-napięciowa diody świecącej LE o kolorze czerwonym Zbudować układ pomiarowy z dwoma diodami według schematu z Rys. 4. Z generatora podać napięcie sinusoidalne o wartości szczytowej około U pp ( 6, +6) V i ustawić minimalną częstość (rzędu 1 Hz). Ustawić oscyloskop w formacie wyświetlania XY: (isplay format XY), w obu kanałach oscyloskopu ustawić sprzężenie stałoprądowe (przycisk MENU CH1,2 Coupling C)
6 Zaobserwować charakterystykę prądowo-napięciową diody, odczytać napięcie przewodzenia. Przełączyć oscyloskop na format YT (przycisk isplay, format YT) i połączyć wejście kanału CH1 do napięcia wyjściowego generatora (lub jeśli oscyloskop posiada więcej niż 2 kanały, podłączyć dodatkowo sygnał z generatora (GEN) na trzeci kanał CH3). Zaobserwować i wytłumaczyć przebiegi wszystkich kanałów. Następnie powrócić do charakterystyki diody: (przycisk isplay format XY). Uwaga: jako źródło wyzwalania oscyloskopu należy ustawić: CH1 (lub kanał CH3 jeżeli jest), (przycisk TRIGGER Menu Source CH1). 4. Wyznaczenie krytycznej częstość migotania cff (ang. critical flicker frequency), przy której oko ludzkie dostrzega jeszcze pulsację światła diody. iodę LE należy zasilać sygnałem sinusoidalnym (ze składową stałą = 0 V) z generatora funkcji o napięciu maksymalnym około U pp ( 6, +6) V i zwiększać częstość od 1 Hz aż do wizualnego zaniku pulsacji światła. Powtórzyć ten sam pomiar obniżając częstość generatora do momentu, gdy pulsacje staną się widoczne. Zarejestrować wartości częstości sygnału sinusoidalnego, przy których oko dostrzega jeszcze pulsację światła diody. 5. Zbadanie charakterystyki prądowo-napięciowej diody Zenera. Zgodnie z punktami 2 3 tej instrukcji zmierzyć i zaobserwować na oscyloskopie charakterystykę I ) diody Zenera. Ustawić z generatora przebieg napięcia o wartościach szczytowych około U pp ( 6, +6) V. Wyznaczyć przybliżone wartości napięcia przewodzenia U p i napięcia przebicia (Zenera) U z w kierunku wstecznym diody. Rys. 6. Spodziewana charakterystyka diody Zenera wyznaczona w układzie jak na Rys. 4 obserwowana w modzie XY oscyloskopu.
Dioda półprzewodnikowa
Dioda półprzewodnikowa 4 Wydział Fizyki UW Pracownia Fizyczna i Elektroniczna - 2 - Instrukcja do ćwiczenia Dioda półprzewodnikowa 4 I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z różnymi rodzajami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C1 Diody Streszczenie
Bardziej szczegółowoLaboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowotranzystora bipolarnego, która umożliwia działanie wzmacniające i przełączające tranzystora, jest niewielka grubość obszaru bazy (typu p w tranzystorz
Wydział Fizyki UW (wer. 04-2017, opracował T. Słupiński z wykorzystaniem materiałów z Pracowni Elektronicznej WF UW) Pracownia fizyczna i elektroniczna dla Inżynierii Nanostruktur oraz Energetyki i Chemii
Bardziej szczegółowoWzmacniacz tranzystorowy
Wzmacniacz tranzystorowy 5 Wydział Fizyki UW Pracownia Fizyczna i Elektroniczna - 2 - Instrukca do ćwiczenia Wzmacniacz tranzystorowy 5 I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia est zapoznanie się z tranzystorem
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoPRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO. Instrukcja wykonawcza
ĆWICZENIE 53 PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO Instrukcja wykonawcza 1 Wykaz przyrządów a. Generator AG 1022F. b. Woltomierz napięcia przemiennego. c. Miliamperomierz prądu przemiennego. d. Zestaw składający
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa
Badanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa Celem doświadczenia jest wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz zależności
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Ćwiczenie nr Temat ćwiczenia:. 2. 3. Imię i Nazwisko Badanie filtrów RC 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoA6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
Badanie diod półprzewodnikowych Proszę zbudować prosty obwód wykorzystujący diodę, który w zależności od jej kierunku zaświeci lub nie zaświeci żarówkę. Jak znaleźć żarówkę: Indicators -> Virtual Lamp
Bardziej szczegółowoLI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne
LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoBADANIE ELEMENTÓW RLC
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C3 Wzmacniacze operacyjne. Wydział Fizyki UW
dział Fizyki W Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (00-INZ7) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (00-ENPFIZELEK) Ćwiczenie C Wzmacniacze operacyjne Streszczenie
Bardziej szczegółowoWstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru
Wstęp Celem ćwiczenia jest zaznajomienie się z podstawowymi przyrządami takimi jak: multimetr, oscyloskop, zasilacz i generator. Poznane zostaną również podstawowe prawa fizyczne a także metody opracowywania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym
Ćwiczenie 1 Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym Wprowadzenie Celem ćwiczenia jest sprawdzenie podstawowych praw elektrotechniki w obwodach prądu stałego. Badaniu
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoPOMIARY OSCYLOSKOPOWE 51
POMIAR OSCLOSKOPOWE 51 I. WSTĘP Oscyloskop jest przyrządem służącym do obserwacji, rejestracji i pomiaru napięć elektrycznych zmieniających się w czasie. Schemat blokowy tego urządzenia pokazano na Rys.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Instytut Fizyki oświadczalnej UG Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk
Bardziej szczegółowoBadanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera
23 kwietnia 2001 Ryszard Kostecki Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera Streszczenie Celem tej pracy jest zapoznanie się z tematyką i zbadanie diód krzemowej, germanowej, oraz
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoĆw. 1: Badanie diod i prostowników
Ćw. 1: Badanie diod i prostowników Wstęp Celem ćwiczenia jest badanie diod i opartych na nich prostownikach stosowanych w zasilaczach. Dioda jest to elektroniczny element półprzewodnikowy zawierający jedno
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A
Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej)
Bardziej szczegółowoOpis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)
Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 254. Badanie ładowania i rozładowywania kondensatora. Ustawiony prąd ładowania I [ ma ]: t ł [ s ] U ł [ V ] t r [ s ] U r [ V ] ln(u r )
Nazwisko... Data... Wydział... Imię... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie nr 254 Badanie ładowania i rozładowywania kondensatora Numer wybranego kondensatora: Numer wybranego opornika: Ustawiony prąd ładowania
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna
Ćwiczenie 20 Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna Program ćwiczenia: 1. Wyznaczenie stałej czasowej oraz wzmocnienia statycznego obiektu inercyjnego I rzędu 2. orekcja
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowostrona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI
strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. WPROWADZENIE. Prezentowany multimetr cyfrowy jest zasilany bateryjnie. Wynik pomiaru wyświetlany jest w postaci 3 1 / 2 cyfry. Miernik może być stosowany
Bardziej szczegółowoPomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Pomiar charakterystyk
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoWłasności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu
1 ĆWICZENIE 7. CEL ĆWICZENIA. Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu Celem ćwiczenia jest poznanie własności dynamicznych przetworników pierwszego rzędu w dziedzinie czasu i częstotliwości
Bardziej szczegółowoMULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI
MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. SPECYFIKACJE 1.1. Specyfikacje ogólne. Zasada pomiaru: przetwornik z podwójnym całkowaniem; Wyświetlacz: LCD, 3 3 / 4 cyfry; Maksymalny odczyt: 3999;
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)
Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia
Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED
Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE
W S E i Z W WASZAWE WYDZAŁ.. LABOATOUM FZYCZNE Ćwiczenie Nr 10 Temat: POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ. PAWO OHMA Warszawa 2009 Prawo Ohma POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ Uporządkowany ruch elektronów nazywa się
Bardziej szczegółowoPomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
Bardziej szczegółowoMiernik Cęgowy Extech EX730, CAT III 600 V
Miernik Cęgowy Extech EX730, CAT III 600 V Instrukcja obsługi Nr produktu: 121642 Opis Opis miernika (model EX730) 1. Miernik cęgowy 2. Przycisk otwierający miernik 3. Przyciski sterowania Zapamiętywanie
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE
Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M
INSTRUKCJA OBSŁUGI MINI MULTIMETR CYFROWY M - 838 M - 838+ www.atel.com.pl/produkt.php?hash=02915! 1 2 I. WPROWADZENIE Przed przystąpieniem do normalnej eksploatacji miernika, prosimy zapoznać się z możliwościami
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoEfekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza
Efekt Halla Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Wstęp Siła Loretza Na ładunek elektryczny poruszający się w polu magnetycznym w kierunku prostopadłym do linii pola magnetycznego działa
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoInstrukcja obsługi. Nr produktu: Miernik Cęgowy Extech EX710, CAT III 600 V
Miernik Cęgowy Extech EX710, CAT III 600 V Instrukcja obsługi Nr produktu: 121670 Opis Opis miernika (model EX730) 1. Cęgi 2. Przycisk otwierający cęgi 3. Przyciski sterowania Przycisk funkcji 'zamrażania'
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Ćwiczenie 5 Temat: Pomiar napięcia i prądu stałego. Cel ćwiczenia Poznanie zasady pomiaru napięcia stałego. Zapoznanie się z działaniem modułu KL-22001. Obsługa przyrządów pomiarowych. Przestrzeganie przepisów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA OBSŁUGI. MULTIMETR CYFROWY AteX UT 93
INSTRUKCJA OBSŁUGI MULTIMETR CYFROWY AteX UT 93 #02955 PRZED URUCHOMIENIEM PRZYRZĄDU DOKŁADNIE ZAPOZNAJ SIĘ Z INSTRUKCJĄ OBSŁUGI Nie zastosowanie się do tego polecenia jak i do innych uwag zawartych w
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEA ELEKTONIKI AGH L A B O A T O I U M ELEMENTY ELEKTONICZNE ZASTOSOWANIE IO EV. 1.2 Laboratorium Elementów Elektronicznych: ZASTOSOWANIE IO 1. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja działania diodowych:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz
Bardziej szczegółowoKIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811. Instrukcja obsługi
KIESZONKOWY MULTIMETR CYFROWY AX-MS811 Instrukcja obsługi Bezpieczeństwo Międzynarodowe symbole bezpieczeństwa Ten symbol użyty w odniesieniu do innego symbolu lub gniazda oznacza, że należy przeczytać
Bardziej szczegółowoIle wynosi całkowite natężenie prądu i całkowita oporność przy połączeniu równoległym?
Domowe urządzenia elektryczne są często łączone równolegle, dzięki temu każde tworzy osobny obwód z tym samym źródłem napięcia. Na podstawie poszczególnych rezystancji, można przewidzieć całkowite natężenie
Bardziej szczegółowo