Montaż w elektronice i mikrosystemach opracowanie zagadnieo by.:spinx:. 2010

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Montaż w elektronice i mikrosystemach opracowanie zagadnieo by.:spinx:. 2010"

Transkrypt

1 1. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Jaki jest cel i zadania montażu elektronicznego Dziedzina wiedzy związana z czynnościami polegająca na połączeniu w jeden element, podzespół lub zespół elektroniczny wielu oddzielnych struktur, zespołów, modułów itp. Czynności te prowadzą do zbudowania funkcjonalnego urządzenia elektronicznego. Czynności te mają zapewnid połączenia mechaniczne, elektryczne i umożliwid wydajne odprowadzenie ciepła. 2. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Na czym polega technologia SOP (ang. System on Package) czyli upakowanie elementów na poziomie podłoża montażowego Jest to szereg czynności, które prowadzą do: umieszczenie elementów elektronicznych układów scalonych oraz przyrządów elektronicznych w obszarze podłoża montażowego. Technologia wykorzystywana np. w telefonach komórkowych. 3. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Jakie są podstawowe zalety i cechy upakowania na poziomie wspólnego podłoża DUŻA ELASTYCZNOŚD PROJEKTOWANIA, MOŻLIWOŚD STOSOWANIA TECHNOLOGII HETEROGENICZNYCH, ZAPEWNIENIE DUŻEGO UZYSKU, OBNIŻENIA KOSZTÓW WYKONANIA ORAZ SKRÓCENIA CZASU WPROWADZENIA PRODUKTU DO SPRZEDAŻY, DUŻA NIEZAWODNOŚD ( jednakowe CTE struktury i podłoża, MOŻLIWOŚD WYKONANIA W PODŁOŻU WBUDOWANYCH ELEMENTÓW CZYNNYCH I BIERNYCH, WYKONANIE POŁĄCZEO MIEDZY UKŁADAMI A PODŁOŻEM (mała podziałka wyprowadzeo 4. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Jakie podstawowe poziomy montażu wyróżnia się w konstruowaniu urządzeo elektronicznych 5. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Czego dotyczy pierwszy poziom montażu elektronicznego; jakie technologie montażu znajdują tu główne zastosowanie 6. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Czego dotyczy drugi poziom montażu elektronicznego; jakie technologie montażu znajdują tu główne zastosowanie 7. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Czego dotyczy trzeci poziom montażu elektronicznego; jakie technologie montażu znajdują tu główne zastosowanie zerowy poziom: występuje w fabryce; nie interesuje nas (może dotyczyd montażu elementów składowych mikrosystemów znajdujących się na powierzchni płytki półprzewodnikowej) 1

2 pierwszy poziom: wykonywanie połączeo elektrycznych, mechanicznych i cieplnych wewnątrz układów scalonych (mikroukładów, mikrosystemów) oraz obejmuje problemy związane z zamontowaniem struktury półprzewodnikowej w obudowie. Do łączenia pól kontaktowych struktury z koocówkami zewnętrznymi układu scalonego dokonuje się: TECHNIKĄ MONTAŻU DRUTOWEGO (wirebonding) TECHNOLOGIĄ flip chip - montaż struktur półprzewodnikowych wierzchnią stroną, (zaopatrzoną w pola kontaktowe) skierowaną do podłoża (strukturę flip chip nazywa się strukturą z wyprowadzeniami sferycznymi ) drugi poziom: montaż nieobudowanych i obudowanych układów scalonych, podzespołów biernych i mikrosystemów na płytkach obwodów drukowanych. Stosowane technologie montażu: Dla struktur nieobudowanych MONTAŻ DRUTOWY MIKROMONTAŻ AUTOMATYCZNY Z UDZIAŁEM TAŚMY TAB Tape Automated Bonding MONTAŻ flip chip LUTOWANIE montaż przewlekany THT Dla struktur obudowanych KLEJENIE montaż powierzchniowy SMT trzeci poziom: montaż pcb, gotowych mikrosystemów i innych podzespołów na poziomie bloku (kompletnego urządzenia elektronicznego). Na tym poziomie stosowany jest montaż mechaniczny płytek drukowanych i stosowane są połączenia rozłączne czwarty poziom: elektryczne połączenia i mechaniczne złożenie bloków w duży system elektroniczny. Podstawą jest montaż mechaniczny a sygnały elektryczne i zasilanie przesyłane jest wiązkami kablowymi. Przeważają połączenia rozłączne (np. złączki stosowane w zasilaczach komputerowych ATX 20 lub 24 pin, MOLEX etc.) 8. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Na czym polega mikromontaż automatyczny z udziałem taśmy TAB (ang. Tape Automated Bonding) Automatyczny montaż z wykorzystaniem metalizowanej taśmy. (I) Tworzy się metalowe kontakty podwyższone (bump) na wyprowadzeniach struktury, które łączy się z metalową koocówką taśmy poprzez zgrzewanie. (II) Kolejnym etapie zabezpiecza (encapsulation) się powierzchnię struktury wraz z przyłączami 9. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Na czym polega technologia montażu przewlekanego (ang. through hole technology, THT) Montaż przewlekany (ang. Through-Hole Technology, THT) sposób montowania podzespołów elektronicznych na płytce obwodu drukowanego (ang. Printed Circuit Board, PCB). Elementy elektroniczne przystosowane do montażu przewlekanego mają wyprowadzenia w postaci drutów, które w trakcie montażu przewlekane są przez otwory w płytkach i lutowane do ścieżek przewodzących po przeciwnej stronie płytki niż montowany element. Montaż przewlekany przeprowadzany jest ręcznie lub automatycznie. 2

3 10. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Na czym polega technologia montażu powierzchniowego (ang. surface mount technology, SMT) Montaż powierzchniowy (ang. Surface Mount Technology, SMT) sposób montowania podzespołów elektronicznych na płytce obwodu drukowanego. Montaż powierzchniowy zazwyczaj przeprowadzany jest automatycznie. Elementy elektroniczne przeznaczone do montażu powierzchniowego (ang. SMD, Surface Mounted Devices) charakteryzują się niewielkimi wymiarami, maja płaską obudowę i koocówki lutownicze w formie kołnierzy obejmujących kooce obudowy. Ze względu na niewielkie fizyczne rozmiary elementów koocówki lutownicze są duże w porównaniu do rozmiaru obudowy. 11. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Dlaczego, analizując nowoczesne technologie montażu często używa się określenia luka technologiczna Jest to związane z postępem w miniaturyzacji czyli głównym trendem rozwojowym elektroniki (wzrost skali integracji układów scalonych, liczby wejśd/wyjśd szybkości pracy, gęstości mocy). Niestety standardowe techniki montażu elektronicznego nie nadążają występuje luka technologiczna. Aby ją zlikwidowad wprowadza się nowe technologie takie jak: montaż przestrzenny montaż elementów elektr. na powierzchni i wewnątrz wielowarstwowych PCB, wielowarstwowe układy scalone hetero system (e-grain) trójwymiarowe funkcjonalne bloki gdzie na powierzchniach bocznych znajdują się elementy elektroniczne miniaturyzacja podziałki połączeo (m; nm) b. cienkie połączenia przy pomocy polimeru przewodzącego lub metalu (cylindryczne struktury) reaktywne wiązania połączenia elektryczne wykonywane bez dostarczania energii zewnętrznej (wykorzystanie związków reaktywnych, który przy reagowaniu ze sobą powodują powstanie reakcji egzotermicznej) 12. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAŻU; Co należy rozumied poprzez określenie montaż przestrzenny Patrz pytanie MONTAŻ DRUTOWY; W jakich przypadkach (do czego) stosowany jest montaż drutowy w pierwszym poziomie montażu do łączenia struktur półprzewodnikowych do kontaktów obudowy w drugim poziomie montażu do montażu struktur nieobudowanych (COB) do kontaktów płytki PCB 3

4 14. MONTAŻ DRUTOWY; Jakie techniki stosowane są w montażu drutowym MONTAŻ DRUTOWY - połączenie dwóch powierzchni (punktów kontaktowych) drutem w technologii zgrzewania Technologie stosowane w montażu drutowym: ZGRZEWANIE TERMOKOMPRESYJNE (thermocompression bonding) ZGRZEWANIE ULTRADŹWIĘKOWE (ultrasonic bonding) ZGRZEWANIE TERMO-ULTRADŹWIĘKOWE (thermosonic bonding) 15. MONTAŻ DRUTOWY; Na czym polega zgrzewanie termokompresyjne (ang. thermocompression bonding) Zgrzewanie termokompresyjne polega na kontakcie dwóch metalicznych powierzchni (drut i metaliczna powierzchnia wyprowadzenia) poddanych działaniu ciepła i nacisku w kontrolowanym czasie. TEMP o C, CZAS UŁAMEK SEKUNDY CIŚNIENIE powoduje plastyczne płynięcie materiałów (wzrost rzeczywistej powierzchni styku) TEMPERATURA powoduje dyfuzyjne wnikanie materiałów jednego do drugiego 16. MONTAŻ DRUTOWY; Na czym polega zgrzewanie ultradźwiękowe Jest to sposób wykonywania połączeo wykorzystujący energię drgao ultradźwiękowych. Energia ta jest przenoszona na łączone ze sobą powierzchnie powodując ich poruszanie się i wzajemne tarcie. Powoduje to lokalny wzrost temperatury i zwiększenie amplitudy drgao sieci krystalicznych. Zwiększa się energia kinetyczna atomów powierzchniowych oraz dochodzi do wzajemnej dyfuzji atomów. Na granicy łączonych materiałów powstają wzajemne kryształy tworząc trwałe połączenie. Zwykle łączy się w ten sposób drut aluminiowy do podłoża Al. Lub Au. Zachodzi w niskiej temperaturze i przy udziale ultradźwięków (od 20 do 300 khz zwykle wykorzystywane 60 khz). Proces zgrzewania trwa zwykle 20 ms. 17. MONTAŻ DRUTOWY; Na czym polega zgrzewanie termo-ultradźwiękowe Podobne w swojej istocie do zgrzewania termokompresyjnego (pkt 15); różnica polega na tym, że dysza nie jest nagrzewana (lub nagrzewana do znacznie niższej temperatury) a podłoże może byd grzane do temp. 150ºC lub niżej. Dla wytworzenia ciepła, energia ultradźwiękowa jest dostarczana krótkim impulsem (dziesiątki milisekund) do głowicy w momencie kontaktu drutu z polem kontaktowym. Siła nacisku jest znacznie mniejsza, co możliwa łączenie mechanicznie nieodpornych struktur Stosunkowo niska temperatura nie powoduje degradacji kompozycji polimerowych (klejów) i ogranicza ryzyko defektów 18. MONTAŻ DRUTOWY; Jakiego rodzaju połączenia (kulkowe ang. ball bond, klinowe wedge bond) występują w efekcie zgrzewania termokompresyjngo EFEKT ZGRZEWANIA: pierwsza zgrzeina ma postad połączenia kulkowego a druga połączenia klinowego o kształcie półksiężyca (ball-wedge). 4

5 19. MONTAŻ DRUTOWY; Jakiego rodzaju połączenia (kulkowe ang. ball bond, klinowe wedge bond) występują w efekcie zgrzewania ultradźwiękowego EFEKT ZGRZEWANIA: powstanie dwóch jednakowych połączeo klinowych (wedge-wedge). 20. MONTAŻ DRUTOWY; Jakiego rodzaju połączenia (kulkowe ang. ball bond, klinowe wedge bond) występują w efekcie zgrzewania termo-ultradźwiękowego EFEKT ZGRZEWANIA: pierwsza zgrzeina ma postad połączenia kulkowego a druga połączenia klinowego o kształcie półksiężyca (ball-wedge). Tak samo jak przy zgrzewaniu termokompresyjnym. 21. MONTAŻ DRUTOWY; Jaki materiały stosuje się w technologii zgrzewania termokompresyjnego MATERIAŁY: DRUT Au / METALICZNA POWIERZCHNIA Au Au/Al LUB Al/Au Au DOMIESZKI PONIŻEJ 100 ppm(dla kontaktów podwyższonych + 1 % palladu) Al CZYSTE, Z DODATKIEM 1 % KRZEMU, Z DODATKIEM MAGNEZU (0,5 1 %), Z DODATKIEM MIEDZI 22. MONTAŻ DRUTOWY; Jaka są podstawowe różnice pomiędzy zgrzewaniem termokompresyjnym i ultradźwiękowym Przede wszystkim temperatura: termokompresyjne o C, ultradźwiękowe niskie temperatury Termokompresyjne: energia przekazywana termicznie + zastosowanie ciśnienia, Ultradźwiękowe: energia przekazywana przez drgania ultradźwiękowe, które grzeją +brak dodatkowego ciśnienia jest zamiast tego siła dociskająca Różnice w efekcie zgrzewania: termokompresyjne zgrzeina kulkowa i klinowa w kszt. półksiężyca, ultradźwiękowe dwie jednakowe zgrzeiny klinowe Ultradźwiękowe: głowica dociskująca drut w kształcie klina, termokompresyjne: głowica z kapilarą przez, którą przeciska się drut 23. MONTAŻ DRUTOWY; W której technologii pomocniczo stosuje się wyładowanie łukowe Wyładowanie łukowe stosuje się pomocniczo w zgrzewaniu termo kompresyjnym. W celu wytworzenia połączenia kulkowego. 5

6 24. MONTAŻ DRUTOWY; Która z technologii montażu drutowego pozwala na uzyskanie mniejszej podziałki montażu Połączenia kulkowe: podziałka większa od 100μm (min. 55μm w użytku niekomercyjnym) Połączenia klinowe: podziałka 40μm; drut Au o średnicy 20μm Ponieważ tylko w technologii ultradźwiękowej powstają dwa połączenia klinowe pozwala to na uzyskanie mniejszej podziałki. 25. MONTAŻ DRUTOWY; Na czym polega proces określany w języku angielskim jako moulding. Zabezpieczenia przed narażeniami - struktura wraz z systemem połączeo drutowych musi byd zabezpieczona przed działaniem narażeo mechanicznych i środowiskowych (molding). Po podgrzaniu kompozyt termoutwardzalny (wypełniony krzemionką 80-90%) staje się cieczą i w takim stanie jest aplikowany, aby następnie przejśd (w efekcie polimeryzacji) w stan wiskoelestyczny. W efekcie : lepsze odprowadzanie ciepła i ochrona struktury przed penetracją wilgoci. 26. MONTAŻ FLIP CHIP; Na których poziomach stosuje się montaż flip chip Montaż Flip chip stosuje się w pierwszym i drugim poziomie montażu. Technikę stosuje się do montażu struktury półprzewodnikowej wewnątrz obudowy, montażu struktur nieobudowanych na płytkach obwodów drukowanych (COB) oraz montażu elementów w obudowach na płytkach PCB. 27. MONTAŻ FLIP CHIP; co to oznacza Oznacza montaż struktur stroną zaopatrzoną w pola kontaktowe skierowaną do podłoża. połączenia z wykorzystaniem kontaktów podwyższonych strukturą flip chip nazywa się strukturę z wyprowadzeniami sferycznymi proces nazywa się montażem struktur czołowych 28. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie są zalety i wady montażu flip chip ZALETY: niewielka długośd ścieżki połączenia niska rezystancja i indukcyjnośd montaż do zastosowao w zakresie wysokiej częstotliwości, dzięki krótszym połączeniom większa szybkośd transmisji sygnałów elektrycznych możliwośd zmniejszenia wymiarów struktur przy dużej liczbie połączeo (do WADY: brak elastyczności połączenia (szczególnie w połączeniach lutowanych), co w przypadku niedopasowania CTE może prowadzid do znacznych naprężeo trudnośd inspekcji jakości ukrytych złączy koniecznośd prześwietlania promieniami x 6

7 400) wykonywanych w topografii wyprowadzeo area array zwiększenie skuteczności odprowadzenia ciepła przez przeciwną do kontaktów stronę niezabudowanej struktury zwiększenie odporności połączenia na udary i wibracje mechaniczne możliwośd jednoczesnego wykonywania setek złączy większa niezawodnośd większa podziałka niż w montażu drutowym słaba kompatybilnośd procesu z klasycznym montażem powierzchniowym konieczna bardzo duża dokładnośd montażu, zwłaszcza w przypadku złączy klejonych (przy lutowaniu, wskutek dużego napięcia powierzchniowego może nastąpid samoustawialnośd struktur) brak standaryzacji rozmieszczenie kontaktów sferycznych i pól lutowniczych może byd inne dla każdej struktury wymagana duża gęstośd połączeo na podłożu 29. MONTAŻ FLIP CHIP; Na czym polega zabezpieczenie określane w języku angielskim jako underfill Kompozyt o odpowiednio dobranym module sprężystości przejmuje naprężenia ograniczając możliwośd występowania defektów, a także stanowi ochronę połączeo przed wilgocią i wpływami atmosferycznymi, a także zwiększa istotnie mechaniczną wytrzymałośd złącza (underfill) dla łagodzenia naprężeo wynikających z niedopasowania współczynników rozszerzalności cieplnej. 30. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie znaczenie ma kontakt podwyższony (ang. bump). Kontakt (bump) - tworzy elektryczne i mechaniczne połączenie między strukturą i obudową lub płytką obwodu drukowanego oraz stanowi przewodnik dla odprowadzenia ciepła ze struktury. W najczęściej stosowanym sposobie montażu, jakim jest lutowanie, kontakt ma formę kropli stopu lutowniczego 31. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakimi technikami wykonuje się kontakty podwyższone zgrzewanie kulkowe termokompresyjne pokrywanie galwaniczne lub bezprądowe nanoszenie warstw metodą parowania lub rozpylania technika drukowania, dozowanie lutu przez wystrzeliwanie (jet dispensing) 32. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie techniki są stosowane do połączenia kontaktów podwyższonych z polami na podłożu Łączenie kontaktów podwyższonych z polami na podłożu za pomocą: lutowania klejenia zgrzewania termo kompresyjnego 33. MONTAŻ FLIP CHIP; Co to jest i jak może wyglądad struktura warstw podkontaktowych O jakości i niezawodności złączy decydują warstwy, jakie znajdują się między strukturą a kontaktem podwyższonym. Są to warstwy metaliczne, które zapewniają: - brak rozpływu kontaktu podwyższonego - dobrą adhezję do powłok kontaktowej i pasywacyjnej - ochronę kontaktu przed korozją Np. warstwa Cr/Cu o grubości ok m, którą pokrywa się miedzią o grubości ok. 1.0 m 7

8 34. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie są etapy wykonywania połączeo flip chip w procesie lutowania Stop lutowniczy Po naniesieniu stopu lutowniczego (utworzenie podwyższonych kontaktów patrz pytania wcześniejsze) i topnika (dwie metody niżej opisane) układa się strukturę na podłożu następuje lutowanie bezołowiowe, po lutowaniu uszczelnia się całośd żywicami underfilling chroniącą przed uszkodzeniami mechanicznymi i utlenianiem kontaktów a także pozwala na zredukowanie naprężeo. Nanoszenie topniku: 1.Dozowanie topnika na podłoże topnik rozlewa się równą warstwą i stanowi pomoc przy lutowaniu, układanie struktury na podłożu 2. Za pomocą pomocniczej płytki zanurza się cześd kontaktów topnik przywiera do nich i do płytki następnie płytkę umieszczamy na podłożu. 35. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie kleje elektrycznie przewodzące można stosowad w technologii flip chip W technologii flip chip można stosowad dwa rodzaje klejów elektrycznie przewodzących: izotropowy klej elektrycznie przewodzący (ICA) anizotropowy klej elektrycznie przewodzący (ACA) 36. MONTAŻ FLIP CHIP; Co to są kleje przewodzące anizotropowo Przewodnictwo elektryczne w takim kleju zachodzi tylko w jednym kierunku między obwodem drukowanym i elementem. Kleje przygotowane są jako folia lub pasta. 37. MONTAŻ FLIP CHIP; Na czym polega stosowanie klejów przewodzących anizotropowo Pomiędzy kontaktem chipu a metalizacją podłoża umieszczone są skompresowane przewodzące polimerowe kulki (polimer pokryty srebrem i dielektrykiem), będące składnikiem kleju. Dookoła bezpośredniego połączenia występuje klej wraz z kulkami w mniejszej ilości. 8

9 38. MONTAŻ FLIP CHIP; Dlaczego wysoka niezawodności wymaga wprowadzania wypełnieo polimerowych (underfill) Różnica współczynników rozszerzalności cieplnej może prowadzid do pęknięd struktury w górnej części, pęknięd pul lutowniczych i kontaktowych. Aby temu przeciwdziaład wprowadza się odpowiednio dobrane żywice, które wyrównują różnice współczynników rozszerzalności cieplnej. 39. MONTAŻ FLIP CHIP; Czy kształt kontaktu ma znaczenie dla jego wytrzymałości i niezawodności Tak, najwytrzymalsze są kontakty o kształcie klepsydry. 40. MONTAŻ FLIP CHIP; Jakie są sposoby dozowania polimeru wypełniającego (underfill) 41. MONTAŻ FLIP CHIP; Na czym polega system bezprzepływowy (no-flow) wprowadzania kompozytu (underfill) kapilarne: Inaczej przepływowe, polega na dozowaniu kompozytu naokoło struktury a następnie obracanie płytki. Kompozyt się rozpływa pod strukturą. Wady to długi czas dozowania i długi czas utwardzania o C. Druga wada to powstawanie pęcherzy powietrza w środku struktury zamknięte przez kompozyt. Można niwelowad ten efekt np. zmodyfikowanie dozowanie typu L. Bezprzepływowe: Kompozyt rozprowadzony jest za pomocą rakli, w okno które pokrywa kontakty następnie struktura z wyprowadzeniami dociskana jest od góry. Precyzyjnie odmierzona ilośd kompozytu pozwala na dokładne wypełnienie, nie powstają pęcherze z powietrzem. Metoda jest szybsza nie czekamy na rozpłynięcie się kompozytu. 42. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym charakteryzują się elementy do montażu przewlekanego Through mounted device, TMD, charakteryzują się dwoma wyprowadzeniami osiowymi lub wyprowadzeniami jednostronnymi lub wyprowadzenia w hermetycznej obudowie kubeczkowej. 43. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czy odległośd wyprowadzeo równoległych elementów do montażu przewlekanego jest znormalizowana Tak i nie przy wyprowadzeniach osiowych istnieje pewna dowolnośd, wyprowadzenia jednostronne są znormalizowane (wielokrotnośd wymiaru charakterystycznego równego 0,1 cala (2,54 mm)). 9

10 44. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jakie są wymagania dla elementów do montażu powierzchniowego - wyprowadzenia elementu muszą umożliwiad montaż na powierzchni płytki PCB (a nie w otworze) - kontakty powinny byd łatwo i dobrze zwilżalne przy lutowaniu - kształty i wymiary podzespołów muszą byd zunifikowane i dostosowane do montażu automatycznego - korpus elementu powinien byd zwarty, bez zagłębieo i odporny na mycie rozpuszczalnikami lub wodą - konstrukcja musi byd odporna na naprężenia wynikłe z narażeo mechanicznych i cieplnych w trakcie lutowania. 45. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym różnią się podzespoły bierne SMD typu chip i MELF Typ chip - kształt prostopadłościanu Typ MELF kształt cylindryczny 46. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Co oznacza znormalizowany wymiary 0805 elementu SMD Dwie pierwsze cyfry oznaczają w przybliżeniu długośd podzespołu w setnych częściach cala (08=0,08, czyli 2,00mm), dwie ostatnie cyfry szerokośd (05=0,05, czyli 1,25mm). 47. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jakie zadania ma obudowa układu scalonego do montażu powierzchniowego - doprowadzenie zasilania do struktury półprzewodnikowej, - przesyłanie sygnałów wejściowych i wyjścia ze struktury, - odprowadzenie ciepła, - zabezpieczenie struktur przed wpływem narażeo środowiskowych 48. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jaki montaż wykonuje się wewnątrz obudowy układu scalonego do montażu powierzchniowego - drutowy, - połączenia flip chip, - (znacznie rzadziej) tab 49. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jakie obudowy układu scalonego stosuje się do montażu przewlekanego - obudowy jednorzędowe (single in line package, sip), - obudowy dwurzędowe (dual in line, dil, lub dual in line package dip) - obudowa matrycowa (pin grid array, pga)- Wyprowadzenia, odległe od siebie o 2,54 mm, są rozmieszczone pod obudową w kilku rzędach odległych od siebie też o 2,54 mm 10

11 50. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jak wygląda koocówka typu skrzydło mewy (ang. gull wing leads), a jak J-leads Skrzydło mewy wyprowadzenia tasiemkowe w kształcie rozpłaszczonej litery z J-leads wyprowadzenia podwinięte 51. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym charakteryzują się obudowy typu PLCC, QFP (wspólna cecha) - wyprowadzenia ze wszystkich stron - do montażu powierzchniowego PLCC ma wyprowadzenia j-leads, stały raster 1,27 mm, ilośd wyprowadzeo do 84, i wymagana jest koplanarnośd na poziomie lepszym niż 0,1mm QFP z kolei ma wyprowadzenia w kształcie skrzydła mewy, liczba wyprowadzeo jest zróżnicowana - od 32 do ponad 200, raster jest zróżnicowany - od 0,4 do 1,0 mm, są rożne typy takie jak LQFP (Low profile QFP), TQFP (Thin QFP), PQFP (Plastic QFP) 52. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym charakteryzują się obudowy typu BGA 53. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym charakteryzują się obudowy z kontaktami sferycznymi w siatce rastrowej OBUDOWY Z KONTAKTAMI SFERYCZNYMI W SIATCE RASTROWEJ (ball grid array BGA) Wyprowadzenia w postaci kontaktów podwyższonych rozmieszczane w matrycy 1,52 mm; 1,27; 1,0; 0,8; 0,75; 0,65 a nawet 0,5 mm. Średnica kontaktów określana jest jako 60 % podziałki lub ma wartośd stałą (np. 0,3 mm) Liczba wyprowadzeo w takich układach waha się od kilkudziesięciu do ponad ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jakie zalety mają obudowy BGA w stosunku do obudów z wyprowadzeniami na krawędziach (np. QFP) korzystniejszy stosunek liczby wyprowadzeo do wymiarów obudowy, gwarancja koplanarności (dopuszczalna koplanarnośd BGA 150 m może byd spowodowana zwichrowaniem obudowy wskutek skurczu tworzywa sztucznego), mniejsza liczba wad lutowania samonastawnośd wskutek napięcia powierzchniowego (mniej ostre wymagania co do dokładności układania bga z wyprowadzeniami sferycznymi topiącymi się w czasie lutowania), lepsze właściwości elektryczne 55. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Jakie wady mają obudowy BGA w stosunku do obudów z wyprowadzeniami na krawędziach (np. QFP) brak łatwej kontroli stanu połączeo i brak możliwości napraw, 11

12 możliwa jedynie inspekcja rentgenowska, wady wewnątrz obudowy (ujawniane są w trakcie inspekcji makroskopią akustyczną) 56. ELEMENTY, OBUDOWY, ARCHITEKTURA WYPROWADZEO; Czym charakteryzują się obudowy typu CPS (ang. Chip Scale Package) - jakie są wymagania wymiarowe OBUDOWA W SKALI STRUKTURY (Chip Scale Package CSP ) - WERSJA BGA Z MAŁYM RASTREM Matryca wyprowadzeo w postaci kontaktów sferycznych w rastrze mniejszym niż 1 mm Spełnia dodatkowo warunek, że rozmiary obudowy nie stanowią więcej niż 1,2 rozmiarów struktury, lub powierzchnia obudowy nie jest większa niż 1,5 powierzchni struktury półprzewodnikowej 57. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co to jest PCB (ang. Printed Circuit Bard) PCB (Printed Circuit Bard) lub PWB (Printed Wiring Bard) - organiczny lub nieorganiczny kompozyt z zespołem zewnętrznych i wewnętrznych połączeo elektrycznych przeznaczony do montażu mechanicznego i elektrycznego elementów elektronicznych 58. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie wymagania powinny spełniad podłoża montażowe Wymagania: zapewniad zgodnośd współczynników rozszerzalności cieplnej podłoża i elementów, charakteryzowad się dużą przewodnością cieplną, umożliwiad uzyskanie dużej gęstości połączeo charakteryzowad się małą wartością stałej dielektrycznej 59. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Z czego składają się podłoża montażowe (np. PCB) 60. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie cechy powinna mied warstwa przewodząca podłoża montażowego (np. PCB) 61. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie cechy powinna mied warstwa izolacyjna podłoża montażowego (np. PCB) PCB składa się z płytki izolacyjnej o odpowiedniej grubości i sztywności, pokrytej przewodzącą mozaiką połączeo i pól lutowniczych. warstwa przewodząca: możliwie mała rezystywnośd, dobre zwilżanie przez luty możliwości tworzenia mozaiki linii o stałej szerokości materiał izolacyjny: maksymalnie duża rezystywnośd i wytrzymałośd napięciowa, wysoka wytrzymałośd mechaniczna, 12

13 odpornośd na związki chemiczne stosowane w procesie produkcyjnym, lutowania, mycia itp., brak absorpcji wilgoci, odpornośd na temperatury procesów technologicznych, umożliwienie wiercenia otworów, wartości współczynników rozszerzalności cieplnej podobne do cte współpracujących materiałów, a także umiarkowana rozszerzalności w kierunku z, umożliwienie odprowadzanie ciepła 62. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co to jest FR-4 Jest to laminat z żywicy epoksydowej ze szkłem(tkanina) jako wypełniaczem. 63. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jak są zbudowane i po co stosuje się podłoża z rdzeniem metalowym Stosuje się, by mied płytki sztywne oraz mozaikę przewodzącą (Mozaika połączeo kombinacja warstw przewodzących, rezystywnych i izolacyjnych) 64. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie kryteria można stosowad dokonując rozróżnieo rodzajów podłoży montażowych SZTYWNOŚD PODŁOŻY GIĘTKIE ILOŚD WARSTW PŁYTKI SZTYWNE SZTYWNO-GIĘTKIE JEDNOSTRONNE DWUSTRONNE WIELOWARSTWOWE RODZAJ MONTAŻU DO MONTAŻU POWIERZCHNIOWEGO DO MONTAŻU PRZEWLEKANEGO DO OBU TECHNIK MONTAŻOWYCH MATERIAŁ WYKONANIA Z KOMPOZYTÓW POLIMEROWYCH CERAMICZNE 13

14 METALOWE 65. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Na czym polega metoda subtraktywna wykonywania ścieżek przewodzących METODA SUBTRAKTYWA: -na laminat foliowany miedzią nanosi się emulsję fotolitograficzną -metodą optyczną nanosi się wzór mozaiki, -pozostała warstwa emulsji zostaje wypłukana -trawi się miedź, -po usunięciu emulsji powstaje PCB z warstwą ścieżek ograniczenia wymiarowe związane z podtrawianiem (min 0,2 mm) 66. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Na czym polega metoda addytywna wykonywania ścieżek przewodzących METODA ADDYTYWNA: na powierzchnię płytki izolacyjnej nanosi się emulsję fotolitograficzną po naświetleniu odkrywa się płaszczyzny ścieżek i pól lutowniczych w odkrytych miejscach nanosi się materiał przewodzący elektrycznie przewodząca warstwa pogrubiana jest galwanicznie do wymaganej grubości, zbędna warstwa emulsji jest usuwana. Tą metodą można uzyskiwad ścieżki o szerokościach poniżej 50 m, brak efektu podtrawiania, ścieżki mają regularne kształty o krawędziach prostopadłych do podłoża. 67. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie techniki stosuje się do wykonywania otworów w płytkach wielowarstwowych wiercenie mechaniczne technika fotoczułych dielektryków, trawienie plazmowe, drążenie wiązką laserową 68. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jak zbudowane są wielowarstwowe obwody drukowane o dużej gęstości połączeo (ang. High Density Interconnect, HDI) Elementy bierne są zagrzebane w laminacie, zwalniając powierzchnię dla innych elementów. 14

15 69. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie korzyści mogą wynikad ze stosowania wielowarstwowych obwodów drukowanych o dużej gęstości połączeo zagęszczenie sieci połączeo PCB miniaturyzacja poszczególnych elementów mozaiki obwodu płytki drukowanej (ścieżki przewodzące, pola lutownicze, itd.) zwiększanie liczby warstw sygnałowych w pakiecie płytki obwodu drukowanego 70. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Na czym polega proces drążenia laserowego warstwy dielektrycznej oparty na wykorzystaniu zjawiska ablacji fototermicznej Ablacja fototermiczna polega na procesach podgrzewania i odparowania obrabianego materiału. Zaabsorbowana przez materiał energia wiązki laserowej podgrzewa materiał powodując jego topienie i odparowanie. Proces termiczny powoduje naruszenie struktury wokół drążonego otworu. W przypadku FR-4 ścianki otworu są zwęglone. Wtedy wymagane jest oczyszczanie otworu ze stopionej żywicy (desmearing) 71. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Na czym polega proces drążenia laserowego warstwy dielektrycznej oparty na wykorzystaniu zjawiska ablacji fotochemicznej Energia fotonów ma zdolnośd rozrywania w długołaocuchowych materiałach organicznych wiązao na poziomie molekularnym cząsteczki zajmują większą przestrzeo niż ich oryginalne molekuły są wyrzucane z drążonego otworu. Proces zimny - brak obserwowanych uszkodzeo termicznych wokół otworu. 72. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jaka jest najbardziej rozpowszechniona technika metalizacji ścianek otworów Najbardziej rozpowszechnioną techniką jest miedziowanie galwaniczne, poprzedzone procesem osadzania cienkiej warstwy (podwarstwy) przewodzącej. Mikrootwory głębsze (o większej wartości współczynnika kształtu) wymagają innych technik, np. rozpylania magnetronowego. 73. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; W jakim celu nanosi się powłoki ochronne na mozaikę przewodzącą Zapobieganie procesowi utleniania miedzi w czasie między wykonaniem płytki a montażem zespołu na płytce drukowanej. 74. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Na czym polega metoda HASL (ang. Hot Air Solder Levelling), METODA HASL (Hot Air Solder Levelling), zanurzania PCB w topniku i stopionym lucie oraz wyrównywania powierzchni lutu gorącym powietrzem Najbardziej zalecanym stopem do wykonywania powłok metodą HASL jest stop cyny z miedzią (0,7%) i z dodatkiem niklu lub kobaltu o zawartości poniżej 1%. 75. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Czy można nanosid Ag (jako warstwa ochronna) na mozaikę Cu Tak, ale są wady: powierzchnia jest aktywna, wrażliwa na warunki środowiskowe, szczególnie na obecnośd siarki. siarczki srebra matowią jej powierzchnię i mogą ograniczad lutownośd powłok. 76. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Jakie problemy mogą pojawid się przy stosowaniu cyny jako warstwy ochronnej na miedzi powstawanie związków międzymetalicznych pokrywania warstwy tlenkami SnO i SnO 2 15

16 tworzenia dendrytów w postaci kryształów włóknistych, wiskerów 77. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co oznacza, że powłoki ochronne są niskotopliwe, rozpuszczalne lub nierozpuszczalne niskotopliwe topią się w temperaturze lutowania a następnie stapiają się z lutem, tworząc metalurgiczne połączenie miedzy lutem a materiałem podłoża (np. powłoki nakładane metodą HASL (SnPb, SnCu) rozpuszczalne w lucie nie topią się w temperaturze lutowania, ale ulegają rozpuszczeniu w ciekłym lucie. (powłoki złote, srebrne i w mniejszym stopniu powłoki cu i sn). połączenie tworzy się z wytworzeniem warstwy związków międzymetalicznych. nierozpuszczalne w lucie 78. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co to są powłoki organiczne OSP (Organic Surface Preservative) benzotriazole, benzimidazole, triazole, aryloimidazole W wyniku reakcji tych związków z miedzią powstają bardzo cienkie (ok. 0,2-05 µm), przeźroczyste powłoki, które tworzą na powierzchni miedzi, szczelną warstwę ochronną. Zalety: tanie; niski koszt pokrycia, brak metalicznych odpadów poprodukcyjnych 79. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co to jest i jak nakłada się maskę przeciwlutową Jest to termoodporna powłoka nakładana na wybrane obszary mozaiki przewodzącej, aby zapobiec osadzaniu na nich lutu podczas późniejszego lutowania Maski wytwarza się: METODĄ SITODRUKU - na powierzchnię płytki nanoszona jest warstwa polimeru o żądanym kształcie, która następnie jest utwardzana w podwyższonej temperaturze lub działaniem promieniowania UV. METODĄ LPI (liquid photoimageable) - pokrycie całej powierzchni płytki polimerami światłoczułymi; Po wysuszeniu warstwę naświetla się poprzez maskę o odpowiednim wzorze, co powoduje utwardzane polimerów i umożliwia usuniecie zbędnych fragmentów powodując odsłonięcie pól lutowniczych 80. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co musi byd brane pod uwagę przy projektowaniu geometrii mozaiki przewodzącej PCB Ostateczny kształt mozaiki musi uwzględniad: wymaganą gęstośd upakowania, dostępnośd elementów elektronicznych, minimalne szerokości ścieżek przewodzących i odległości między nimi, problemy odprowadzania ciepła, możliwości interferencji i zakłóceo sygnałów, pojemności sprzęgających rodzaj technologii montażu ograniczenia przewidywanej techniki lutowania 16

17 81. PODŁOŻA. PŁYTKI OBWODÓW DRUKOWANYCH; Co to jest raster mozaiki przewodzącej i jaki może mied wymiar W projektowaniu mozaiki zaproponowano raster, czyli siatkę modułową (grid) o podstawowej odległości 2,54 mm (0,1 ). Węzły siatki wyznaczają punkty lutownicze dla montażu przewlekanego lub środki geometryczne podzespołów SMD. 82. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co to jest lutowanie Lutowanie jest metodą łączenia elementów, głównie metalowych, za pomocą stopu lutowniczego (lutu) o temperaturze topnienia niższej niż metali łączonych elementów. lut jest nakładany w postaci stopionej, podczas gdy łączone elementy pozostają cały czas w stanie stałym trwałe połączenie następuje dzięki wystąpieniu zjawiska kohezji i płytkiej dyfuzji, która ma bardzo kapilarny charakter spoiwo lutownicze wnika w mikropory materiału lutowanego głównie na II poziomie montażu stosowane jest wyłącznie lutowanie miękkie o temperaturze nie przekraczającej 450 c (najczęściej poniżej 250 C) proces jest odwracalny i połączenie można naprawiad bez uszkodzenia podłoża czy też podzespołów 83. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co to jest punkt eutektyczny i dlaczego jest istotny w procesie lutowania Punkt na wykresie równowagowym faz, w którym krzywa likwidusu ma częśd wspólną (styka się) z krzywą solidusu. W punkcie tym, z dwu różnych faz w stanie ciekłym zaczyna tworzyd się jednorodna mieszanina, która zapoczątkowuje powstawanie eutektyki (w punkcie tym współistnieją czyste składniki stopu wraz z tym stopem) W procesie lutowania jest to istotne, ponieważ roztwór L przekształca się w dwie fazy stałe i mikrostrukturę złożoną z na przemian leżących warstw. Ta cecha eutektycznego stopu PbSn stanowi o łatwości procesu lutowania w stosunkowo niskiej temperaturze i otrzymania złącza o stosunkowo dobrej wytrzymałości mechanicznej. 84. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Dlaczego nie można stosowad stopów lutowniczych zawierających ołów. Jaka jest podstawa prawna Wadą stopu jest obecnośd ołowiu TOKSYCZNE SKUTKI DZIAŁANIA Pb NA ORGANIZM LUDZKI: uszkodzenia centralnego systemu nerwowego, zahamowanie wytwarzania hemoglobiny, osłabienie zdolności reprodukcyjnych W Europie 27 stycznia 2003 roku parlament europejski i rada przyjęły dwie dyrektywy zmierzające do eliminacji na terenie Unii Europejskiej ołowiu (i innych szkodliwych substancji) w produkcji sprzętu elektrycznego i elektronicznego poprzez zastąpienie tego pierwiastka innymi materiałami. dyrektywę ROHS o ograniczeniu wykorzystania w sprzęcie elektrycznym i elektronicznym niektórych substancji mogących negatywnie oddziaływad na środowisko dyrektywę WEEE o zużytym sprzęcie elektrycznym i elektronicznym. 17

18 Paostwa członkowskie unii europejskiej, zapewnią, iż od dnia 1 lipca 2006r nowy sprzęt elektryczny i elektroniczny wprowadzany do obrotu nie zawiera: ołowiu, kadmu, sześciowartościowego chromu, polibromowego difenylu, polibromowego eteru fenylowego 85. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co kryje się za określeniem montaż bezołowiowy Technologia montażu bez wykorzystania ołowiu (ołów zastąpiono innymi materiałami) elektronika bezołowiowa (Lead-free Electronics). Wynika z wprowadzenia w Unii Europejskiej dyrektywy ROHS. 86. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co to jest i jakie znaczenie ma kąt zwilżania Kąt zwilżania θ występuje między powierzchnią lutowia a płaską powierzchnią próbki. Kąt kontaktu θ jest zawsze mierzony wewnątrz stopionego lutu. Kąt ten ma takie znaczenie, że mówi czy dana próbka uległa przylutowaniu czy też nie 87. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Dla jakich wartości kąta zwilżania połączenie uważa się jako dobre GDY KĄT < 75 = DOBRE ZWILŻENIE. W PRZYPADKACH, KIEDY WYMAGANA JEST WYSOKA JAKOŚD POŁĄCZENIA LUTOWANEGO KĄT POWINIEN BYD MNIEJSZY NIŻ 55 ; NAJLEPSZE ZWILŻANIE OSIĄGA SIĘ, GDY KĄT JEST ZAWARTY MIĘDZY 0 a PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Od czego może zależed wartośd kąta zwilżania O zwilżalności w znacznym stopniu decyduje czystośd powierzchni lutowanych części. Zanieczyszczenia tlenkami lub tłuszczem mogą wywoład znaczne zwiększenie kąta zwilżania. 89. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Na czym polega metoda meniskograficzna pomiaru siły i czasu zwilżania Pokrytą topnikiem próbkę metalu zawiesza się na czułej wadze i następnie zanurza pionowo z określoną prędkością na ustaloną głębokośd w kąpieli lutowniczej o kontrolowanej temperaturze 18

19 90. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co to jest zjawisko (efekt) Kirkendalla Zjawisko dyfuzji przemieszczanie się atomów składników lutu w głąb metali bazowych i składników metali bazowych do lutu. Współczynnik dyfuzji wzrasta wraz ze wzrostem temperatury. Zjawiska dyfuzji zwykle powodują wzrost wytrzymałości mechanicznej złącza, ale jedynie w przypadku, kiedy szybkośd dyfuzji obydwu składników jest jednakowa. Jeżeli jeden z elementów dyfunduje szybciej niż drugi, tworzą się wakansy (voids) w materiale o wyższej szybkości dyfuzji efekt kirkendalla 91. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jaka jest rola związków międzymetalicznych (ang. InterMetalic Compound, IMC) Tworzenie się związków międzymetalicznych skutkuje zmiana właściwości fizycznych lub chemicznych. Powstające związki posiadają nowe składy, o stechiometrycznych stosunkach elementów dwuskładnikowych, mają też struktury krystaliczne różniące się od struktur tworzących je elementów. Związki międzymetaliczne: Cu-Sn - cyna i miedź rozpuszczają się w sobie i tworzą jednorodny związek Cu 6 SN 5. w czasie starzenia (długi czas w podwyższonej temperaturze) tworzy się nowa warstwa Cu 3 SN, która narasta w sąsiedztwie miedzianych pół lub wyprowadzeo. Ni-Sn - zawartośd ni (zwykle z dodatkiem fosforu) w warstwie podkontaktowej tworzy barierę hamującą nadmierny wzrost związków CuSn Ni(P)Sn są kruche i osłabiają złącze. 92. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jakie metale mogą wchodzid w skład stopów bezołowiowych cyna (Sn), miedź (Cu), srebro (Ag), bizmut (Bi), antymon (Sb), ind (In), cynk (Zn), aluminium (Al) 93. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jakie stosuje się (najczęściej) stopy bezołowiowe Nazwa stopu Nazwa skrócona Sn % Cu % Bi % In % Ag % Sb % Cd % Temperatura C Sol. Liq. In52Sn48 In52A 48, e 1) Sn99 Sn99A 99,9 232 mp 2) Sn99Cu.7C Cu.7 99,3 0,7 227 e Sn96Ag04 Sn96A 96,3 3,7 221 e Sn96Ag03.8Sb5A Ag03A 96,3 0,7 2,5 0, Sn95Ag05E Sn95E 95,0 5, Sn95Ag04Cd01A Cd01A 95,0 4,0 1, Sn95Sb05A Sb05A 95, Sn42Bi58 Bi58A 42,0 58,0 138 e Sn96Ag03Cu0,4 Cu0,4 96,4 0,4 3,2 217 e Sn96Ag03Cu0,7 Cu0,7 95,5 0,7 3,8 217 e 19

20 94. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jaka jest rola topnika Rola topnika: rozpuszczanie i usuwanie tlenków i innych związków z łączonych powierzchni i ciekłego lutu ochrona lutowanego obszaru przed chemicznym działaniem otaczających gazów zmniejszenie napięcia powierzchniowego ciekłych lutów polepszenie zwilżalności 95. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jakie wymagania stawia się topnikom WYMAGANIA : Temperatura topnienia < od temperatury topnienia lutu, W temperaturze lutowania topnik powinien byd dostatecznie ciekły, aby równomiernie rozpływad się po łączonych powierzchniach i łatwo wnikad w szczeliny złącza, Topnik powinien byd chemicznie obojętny w stosunku do lutowanych metali i lutu, Topnik powinien całkowicie rozpuszczad lub wiązad związki niemetaliczne istniejące na powierzchni lutu i łączonych metali oraz w pełni chronid złącze przed szkodliwym działaniem otaczających gazów, Wzajemne przyciąganie między ciekłym topnikiem a lutowanym metalem powinno byd mniejsze niż przyciąganie między lutowanym metalem a ciekłym lutem, co warunkuje łatwe wypieranie topnika z powierzchni metalu przez lut, Topnik nie powinien zmieniad składu chemicznego w czasie nagrzewania w procesie lutowania, Pozostałości topnika i rozpuszczone w nim związki niemetaliczne powinny wypływad na powierzchnię lutu w momencie zetknięcia się ciekłego lutu z metalem rodzimym, Resztki topnika i wytworzony żużel powinny łatwo dad się usunąd z powierzchni złącza, Przy dłuższym przechowywaniu topnik nie powinien zmieniad swego składu chemicznego i właściwości wpływających na proces lutowania, Topnik nie powinien zawierad składników szkodliwych dla zdrowia, drogich i deficytowych, W czasie lutowania topnik nie powinien wydzielad gazów szkodliwych dla zdrowia 96. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co jest składnikiem najbardziej rozpowszechniony topnika Powszechnie stosowane topniki: chlorek amonu lub kalafonia (kwas abietynowy C 20 H 30 O 2 ) do lutowania lutem cynowo-ołowiowym, kwas solny lub chlorek cynku do lutowania powłok ocynkowanych, boraks do lutowania twardego metali żelaznych. Topniki kalafoniowe (opracowano dla lutowania SnPb) zawierają co najmniej trzy podstawowe składniki: kalafonię, aktywator i rozpuszczalnik (zwykle jest to alkohol izopropylowy). 97. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Dlaczego powinno stosowad się topniki no-clean lub VOC-free" (Volatile Organic Compounds) Pozostałości topników po lutowaniu mogą byd elektrycznie przewodzące i/lub korozyjne koniecznośd usunięcia po lutowaniu 20

21 TOPNIKI NO-CLEAN - zawierają do 40% kalafonii. zostały jednak tak skomponowane, że kiedy podgrzane zostaną do temperatur lutowania to organiczne molekuły polimeryzują i utwardzają się blokując dostęp tlenu i wilgoci do połączenia. Ich pozostałości są zatem nie korozyjne i nie muszą byd zmywane. TOPNIKI WODNE, VOC-free (Volatile Organic Compounds) - zamiast lotnych rozpuszczalników organicznych zawierają wodę. bezpieczeostwo procesu lutowania, woda, jest niepalna. wymagane jest stosowanie wyższej temperatury grzania wstępnego przed lutowaniem 98. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Co zawiera pasta lutownicza Pasty lutownicze są homogenicznymi mieszaninami proszku lutowniczego i topnika (nośnika). 99. PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jaki kształt i rozmiary maja cząstki stopu w paście lutowniczej STOP W POSTACI PROSZKU O KULISTYM KSZTAŁCIE. Zakres wielkości cząstek proszku Rodzaj montażu Raster [μm] [mm] standardowy 0,63 1, fine pitch 0,38 0,63 < 25 very fine pitch < 0, PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Jakie znaczenie ma lepkośd i zjawisko tiksotropii pasty lutowniczej Lepkośd jest właściwością płynów i plastycznych ciał stałych charakteryzująca ich opór wewnętrzny przeciw płynięciu spowodowany zjawiskiem tarcia wewnętrznego Właściwośd niektórych rodzajów płynów i ciał plastycznych, w których występuje zależnośd lepkości od czasu działania sił ścinających, które na ten płyn działały. Dlatego też niektóre płyny tiksotropowe mogą stad się przez pewien czas mniej lepkie, gdy podda się je intensywnemu mieszaniu. KLEISTOŚD PAST LUTOWNICZYCH OKREŚLA ZDOLNOŚD PASTY DO PRZYTRZYMYWANIA PODZESPOŁÓW DO PODŁOŻA W CZASIE MONTAŻU I PODCZAS PROCESU LUTOWANIA PODSTAWY PROCESU LUTOWANIA; Czy ma znaczenie sposób przechowywania pasty lutowniczej Sposób i czas przechowywania pasty określa producent i w praktyce jest to zalecenie przechowywania w niskiej temperaturze, co w znaczący sposób zwiększa się jej okres gotowości do 21

22 użycia. Nie powinno się otwierad pojemników z pastą, mieszad lub aplikowad pasty, gdy nie jest ona ogrzana w całej objętości do temperatury pokojowej TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Na czym polega lutowanie ręczne Jak sama nazwa wskazuje lutowanie to nie zachodzi mechanicznie, wykonywane jest przez człowieka. Jest to sposób montażu zarówno elementów przewlekanych jak i powierzchniowych (SMD) przy pomocy lutownicy z grotem o odpowiedniej średnicy i rozgrzanym do odpowiedniej temperatury. Stosowane jest w przypadku elementów nietypowych, które nie mogły zostad przylutowane mechanicznie oraz w przypadku konieczności dokonania poprawki lutu lub naprawy na płytce PCB TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie narzędzia i materiały stosuje się przy lutowaniu ręcznym Narzędzia: Lutownica z odpowiednim grotem (ewentualnie stacja lutownicza) Pęseta do przytrzymywania elementu Lupa Materiały lutownicze: drut lutowniczy i topnik, ale najczęściej topnik jest już zawarty w lucie rdzeniowym Lutownice do montażu powierzchniowego: Maksymalna średnica grota 3,0 mm, temperatura - między 260 C i 295 C z tolerancją ± 5 C. Lutownice do montażu przewlekanego: ROZMIAR GROTA I ZAKRES TEMPERATURY ZGODNE ZE WSKAZANIAMI PRODUCENTÓW. Jeżeli nie są dostępne takie wskazania, to zaleca się, aby lutownica pracowała przy 50 W i odpowiedniej średnicy grota, na przykład 6,5 mm, i w temperaturze z zakresu 300 C i 375 C, z tolerancją ± 5 C 104. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Dlaczego przy lutowaniu ręcznym należy zwracad uwagę na zagrożenia wynikając z możliwości wyładowao elektrostatycznych POTENCJAŁ, DO JAKIEGO MOŻE NAŁADOWAD SIĘ OPERATOR (wilgotnośd względna 20 %, wykładzina nylonowa) > 10 kv, A TEORETYCZNIE NAWET DO 25 kv. Takie wyładowanie elektrostatyczne może spowodowad uszkodzenie elementu elektronicznego TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Dlaczego lutowanie ręczne powinno prowadzid się na antystatycznych stanowiskach naprawczych Aby uniknąd wyładowania elektrostatycznego (ładunek elektryczny nagromadzony na powierzchni ciała). Stosuje się w tym celu odpowiednie maty (antystatyczne stanowiska naprawcze). 22

23 106. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Na czym polega lutowanie na fali Podzespoły do montażu przewlekanego Kierunek przesuwu płytki Strona docelowa lutu Podzespoły SMD Strona źródła lutu W zmechanizowanym procesie lutowania na fali wykorzystuje się stacjonarną falę stopionego lutu, Fala turbulentna stopionego lutu Fala laminarna stopionego lutu która w sposób ciągły uzupełniana jest świeżym lutem pompowanym z dna zbiornika wanny lutowniczej. Płytka drukowana z zamocowanymi mechanicznie podzespołami jest przenoszona na transporterze kolejno nad strefą topnikowania, strefą grzania wstępnego, a następnie w poprzek grzbietu fali stopionego lutu TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Czy można zautomatyzowad proces obsadzania elementów do montażu przewlekanego Tak jest to możliwe. Istnieją maszyny, które same obsadzają na płytce elementy przewlekane na przykład automat Uniwersal AXIAL. Urządzenie to samo najpierw zagina koocówki, potem wkłada element w otwory w laminacie, ucina zbyt długie koocówki i na koniec jeszcze raz zagina TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie operacje prowadzi się przed lutowaniem na fali elementów SMD Elementy SMD muszą byd przed lutowaniem na fali przyklejone do PCB. Etapy: - dozowaniu lub drukowaniu kleju strukturalnego, - układaniu elementów dokładnie w wyznaczonych przez pola lutownicze miejscach, - utwardzaniu kleju, - odwróceniu płytki z elementami tak, aby elementy zostały zanurzone w ciekłym lucie 23

24 109. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jaki kształt może mied fala lutownicza 110. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Dlaczego do lutowania na fali stosuje się dwukierunkową falę Lambda KLASYCZNA FALA GŁÓWNA T DWUKIERUNKOWA FALA LAMBDA (przepływ lutu ulega przyspieszeniu w kierunku przeciwnym do ruchu płytki intensywne działanie przepłukiwania ułatwiające zwilżenie) Kierunek przesuwu płytki Płyta czołowa Stopiony lut Płyta tylna regulowana 111. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie są sposoby topnikowania przed lutowaniem na fali ZA POMOCĄ FALI METODĄ PIANOWĄ NATRYSKIEM - topnik natryskiwany w postaci minimalnych kropelek, które łatwo penetrują w głąb otworów i w miejsca trudno dostępne; dokładny system pozycjonowania natrysku pozwala na nanoszenie topnika w sposób selektywny; różne kombinacje nanoszenia topników w jednej maszynie, 24

25 (natrysk dwóch różnych topników z dwóch różnych zbiorników zasilających, jednoczesny podwójny natrysk z jednego zbiornika zasilającego lub natrysk jednego topnika z dwóch zbiorników zasilających 112. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie znaczenie w lutowaniu na fali ma strefa grzania wstępnego PODSTAWOWE CELE GRZANIA WSTĘPNEGO: USUNIĘCIE ROZPUSZCZALNIKA/-ÓW Z TOPNIKA PRZED WPROWADZENIEM ZESPOŁU W STREFĘ MAKSYMALNEJ TEMPERATURY LUTOWANIA (w przeciwnym przypadku może nastąpid gwałtowne odparowanie, któremu prawdopodobnie będzie towarzyszyd rozprysk kulek spoiwa) UZYSKANIE ODPOWIEDNIEJ LEPKOŚCI TOPNIKA (jeżeli lepkośd jest zbyt niska, to topnik będzie przedwcześnie usuwany z płytki przez falę lutu. Może to byd przyczyną złego zwilżenia) ZAPEWNIENIE ZESPOŁOWI ODPOWIEDNIEJ TEMPERATURY POZWALAJĄCEJ NA PRZYSPIESZENIE AKCJI AKTYWUJĄCEJ TOPNIKA ZMINIMALIZOWANIE UDARU CIEPLNEGO, JAKIEMU ZESPÓŁ LUTOWANY PODLEGA WCHODZĄC W STREFĘ LUTOWANIA 113. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Dlaczego w lutowaniu na fali stosuje się tzw. nóż powietrzny Nóż powietrzny stosuje się w celu ograniczenia tworzenia się mostków po przeskoku lutowia (lutowanie na fali). Jest to wdmuchiwany strumieo gorącego powietrza TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie czynniki decydują o prawidłowym przebiegu procesu lutowania na fali CZYNNIKI DECYDUJĄCE O PRAWIDŁOWYM PRZEBIEGU PROCESU LUTOWANIA NA FALI: Właściwy dobór topnika o odpowiedniej stabilności cieplnej Temperatura stopionego lutu zależna od rodzaju stopu Czas kontaktu lutowanego zespołu ze stopionym lutem zależny od zdolności stopu do zwilżania powierzchni lutowanych Zespoły na grubych wielowarstwowych podłożach mogą wymagad dodatkowej strefy grzania od góry 115. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Czy istnieje możliwośd lutowania na fali pojedynczych elementów Tak, jest to lutowanie selektywnie. Mini fala wytworzona przez jedną samodzielnie pracującą dyszę (dla zapewnienia niezawodnego procesu dysza powinna mied wewnętrzną średnicę co najmniej 6 mm) TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Na czym polega lutowanie rozpływowe Formowanie połączenia lutowanego w procesie topienia ziaren stopu bezołowiowego zawartych w paście lutowniczej nałożonej metodą druku przez szablon na pola lutownicze płytki drukowanej. Płytka drukowana z osadzonymi na paście lutowniczej podzespołami do montażu powierzchniowego przechodzi zwykle przez piec. Ziarna stopu topią się i tworzą wypełnienie połączenia lutowanego. SMD Grzanie Różne źródła grzania Pole lutownicze Pasta lutownicza Pasta lutownicza Podłoże 25 Maska przeciwlutowa

26 117. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie urządzenia stanowią linię technologiczną lutowania rozpływowego 118. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie są metody nakładania pasty lutowniczej drukowanie przez sito drukowanie przez szablon metodą dozowania 119. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak nanosi się pastę lutownicza w druku szablonowym Na laminacie układamy odpowiedni szablon, z wyciętymi miejscami na pastę lutowniczą. Następnie przy pomocy rakli przeciskamy przez szablon pastę TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie czynniki decydują o prawidłowym naniesieniu pasty z wykorzystaniem szablonu rodzaj powłoki lutownej płytki drukowanej, prędkośd przesuwu rakli, nacisk kąta ustawienia rakli grubośd szablonu średnica okna objętośd naniesionej pasty 121. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak wykonuje się szablony do nanoszenia pasty lutowniczej Szablony mogą byd polimerowe, ale głównie stosuje się wykonane z blachy (ze stali nierdzewnej) grubośd blachy jest zależna od rastra (wielkości otworów) i wynosi od 100 do 200 m. 26

27 Mozaika otworów w szablonie jest dostosowana do mozaiki pól lutowniczych płytki obwodu drukowanego, ale aby mied pewnośd, że pasta będzie nanoszona wyłącznie na pola lutownicze, otwory są ok. 10 % mniejsze od pól. Otwory wykonuje się metodą: trawienia wycinania laserowego 122. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak ocenia się prawidłowośd nanoszenia pasty w druku szablonowym Bada sie za pomocą sprawdzenia zwilżenia pól lutowniczych, podnosi sie temperaturę i sprawdza jak wyglądają pola lutownicze. Jakimiś mikroskopami można to robid lub na upartego rentgenografem u doktora Serafa 123. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak odbywa się układanie elementów SMD w produkcji przemysłowej W produkcji przemysłowej wykorzystuje się specjalne urządzenia (automaty) nazywane pick and place rami. Głowica (zawiera przyssawke próżniową) z odpowiednich podajników pobiera elementy i osadza je na polach lutowniczych płytki (pokrytych pastą lutowniczą). Dla wyzyskania dużych wydajności montażu, urządzenie zawiera wielopozycyjną głowicę lub wiele głowic pobierających dużą ilośd elementów TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak wygląda profil temperaturowo-czasowy lutowania rozpływowego

28 1. Pierwsza krzywa nie powinna byd zbyt stroma (grozi rozpryskiem pasty) 2. Płaski odcinek w postaci siodła (strefa nagrzewania) faza wyrównywania temperatury wszystkich elementów zespołów 3. Szybkośd wzrostu temperatury w obszarze między koocem siodła a pikiem lutowania nie powinna byd większa niż 3 C/s (zmniejszenie ryzyka utraty aktywności topnika) 4. W piku lutowania zwykle zaleca się stosowanie temperatur poniżej 245 C (ze względu na możliwośd uszkodzenia podzespołów lub płytek) zamiast piku lutowania korzystne jest uzyskanie krzywej lutowania w postaci długiego i stosunkowo płaskiego odcinka 125. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak długo i w jakiej temperaturze powinny przebywad elementy w samym procesie lutowania (w temperaturze powyżej topnienia lutu) Czas przebywania płytki powyżej temperatury topnienia stopu powinien byd dłuższy niż 30 s, ale nie powinien przekraczad 90 s, (aby nie dopuścid do zwęglenia pozostałości topnika i ograniczyd grubośd tworzących się związków międzymetalicznych w połączeniu lutowanym). Dla stopu: SnAgCu temp. powyżej 217 o C, dla SnPb powyżej 183 o C TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Na co mogą wpływad warunki w strefie chłodzenia w lutowaniu rozpływowym Warunki w strefie chłodzenia wpływają na: czas przebywania powyżej temperatury topnienia stopu; temperaturę płytki w momencie wyjścia; formowanie się związków międzymetalicznych; mikrostrukturę połączenia lutowanego; wytrzymałośd połączenia lutowanego na ścinanie; występowanie uszkodzeo w materiałach i podzespołach; naprężenia pozostające w połączeniu lutowanym TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jak zbudowany jest piec przemysłowy do lutowania rozpływowego Proces odbywa się w urządzeniach (piecach), w których płytki nagrzewane są: w podczerwieni, w warunkach konwekcji naturalnej lub wymuszonej, w parach nasyconych. Piece do grzania w podczerwieni lub konwekcyjne mają zwykle tunelową komorę (piece tunelowe) z wieloma strefami grzejnymi, w której płytki są przenoszone transporterem. Źródłem ciepła mogą byd lampy kwarcowe, otwarte grzejniki oporowe lub inne promienniki podczerwieni. 28

29 128. TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Czy można zamiast pieca tunelowego stawad piec komorowy do lutowania rozpływowego Tak, dla potrzeb produkcji jednostkowej lub do celów laboratoryjnych mogą byd stosowane konwekcyjne piece komorowe. Piece te są wyposażone w systemy programowania temperatury i czasu. Pozwala to na sekwencyjne (w czasie) ustawianie temperatur tak, aby otrzymad przebieg z pyt TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie znaczenie może mied obecnośd azotu w piecu do lutowania rozpływowego Azot w piecach do lutowania rozpływowego jest stosowany do usunięcia tlenu zawartego w powietrzu. Zwykle stosuje się do tego azot o czystości 99,999%. Zmniejsza napięcie powierzchniowe stopu bezołowiowego ogranicza podatnośd na utlenianie powierzchni przeznaczonych do lutowania Atmosfera azotu w piecu jest najbardziej potrzebna w koocowej części strefy grzania wstępnego i w strefach lutowania, w których temperatury są wysokie i podatnośd na utlenianie duża TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Na czym polega lutowanie w fazie gazowej (kondensacyjne) Polega to na tym, że odpowiednie ciecze (np. FC-113 (trójchloro-trójfluoroetan) i FC-70 (czterofluoro-trójamyloamina)) doprowadzane są do wrzenia. Powoduje to powstanie warstwy nasyconych oparów (nie zawierających żadnego tlenu ani innych gazów), które dostarczają ciepło do lutowanych elementów. Zaletą tej metody, jest całkowite wyeliminowanie tlenu, a więc ryzyka utleniania. Dodatkowo zmniejszone jest ryzyko przegrzania płytki (układu) TECHNOLOGIE LUTOWANIA; Jakie mogą byd inne źródła ciepła (poza piecem) w lutowaniu rozpływowym GORĄCE POWIETRZE SELEKTYWNIE DOSTARCZANE DO LUTOWANYCH OBSZARÓW NAGRZEWANIE KONTAKTOWE GORĄCĄ TERMODĄ WIĄZKA LASEROWA 132. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Od czego zależy jakośd (prawidłowy kształt) połączeo lutowanych Prawidłowe połączenia lutowane są wynikiem właściwej technologii i materiałów użytych w procesie i zależą od: Zwilżalności lutowanych powierzchni, Aktywności topnika adekwatnie do lutowanych materiałów i stopu lutowniczego Rodzaju stopu lutowniczego i pasty lutowniczej Prawidłowości nałożenia pasty lutowniczej na pola kontaktowe Prawidłowości obsadzenia elementów Profilu temperaturowego i/lub kształtu fali lutowniczej, Innych parametrów procesu technologicznego 29

30 133. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie są typowe wady lutowania Typowe wady lutowania: Brak połączenia, Niezwilżenia i dowilżenia, Niewystarczająca ilośd lutu w połączeniu (tmd), Efekt cieniowania (smd); Obecnośd sopli lutu na polach i powierzchniach wyprowadzeo; Nadmierna liczba mostków lutu; Obecnośd kulek lutu na powierzchni płytki; Nadmiarowe sferyczne wypełnienie lutem z jednej strony połączenia lutowanego (smd) Powstawanie pustych przestrzeni w połączeniach lutowanych (porowatośc), Częśd lutu połączenia oderwana od pola lutowniczego lub razem z polem oderwana od powierzchni płytki (tmd); Mostki w postaci włoskowatych kryształów WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co może oznaczad "akceptowalny" kształt połączenia lutowanego Normy przedstawiają docelowe wypełnienie lutem, ale także wypełnienie akceptowalne dla określonego poziomu zastosowania sprzętu elektronicznego WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co to jest niezwilżanie Akceptowane połączenie lutowane powinno wykazywad oznaki zwilżenia i przylegania, gdy łączy się z lutowaną powierzchnią, tworząc kąt styczności 90 lub mniejszy. Zbyt słabe zwilżanie przy obecności silnych naprężeo może prowadzid do pękania złącza lutowanego WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie wady mogą występowad po lutowaniu w montażu przewlekanym Tworzenie mostków lut nie został oddzielony od koocówek przed jego zestaleniem. Kulki lub rozpryski lutu 30

31 Sopel lub firanka lutu na koocówkach podzespołów do montażu przewlekanego, wystających więcej niż 2 mm od lutowanej powierzchni płytki drukowanej Puste przestrzenie Unoszenie się lub odrywanie lutu połączenia lutowanego 137. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie wady mogą występowad po lutowaniu w montażu powierzchniowym Brak połączenia Nieprecyzyjne osadzenie elementów Tworzenie mostków Występowanie kulek lutu Efekt nagrobkowy (tombstoning) Zjawisko wciągania lutu Puste przestrzenie w objętości lutu 138. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co może byd powodem braku połączenia w montażu powierzchniowym Brak połączenia w montażu powierzchniowym może byd spowodowanym efektem cieniowania element SMD blokuje przepływ fali lutowia po jednej z jego stron. Rozwiązanie: Koniecznośd wprowadzenia fali turbulentnej do procesu lutowania na fali podzespołów SMD 139. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co może powodowad wadę nazywaną "efektem nagrobkowym" (tombstoning) Efekt nagrobkowy jest to unoszenie się w górę jednego kooca podzespołu w trakcie procesu rozpływu. Przyczyny: różna lutownością obu wyprowadzeo podzespołu lub obu pól płytki drukowanej; złe wymiarami pól lutowniczych; wady projektu płytki wprowadzającymi powstawanie w procesie grzania gradientu temperatury wzdłuż korpusu podzespołu; nieodpowiednia jakością pasty lutowniczej; parametry procesu lutowania nieodpowiednio dobrane do konstrukcji lutowanej płytki. 31

32 140. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Na czym polega zjawisko "wciągania lutu" Polega na przejmowaniu większości stopionego lutu bezołowiowego przez pocynowaną koocówkę podzespołu; w konsekwencji występuje brak lutu na powierzchni pola lutowniczego WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie wady mogą występowad po lutowaniu w montażu flip chip Brak całkowitego zwilżenia pól lutowniczych Formowanie zimnych połączeo lutowanych z powodu zbyt niskiej temperatury lutowania pod obudową podzespołu; Większa liczba mikrokulek lutu rozpryśniętych na powierzchni płytki pod obudową; nie ulegają one zestaleniu razem z lutem znajdującym się na polu lutowniczym; Możliwośd delaminacji i pękania połączeo lutowanych Występowanie pustych przestrzeni 142. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie są specyficzne wady przy stosowaniu stopów bezołowiowych ZARAZA CYNOWA WISKERY (whiskers) 143. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co to jest i jakie znaczenie ma "zaraza cynowa" Autokatalityczna przemiana alotropowa cyny białej w cynę szarą (α-sn), która jest krucha i odpada z powierzchni materiału. Zaraza cynowa powstaje szczególnie szybko w temperaturze poniżej 0 C. Powoduje to znaczny spadek jakości połączeo lutowanych WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Co to jest i jakie znaczenie maja wiskery (ang. whisker) Wisker to elektrycznie przewodzący, włosowaty kryształ spontanicznie wyrastający z powierzchni stopów oraz czystego metalu, głównie cyny, cynku, indu i antymonu. Wiskery osiągają długości dochodzące nawet do kilku milimetrów, przy czym ich średnica zawiera się zazwyczaj w granicach 1 5 m Powoduje to zwarcia elektryczne pomiędzy sąsiadującymi polami lutowniczymi, ścieżkami przewodzącymi lub wyprowadzeniami elementów lub uszkodzenia mechaniczne subtelnych struktur WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; Jakie są metody kontroli połączeo lutowanych kontrola wizualna przez człowieka lub zautomatyzowana automatyczna kontrola rentgenowska (AXI) sprawdzanie ciągłości elektrycznej zgłady metalograficzne badanie wytrzymałości mechanicznej 32

33 146. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; W jakich przypadkach stosuje się metody rentgenowskiej kontroli połączeo lutowanych Metodę tą stosujemy w chwili, kiedy chcemy znad średnice, wielkośd powierzchni oraz kształt połączeo oraz procentową zawartośd pustych przestrzeni. Pozwala to na prowadzenie automatycznej kontroli oraz odrzucaniu podzespołów z połączeniami wadliwymi WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; W jakim celu stosuje się zgłady metalograficzne Zgład metalograficzny jest to pobrana skośnie, poprzecznie lub podłużnie względem osi materiału i odpowiednio przygotowana próbka do badao mikroskopowych WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; W jaki sposób ocenia się elektryczną jakośd połączeo Wykorzystuje się w tym celu łaocuch połączeo lutowanych (daisy - chain) z zamontowanymi rezystorami o rezystancji zerowej (zwory) 149. WADY POŁĄCZEO LUTOWANYCH; W jaki sposób ocenia się mechaniczną jakośd połączeo Przy pomocy zrywarki urządzenia, które mierzy siłę, jaka jest potrzebna do oderwania elementu od PCB, bądź zniszczenia połączenia lutowanego MYCIE PO PROCESIE LUTOWANIA; Jakie rodzaje zanieczyszczeo mogą występowad po procesach technologicznych ZANIECZYSZCZENIA POLARNE, JONOWE I NIEORGANICZNE (aktywatory topników, sole z procesów galwanicznych i trawienia, środki neutralizujące, sole z rąk obsługi), ZANIECZYSZCZENIA NIEPOLARNE, NIEJONOWE, ORGANICZNE (cząstki stałej kalafonii, oleje, smary, woski, kremy do rąk, produkty degradacji, zwilżacze), CZĄSTKI STAŁE ZAWIESZONE W POWIETRZU, (cząstki żywicy i włókienka szklane, kulki lutu z procesu lutowania, kurz z powietrza, włókienka z ubrania, cząstki skóry, włosów i brud z rąk obsługi) 151. MYCIE PO PROCESIE LUTOWANIA; Jakie znaczenie mają zanieczyszczenia jonowe Pozostawienie zanieczyszczeo jonowych, szczególnie chlorków i bromków na podłożu powoduje procesy korozji chemicznej czy elektrochemicznej MYCIE PO PROCESIE LUTOWANIA; Na czym polega korozja elektrochemiczna korozja elektrochemiczna - wystąpienia różnicy potencjału pomiędzy różnymi metalami lub na powierzchni metalu. KONSEKWENCJA ZUBOŻANIE WARSTWY METALU I POWSTAWANIE NOWYCH ZWIĄZKÓW 33

MontaŜ w elektronice Zagadnienia

MontaŜ w elektronice Zagadnienia MontaŜ w elektronice Zagadnienia 1. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAśU; Jaki jest cel montaŝu elektronicznego 2. POZIOMY I TECHNOLOGIE MONTAśU; Jakie zadani musi spełniać montaŝ elektroniczny 3. POZIOMY I TECHNOLOGIE

Bardziej szczegółowo

RoHS Laminaty Obwód drukowany PCB

RoHS Laminaty Obwód drukowany PCB Mini słownik RoHS Restriction of Hazardous Substances - unijna dyrektywa (2002/95/EC), z 27.01.2003. Nowy sprzęt elektroniczny wprowadzany do obiegu na terenie Unii Europejskiej począwszy od 1 lipca 2006

Bardziej szczegółowo

1. Procesy lutowania w świetle dyrektyw Unii Europejskiej...11

1. Procesy lutowania w świetle dyrektyw Unii Europejskiej...11 Spis treści 3 1. Procesy lutowania w świetle dyrektyw Unii Europejskiej...11 1.1. Dyrektywa RoHS...15 1.1.1. Dokumenty dotyczące dyrektywy RoHS... 15 1.1.2. Zasadnicze postulaty zawarte w dyrektywie RoHS...

Bardziej szczegółowo

METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI. Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board)

METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI. Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board) METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board) Co to jest płyta z obwodem drukowanym? Obwód drukowany (ang. Printed

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice_cz.03_elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP.ppt. Plan wykładu

Montaż w elektronice_cz.03_elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP.ppt. Plan wykładu Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

KWDI. Wykład 6/2016. Literatura do zagadnień montażu: J. Felba, Montaż w elektronice, Wrocław, O/W PWr, 2010

KWDI. Wykład 6/2016. Literatura do zagadnień montażu: J. Felba, Montaż w elektronice, Wrocław, O/W PWr, 2010 KWDI Wykład 6/2016 Literatura do zagadnień montażu: J. Felba, Montaż w elektronice, Wrocław, O/W PWr, 2010 Ścieżki Ścieżki można podzielić na -Sygnałowe mogą być wąskie, nawet kilka mils (np. 8 mils),

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY TECHNIK WYTWARZANIA

PODSTAWY TECHNIK WYTWARZANIA PODSTAWY TECHNIK WYTWARZANIA PROJEKTOWANIE Lutowanie podzespołów elektronicznych opracowali: Jakub Krzemiński, Andrzej Pepłowski I. Wstęp teoretyczny Lutowanie jest to proces połączenia elementów bez ich

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice_cz.17_wady lutowania, ocena jakości lutowania, zasady projektowania POD.ppt. Plan wykładu

Montaż w elektronice_cz.17_wady lutowania, ocena jakości lutowania, zasady projektowania POD.ppt. Plan wykładu Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice

Montaż w elektronice Montaż w elektronice Prof. dr hab. inż.. Kazimierz FRIEDEL Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip

Bardziej szczegółowo

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne:

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne: Metody łączenia metali rozłączne nierozłączne: Lutowanie: łączenie części metalowych za pomocą stopów, zwanych lutami, które mają niższą od lutowanych metali temperaturę topnienia. - lutowanie miękkie

Bardziej szczegółowo

ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ

ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Cele i bariery Ogólne

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne systemy informatyczne 1. Prowadzący: Dr. Inż. Zdzisław Pólkowski Autor: Krzysztof Gruszczyński Temat: Wymiany układów BGA

Nowoczesne systemy informatyczne 1. Prowadzący: Dr. Inż. Zdzisław Pólkowski Autor: Krzysztof Gruszczyński Temat: Wymiany układów BGA Nowoczesne systemy informatyczne 1 Prowadzący: Dr. Inż. Zdzisław Pólkowski Autor: Krzysztof Gruszczyński Temat: Wymiany układów BGA Wymiany elementów BGA BGA (ang. Ball Grid Array) obudowa z wyprowadzeniami

Bardziej szczegółowo

Jan Felba. Montaż w Elektronice. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Jan Felba. Montaż w Elektronice. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej 1 Jan Felba Montaż w Elektronice Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej wrocław 2010 2 Recenzent Ryszard Kisiel Opracowanie redakcyjne Agnieszka Ściepuro Korekta Alina Kaczak Agnieszka Ściepuro Projekt

Bardziej szczegółowo

ELSOLD SN100 MA-S drut lutowniczy z topnikiem Z0 i Z1

ELSOLD SN100 MA-S drut lutowniczy z topnikiem Z0 i Z1 druty lutownicze z topnikiem Z i Z1 Gładki i błyszczący lut Zredukowana migracja miedzi Zmniejszona erozja narzędzi lutowniczych Niewielka ilość pozostałości jest jasna, przejrzysta i niekorozyjna Nieuciążliwy

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób łączenia stopów aluminium z materiałami kompozytowymi na osnowie grafitu metodą lutowania miękkiego

PL B1. Sposób łączenia stopów aluminium z materiałami kompozytowymi na osnowie grafitu metodą lutowania miękkiego RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 232258 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423996 (51) Int.Cl. B23K 1/19 (2006.01) B23K 1/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data

Bardziej szczegółowo

Technologie mikro- nano-

Technologie mikro- nano- Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:

Bardziej szczegółowo

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów

Bardziej szczegółowo

CIENKOŚCIENNE KONSTRUKCJE METALOWE

CIENKOŚCIENNE KONSTRUKCJE METALOWE CIENKOŚCIENNE KONSTRUKCJE METALOWE Wykład 2: Materiały, kształtowniki gięte, blachy profilowane MATERIAŁY Stal konstrukcyjna na elementy cienkościenne powinna spełniać podstawowe wymagania stawiane stalom:

Bardziej szczegółowo

Szkolenie z lutowania układów BGA. Maciej Barzowski Mail: Tel:

Szkolenie z lutowania układów BGA. Maciej Barzowski Mail: Tel: Szkolenie z lutowania układów BGA Maciej Barzowski Mail: maciej.barzowski@gmail.com Tel: 781 265 832 Kilka informacji na temat technologii BGA BGA (ang. Ball Grid Array) obudowa z wyprowadzeniami sferycznymi

Bardziej szczegółowo

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów KATEDRA INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ I SPAJANIA ZAKŁAD INŻYNIERII SPAJANIA Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów Wykład 12 Lutowanie miękkie (SOLDERING) i twarde (BRAZING) dr inż. Dariusz Fydrych Kierunek

Bardziej szczegółowo

AlfaFusion Technologia stosowana w produkcji płytowych wymienników ciepła

AlfaFusion Technologia stosowana w produkcji płytowych wymienników ciepła AlfaFusion Technologia stosowana w produkcji płytowych wymienników ciepła AlfaNova to płytowy wymiennik ciepła wyprodukowany w technologii AlfaFusion i wykonany ze stali kwasoodpornej. Urządzenie charakteryzuje

Bardziej szczegółowo

Metody układania elementów w technologii SMT (Surface Mount Technology)

Metody układania elementów w technologii SMT (Surface Mount Technology) LABORATORIUM PROJEKTOWANIA I TECHNOLOGII UKŁADÓW HYBRYDOWYCH Ćwiczenie 2 Metody układania elementów w technologii SMT (Surface Mount Technology) 1. CEL ĆWICZENIA Zapoznanie się z działaniem oraz metodami

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Techniki lutowania

Ćwiczenie 1 Techniki lutowania Skład grupy (obecność na zajęciach) 1 2 3 Obecność - dzień I Data.. Ćwiczenie 1 Techniki lutowania Obecność - dzień II Data.. Cel ogólny: Zapoznanie z techniką wykonywania połączeń lutowanych 1. Połączenia

Bardziej szczegółowo

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy

Bardziej szczegółowo

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne metody metalurgii proszków. Dr inż. Hanna Smoleńska Materiały edukacyjne DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO Część III

Nowoczesne metody metalurgii proszków. Dr inż. Hanna Smoleńska Materiały edukacyjne DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO Część III Nowoczesne metody metalurgii proszków Dr inż. Hanna Smoleńska Materiały edukacyjne DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO Część III Metal injection moulding (MIM)- formowanie wtryskowe Metoda ta pozwala na wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Projektowanie urządzeń elektronicznych. Projektowanie, technologie montaŝu i lutowania, uruchamianie, produkcja

Projektowanie urządzeń elektronicznych. Projektowanie, technologie montaŝu i lutowania, uruchamianie, produkcja Projektowanie urządzeń elektronicznych Projektowanie, technologie montaŝu i lutowania, uruchamianie, produkcja Kolejne kroki w projektowaniu - projekt wstępny i symulacja 1. Projekt wstępny - wybór struktury

Bardziej szczegółowo

Chłodnice CuproBraze to nasza specjalność

Chłodnice CuproBraze to nasza specjalność Chłodnice CuproBraze to nasza specjalność Dlaczego technologia CuproBraze jest doskonałym wyborem? LUTOWANIE TWARDE 450 C LUTOWANIE MIĘKKIE 1000 C 800 C 600 C 400 C 200 C Topienie miedzi Topienie aluminium

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

LUTOWANIE TO SZTUKA. Przygotował: Mirosław Ruciński

LUTOWANIE TO SZTUKA. Przygotował: Mirosław Ruciński LUTOWANIE TO SZTUKA Przygotował: Mirosław Ruciński Jak lutować poprawnie? Plan zajęć: Rodzaje lutów. Luty miękkie. Narzędzia potrzebne przy lutowaniu. Lutownica transformatorowa. Lutownica oporowa. Lutowanie

Bardziej szczegółowo

Plan wykładu. Pasty lutownicze (1)

Plan wykładu. Pasty lutownicze (1) Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

Obwody drukowane. Zalety obwodów drukowanych c.d.: - przejrzystość montażu, - skróceni czasu kontroli i testowania obwodów,

Obwody drukowane. Zalety obwodów drukowanych c.d.: - przejrzystość montażu, - skróceni czasu kontroli i testowania obwodów, Obwody drukowane Obwód drukowany płytka izolacyjna z naniesionym układem połączeń elektrycznych, pól lutowniczych i stykowych oraz innych wytworzonych metodą trawienia folii miedzianej. Obwody drukowane

Bardziej szczegółowo

Naprężenia i odkształcenia spawalnicze

Naprężenia i odkształcenia spawalnicze Naprężenia i odkształcenia spawalnicze Cieplno-mechaniczne właściwości metali i stopów Parametrami, które określają stan mechaniczny metalu w różnych temperaturach, są: - moduł sprężystości podłużnej E,

Bardziej szczegółowo

Metoda lutowania rozpływowego

Metoda lutowania rozpływowego LABORATORIUM PROJEKTOWANIA I TECHNOLOGII UKŁADÓW HYBRYDOWYCH Ćwiczenie 3 1. CEL ĆWICZENIA Zapoznanie się z działaniem oraz metodami programowania pieca do lutowania rozpływowego MR-10A. 2. WYKONANIE ĆWICZENIA

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 2

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 2 INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 2 BADANIA ODPORNOŚCI NA KOROZJĘ ELEKTROCHEMICZNĄ SYSTEMÓW POWŁOKOWYCH 1. WSTĘP TEORETYCZNY Odporność na korozję

Bardziej szczegółowo

LTCC. Low Temperature Cofired Ceramics

LTCC. Low Temperature Cofired Ceramics LTCC Low Temperature Cofired Ceramics Surowa ceramika - green tape Folia LTCC: 100-200µm, mieszanina ceramiki, szkła i nośnika ceramicznego Technika sitodruku: warstwy (ścieŝki przewodzące, rezystory,

Bardziej szczegółowo

Obudowy układów scalonych

Obudowy układów scalonych Obudowy układów scalonych Obudowy do montażu przewlekanego Nazwa obudowy Krótki opis DIP Obudowa dwurzędowa SDIP HDIP SIL PGA, PGAP Ścieśniona obudowa dwurzędowa Obudowa dwurzędowa z rozpraszaczem ciepła

Bardziej szczegółowo

... mniejsze straty, większy zysk Czynnik 15x* Dystrybutor: ELSOLD Standard SN100 MA-S Sn99,3Cu0,7 SN100(Ag) MA-S mikro stopy lutu z Ni, Ge oraz P

... mniejsze straty, większy zysk Czynnik 15x* Dystrybutor: ELSOLD Standard SN100 MA-S Sn99,3Cu0,7 SN100(Ag) MA-S mikro stopy lutu z Ni, Ge oraz P ... mniejsze straty, większy zysk Czynnik 15x * Innovative Lotprodukte ELSOLD Standard ELSOLD SN1(Ag) MA-S mikro stopy lutu z Ni, Ge oraz P Oprócz pełnej gamy stopów lutowniczych o wysokiej jakości, ELSOLD

Bardziej szczegółowo

Układy scalone. wstęp układy hybrydowe

Układy scalone. wstęp układy hybrydowe Układy scalone wstęp układy hybrydowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Kondensatory. Konstrukcja i właściwości

Kondensatory. Konstrukcja i właściwości Kondensatory Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Podstawowe techniczne parametry

Bardziej szczegółowo

KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana

Bardziej szczegółowo

PL B1. Sposób lutowania beztopnikowego miedzi ze stalami lutami twardymi zawierającymi fosfor. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL

PL B1. Sposób lutowania beztopnikowego miedzi ze stalami lutami twardymi zawierającymi fosfor. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL PL 215756 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215756 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386907 (51) Int.Cl. B23K 1/20 (2006.01) B23K 1/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

PL B1. Politechnika Świętokrzyska,Kielce,PL BUP 10/08. Wojciech Depczyński,Jasło,PL Norbert Radek,Górno,PL

PL B1. Politechnika Świętokrzyska,Kielce,PL BUP 10/08. Wojciech Depczyński,Jasło,PL Norbert Radek,Górno,PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203009 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 380946 (22) Data zgłoszenia: 30.10.2006 (51) Int.Cl. C23C 26/02 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby

Bardziej szczegółowo

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203790 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366689 (51) Int.Cl. C25D 5/18 (2006.01) C25D 11/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

na stację lutowniczą z zestawem wymiennych narzędzi i akcesoriów

na stację lutowniczą z zestawem wymiennych narzędzi i akcesoriów Warszawa, dnia 3.11.2015 r. ZAPYTANIE OFERTOWE na stację lutowniczą z zestawem wymiennych narzędzi i akcesoriów Do niniejszego postępowania nie mają zastosowania przepisy ustawy Prawo zamówień publicznych.

Bardziej szczegółowo

Cu min. Fe maks. Ni maks. P min. P maks. Pb maks. Sn min. Sn maks. Zn min. Zn maks.

Cu min. Fe maks. Ni maks. P min. P maks. Pb maks. Sn min. Sn maks. Zn min. Zn maks. Taśmy z brązu Skład chemiczny Oznaczenie Skład chemiczny w % (mm) Klasyfikacja symboliczna Klasyfikacja numeryczna Norma Europejska (EN) Cu min. Fe maks. Ni maks. P min. P maks. Pb maks. Sn min. Sn maks.

Bardziej szczegółowo

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Symboliczne Numeryczne EN Cu min. Cu maks. Fe maks. Mn maks. Ni min. Ni maks. Pb maks. Sn maks. Zn min. Szacunkowe odpowiedniki międzynarodowe

Symboliczne Numeryczne EN Cu min. Cu maks. Fe maks. Mn maks. Ni min. Ni maks. Pb maks. Sn maks. Zn min. Szacunkowe odpowiedniki międzynarodowe Taśmy nowe srebro Skład chemiczny Oznaczenie Skład chemiczny w % (mm) Symboliczne Numeryczne EN Cu min. Cu maks. Fe maks. Mn maks. Ni min. Ni maks. Pb maks. Sn maks. Zn min. Inne, całkowita maks. CuNi12Zn24

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

STRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego STRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Wykresy układów równowagi faz stopowych Ilustrują skład fazowy

Bardziej szczegółowo

MATERIA Y LUTOWNICZE

MATERIA Y LUTOWNICZE MATERIA Y LUTOWNICZE W wielu dziedzinach technologie oparte na spawaniu wypierane są przez lutowanie twarde. Wymaga to od producentów lutów wytwarzania nowych rodzajów spoiw zaspakajających różnorodne

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA, Kielce, PL BUP 17/16. MAGDALENA PIASECKA, Kielce, PL WUP 04/17

PL B1. POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA, Kielce, PL BUP 17/16. MAGDALENA PIASECKA, Kielce, PL WUP 04/17 PL 225512 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225512 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 415204 (51) Int.Cl. C23C 10/28 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Technologia Sponge-Jet - Dla zdrowia ludzi i jakości powłok

Technologia Sponge-Jet - Dla zdrowia ludzi i jakości powłok Technologia Sponge-Jet - Dla zdrowia ludzi i jakości powłok A.W.Chesterton proponuje nowatorską technologię mechanicznego czyszczenia powierzchni obróbką strumieniowo-ścierną. Zapewniającą uzyskanie właściwego

Bardziej szczegółowo

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zakład Układów Elektronicznych Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego GENERATORY KWARCOWE 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

ZincTape AKTYWNE ZABEZPIECZENIA ANTYKOROZYJNE

ZincTape AKTYWNE ZABEZPIECZENIA ANTYKOROZYJNE ZincTape ZincTape została zaprojektowana do pokrywania powierzchni żelaza, stali, aluminium i metali lekkich, w celu ich ochrony przed korozją. Ochronę tę uzyskuje się poprzez nałożenie taśmy na powierzchnię,

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I. dr inż. Hanna Smoleńska

MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I. dr inż. Hanna Smoleńska MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I dr inż. Hanna Smoleńska UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Równowaga termodynamiczna pojęcie stosowane w termodynamice. Oznacza stan, w którym makroskopowe

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

C/Bizkargi, 6 Pol. Ind. Sarrikola E LARRABETZU Bizkaia - SPAIN

C/Bizkargi, 6 Pol. Ind. Sarrikola E LARRABETZU Bizkaia - SPAIN Mosiądz Skład chemiczny Oznaczenia Skład chemiczny w % (mm) EN Symboliczne Numeryczne Cu min. Cu maks. Al maks. Fe maks. Ni maks. Pb min. Pb maks. Sn maks. Zn min. Inne, całkowita maks. CuZn10 CW501L EN

Bardziej szczegółowo

TERMOFORMOWANIE OTWORÓW

TERMOFORMOWANIE OTWORÓW TERMOFORMOWANIE OTWORÓW WIERTŁA TERMOFORMUJĄCE UNIKALNA GEOMETRIA POLEROWANA POWIERZCHNIA SPECJALNY GATUNEK WĘGLIKA LEPSZE FORMOWANIE I USUWANIE MATERIAŁU LEPSZE ODPROWADZENIE CIEPŁA WIĘKSZA WYDAJNOŚĆ

Bardziej szczegółowo

Technologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG

Technologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki

Bardziej szczegółowo

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz. 9

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz. 9 Dobór materiałów konstrukcyjnych cz. 9 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne Materiały na uszczelki Ashby M.F.:

Bardziej szczegółowo

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych Kondensatory Kondensator Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych dielektrykiem, na których zgromadzone są ładunki elektryczne jednakowej wartości ale o przeciwnych znakach. Budowa Najprostsze

Bardziej szczegółowo

Spis Treści. 2.3 Dokumenty Przemysłowe Dotyczące Połączenia ASTM Stowarzyszenie Zajmujące się Wyładowaniami Elektrostatycznymi...

Spis Treści. 2.3 Dokumenty Przemysłowe Dotyczące Połączenia ASTM Stowarzyszenie Zajmujące się Wyładowaniami Elektrostatycznymi... Kwiecień 2010 IPC J-STD-001E-2010 Spis Treści 1 WIADOMOŚCI OGÓLNE... 1 1.1 Zakres... 1 1.2 Cel... 1 1.3 Klasyfikacja... 1 1.4 Jednostki Wymiarowe i Zastosowania... 1 1.4.1 Weryfikacja Wymiarów... 1 1.5

Bardziej szczegółowo

PORADNIK PROJEKTANTA PCB. Projektowanie obwodów drukowanych wielowarstwowych

PORADNIK PROJEKTANTA PCB. Projektowanie obwodów drukowanych wielowarstwowych 1 PORADNIK PROJEKTANTA PCB Projektowanie obwodów drukowanych wielowarstwowych 2 Firma Nanotech Elektronik Sp. z o.o. jest profesjonalnym dostawcą obwodów drukowanych dowolnego typu i klasy złożoności.

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x.

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x. MATERIAŁ ELWOM 25.! ELWOM 25 jest dwufazowym materiałem kompozytowym wolfram-miedź, przeznaczonym do obróbki elektroerozyjnej węglików spiekanych. Kompozyt ten jest wykonany z drobnoziarnistego proszku

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Z MATERIAŁÓW KONSTRUKCYJNYCH I EKSPLOATACYJNYCH

INSTRUKCJA DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Z MATERIAŁÓW KONSTRUKCYJNYCH I EKSPLOATACYJNYCH INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH Politechnika Śląska w Gliwicach INSTRUKCJA DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Z MATERIAŁÓW KONSTRUKCYJNYCH I EKSPLOATACYJNYCH MATERIAŁY REGENERACYJNE Opracował: Dr inż.

Bardziej szczegółowo

Statyka Cieczy i Gazów. Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał

Statyka Cieczy i Gazów. Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał Statyka Cieczy i Gazów Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał 1. Podstawowe założenia teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał: Ciała zbudowane są z cząsteczek. Pomiędzy cząsteczkami

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

Przygotowanie powierzchni do procesu klejenia MILAR

Przygotowanie powierzchni do procesu klejenia MILAR Przygotowanie powierzchni do procesu klejenia Warszawa 26.01.2016 MILAR Paweł Kowalski Wiązania tworzące spoinę uszkodzenia kohezyjne ------------------------------------------------------------------------------------

Bardziej szczegółowo

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis Nauka o Materiałach Wykład XI Właściwości cieplne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe 3. Przewodnictwo cieplne 4. Rozszerzalność

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MASZYN PRZEPŁYWOWYCH PAN, Gdańsk, PL JASIŃSKI MARIUSZ, Wągrowiec, PL GOCH MARCIN, Braniewo, PL MIZERACZYK JERZY, Rotmanka, PL

PL B1. INSTYTUT MASZYN PRZEPŁYWOWYCH PAN, Gdańsk, PL JASIŃSKI MARIUSZ, Wągrowiec, PL GOCH MARCIN, Braniewo, PL MIZERACZYK JERZY, Rotmanka, PL PL 215139 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215139 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 383703 (22) Data zgłoszenia: 06.11.2007 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY

INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY Technologia doświadczalna wbudowywania elementów rezystywnych i pojemnościowych wewnątrz płytki drukowanej POIG.01.03.01-00-031/08 OPIS PRZEPROWADZONYCH PRAC B+R W PROJEKCIE

Bardziej szczegółowo

BGA (Ball Grid Array)

BGA (Ball Grid Array) Montaż systemów elektronicznych Wykład Montaż układów BGA w technologii 2017_2018 dr inż. Barbara Dziurdzia, Katedra Elektroniki AGH 1 BGA (Ball Grid Array) Układ z matrycą wyprowadzeń kulkowych na spodzie

Bardziej szczegółowo

Złączki SMD do płytek drukowanych. Tak małe, a tak wielkie

Złączki SMD do płytek drukowanych. Tak małe, a tak wielkie Złączki SMD do płytek drukowanych Tak małe, a tak wielkie Złączki SMD do płytek drukowanych Aby w oprawach LED uzyskać równomierny strumień światła, bez załamań i cieni, wymagane jest możliwie niewielkie

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice_cz.02_elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP.ppt. Plan wykładu

Montaż w elektronice_cz.02_elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP.ppt. Plan wykładu Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr

Bardziej szczegółowo

PRACA DYPLOMOWA W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH. Tomasz Kamiński. Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE. dr inż. Leszek Nakonieczny

PRACA DYPLOMOWA W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH. Tomasz Kamiński. Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE. dr inż. Leszek Nakonieczny Politechnika Wrocławska - Wydział Mechaniczny Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji PRACA DYPLOMOWA Tomasz Kamiński Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH Promotor: dr inż. Leszek

Bardziej szczegółowo

Materiał i średnica rur do instalacji wodnej

Materiał i średnica rur do instalacji wodnej Materiał i średnica rur do instalacji wodnej Instalacja wodno-kanalizacyjna może być wykonana z wielu materiałów. Dobór odpowiedniego należy dostosować do przeznaczenia i warunków wodnych. Każdy materiał

Bardziej szczegółowo

WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH

WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH Przedmiot: Konstrukcja Urządzeń Elektronicznych Ćwiczenie nr 2 INSTRUKCJA LABORATORYJNA Temat: PROJEKTOWANIE

Bardziej szczegółowo

Właściwości kryształów

Właściwości kryształów Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne

Bardziej szczegółowo

Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.

Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja obsługi STACJA LUTOWNICZA WEP 992DA+

Instrukcja obsługi STACJA LUTOWNICZA WEP 992DA+ Instrukcja obsługi STACJA LUTOWNICZA WEP 992DA+ Ostrze enie!!! ż Przed rozpoczęciem pracy proszę usunąć śrubę bezpieczeństwa znajdującą się od spodu stacji oznaczoną czerwonym kolorem. Wkręcić śrubę ponownie

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI)

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) Metalurgia proszków jest dziedziną techniki, obejmującą metody wytwarzania proszków metali lub ich mieszanin z proszkami niemetali oraz otrzymywania wyrobów z tych proszków

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/GB02/00259 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:

(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/GB02/00259 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 201507 (21) Numer zgłoszenia: 364627 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 22.01.2002 (86) Data i numer zgłoszenia

Bardziej szczegółowo

PORADNIK. Łączenie tworzyw sztucznych w systemie CHEMOWENT

PORADNIK. Łączenie tworzyw sztucznych w systemie CHEMOWENT PORADNIK Łączenie tworzyw sztucznych w systemie CHEMOWENT www.chemowent.pl tel. 74 841 5519 1 Łączenie tworzyw sztucznych w systemie CHEMOWENT Przez zgrzewanie tworzyw sztucznych rozumiane jest nierozdzielne

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym.

Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. RYS HISTORICZNY ROZWOJU ELEKTRONIKI Elektronika

Bardziej szczegółowo

Karta Techniczna Spectral KLAR 555 Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR)

Karta Techniczna Spectral KLAR 555 Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR) Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR) H 6115 SOLV 855 PLAST 775 S-D10 EXTRA 835 EXTRA 895 PRODUKTY POWIĄZANE Lakier akrylowy SR Utwardzacz

Bardziej szczegółowo

CIEPLNE I MECHANICZNE WŁASNOŚCI CIAŁ

CIEPLNE I MECHANICZNE WŁASNOŚCI CIAŁ CIEPLNE I MECHANICZNE WŁASNOŚCI CIAŁ Ciepło i temperatura Pojemność cieplna i ciepło właściwe Ciepło przemiany Przejścia między stanami Rozszerzalność cieplna Sprężystość ciał Prawo Hooke a Mechaniczne

Bardziej szczegółowo

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ. Zmiany makroskopowe. Zmiany makroskopowe

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ. Zmiany makroskopowe. Zmiany makroskopowe WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ Zmiany makroskopowe Zmiany makroskopowe R e = R 0.2 - umowna granica plastyczności (0.2% odkształcenia trwałego); R m - wytrzymałość na rozciąganie (plastyczne); 1

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Samochodowych

Zespół Szkół Samochodowych Zespół Szkół Samochodowych Podstawy Konstrukcji Maszyn Materiały Konstrukcyjne i Eksploatacyjne Temat: OTRZYMYWANIE STOPÓW ŻELAZA Z WĘGLEM. 2016-01-24 1 1. Stopy metali. 2. Odmiany alotropowe żelaza. 3.

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA WSTĘP TEORETYCZNY Powłoki konwersyjne tworzą się na powierzchni metalu

Bardziej szczegółowo

Karta Techniczna Spectral KLAR 555 Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR)

Karta Techniczna Spectral KLAR 555 Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR) Dwuskładnikowy bezbarwny lakier akrylowy o zwiększonej odporności na zarysowanie Scratch Resistant (SR) H 6115 SOLV 855 PLAST 775 S-D10 HS-D11 EXTRA 835 EXTRA 895 PRODUKTY POWIĄZANE Lakier akrylowy SR

Bardziej szczegółowo

Zimny cynk składa się z miliardów cząsteczek tworzących szczelną powłokę, które pokrywają powierzchnię w całości (zachowuje się podobnie jak piasek). Z tego powodu pokrycie zimnego cynku jest zawsze elastyczne

Bardziej szczegółowo

Połączenia jednostek montażowych. Podstawy Technik Wytwarzania II dr inż. Marcin Słoma

Połączenia jednostek montażowych. Podstawy Technik Wytwarzania II dr inż. Marcin Słoma Połączenia jednostek montażowych Podstawy Technik Wytwarzania II dr inż. Marcin Słoma Połączenia Rozłączne Nierozłączne Bezpośrednie gwintowe, rurowe, wielokątne, plastycznie odkształcane, wielowypustowe,

Bardziej szczegółowo