Elementy i sprzężenia pasożytnicze w układach CMOS
|
|
- Aleksandra Jaworska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 PUAV Wykład 5
2 Elementy i sprzężenia pasożytnicze w układach CMOS Elementy i sprzężenia pasożytnicze - ich obecność, ich parametry, ich oddziaływania na działanie układu - nie są możliwe do oszacowania przed zaprojektowaniem topografii (z wyjątkiem tych, które są częścią składową struktur elementów czynnych). Gdy topografia jest zaprojektowana, elementy i sprzężenia pasożytnicze mogą być z mniejszą lub większą dokładnością włączone do schematu układu w procesie ekstrakcji schematu, i uwzględnione w symulacjach.
3 Elementy i sprzężenia pasożytnicze w układach CMOS Bierne elementy pasożytnicze: Pojemności Rezystancje Indukcyjności - istnieją, ale nie będą omawiane Czynne elementy pasożytnicze: Diody Tranzystory bipolarne - powinny być nieaktywne Tyrystory i zjawisko latch-up - nie powinny wystąpić Pasożytnicze tranzystory MOS - nie powinny wystąpić Sprzężenia przez podłoże Sprzężenia cieplne
4 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) Metal1 N implant Poly Active Contact cut
5 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) NMOS_channel = Active N implant Poly Metal1 N implant Poly Active Contact cut
6 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) NMOS_channel = Active N implant Poly Metal1 N implant Poly Active NMOS_S/D = Active N implant Contact cut
7 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) NMOS_channel = Active N implant Poly Metal1 N implant Poly Active Contact cut NMOS_S/D = Active N implant NMOS_S/D contact = NMOS_S/D Metal1 Contact cut
8 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) Metal1 M1_to_N_S/D capacitor = NMOS_S/D Metal1!Contact cut N implant (ten kondensator jest zwarty) NMOS_channel = Active N implant Poly Poly Active Contact cut NMOS_S/D = Active N implant NMOS_S/D contact = NMOS_S/D Metal1 Contact cut
9 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) Poly Metal1
10 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) Poly_contact = Poly Metal Contact cut Poly Metal1
11 Jak działa ekstraktor (1) Tworzenie warstw pochodnych (derived layers) Poly_contact = Poly Metal Contact cut Poly Metal1 (ten kondensator jest zwarty) M1_to_poly_capacitor = Poly Metal!Contact cut
12 Jak działa ekstraktor (2) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: tranzystory MOS i rezystancje Warstwy pochodne mają przypisane właściwości (properties) Metal1 property: obszar rezystywny, R s =0.09Ω/ Poly property: obszar rezystywny, R s =10Ω/ NMOS_channel property: MOS device, L=90nm, W=120 nm NMOS_S/D property: obszar rezystywny, R s =9Ω/ NMOS_SD_contact property: rezystancja, R=15Ω
13 Jak działa ekstraktor (2) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: tranzystory MOS i rezystancje Warstwy pochodne mają przypisane właściwości (properties) Metal1 property: obszar rezystywny, R s =0.09Ω/ Poly property: obszar rezystywny, R s =10Ω/ NMOS_S/D property: obszar rezystywny, R s =9Ω/ 1 2 NMOS_channel property: MOS device, L=90nm, W=120 nm NMOS_SD_contact property: rezystancja, R=15Ω GND M1,120/90 3 Ekstrakcja nominalna (tylko tranzystory MOS, rezystancje -> zwarcia)
14 Jak działa ekstraktor (2) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: tranzystory MOS i rezystancje Warstwy pochodne mają przypisane właściwości (properties) Metal1 property: obszar rezystywny, R s =0.09Ω/ Poly property: obszar rezystywny, R s =10Ω/ NMOS_S/D property: obszar rezystywny, R s =9Ω/ 1 2 NMOS_channel property: MOS device, L=90nm, W=120 nm NMOS_SD_contact property: rezystancja, R=15Ω 4 3 R1 = R met1 +R cont +R SD R3 = R poly 2 1 GND M1,120/90 3 Ekstrakcja nominalna (tylko tranzystory MOS, rezystancje -> zwarcia) 2 R2 = R met1 +R cont +R SD 1 GND M1,120/90 3 Ekstrakcja z elementami pasożytniczymi
15 Jak działa ekstraktor (3) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: pojemności
16 Jak działa ekstraktor (3) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: pojemności C: pojemność M1 to poly (powierzchnia: obszar wspólny)
17 Jak działa ekstraktor (3) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: pojemności C: pojemność M1 to poly (powierzchnia: obszar wspólny) R: rezystancja kontaktu gdy C pomijalne gdy R pomijalne C: pojemność M1 to poly (powierzchnia: obszar wspólny - obszar kontaktu)
18 Jak działa ekstraktor (3) Rozpoznawanie elementów i tworzenie sieci połączeń: pojemności C: pojemność M1 to poly (powierzchnia: obszar wspólny) R: rezystancja kontaktu gdy C pomijalne gdy R pomijalne C: pojemność M1 to poly (powierzchnia: obszar wspólny - obszar kontaktu) Projektant ma możliwość decyzji: które elementy pasożytnicze mają być uwzględnione, które pominięte
19 Jak działa ekstraktor (4) Jak powstaje netlista
20 Jak działa ekstraktor (4) Jak powstaje netlista 2 1 GND M1,120/90 3 Z analizy bazy danych geometrycznych warstw pierwotnych i pochodnych M GND NCH W=120E-9 L=90E-9....MODEL NCH NMOS LEVEL=14 VTO= Model tranzystora MOS dodany z PDK
21 Jak działa ekstraktor (4) Jak powstaje netlista 2 1 GND M1,120/90 3 Z analizy bazy danych geometrycznych warstw pierwotnych i pochodnych M GND NCH W=120E-9 L=90E-9....MODEL NCH NMOS LEVEL=14 VTO= Model tranzystora MOS dodany z PDK 6 5 R3 2 R1 1 GND M1,120/90 3 R2 7 M GND NCH W=120E-9 L=90E-9... R Rezystancje obliczone R przez ekstraktor R MODEL NCH NMOS LEVEL=14 VTO=
22 Jak działa ekstraktor (4) Jak powstaje netlista 2 1 GND M1,120/90 3 Z analizy bazy danych geometrycznych warstw pierwotnych i pochodnych M GND NCH W=120E-9 L=90E-9....MODEL NCH NMOS LEVEL=14 VTO= Model tranzystora MOS dodany z PDK 6 5 R3 2 R1 1 GND M1,120/90 3 R2 7 M GND NCH W=120E-9 L=90E-9... R Rezystancje obliczone R przez ekstraktor R MODEL NCH NMOS LEVEL=14 VTO= Ekstraktor oblicza przybliżone parametry elementów pasożytniczych
23 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych
24 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych Starsze technologie: wymiary pionowe małe w porównaniu z poziomymi, pojemności można traktować w przybliżeniu jako kondensatory płaskie C pomijalne
25 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych Starsze technologie: wymiary pionowe małe w porównaniu z poziomymi, pojemności można traktować w przybliżeniu jako kondensatory płaskie C pomijalne Technologie nanometrowe: wymiary poziome i pionowe porównywalne, poza tym znacznie więcej warstw metalu
26 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych Starsze technologie: wymiary pionowe małe w porównaniu z poziomymi, pojemności można traktować w przybliżeniu jako kondensatory płaskie C pomijalne Technologie nanometrowe: wymiary poziome i pionowe porównywalne, poza tym znacznie więcej warstw metalu Złożoność obliczeniowa ekstrakcji pojemności w trzech wymiarach jest bardzo duża. Ekstraktory ekstrahują pojemności bliskiego zasięgu.
27 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych Przykład ekstrakcji Pojemność lateralna Metal2 Pojemność kondensatora płaskiego Pojemności krawędziowe Podłoże Metal1 Metal2 Pojemność kondensatora płaskiego Pojemność kondensatora płaskiego
28 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pojemności w technologiach nanometrowych Przykład ekstrakcji Pojemność lateralna Metal2 Pojemność kondensatora płaskiego Pojemności krawędziowe Podłoże Metal1 Metal2 Pojemność kondensatora płaskiego Pojemność kondensatora płaskiego W technologiach nanometrowych pojemności krawędziowe mogą być porównywalne z pojemnościami płaskimi
29 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka poli typu n Tlenek bramkowy Wyspa typu n S Tlenek polowy Tranzystor npn Struktura npnp Tranzystor pnp Tranzystory pnp podłożowe
30 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka poli typu n Tlenek bramkowy Wyspa typu n S Tlenek polowy Tranzystor npn Struktura npnp Tranzystor pnp Tranzystory pnp podłożowe Ekstrakcja wszystkich pasożytniczych struktur npn i pnp nie ma sensu, byłoby ich bardzo dużo, a w normalnych warunkach żadna z nich nie działa jak tranzystor bipolarny
31 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych; markery
32 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych; markery Struktura pnp lub npn, która ma być wyekstrahowana jako tranzystor bipolarny, może być zaznaczona na specjalnej warstwie pomocniczej ( marker layer ).
33 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych; markery Struktura pnp lub npn, która ma być wyekstrahowana jako tranzystor bipolarny, może być zaznaczona na specjalnej warstwie pomocniczej ( marker layer ).
34 Ekstrakcja: przypadki szczególne Ekstrakcja tranzystorów bipolarnych; markery Struktura pnp lub npn, która ma być wyekstrahowana jako tranzystor bipolarny, może być zaznaczona na specjalnej warstwie pomocniczej ( marker layer ). Takie markery służą też do innych celów: zaznaczenie obszarów, w których nie należy dokonywać ekstrakcji zaznaczenie cewek indukcyjnych po DRC - pokazanie naruszeń reguł projektowania
35 Ekstrakcja: przypadki szczególne Elementy pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Jeśli w modelu tranzystora MOS uwzględniane są złącza pn źródeł i drenów, ekstrakcja może dać wynik fałszywy
36 Ekstrakcja: przypadki szczególne Elementy pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Jeśli w modelu tranzystora MOS uwzględniane są złącza pn źródeł i drenów, ekstrakcja może dać wynik fałszywy MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 D2 G2 S2 D1 G1 MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 Dwa tranzystory połączone szeregowo śceżką metalu, diody źródeł i drenów uwzględnione w modelach tranzystorów - OK S1
37 Ekstrakcja: przypadki szczególne Elementy pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Jeśli w modelu tranzystora MOS uwzględniane są złącza pn źródeł i drenów, ekstrakcja może dać wynik fałszywy MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 D2 G2 S2 D1 G1 S1 D2 G2 S2 i D1 G1 S1 MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 Dwa tranzystory połączone szeregowo śceżką metalu, diody źródeł i drenów uwzględnione w modelach tranzystorów - OK Dwa tranzystory połączone szeregowo, ze wspólnym obszarem źródła/drenu: zapis taki jak wyżej spowodowałby przeszacowanie pojemności i prądu wstecznego obszaru wspólnego tranzystorów
38 Ekstrakcja: przypadki szczególne Elementy pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Jeśli w modelu tranzystora MOS uwzględniane są złącza pn źródeł i drenów, ekstrakcja może dać wynik fałszywy MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 D2 G2 S2 D1 G1 S1 D2 G2 S2 i D1 G1 S1 MN Nchan W=325E-9 L=65E-9 +PD=1040E-9 AD=6.34E-14 Dwa tranzystory połączone szeregowo śceżką metalu, diody źródeł i drenów uwzględnione w modelach tranzystorów - OK Dwa tranzystory połączone szeregowo, ze wspólnym obszarem źródła/drenu: zapis taki jak wyżej spowodowałby przeszacowanie pojemności i prądu wstecznego obszaru wspólnego tranzystorów Bezpieczniej jest ekstrahować jako tranzystory same kanały, a diody źródeł i drenów jako odrębne elementy pasożytnicze
39 Ekstrakcja: przypadki szczególne Tranzystory MOS jako komórki parametryzowalne ( p-cells ) Tranzystory MOS mogą być projektowane przy użyciu komórek parametryzowalnych; po podaniu parametrów (W, L, ew. inne) struktura tranzystora jest generowana przez program
40 Ekstrakcja: przypadki szczególne Tranzystory MOS jako komórki parametryzowalne ( p-cells ) Tranzystory MOS mogą być projektowane przy użyciu komórek parametryzowalnych; po podaniu parametrów (W, L, ew. inne) struktura tranzystora jest generowana przez program Taki tranzystor ma przypisany pełny model dla ekstraktora, z uwzględnieniem elementów pasożytniczych
41 Ekstrakcja: przypadki szczególne Tranzystory MOS jako komórki parametryzowalne ( p-cells ) Tranzystory MOS mogą być projektowane przy użyciu komórek parametryzowalnych; po podaniu parametrów (W, L, ew. inne) struktura tranzystora jest generowana przez program Taki tranzystor ma przypisany pełny model dla ekstraktora, z uwzględnieniem elementów pasożytniczych p-cell: zawiera pełny model, tranzystor + elementy pasożytnicze; ekstraktor nie powinien ich odrębnie ekstrahować
42 Ekstrakcja: przypadki szczególne Tranzystory MOS jako komórki parametryzowalne ( p-cells ) Tranzystory MOS mogą być projektowane przy użyciu komórek parametryzowalnych; po podaniu parametrów (W, L, ew. inne) struktura tranzystora jest generowana przez program Taki tranzystor ma przypisany pełny model dla ekstraktora, z uwzględnieniem elementów pasożytniczych p-cell: zawiera pełny model, tranzystor + elementy pasożytnicze; ekstraktor nie powinien ich odrębnie ekstrahować Ekstrakcja R, C tylko na zewnątrz
43 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale
44 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale
45 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować
46 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować Co można zrobić:
47 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować Co można zrobić: Pozostawić te pojemności w netliście
48 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować Co można zrobić: Pozostawić te pojemności w netliście Wyekstrahować wraz z ich pojemnościami do podłoża
49 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować Co można zrobić: Pozostawić te pojemności w netliście Wyekstrahować wraz z ich pojemnościami do podłoża Usunąć z netlisty
50 Ekstrakcja: przypadki szczególne Pływające węzły elektryczne Nigdzie nie podłączone obszary przewodzące mogą być wyekstrahowane jako pojemności z jednym węzłem o pływającym potencjale Metal1 Nigdzie nie podłączona ścieżka metalu 2 Węzeł o pływającym potencjale Układy z takimi węzłami nie dają się symulować Co można zrobić: Pozostawić te pojemności w netliście Wyekstrahować wraz z ich pojemnościami do podłoża Usunąć z netlisty Zewrzeć do masy (ew. przez dużą rezystancję)
51 Ekstrakcja: przypadki szczególne Źródło pływających węzłów W nowszych technologiach wymagane jest zachowanie pewnej minimalnej gęstości figur geometrycznych na maskach, dlatego w obszarach pustych dodaje się wypełniacze ( dummy fills )
52 Pojemności pasożytnicze Pojemności między warstwami metalizacji C = ε 0ε diel d diel A + C kraw. εdiel - przenikalność względna dielektryka (niekoniecznie SiO2) A - powierzchnia wspólna dwóch obszarów metalu Ckraw - pojemność krawędziowa, trudna do obliczenia, dla ścieżki nad obszarem o dużej powierzchni (np. podłoże) proporcjonalna do długości ścieżki Pojemność między warstwami metalizacji może być także wykorzystana jako pojemność odsprzęgająca Obszary metalu mogą też być użyte jako ekrany elektrostatyczne
53 Pojemności pasożytnicze Pojemności pasożytnicze związane z kondensatorami metal 2 metal 1 kondensator MIM pojemność pasożytnicza podłoże
54 Pojemności pasożytnicze Pojemności pasożytnicze związane z kondensatorami metal 2 metal 1 kondensator MIM pojemność pasożytnicza podłoże Pojemność pasożytnicza może być porównywalna z pojemnością kondensatora. Jeśli warstw metalu jest wiele, korzystne jest lokowanie kondesatora na warstwach najdalszych od podłoża W niektórych technologiach producenci dostarczają biblioteczne, parametryzowalne struktury kondensatorów MIM
55 Pojemności pasożytnicze
56 Pojemności pasożytnicze Pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS: Ważna jest zwykle pojemność związana z drenem, pojemność źródła mniej istotna lub całkiem bez znaczenia, gdy źródło zwarte z masą -> należy minimalizować powierzchnię drenu
57 Pojemności pasożytnicze Pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS: Ważna jest zwykle pojemność związana z drenem, pojemność źródła mniej istotna lub całkiem bez znaczenia, gdy źródło zwarte z masą -> należy minimalizować powierzchnię drenu Pojemności odsprzęgające: pożyteczne, służą do zmniejszania efektu przenikania zakłóceń przez wspólne zasilanie, ale efektywne tylko dla wielkich częstotliwości VDD A B VSS
58 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane z tranzystorami MOS
59 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Należy minimalizować rezystancje zarówno drenów, jak i źródeł
60 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Należy minimalizować rezystancje zarówno drenów, jak i źródeł Dobrze Źle Jeszcze gorzej
61 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje i pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Tranzystor o bardzo dużym stosunku W/L: konstrukcja grzebieniowa dla uniknięcia bardzo długiego paska polikrzemu bramki
62 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje i pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Tranzystor o bardzo dużym stosunku W/L: konstrukcja grzebieniowa dla uniknięcia bardzo długiego paska polikrzemu bramki Dren: mniejsza suma powierzchni złącz Źródło
63 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje i pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS
64 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje i pojemności pasożytnicze związane z tranzystorami MOS Tranzystor o bardzo dużym stosunku W/L z bramkami łączonymi szeregowo: poszczególne kanały włączają się po kolei
65 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane ze ścieżkami
66 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane ze ścieżkami Rezystancje warstwowe ścieżek metalu są rzędu 0.01 Ω/, zależą od materiału (Al, Cu) i grubości ścieżki.
67 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane ze ścieżkami Rezystancje warstwowe ścieżek metalu są rzędu 0.01 Ω/, zależą od materiału (Al, Cu) i grubości ścieżki. Rezystancje kontaktów i via są znaczne, od kilku do kilkudziesięciu Ω. Są odwrotnie proporcjonalne do powierzchni kontaktów.
68 Rezystancje pasożytnicze Rezystancje pasożytnicze związane ze ścieżkami Rezystancje warstwowe ścieżek metalu są rzędu 0.01 Ω/, zależą od materiału (Al, Cu) i grubości ścieżki. Rezystancje kontaktów i via są znaczne, od kilku do kilkudziesięciu Ω. Są odwrotnie proporcjonalne do powierzchni kontaktów. Wszędzie, gdzie to możliwe, warto stosować więcej niż jeden kontakt/via. Połączenia ścieżek obciążonych prądem o znacznym natężeniu wykonuje się stosując matryce via: metal 2 metal 1
69 Rezystancje pasożytnicze Rezystancja ścieżek masy i zasilania
70 Rezystancje pasożytnicze Rezystancja ścieżek masy i zasilania Ścieżka o L/W = 100 i rezystancji warstwowej 0.01 Ω/ ma całkowitą rezystancję równą 1 Ω. Prąd o natężeniu 1 A powoduje spadek napięcia równy 1 V, porównywalny z napięciem zasilania układu!
71 Rezystancje pasożytnicze Rezystancja ścieżek masy i zasilania Ścieżka o L/W = 100 i rezystancji warstwowej 0.01 Ω/ ma całkowitą rezystancję równą 1 Ω. Prąd o natężeniu 1 A powoduje spadek napięcia równy 1 V, porównywalny z napięciem zasilania układu! Sprzężenia przez wspólne zasilanie: zmienny w czasie pobór prądu przez blok A wywołuje zmiany w czasie napięcia V, które zasila również blok B. A V B VDD VSS
72 Rezystancje pasożytnicze Rezystancja ścieżek masy i zasilania Ścieżka o L/W = 100 i rezystancji warstwowej 0.01 Ω/ ma całkowitą rezystancję równą 1 Ω. Prąd o natężeniu 1 A powoduje spadek napięcia równy 1 V, porównywalny z napięciem zasilania układu! Sprzężenia przez wspólne zasilanie: zmienny w czasie pobór prądu przez blok A wywołuje zmiany w czasie napięcia V, które zasila również blok B. A V B VDD VSS Należy unikać wspólnych ścieżek masy i zasilania dla wielu bloków. Ścieżki powinny łączyć się dopiero przy polu montażowym; w dużych układach stosuje się wiele wyprowadzeń masy i zasilania
73 Rezystancje pasożytnicze Wpływ rezystancji i pojemności pasożytniczych ścieżek na transmisję sygnałów
74 Rezystancje pasożytnicze Wpływ rezystancji i pojemności pasożytniczych ścieżek na transmisję sygnałów Ścieżkę można w przybliżeniu traktować jako układ RC o stałej czasowej równej: τ 0.38RC, gdzie R i C są pasożytniczą rezystancją i pojemnością ścieżki.
75 Rezystancje pasożytnicze Wpływ rezystancji i pojemności pasożytniczych ścieżek na transmisję sygnałów Ścieżkę można w przybliżeniu traktować jako układ RC o stałej czasowej równej: τ 0.38RC, gdzie R i C są pasożytniczą rezystancją i pojemnością ścieżki. Ta stała czasowa nie zależy od szerokości ścieżki i rośnie z kwadratem jej długości: τ 0.38R S L W C S LW = 0.38R S C S L2 gdzie Rs jest rezystancją warstwową ścieżki, Cs jej pojemnością na jednostkę powierzchni
76 Ekstrakcja: za dużo elementów
77 Ekstrakcja: za dużo elementów Ekstrakcja wszystkiego (tranzystory MOS, wszystkie diody, rezystancje wszystkich warstw przewodzących, wszystkie pojemności) daje w wyniku ogromną liczbę elementów. Przykład:
78 Ekstrakcja: za dużo elementów Ekstrakcja wszystkiego (tranzystory MOS, wszystkie diody, rezystancje wszystkich warstw przewodzących, wszystkie pojemności) daje w wyniku ogromną liczbę elementów. Przykład: Tranzystory NMOS: 6 Tranzystory PMOS: 3 Diody: 29 Pojemności: 69 Rezystancje: 1064
79 Ekstrakcja: za dużo elementów Ekstrakcja wszystkiego (tranzystory MOS, wszystkie diody, rezystancje wszystkich warstw przewodzących, wszystkie pojemności) daje w wyniku ogromną liczbę elementów. Przykład: Tranzystory NMOS: 6 Tranzystory PMOS: 3 Diody: 29 Pojemności: 69 Rezystancje: 1064 Konieczne dokonanie świadomego wyboru klas elementów do ekstrakcji
80 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty
81 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady):
82 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje
83 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności
84 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone
85 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy
86 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy rezystancje, pojemności i indukcyjności
87 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy rezystancje, pojemności i indukcyjności i wiele innych
88 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy rezystancje, pojemności i indukcyjności i wiele innych Wybór sposobu ekstrakcji (przykłady):
89 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy rezystancje, pojemności i indukcyjności i wiele innych Wybór sposobu ekstrakcji (przykłady): rezystory: RC o stałych rozłożonych
90 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Wybór rodzaju ekstrakcji (przykłady): tylko rezystancje tylko pojemności rezystancje i pojemności sprzężone rezystancje i pojemności odsprzężone do masy rezystancje, pojemności i indukcyjności i wiele innych Wybór sposobu ekstrakcji (przykłady): rezystory: RC o stałych rozłożonych rezystory: RC o stałych skupionych
91 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty
92 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady):
93 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe
94 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe
95 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności
96 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów
97 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych
98 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych Redukcja sieci po eliminacji części elementów:
99 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych Redukcja sieci po eliminacji części elementów: łączenie szeregowych rezystancji
100 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych Redukcja sieci po eliminacji części elementów: łączenie szeregowych rezystancji łączenie równoległych rezystancji
101 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych Redukcja sieci po eliminacji części elementów: łączenie szeregowych rezystancji łączenie równoległych rezystancji łączenie szeregowych pojemności
102 Ekstrakcja: za dużo elementów Redukcja netlisty Eliminacja zbędnych elementów (przykłady): bardzo małe rezystancje szeregowe bardzo duże rezystancje równoległe bardzo małe pojemności pojemności do pływających węzłów i wiele innych Redukcja sieci po eliminacji części elementów: łączenie szeregowych rezystancji łączenie równoległych rezystancji łączenie szeregowych pojemności łączenie równoległych pojemności
103 Ekstrakcja: wnioski
104 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych
105 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych Ekstraktor wie bardzo niewiele o rzeczywistej trójwymiarowej strukturze układu
106 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych Ekstraktor wie bardzo niewiele o rzeczywistej trójwymiarowej strukturze układu Ekstraktor nie wykonuje symulacji elementów aktywnych
107 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych Ekstraktor wie bardzo niewiele o rzeczywistej trójwymiarowej strukturze układu Ekstraktor nie wykonuje symulacji elementów aktywnych Pojemności i rezystancje są obliczane na podstawie danych geometrycznych, na ogół w sposób uproszczony
108 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych Ekstraktor wie bardzo niewiele o rzeczywistej trójwymiarowej strukturze układu Ekstraktor nie wykonuje symulacji elementów aktywnych Pojemności i rezystancje są obliczane na podstawie danych geometrycznych, na ogół w sposób uproszczony Ekstrakcja niektórych klas elementów wymaga znajomości intencji projektanta, pomocą służą markery
109 Ekstrakcja: wnioski Ekstrakcja polega na wykonaniu operacji logicznych i geometrycznych na obiektach dwuwymiarowych Ekstraktor wie bardzo niewiele o rzeczywistej trójwymiarowej strukturze układu Ekstraktor nie wykonuje symulacji elementów aktywnych Pojemności i rezystancje są obliczane na podstawie danych geometrycznych, na ogół w sposób uproszczony Ekstrakcja niektórych klas elementów wymaga znajomości intencji projektanta, pomocą służą markery Ekstrakcja nie jest automatyczna, wymaga rozumienia działania układu i jego elementów, aby wybrać właściwe opcje
110 Rezystancje pasożytnicze Maksymalna dopuszczalna gęstość prądu w ścieżkach Zjawisko elektromigracji ogranicza maksymalną dopuszczalną gęstość prądu w ścieżkach. Nie jest to sprawdzane przez ekstraktory! Przykład dla technologii 90 nm, ścieżki miedziane: Layer I DC (ma) I peak (ma) no. 105 C 125 C 105 C 125 C M1 3*(W-0.02) 0.75*(W-0.02) 15 * I DC 60 * I DC M2 4*(W-0.02) 1*(W-0.02) 7.5 * I DC 30 * I DC M3 4*(W-0.02) 1*(W-0.02) 7.5 * I DC 30 * I DC M4 4*(W-0.02) 1*(W-0.02) 7.5 * I DC 30 * I DC M5 4*(W-0.02) 1*(W-0.02) 7.5 * I DC 30 * I DC M6 10*(W-0.02) 2.5*(W-0.02) 5 * I DC 20 * I DC M7 10*(W-0.02) 2.5*(W-0.02) 5 * I DC 20 * I DC W - szerokość ścieżki w µm
111 Pasożytnicze sprzężenia przez podłoże A B VSS
112 Pasożytnicze sprzężenia przez podłoże A B VSS W stanie ustalonym prąd przez podłoże nie płynie, natomiast gdy zmienia się napięcie na drenie A lewego tranzystora, to przez podłoże przepływa prąd ładowania lub rozładowywania pojemności złącza pn tego drenu. Spadek napięcia na rezystancji podłoża powoduje zmianę napięcia polaryzacji podłoża B prawego tranzystora
113 Pasożytnicze sprzężenia przez podłoże A B VSS W stanie ustalonym prąd przez podłoże nie płynie, natomiast gdy zmienia się napięcie na drenie A lewego tranzystora, to przez podłoże przepływa prąd ładowania lub rozładowywania pojemności złącza pn tego drenu. Spadek napięcia na rezystancji podłoża powoduje zmianę napięcia polaryzacji podłoża B prawego tranzystora A VSS B VSS Gęste uziemianie podłoża minimalizuje to zjawisko. Stosuje się niekiedy pierścienie ochronne - pierścienie kontaktów wokół źródła zakłócenia i wokół wrażliwej części układu
114 Sprzężenia cieplne Jeżeli w układzie występują znaczące źródła ciepła (elementy, w których wydziela się duża moc), mogą wystąpić sprzężenia elektryczno-cieplne. Zmiany wydzielanej mocy wpływają na zmiany temperatury innych elementów, co zmienia ich parametry. Te sprzężenia będą omawiane w dalszej części wykładu.
Tranzystory bipolarne w układach CMOS
PUAV Wykład 4 Tranzystory bipolarne w układach CMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka
Bardziej szczegółowoWzmacniacze prądu stałego
PUAV Wykład 13 Wzmacniacze prądu stałego Idea Problem: wzmacniacz prądu stałego (lub sygnałów o bardzo małej częstotliwości, rzędu ułamków Hz) zrealizowany konwencjonalnie wprowadza błąd wynikający z wejściowego
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoOgólny schemat inwertera MOS
Ogólny schemat inwertera MOS Obciążenie V i V o Sterowanie Rodzaje cyfrowych układów scalonych MOS Układy cyfrowe MOS PMOS NMOS MOS BiMOS z obciążeniem zubożanym z obciążeniem wzbogacanym statyczne dynamiczne
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTechnologia CMOS APSC
Technologia CMOS Maski procesu CMOS n-well Maska NTUB FOX P-substrate N-well Maska TOX FOX P-substrate N-well Maski procesu CMOS n-well c. d. 1 Maska POLY1 FOX P-substrate N-well Maska NPLUS (pozytyw)
Bardziej szczegółowoTechnologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji
Technologia BiCMOS Statystyka procesów produkcji 1 Technologia BiCMOS 2 Technologia CMOS i BiCMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M2 (Cu) M3 (Cu) M1 (Cu) S Poli typu n D M1 (Cu) D Poli typu p S M1 (Cu)
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoPo co układy analogowe?
PUAV Wykład 1 Po co układy analogowe? Układy akwizycji danych Przykład: układy odczytu czujników promieniowania + yskryminator 1 bit Przetwornik A/C m bitów Przetwornik T/C n bitów Wzmacniacz napięciowy
Bardziej szczegółowoZaznacz właściwą odpowiedź
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 20/202 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź Zad. Dany jest obwód przedstawiony
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowo11.Zasady projektowania komórek standardowych
LABORATORIUM PODSTAW MIKROELEKTRONIKI 39 11.Zasady projektowania komórek standardowych 11.1.Projektowanie komórek standardowych Formę komórki standardowej powinny mieć wszystkie projekty od inwertera do
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoStopnie wzmacniające
PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230058 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 422007 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 24.06.2017
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI
LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI 1. PRZEBIEG ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Nauka edytora topografii MAGIC na przykładzie inwertera NOT w technologii CMOS Powiązanie topografii
Bardziej szczegółowoLaboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW
Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoRóżnicowe układy cyfrowe CMOS
1 Różnicowe układy cyfrowe CMOS Różnicowe układy cyfrowe CMOS 2 CVSL (Cascode Voltage Switch Logic) Różne nazwy: CVSL - Cascode Voltage Switch Logic DVSL - Differential Cascode Voltage Switch Logic 1 Cascode
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie
Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoWstęp do analizy układów mikroelektronicznych
Wstęp do analizy układów mikroelektronicznych Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechnika Łódzka 2015 Komputerowe projektowanie układów 1 Koszty układów mikroelektronicznych Niemal
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoLogiczne układy bistabilne przerzutniki.
Przerzutniki spełniają rolę elementów pamięciowych: -przy pewnej kombinacji stanów na pewnych wejściach, niezależnie od stanów innych wejść, stany wyjściowe oraz nie ulegają zmianie; -przy innej określonej
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny
Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Prąd elektryczny
Bardziej szczegółowoPamięci RAM i ROM. R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd. 2007
Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd. 2007 Tranzystor MOS z długim kanałem kwadratowa aproksymacja charakterystyk 2 W triodowym, gdy W zakresie
Bardziej szczegółowoZabezpieczenie akumulatora Li-Poly
Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly rev. 2, 02.02.2011 Adam Pyka Wrocław 2011 1 Wstęp Akumulatory litowo-polimerowe (Li-Po) ze względu na korzystny stosunek pojemności do masy, mały współczynnik samorozładowania
Bardziej szczegółowoMateriały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej
Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej 1. Siła Coulomba. F q q = k r 1 = 1 4πεε 0 q q r 1. Pole elektrostatyczne. To przestrzeń, w której na ładunek
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny
Podstawy fizyki sezon 2 3. Prąd elektryczny Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Prąd elektryczny
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoUkłady scalone. wstęp układy hybrydowe
Układy scalone wstęp układy hybrydowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoDielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych
Dielektryki Dielektryk- ciało gazowe, ciekłe lub stałe niebędące przewodnikiem prądu elektrycznego (ładunki elektryczne wchodzące w skład każdego ciała są w dielektryku związane ze sobą) Jeżeli do dielektryka
Bardziej szczegółowoXLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D
KOOF Szczecin: www.of.szc.pl XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D Źródło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Fizyka w Szkole Nr 1, 1998 Autor: Nazwa zadania: Działy:
Bardziej szczegółowoOśrodek Egzaminowania Technik mechatronik
Ośrodek Egzaminowania Technik mechatronik Wykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych Nr ćwiczenia 1. Temat Badanie odpowiedzi skokowej członów elektrycznych 2. Badanie pneumatycznej
Bardziej szczegółowoWykaz symboli, oznaczeń i skrótów
Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoPodstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU
Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoTemat: Analiza pracy transformatora: stan jałowy, obciążenia i zwarcia.
Temat: Analiza pracy transformatora: stan jałowy, obciążenia i zwarcia. Transformator może się znajdować w jednym z trzech charakterystycznych stanów pracy: a) stanie jałowym b) stanie obciążenia c) stanie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoWyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI
Wydział EAIiE LABORATORIUM PROJEKTOWANIA UKŁADÓW VLSI Temat projektu OŚMIOWEJŚCIOWA KOMÓRKA UKŁADU PAL Z ZASTOSOWANIEM NA PRZYKŁADZIE MULTIPLEKSERA Autorzy Tomasz Radziszewski Zdzisław Rapacz Rok akademicki
Bardziej szczegółowoKarta katalogowa V E3XB. Moduł wejść/wyjść Snap. 18 (podzielone na dwie grupy) Typ wejść
Karta katalogowa V200-18-E3XB Moduł wejść/wyjść Snap Specyfikacja techniczna Wejścia cyfrowe Liczba wejść 18 (podzielone na dwie grupy) Typ wejść Tranzystorowe typu pnp (źródło) lub npn (dren) Nominalne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ TEORIA OBWODÓW ELEKTRYCZNYCH LABORATORIUM Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa Grupa nr:. Zespół nr:. Skład
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe
Elementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe Cel ćwiczenia. Nabycie umiejętności posługiwania się miernikami uniwersalnymi, oscyloskopem, generatorem, zasilaczem, itp. Nabycie umiejętności rozpoznawania
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoPomiar indukcyjności.
Pomiar indukcyjności.. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru indukcyjności, ich wadami i zaletami, wynikającymi z nich błędami pomiarowymi, oraz umiejętnością ich właściwego
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04
Bardziej szczegółowoWykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała
Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoWykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych
Centrum Kształcenia Zawodowego 2000 Wykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych Nr ćwiczenia Temat Wiadomości i umiejętności wymagane do realizacji ćwiczenia na pracowni 1 Badanie
Bardziej szczegółowoTechnologia CMOS. współczesne technologie CMOS tranzystor MOS komponenty pasywne dodatkowe zagadnienia topografia układów scalonych
Technologia CMOS współczesne technologie CMOS tranzystor MOS komponenty pasywne dodatkowe zagadnienia topografia układów scalonych Współczesne technologie CMOS Przykład współczesnego procesu CMOS Oprócz
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 1 Pomiar wielkości elektrycznych z wykorzystaniem instrumentów NI ELVIS II
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 03.03.2015, 10.03.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 15 Temat: Zasada superpozycji, twierdzenia Thevenina i Nortona Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 15 Temat: Zasada superpozycji, twierdzenia Thevenina i Nortona Cel ćwiczenia Sprawdzenie zasady superpozycji. Sprawdzenie twierdzenia Thevenina. Sprawdzenie twierdzenia Nortona. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoŹródła i zwierciadła prądowe
PUAV Wykład 6 Źródła i zwierciadła prądowe Źródła i zwierciadła prądowe Źródło prądowe: element lub układ, który wymusza w jakiejś gałęzi prąd o określonej wartości Źródła i zwierciadła prądowe Źródło
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowo2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia
2.3. Bierne elementy regulacyjne 2.3.1. rezystory, Rezystory spełniają w laboratorium funkcje regulacyjne oraz dysypacyjne (rozpraszają energię obciążenia) Parametry rezystorów. Rezystancja znamionowa
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowoFalownik FP 400. IT - Informacja Techniczna
Falownik FP 400 IT - Informacja Techniczna IT - Informacja Techniczna: Falownik FP 400 Strona 2 z 6 A - PRZEZNACZENIE WYROBU Falownik FP 400 przeznaczony jest do wytwarzania przemiennego napięcia 230V
Bardziej szczegółowoPL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności
PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
UNIERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY BYDGOSZCZY YDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆICZENIE: E3 BADANIE ŁAŚCIOŚCI
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.
PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowo