Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4
|
|
- Patryk Murawski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W Dioda półprzewodnikowa: podaj symbol oraz zapisz równanie opisujące zależność pomiędzy prądem i napięciem. Narysuj charakterystyki napięciowo - prądowe diody: pełną oraz dla zakresu małych prądów. 2. Narysuj schemat oraz podaj równanie opisujące ogólny (dla polaryzacji w kierunku przewodzenia i zaporowej) nieliniowy model statyczny diody półprzewodnikowej. Jakie są zastosowania tego modelu? Zastosowania modelu: - obliczenia stałoprądowe (układów polaryzacji diody) - zależność na spadek napięcia na diodzie wyznaczona z równania na wartość prądu, pomijając -1 we wzorze: - badanie wpływu temperatury na punkt pracy diody: - zmiana napięcia na diodzie przy stałym prądzie 2mV/0C - podwojenie wartości prądu wstecznego na 80C: 3. Narysuj schematy i podaj równania opisujące nieliniowy model statyczny diody półprzewodnikowej dla dwóch przypadków: polaryzacji w kierunku przewodzenia i polaryzacji wstecznej). Jakie są zastosowania tych modeli? Zastosowania modelu: - obliczenia stałoprądowe (układów polaryzacji diody) - zależność na spadek napięcia na diodzie wyznaczona z równania na wartość prądu, pomijając -1 we wzorze: - badanie wpływu temperatury na punkt pracy diody: - zmiana napięcia na diodzie przy stałym prądzie 2mV/0C - podwojenie wartości prądu wstecznego na 80C:
2 4. Jak zmiana temperatury wpływa na parametry i charakterystykę diody półprzewodnikowej? 5. Narysuj schemat i opisz zasadę działania diodowego czujnika temperatury. 6. O ile zmieni się wartość napięcia na diodzie półprzewodnikowej gdy temperatura diody wzrośnie o 300C? -600mV 7. Narysuj schemat i podaj zależności opisujące nieliniowy model dynamiczny diody półprzewodnikowej. Podaj zastosowania tego modelu. Zastosowania analiza pracy diody w układach impulsowych, np. jako klucz (przełącznik). 8. Narysuj schemat układu oraz przebiegi prądu i napięcia dla diody półprzewodnikowej pracującej impulsowo. Podaj najważniejsze parametry diody określające jej zachowanie przy pracy impulsowej.
3 9. Narysuj schemat i podaj zależności opisujące liniowy model dynamiczny diody półprzewodnikowej. Podaj zastosowania tego modelu. Zastosowania modelu liniowego - małosygnałowego: - obliczenia parametrów roboczych układów elektronicznych - wyznaczanie częstotliwości granicznych układów elektronicznych 10. Co to jest punkt pracy diody półprzewodnikowej? Narysuj charakterystykę diody i podaj definicję jej rezystancji dynamicznej. Punkt pracy punkt na charakterystyce danego urządzenia lub elementu, w którym zachodzi jego działanie i w którym mogą zostać określone chwilowe parametry pracy takiego urządzenia lub elementu. Optymalny punktu pracy, dla którego występują najlepsze pożądane własności, lub dla którego żywotność elementu jest najdłuższa. 11. Po co stosuje się wstępną polaryzację diod półprzewodnikowych? Aby uniknąć występowania zniekształceń skrośnych, w elementach wzmacniających stosowana jest wstępna polaryzacja powodująca przepływ niewielkiego prądu spoczynkowego, w wyniku czego charakterystyka przejściowa zostaje zlinearyzowana. 12. Podaj wartości rezystancji dynamicznych diody półprzewodnikowej dla prądów IDQ równych np: 0.5 ma, 1mA i 10 ma. 50; 25; Opisz stałoprądowe modele uproszczone diod półprzewodnikowych.
4 14. Wymień podstawowe parametry diod półprzewodnikowych. 1. Prąd przewodzenia I F (forward) : - AV(M) (average) średni, maksymalny - RMS (real mean square) skuteczny - SM (surge maximum) impulsowy maksymalny, niepowtarzalny 2. Napięcie przewodzenia U F (forward) 3. Prąd wsteczny I R (reverse); (M) - maksymalny 4. Napięcie wsteczne U R (reverse) : - RMM (repetitive reverse maksimum) maksymalne, powtarzalne - SM (surge maximum) impulsowe maksymalne 5. Czas powrotu t rr (recovery time) 6. Szybkość narastania U R du R/dt 7. Moc 8. Zakres temperatur pracy 9. Rezystancja cieplna 15. Narysuj symbol, charakterystykę oraz podaj główne cechy i zastosowania diod prostowniczych. Cechy charakterystyczne: - duża powierzchnia warstw zaporowych - niewielkie częstotliwości pracy (głównie 50 lub 100 Hz); chyba, że szybkie np.. Schottkye go - szeroki zakres mocy dopuszczalnych - stosowane głównie w układach zasilających do prostowania prądów przemiennych 16. Wymień rodzaje, podaj główne cechy charakterystyczne oraz zastosowania diod detekcyjnych i mieszających. Narysuj małosygnałowy schemat zastępczy tego rodzaju diod. Cechy charakterystyczne: - szeroki zakres częstotliwości pracy: Hz GHz - bardzo mała powierzchnia złącz małe pojemności: pf - praca ze znacznie mniejszymi prądami w porównaniu do diod prostowniczych. Do grupy tej należą: diody ostrzowe germanowe lub krzemowe, diody Schottkye go, diody wsteczne. Zastosowania: - detektory - mieszacze - ograniczniki napięcia 17. Narysuj symbol oraz podaj główne cech charakterystyczne diod Schottkye go. Cechy: - szybsze działanie, mała pojemność złącza metal półprzewodnik - mała wartość r S, - mały poziom szumów własnych - duża odporność na wstrząsy i udary
5 18. Narysuj symbol, charakterystykę, podaj główne cechy oraz zastosowania diody wstecznej. Cechy charakterystyczne: - małe napięcie progowe (wzrost prądu praktycznie od zerowego napięcia) - duża szybkość działania (praca na nośnikach większościowych) - duża odporność na wpływ temperatury i promieniowania - mały poziom szumów własnych Zastosowanie: - mikrofalowe detektory małych sygnałów - mieszacze mikrofalowe 19. Podaj główne cechy diod impulsowych i ładunkowych. Cechy charakterystyczne: - bardzo mała rezystancja w kierunku przewodzenia i bardzo duża w kierunku zaporowym - bezzwłoczna reakcja na impulsy czyli brak opóźnień i zniekształceń impulsów 20. Narysuj symbol, charakterystykę, schemat zastępczy oraz podaj parametry diod Zenera. - napięcie stabilizowane zależne od I Zmin i P max - rezystancja dynamiczna (najmniejsza dla napięcia 7.5V) - temperaturowy współczynnik zmian napięcia stabilizowanego TWU Z (zerowy dla diod o napięciu 5 7V) - rezystancja statyczna (w punkcie pracy) - współczynnik stabilizacji - moc admisyjna P max - rezystancja cieplna (sposób chłodzenia diody) 21. Jak zależą: temperaturowy współczynnik zmian napięcia stabilizowanego oraz rezystancja dynamiczna od napięcia Zenera? Dla jakiego zakresu napięć diody Zenera posiadają najlepsze parametry temperaturowe i dynamiczne? - rezystancja dynamiczna (najmniejsza dla napięcia 7.5V) - temperaturowy współczynnik zmian napięcia stabilizowanego TWU Z (zerowy dla diod o napięciu 5 7V)
6 22. Narysuj symbole, schemat zastępczy, podaj główne cechy charakterystyczne oraz główne zastosowania diod pojemnościowych. - warikapy (VARiable CAPacitance) o zmiennej pojemności (np.. przestrajanie obwody rezonansowe) Parametry charakterystyczne: - pojemność złącza C j przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym - stosunek pojemności C j przy dwóch różnych (granicznych) wartościach napięcia polaryzacji wstecznej - rezystancja szeregowa R s lub dobroć przy określonej częstotliwości i napięciu polaryzacji wstecznej - zakres częstotliwości pracy - waraktory (VARiable reactor) o zmiennej reaktancji pojemnościowej (np. elementy czynne nieliniowe w układach w. cz.) Parametry charakterystyczne: - pojemność złącza C j przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym (zwykle maksymalna) - stosunek pojemności C j przy dwóch różnych (granicznych) wartościach napięcia polaryzacji wstecznej - prąd wsteczny I R przy określonym napięciu wstecznym U R - częstotliwość maksymalna przy określonym napięciu polaryzacji wstecznej - parametry pasożytnicze: L s, C 0 i R s 23. Opisz budowę, narysuj schematy zastępcze oraz charakterystykę; podaj główne zastosowania diod PIN. Budowa a) i schematy zastępcze: b) polaryzacja zaporowa, c) polaryzacja w kierunku przewodzenia W kierunku zaporowym dioda stanowi kondensator o niewielkiej pojemności. W kierunku przewodzenia do obszaru o dużej rezystywności I (półprzewodnik samoistny) wstrzykiwane są dziury z P i elektrony z N, powodując wzrost konduktywności tego obszaru proporcjonalny do płynącego prądu. Zastosowania: - modulator amplitudy - klucz - tłumik 24. Narysuj symbol, charakterystykę prądowo napięciową oraz podaj główne właściwości i zakres zastosowań diod tunelowych. Główna właściwość ujemna rezystancja dynamiczna: Odtłumianie obwodów rezonansowych generator Generator mikrofalowy
7 W Narysuj strukturę z zaznaczoną polaryzacją, opisz zasadę działania, narysuj charakterystyki OE: wejściową i wyjściową tranzystora bipolarnego typu NPN. 2. Narysuj strukturę z zaznaczoną polaryzacją, opisz zasadę działania, narysuj charakterystyki OE: wejściową i wyjściową tranzystora bipolarnego typu PNP. 3. Zdefiniuj współczynniki wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego. Jaki jest wpływ zerowego prądu kolektora na te parametry? Powstała para dziura-elektron jest wymiatana z warstwy zaporowej: dziura do bazy, elektron do kolektora. 4. Narysuj i podaj zależności dla podstawowego modelu Ebersa Molla tranzystora bipolarnego. 5. Narysuj schematy i podaj zależności opisujące elementy przekształconych modeli (dogodnych do obliczeń) Ebersa Molla: nieliniowego i zlinearyzowanego. 6. Wymień najważniejsze parametry tranzystora bipolarnego. - moc admisyjna P max (hiperbola mocy) - prąd maksymalny I cmax - prąd zerowy IC0 - maksymalne napięcie U CEmax - napięcie nasycenia U CEsat - współczynnik wzmocnienia prądowego B 0 7. Co to jest napięcie Early ego tranzystora bipolarnego? Zjawisko Early'ego nazywane jest również zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy. Powoduje ono zmianę wielkości wejściowych (I E, U EB) wskutek zmiany wielkości wyjściowych (U CB), czyli występuje sprzężenie zwrotne. Zjawisko Early'ego związane jest z dyfuzyjnym charakterem transportu nośników w bazie.
8 8. Jaki jest wpływ temperatury na parametry tranzystora bipolarnego? 9. Co to jest punkt pracy tranzystora bipolarnego? Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora w konfiguracji OE z zaznaczonym obszarem, na którym może się znaleźć punkt pracy. Opisz ograniczenia w doborze punktu pracy. 10. Co to jest punkt pracy tranzystora bipolarnego? Opisz na jakie parametry układu elektronicznego ma wpływ dobór punktu pracy. Punkt pracy punkt na charakterystyce danego urządzenia lub elementu, w którym zachodzi jego działanie i w którym mogą zostać określone chwilowe parametry pracy takiego urządzenia lub elementu. Optymalny punktu pracy, dla którego występują najlepsze pożądane własności, lub dla którego żywotność elementu jest najdłuższa. 11. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równia i opisz właściwości układu polaryzacji tranzystora bipolarnego z wymuszonym (stałym) prądem bazy.
9 12. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równia i opisz właściwości układu polaryzacji tranzystora bipolarnego ze sprzężeniem kolektorowy. 13. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równia i opisz właściwości układu polaryzacji tranzystora bipolarnego z zasilaniem potencjometrycznym. 14. Co to jest statyczna prosta pracy? 15. Narysuj przykładowy schemat i wyjaśnij zasadę działania układ polaryzacji tranzystora bipolarnego z elementami nieliniowymi. 16. Model hybryd p tranzystora bipolarnego narysuj schemat, podaj zależności opisujące poszczególne elementy modelu. Do czego jest wykorzystywany ten model? Zastosowania: - analiza układów tranzystorowych dla sygnałów zmiennych - wyznaczanie parametrów roboczych - wyznaczanie zakresu częstotliwości pracy układów
10 17. Narysuj modele hybryd p tranzystora bipolarnego obowiązujące dla: a) niskich i średnich częstotliwości b) dla wysokich częstotliwości 18. Wymień i zdefiniuj częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego. 19. Narysuj schematy i zdefiniuj elementy modeli tranzystora bipolarnego opisanych macierzami y i h.
11 W Opisz budowę i zasadę działania tranzystora polowego typu PNFET (JFET) z kanałem dowolnego typu. Wyjaśnij zjawisko nierównomiernego rozkładu warstwy zaporowej wzdłuż kanału. 2. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora polowego JFET z kanałem typu n. 3. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora polowego JFET z kanałem typu p. 4. Podaj podstawowe parametry tranzystorów polowych typu JFET. Parametry statyczne: - napięcie progowe U p - prąd drenu I DSS (U GS = 0) - rezystancja w stanie włączenia r ds - maksymalny prąd bramki I Gmax - prąd drenu w stanie odcięcia I Dmin Parametry dynamiczne: - transkonduktancja g mm - pojemność wejściowa C wes - pojemność wyjściowa C wys - pojemność zwrotna C ws - pole wzmocnienia f S - czas włączenia t on - czas wyłączenia t off Parametry graniczne: - maksymalne napięcie źródło dren U DSmax - maksymalny prąd drenu I Dmax - maksymalne napięcie bramka źródło U GSmax - moc strat P max
12 5. Podaj ograniczenia w doborze punktu pracy tranzystora polowego typu JFET. 6. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równania i opisz właściwości dwubateryjnego układu polaryzacji tranzystora JFET. 7. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równania i opisz właściwości układu polaryzacji tranzystora JFET z automatycznym minusem. 8. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równania i opisz właściwości potencjometrycznego układu polaryzacji tranzystora JFET. 9. Narysuj schemat, podaj/wyprowadź równania i opisz właściwości układu polaryzacji tranzystora JFET ze sprzężeniem drenowym.
13 10. Narysuj małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora polowego JFET. Scharakteryzuj jego elementy. 11. Opisz budowę i zasadę działania tranzystora MOS z kanałem typu p, normalnie wyłączonym. Wyjaśnij zjawisko nierównomiernego rozkładu kanału. 12. Opisz budowę i zasadę działania tranzystora MOS z kanałem typu n, normalnie wyłączonym. Wyjaśnij zjawisko nierównomiernego rozkładu kanału. 13. Opisz budowę i zasadę działania tranzystora MOS z kanałem typu p, normalnie włączonym. Wyjaśnij zjawisko nierównomiernego rozkładu kanału. 14. Opisz budowę i zasadę działania tranzystora MOS z kanałem typu n, normalnie włączonym. Wyjaśnij zjawisko nierównomiernego rozkładu kanału.
14 15. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora MOS z kanałem typu p, normalnie wyłączonym. 16. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora MOS z kanałem typu n, normalnie wyłączonym. 17. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora MOS z kanałem typu p, normalnie włączonym. 18. Narysuj symbol, podaj sposób polaryzacji oraz narysuj charakterystyki tranzystora MOS z kanałem typu n, normalnie włączonym.
15 19. Podaj podstawowe parametry tranzystorów typu MOSFET. Parametry statyczne: Parametry dynamiczne: - napięcie progowe U T - transkonduktancja g mm - prąd drenu I DSS (U GS = 0) - pojemność wejściowa C wes - rezystancja w stanie włączenia r dson - pojemność wyjściowa C wys - maksymalny prąd bramki I Gmax - pojemność zwrotna C ws - prąd drenu w stanie odcięcia I Dmin - pole wzmocnienia f S - czas włączenia t on Parametry graniczne: - czas wyłączenia t off - maksymalne napięcie źródło dren U DSmax - maksymalny prąd drenu I Dmax - maksymalne napięcie bramka źródło U GSmax - moc strat P max 20. Narysuj statyczne modele nieliniowe tranzystorów typu MOSFET. 21. Narysuj układy polaryzacji tranzystorów typu MOSFET. 22. Jaki jest wpływ temperatury na parametry tranzystorów JFET i MOSFET? 1. Złączowe - temperatura wpływa na prąd zerowy złącza PN, powodując zmniejszanie sie rezystancji wejściowej tranzystora. 2. Temperatura wpływa na wartość U P napięcie to zmienia sie ze wsp. Temperaturowym równym około 2.3 mv/ 0 C 3. Temperatura wpływa na ruchliwość nośników w kanale. Wzrost temperatury spadek ruchliwości spadek konduktancji wyjściowej i przejściowej tranzystora, spadek częstotliwości granicznej 23. Narysuj małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOSFET. Scharakteryzuj jego elementy.
16 W9 1. Narysuj symbol, strukturę, schemat zastępczy oraz rodzinę charakterystyk tyrystora konwencjonalnego. Podaj/wyprowadź równanie opisujące prąd anodowy elementu. 2. Wymień oraz opisz rodzaje tyrystorów konwencjonalnych. Sieciowe najstarszy typ, stosowane w układach o częstotliwościach pracy 50, 60 Hz jako sterowane prostowniki i włączniki. Szybkie przystosowane do pracy przy częstotliwościach 2 10 khz, budowa z wykorzystaniem tzw. bramki wzmacniającej: dwie struktury pnpn: pomocnicza i główna. Po podaniu impulsu bramkowego włącza się struktura pomocnicza, wywołany w niej przepływ prądu anodowego włącza strukturę główna. Stosowane jako przełączniki mocy/ Impulsowe - o bardzo krótkich czasach przełączania, dużych wartościach chwilowego prądu szczytowego i małych średniego, stosowane np. w urządzeniach radarowych. 3. Co to jest i czym się charakteryzuje GTO? Narysuj jego symbol i charakterystykę prądowo napięciową. Dla dodatniej polaryzacji bramki sterujemy załączaniem tyrystora tak jak w przypadku SCR. Gdy do bramki doprowadzimy prąd o ujemnej polaryzacji i wartości około 20% prądu anodowego wyłączamy tyrystor.
17 4. Co to jest i czym się charakteryzuje Triak? Narysuj jego symbol i charakterystykę prądowo napięciową. tyrystor dwukierunkowy 5. Co to jest i czym się charakteryzuje Diak? Narysuj jego symbol i charakterystykę prądowo napięciową. Dynistor pracujący dwukierunkowo. 6. Co to jest i czym się charakteryzuje IGBT? Narysuj jego symbol i charakterystyki: przejściową i wyjściową. Tranzystor bipolarny z izolowana bramka Połączenie właściwości tranzystorów: bipolarnego i polowego: - niskie napięcie przewodzenia, - krótkie czasy przełączania: ton (0.4 1) μs, toff (0.8 2) μs, - częstotliwości pracy (10 50) khz, - duża impedancja wejściowa, - duża dopuszczalna gęstość prądów - duży obszar pracy bezpiecznej
18 W10 1. Narysuj symbol wraz z układem zasilania oraz charakterystykę wzmacniacza operacyjnego. Jakie wzmocnienia charakteryzują układ? Podaj zależność na napięcie wyjściowe wzmacniacza. Wzmocnienie napięciowe różnicowe nazywane wzmocnienie: Wzmocnienie sumacyjne wzmacniacza operacyjnego: 2. Co to jest wyjściowe napięcie niezrównoważenia wzmacniacza operacyjnego? Jakie parametry wejściowe układu mają na nie wpływ? 3. Wyjaśnij pojęcie wejściowego napięcia niezrównoważenia wzmacniacza operacyjnego. Co powoduje jego powstawanie? /\ 4. Wyjaśnij pojęcia wejściowych prądów: polaryzacji i niezrównoważenia występujących we wzmacniaczu operacyjnym. Co powoduje ich powstawanie? /\ Polaryzacji: Niezrównoważenia: 5. Jak skompensować wyjściowe napięcie niezrównoważenia wzmacniacza operacyjnego? Wiele wzmacniaczy ma dodatkowe wyprowadzenia do kompensacji wejściowego napięcia niezrównoważenia. 6. Co to jest CMRR? Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego CMRR (Common Mode Rejection Ratio):
19 7. Zdefiniuj rezystancje wejściowe i wyjściową wzmacniacza operacyjnego. Jakiego rzędu wartości one przyjmują. Dla wzmacniaczy zbudowanych na tranzystorach bipolarnych R wer jest rzędu M, R wes jest rzędu G. Dla wzmacniaczy operacyjnych z wejściem różnicowym opartym na tranzystorach polowych obie rezystancje przyjmują jeszcze większe wartości porównując do wzmacniaczy zbudowanych z tranzystorów bipolarnych. 8. Narysuj model idealnego wzmacniacza operacyjnego i podaj wartości jego parametrów. 9. Narysuj schemat blokowy i amplitudową charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza operacyjnego. Wyjaśnij na czym polega kompensacja częstotliwościowa układu. Transmitancja skompensowanego biegunem dominującym (C K) wzmacniacza operacyjnego 10. Zdefiniuj parametr SR wzmacniacza operacyjnego. Wyjaśnij różnicę pomiędzy pasmem małosygnałowym i wielkosygnałowym układu. Szybkość narastania napięcia wyjściowego SR 11. Wyjaśnij zjawisko masy pozornej występującej we wzmacniaczach operacyjnych.
20 W11 1. Co to są rezystory NTC? Podaj ich parametry i zastosowania. 2. Co to są termopary. Opisz ich budowę i zasadę działania. Termopary (siła elektromotoryczna na styku dwóch metali) kompensacja przez temperaturę odniesienia. 3. Co to jest Ogniwo Peltiera? Opisz jego budowę i zasadę działania. Ogniwo Peltiera (pompa ciepła) zjawisko odwrotne niż w termoparze. TEC thermoelectric cooler Efekt Peltiera wydzielanie lub pochłanianie ciepła na styku dwóch materiałów w zależności od kierunku przepływającego przez nie prądu. 4. Co to jest warystor? Narysuj jego symbol oraz charakterystykę. Podaj zastosowania tego elementu. Warystor rezystor półprzewodnikowy o wartosci rezystancji zależnej od przyłożonego napięcia. Służy głównie do zabezpieczania obwodów elektrycznych przed przepięciami.
21 5. Co to są magnetorezystory? Narysuj ich charakterystykę i podaj typowe zastosowania. Np. w dyskach twardych komputerów (głowice). 6. Co to jest hallotron? Opisz jego budowę i zasadę działania. Podaj przykładowe zastosowania elementu. Zastosowania: - pomiar kierunku i wartości pola magnetycznego (układy stabilizacji pola) - pomiar natężeń b. dużych prądów płynących w przewodach - pomiar mocy prądów stałych i zmiennych (prąd w obw. Pomiarowym jest źródłem pola magn., prądy hallotronu jest proporcjonalny do napięcia na obciążeniu, napięcie Halla jest miarą mocy - rejestracja przemieszczeń, drgań itp. 7. Co to są tensometry? Wyjaśnij ich zasadę działania i podaj zastosowania. Tensometr miernik naprężeń. Stosuje sie rezystory, których rezystancja zależy od zmian ich kształtu. Mostek tensometryczny może posłużyć także do pomiarów np. ciśnienia. Wtedy tensometry są naklejone na membranę, na która działa np. ciecz pod ciśnieniem powodująca odkształcenie membrany. W podobnym układzie (mostek umieszczony na membranie dodatkowo obciążonej masą) tensometry stosuje sie do pomiarów przyspieszenia.
22 W13 1. Wyjaśnij różnicę pomiędzy rezystorem liniowym i nieliniowym. Jakie właściwości posiadają rezystory nieliniowe? - rezystory nieliniowe są elementami półprzewodnikowymi lub układami elektronicznymi - wartości rezystancji dynamiczne i statycznej mogą być różne - w większości przypadków wykorzystujemy fakt, że rezystancja dynamiczna jest większa od statycznej - rezystancja dynamiczna może przyjmować wartości ujemne 2. Podaj wartości rezystorów przewlekanych o oznaczeniach np: R39, 6k8, k91, 3M3 0.39, 6.8k, 0.91k, 3.3M. 3. Podaj wartości rezystorów powierzchniowych o oznaczeniach np: 2R7, 110, 432, , 11, 43k, 39M 4. Wyjaśnij pojęcie tolerancji rezystora. Wymień szeregi rezystancyjne. Wartości rezystorów są rozłożone w szeregi, mówiące o tolerancji czyli granicy przedziału w jakiej znajduje się rzeczywista wartość rezystancji. Tolerancja: Mamy następujące szeregi: - E % - E % - E % - E % - E % - E % 5. Podaj i scharakteryzuj parametry rezystorów. Moc znamionowa P zn jest to największa moc tracona na rezystorze dla w temperaturze +400C lub +700C. Zmianę rezystancji wywołaną zmianą temperatury określa współczynnik TWR. Zmiana ta jest podawana w %/0C lub w ppm/ 0 C Rezystory zmieniają swoje parametry w czasie współczynnik CWR: Napięciem granicznym rezystora nazywamy wartość napięcia stałego (lub amplitudy zmiennego) jaką można przyłożyć do końcówek rezystora nie powodując jego uszkodzenia lub powstania nieodwracalnych zmian jego parametrów. Rezystancją krytyczną nazywamy rezystancje, przy której napięcie maksymalne wywołuje wydzielanie się dopuszczalnej mocy znamionowej na rezystorze. Szum termiczny ziarnisty charakter przepływu prądu, nie wszystkie elektrony w rezystorze poruszają się zgodnie z kierunkiem przepływu prądu. Jest to szum biały. Szumy prądowe (strukturalne) wynikają z niejednorodności i zanieczyszczeń materiału z jakiego wykonany jest rezystor. Wartość ich jest podawana wprost przez producenta.
23 6. Narysuj modele zastępcze rezystorów. Jaka wielkość wpływa na zastosowanie poszczególnych modeli? Przebieg modułu impedancji. 7. Wymień rodzaje potencjometrów. Jakie charakterystyki posiadają potencjometry? - tablicowe (obrotowe, suwakowe) - precyzyjne (jedno lub wieloobrotowe) - dostrojcze (trymery) - tłumiki 8. Opisz właściwości kondensatorów dla prądu stałego i zmiennego. Istnieją takie kondensatory nieliniowe, których pojemność zmienia sie w zależności od przyłożonego dodatkowego napięcia. Energia w kondensatorze jest gromadzona w postaci pola elektrycznego. Część energii zamieniana jest w ciepło powodując nagrzewanie sie elementu. Przy projektowaniu układów elektronicznych z wykorzystaniem kondensatorów należy wyznaczyć wartość pojemności kondensatora oraz warunki jego pracy. 9. Jakie wartości posiadają kondensatory o oznaczeniach np: 330, 562, 394, 105? 33pF, 5.6nF, 390nF, 1uF
24 10. Wymień parametry kondensatorów. Dopuszczalne napięcie znamionowe jest to chwilowa wartość sumy napięcia stałego i amplitudy napięcia zmiennego jaka można przyłożyć do końcówek kondensatora nie powodując jego uszkodzenia (przebicia warstwy dielektryka). Wartość napięcia znamionowego zależy od typu dielektryka. Wartość napięcia znamionowego podaje sie wprost na obudowie kondensatora lub koduje za pomocą litery. Temperaturowy wspólczynnik pojemnosci TWC: TWC podaje się w [%/K] lub [ppm/k]. ESR (equivalent series resistance) zastępcza rezystancja szeregowa R s. ESL (equivalent series inductance) zastępcza indukcyjność szeregowa L s i związana z nią resztkowa reaktancja indukcyjna Współczynnik strat: Dobroć kondensatora: Moc strat wydzielana na kondensatorze: Impedancja kondensatora: Częstotliwość rezonansu własnego, przy której: Prąd upływu związany z rezystancja dielektryka R p (zakres m. cz.) Odporność na napięcie impulsowe określa częstotliwość z jaką kondensator może być ładowany i rozładowywany 11. Narysuj schemat kondensatora dla zakresu wielkich częstotliwości i opisz poszczególne elementy modelu. 12. Opisz właściwości cewki dla prądu stałego i zmiennego.
25 13. Co to jest głębokość wnikania? Efekt naskórkowy związany jest z nierównomiernym rozkładem prądu płynącego przez przewodnik. Ze wzrostem częstotliwości największa gęstość (czasami całość) prądu występuje przy powierzchni zewnętrznej przewodu. Wtedy wzrastają straty w przewodniku. Parametrem opisującym efekt naskórkowy jest głębokość wnikania: 14. Narysuj charakterystyki magnesowania rdzeni wykonanych z tzw. materiałów miękkich i twardych. 15. Wymień parametry cewek. Dobroć określa zdolność cewki do gromadzenia energii w polu magnetycznym w odniesieniu do strat energii w jednym cyklu pobudzenia: Temperaturowy współczynnik indukcyjności: podawany w [%/0C] lub [ppm/k]. Dopuszczalna wartość prądu drut musi mieć odpowiednia średnicę ze względu na gęstość prądu J (stosunek natężenia prądu do powierzchni przekroju poprzecznego drutu). Drut sie nagrzewa i w ekstremalnej sytuacji może sie przepalić. Dlatego ważne są warunki chłodzenia. Dopuszczalna wartość napięcia związana z izolacją pomiędzy poszczególnymi zwojami jak i warstwami uzwojeń. Konieczność odpowiedniego rozmieszczenia uzwojeń, odpowiedniej izolacji pomiędzy warstwami uzwojeń oraz odpowiedniego rozmieszczenia wyprowadzeń. 16. Narysuj schemat zastępczy cewki dla zakresu wielkich częstotliwości. Opisz elementy modelu. Występuje rezonans własny: Dla częstotliwości powyżej f r cewka traci właściwości indukcyjne.
Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Część pierwsza Diody - wprowadzenie Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające
Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające Tyrystory konwencjonalne - wprowadzenie A I A p 1 p 1 j 1 + G n 1 G n 1 j C - p 2 p 2 j 2 n 2 n 2 K I K SRC silicon controlled rectifier Tyrystory
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy
iody półprzewodnikowe Model diody półprzewodnikowej Shockley a U U + U gr0 exp 1 0 exp 1 2ϕT ϕt gr0 prąd generacyjno-rekombinacyjny 0 prąd nasycenia φ T potencjał termiczny elektronów kt/e26mv dla T300K
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowo2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia
2.3. Bierne elementy regulacyjne 2.3.1. rezystory, Rezystory spełniają w laboratorium funkcje regulacyjne oraz dysypacyjne (rozpraszają energię obciążenia) Parametry rezystorów. Rezystancja znamionowa
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoMiłosz Andrzejewski IE
Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoWykaz symboli, oznaczeń i skrótów
Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoINDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103
INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowo1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)
Laboratorium Energoelektroniki BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT) Prowadzący: dr inż. Stanisław Kalisiak dr inż. Marcin Hołub mgr inż. Michał Balcerak mgr inż. Tomasz Jakubowski
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe przyrządy mocy
Temat i plan wykładu Półprzewodnikowe przyrządy mocy 1. Wprowadzenie 2. Tranzystor jako łącznik 3. Charakterystyki prądowo-napięciowe 4. Charakterystyki dynamiczne 5. Definicja czasów przełączania 6. Straty
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoOgólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym
1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowo