Różnicowe układy cyfrowe CMOS

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Różnicowe układy cyfrowe CMOS"

Transkrypt

1 1 Różnicowe układy cyfrowe CMOS Różnicowe układy cyfrowe CMOS 2 CVSL (Cascode Voltage Switch Logic) Różne nazwy: CVSL - Cascode Voltage Switch Logic DVSL - Differential Cascode Voltage Switch Logic 1

2 Cascode Voltage Switch Logic (CVSL) 3 Schemat blokowy bramki CVSL R.J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition", 3 ed. Wiley-IEEE, 2010 CVSL wykorzystuje pojedyncze tranzystory pmos w układzie z przerzutnikowym sprzężeniem zwrotnym. Z dwóch bloków logicznych z nmos FETami jeden realizuje funkcję logiczną, a drugi jej zaprzeczenie. Pozwala to czasami przyśpieszyć działanie układu dlatego, że w każdej gałęzi jest tylko jeden pmos FET, i dlatego, że działa dodatnie sprzężenie zwrotne. Kiedy jeden z bloków logicznych N jest przełączany do stanu przewodzącego, przez odpowiadający mu pmos FET może płynąć znaczny prąd, co prowadzi do zwiększonego poboru mocy w stosunku do logiki AOI CMOS. W stanie ustalonym prąd nie płynie, układ nie pobiera mocy. Konieczne doprowadzenie każdego sygnału wejściowego i jego zaprzeczenia. Przykładowa bramka CVSL 4 Przykład trójwejściowej bramki w technice CVSL. 2

3 Bramki XOR / XNOR w technice CVSL 5 Rozwiązanie dwuwejściowych bramek XOR / XNOR w technice CVSL. Rozwiązanie trójwejściowych bramek XOR / XNOR w technice CVSL, użyteczne w konstrukcji sumatora. Różnicowe układy cyfrowe CMOS 6 DSL (Differential Split-Level Logic) 3

4 Differential Split-Level Logic (DSL logic) 7 Schemat blokowy bramki DSL DSL wykorzystuje ograniczenie zakresu zmian napięcia wyjściowego w przykładzie do VDD/2 dla przyśpieszenia działania. Konieczne napięcie odniesienia V ref. Wada przepływ prądu w stanie ustalonym, w tej gałęzi, której napięcie wyjściowe wynosi VDD/2. Statyczne bramki CMOS z trójstanowymi wyjściami 8 Bufor trójstanowy Kiedy stan wejścia Enable jest wysoki, bramki NAND i NOR przenoszą zanegowany stan A (VDD lub masa) do bramek tranzystorów Ml i M2. Układ złożony z Ml i M2 działa jako inwerter. Na wyjściu (Out) pojawia się stan A. Kiedy stan wejścia Enable jest niski, bramka Ml jest dołączona do potencjału masy, a bramka M2 do VDD. Ml i M2 są więc w stanach odcięcia. Mówimy, że są w stanach wysokiej impedancji, inaczej Hi-Z. 4

5 Statyczne bramki CMOS z trójstanowymi wyjściami 9 Trójstanowy bufor odwracający Układy dynamiczne CMOS 10 Stosuje się je w celu: zmniejszenia złożoności, zwiększenia szybkości działania, zmniejszenia poboru mocy w stosunku do układów statycznych. 5

6 Bramka przejściowa i węzeł pamięciowy 11 PG pass gate bramka przejściowa C s impuls zegarowy Bramka logiczna ma pewną pojemność wejściową C s związaną z tranzystorami wejściowymi i ze ścieżkami metalicznymi. Układy dynamiczne wykorzystują ładunek zgromadzony w C s dla pamiętania przez pewien czas stanu logicznego reprezentowanego przez napięcie na C S. Kiedy stan wejścia zegarowego PG jest wysoki, to poziom logiczny wejścia, czyli punktu A, jest przenoszony na wejście inwertera, do punktu B. Dla A = "0" wejście inwertera jest zwarte do masy, natomiast dla A = "1" wejście inwertera ma potencjał VDD - V Tn względem masy. Kiedy stan wejścia zegarowego PG jest niski, to bramka PG jest zamknięta i w punkcie B, na wejściu inwertera jest pamiętany stan logiczny. Wartość logiczna jest pamiętana tak długo, jak długo utrzymuje się ładunek w pojemności wejściowej inwertera. Przerzutnik dynamiczny czuły na poziom. 12 C s R.J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition", 3 ed. Wiley-IEEE, 2010 Zmiany ładunku w węźle pamięciowym, a konsekwencji potencjału tego węzła, spowodowane są prądem upływu złącza pn dren-podłoże tranzystora PG i prowadzą do utraty zapamiętanej informacji. W układach z tranzystorami o długości kanałów rzędu kilkudziesięciu nanometrów i mniejszych dodatkową przyczyną upływu jest prąd podprogowy tranzystora oraz prąd tunelowy bramki. C s 6

7 Upływ ładunku przy wykorzystaniu bramki transmisyjnej (TG) jako klucza. 13 C s C s Przy użyciu bramki transmisyjnej jako klucza zmiany ładunku w pojemności wejściowej następują wskutek prądu upływu diody dren-wyspa tranzystora pmos lub prądu drenpodłoże tranzystora nmos. Jeśli prądy te są bliskie co do bezwzględnej wartości, to niemal kompensują się i zmiany ładunku w węźle pamięciowym są wolne. Generacja nieprzekrywających się sygnałów zegarowych dla układów dynamicznych 14 Ciąg układów PG/inwerter tworzy dynamiczny rejestr przesuwny. R.J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition", 3 ed. Wiley- IEEE, 2010 Przy wysokim Φ1 aktywne są stopnie pierwszy i trzeci. Dane są przekazywane z wejścia do punktu A0 oraz z punktu A1 do A2.Przy wysokim stanie Φ1 stanie i niskim Φ2 dane nie mogą być przekazywane z A0 do A1 i z A2 do A3. Przy niskim Φ1, a wysokim Φ2 dane są przekazywane z A0 do A1 i z A2 do A3. Jeśli jednak równocześnie stany Φ1 i Φ2 byłyby wysokie, to wejście miałoby połączenie z wyjściem, a tego chcemy uniknąć w rejestrze przesuwnym. Zastosowanie inwerterów służy odtworzeniu poziomów logicznych, podobnie jak są one odtwarzane w przypadku niewielkich zakłóceń. Warunkiem poprawnej pracy rejestru jest nieprzekrywanie się sygnałów zegara: Φ1 AND Φ2 = 0 7

8 Generacja nieprzekrywających się sygnałów zegarowych dla układów dynamicznych 15 NAND1 X NAND2 Y Używany przerzutnik zawiera elementy opóźniające, a wartość opóźnienia Δ jest sumą opóźnień bramki NAND i ciągu inwerterów dołączonych do jej wyjścia. Narastający od zera impuls zegarowy powoduje opadanie potencjału w punkcie X. Sprzężenie zwrotne z punktu X do wejścia NAND2 powoduje, że potencjał Y może narastać dopiero z opóźnieniem Δ po opadnięciu potencjału w punkcie X. Można zwiększyć opóźnienie przez zastosowanie większej ilości inwerterów lub innych układów opóźniających. Taktowany dynamiczny przerzutnik master-slave 16 Master Slave Przy niskim stanie sygnału zegarowego Φ1 tranzystory M2 i M3 przewodzą i bramka master działa jako inwerter stanu wejścia D zapisując odwrócony stan D w pojemności C N1 dołączonej do wyjścia N1. Tranzystory M6 i M7 nie przewodzą bramka slave jest w stanie wyskiej impedancji i pojemność C Q dołączona do wyjścia Q pamięta poprzedni stan. Przy wysokim stanie sygnału zegarowego Φ1 tranzystory M2 i M3 nie przewodzą i pojemność C N1 pamięta stan zapisany w fazie niskiej wartości Φ1. Tranzystory M6 i M7 przewodzą bramka slave działa jako inwerter stanu wejścia N1 zapisując odpowiedni stan w pojemności C Q. R.J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition", 3 ed. Wiley-IEEE, 2010 Sygnały zegarowe mogą być generowane przez zwykły przerzutnik RS. Nie jest wymagana długa zwłoka Δ. (A clocked CMOS latch. The clock signals can be generated with an RS latch so that the edges occur essentially at the same moment in time.) 8

9 Niewielka złożoność konstrukcyjna układów dynamicznych 17 Master Slave Dynamiczny przerzutnik D master-slave 8 tranzystorów. R.J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition", 3 ed. Wiley-IEEE, 2010 Konstrukcja AOI zawierająca stosunkowo niewiele tranzystorów statycznego przerzutnika D master-slave z bramkami transmisyjnymi, 16 tranzystorów. Układy cyfrowe PE (Precharge Evaluate) 18 F = A0 A1 A2 Konstrukcja PE trójwejściowej bramki NAND Wykonywanie operacji logicznych przebiega w dwóch fazach. W fazie pierwszej "precharge" stan Φ1 jest niski- pojemność C out, dołączona do wyjścia "Out", jest ładowana do wysokiego stanu, to jest do napięcia VDD, przez przewodzący pmos FET M5. nmos FET M1 jest odcięty, co zapobiega rozładowywaniu C out. W fazie drugiej "evaluate" stan Φ1 jest wysoki. pmos FET M5 jest odcięty, a nmos FET M1 przewodzi, co pozwala wykonać zaprojektowane działanie logiczne na zmiennych wejściowych A0...An. Jeśli na wyjściu, w wyniku, ma być stan niski, to C out jest rozładowywana przez tranzystory z kanałami n. Jesli ma być stan wysoki, to nmos FETy nie rozładowują C out bo są odcięte. Wada - poprawny wynik w postaci stanu niskiego pojawia się na wyjściu tylko w jednej części cyklu zegarowego Φ1. Wada - stan wysoki na wyjściu na jest pamiętany tylko do chwili gdy C out rozładuje się wskutek prądów upływu. 9

10 Model tranzystora MOS dla bardzo zgrubnego szacowania czasu przełączania nmos FET Model W zakresie nasycenia, gdy V GS > V Tn 19 R n I Dsat W KPn L V DS > V GS V Tn > 0 V ( V V ) GS 2 2 Tn Przyjmujemy, że klucz jest zwarty gdy na bramce tranzystora jest stan wysoki. Rezystancję włączonego tranzystora bardzo zgrubnie przybliżamy jako: R n L KP W n ( V V ) DD Tn Pojemność dołączoną do drenu bardzo zgrubnie przybliżamy jako: C C + C + C D gdzie: GDn connect in β = μ C n n ox W W = KPn L L ε 2ε SiO 0 Cox = tox Ten model jest bardzo niedokładny. Obliczone czasy przełączania wymagają weryfikacji przy pomocy symulacji. C GDn pojemność GD przełączanego tranzystora, C connect pojemność związana z połączeniem następnego stopnia, C in pojemność wejściowa następnego stopnia. Przykładowa bramka dynamiczna precharge-evaluate 20 Przykładowa funkcja logiczna: F = A1 + A2 + A3 A4 Bramka dynamiczna PE Bramka statyczna AOI realizująca tę samą funkcję Bramka dynamiczna wykorzystuje mniej tranzystorów, tylko nmos FETy + nmos FET evaluate + pmos FET precharge. Uwaga: układ wymaga zegara Φ1. Nie jest więc pewne, że cały układ zrealizowany jako dynamiczny PE będzie miał mniej tranzystorów niż zrealizowany jako statyczny AOI. - Sprawdź zanim zatwierdzisz konstrukcję. 10

11 A Glitch problem of Precharge-Evaluate Logic Gates 21 Domino Logic free of a glitch problem 22 11

12 Domino Logic free of a glitch problem 23 NP Logic (Zipper Logic) free of a glitch problem 24 12

Projekt Układów Logicznych

Projekt Układów Logicznych Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.

Bardziej szczegółowo

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (21) Numer zgłoszenia: 320932 (22) Data zgłoszenia: 03.07.1997 (19) PL (11) 183356 (13) B1 (51 ) IntCl7 H02J 1/04 H03K

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI

LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI 1. PRZEBIEG ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Nauka edytora topografii MAGIC na przykładzie inwertera NOT w technologii CMOS Powiązanie topografii

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

11.Zasady projektowania komórek standardowych

11.Zasady projektowania komórek standardowych LABORATORIUM PODSTAW MIKROELEKTRONIKI 39 11.Zasady projektowania komórek standardowych 11.1.Projektowanie komórek standardowych Formę komórki standardowej powinny mieć wszystkie projekty od inwertera do

Bardziej szczegółowo

Temat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne.

Temat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne. Temat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne. 1. Pamięci są układami służącymi do przechowywania informacji w postaci ciągu słów bitowych. Wykonuje się jako układy o bardzo dużym stopniu scalenia w

Bardziej szczegółowo

Proste układy sekwencyjne

Proste układy sekwencyjne Proste układy sekwencyjne Układy sekwencyjne to takie w których niektóre wejścia są sterowany przez wyjściaukładu( zawierają sprzężenie zwrotne ). Układy sekwencyjne muszą zawierać elementy pamiętające

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly rev. 2, 02.02.2011 Adam Pyka Wrocław 2011 1 Wstęp Akumulatory litowo-polimerowe (Li-Po) ze względu na korzystny stosunek pojemności do masy, mały współczynnik samorozładowania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Modelowanie diod półprzewodnikowych Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Automatyki. Wykład 13 - Układy bramkowe. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Podstawy Automatyki. Wykład 13 - Układy bramkowe. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki Wykład 13 - Układy bramkowe Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Układy z elementów logicznych Bramki logiczne Elementami logicznymi (bramkami logicznymi) są urządzenia o dwustanowym sygnale wyjściowym

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium

Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium Projektowania Układów Elektronicznych CAD Laboratorium ĆWICZENIE NR 3 Temat: Symulacja układów cyfrowych. Ćwiczenie demonstruje podstawowe zasady analizy układów cyfrowych przy wykorzystaniu programu PSpice.

Bardziej szczegółowo

BRAMKI. Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA

BRAMKI. Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Konspekt do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu TECHNIKA CYFROWA SPIS TREŚCI 1. SYMBOLE PODSTAWOWYCH BRAMEK, ICH TABELE PRAWDY ORAZ WŁASNOŚCI... 4 1.1. Opis podstawowych własności bramek logicznych...4

Bardziej szczegółowo

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Organizacja laboratorium. Zadania do wykonania w czasie laboratorium z części PSPICE

Organizacja laboratorium. Zadania do wykonania w czasie laboratorium z części PSPICE Organizacja laboratorium W czasie laboratorium należy wykonać 9 ćwiczeń, po 3 z części PSPICE, Verilog oraz VHDL. Ćwiczenia punktowane są odpowiednio po 5, 5, 6 (PSPICE), 5, 6, 6 (Verilog) oraz 5, 6, 6

Bardziej szczegółowo

Katalog skrócony układów logicznych CMOS serii 4000

Katalog skrócony układów logicznych CMOS serii 4000 Katalog skrócony układów logicznych CMOS serii 4000 4000 Dwie 3 wejściowe bramki NOR oraz inwerter Czas propagacji: 25ns, 60ns przy 5V Łączny pobór prądu: 0,3mA przy 5V, 0,6mA Częstotliwość danych: 1MHz

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

Sterowniki Programowalne (SP)

Sterowniki Programowalne (SP) Sterowniki Programowalne (SP) Wybrane aspekty procesu tworzenia oprogramowania dla sterownika PLC Podstawy języka funkcjonalnych schematów blokowych (FBD) Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA LICZNIKI I REJESTRY. Rev.1.1

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA LICZNIKI I REJESTRY. Rev.1.1 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA LICZNIKI I REJESTRY Rev.1.1 1. Cel ćwiczenia Praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu projektowania układów kombinacyjnych oraz arytmetycznych 2. Projekty Przy

Bardziej szczegółowo

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Andrzej Kuś Aleksander Matusz Prowadzący: dr inż. Adam Stadler Układy cyfrowe przetwarzają

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Część 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe

Część 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Część 4 Zmiana wartości napięcia stałego Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Bloki wyjściowe systemów fotowoltaicznych Systemy nie wymagające znaczącego podwyższania napięcia wyjście DC

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI. Jakub Kaźmierczak. 2.1 Sekwencyjne układy pamiętające

LABORATORIUM ELEKTRONIKI. Jakub Kaźmierczak. 2.1 Sekwencyjne układy pamiętające 2 Cyfrowe układy sekwencyjne Cel ćwiczenia LABORATORIUM ELEKTRONIKI Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z cyfrowymi elementami pamiętającymi, budową i zasada działania podstawowych przerzutników oraz liczników

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA:

TEST KONKURSOWY CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: CZAS TESTU 40 MIN ILOŚĆ MAKSYMALNA PUNKTÓW 20 INSTRUKCJA: TEST KONKURSOWY 1. Do arkusza testu dołączona jest KARTA ODPOWIEDZI, na której wpisz swoje imię i nazwisko, nazwę szkoły i miasto. 2. Test zawiera

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa WZMACNIACZ OPEACYJNY kłady aktywne ze wzmacniaczami operacyjnymi... Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych odzaj wzmacniacza ezystancja wejściowa ezystancja wyjściowa Bipolarny FET MOS-FET Idealny

Bardziej szczegółowo

Symulacje inwertera CMOS

Symulacje inwertera CMOS Rozdział: Przygotowanie środowiska Symulacje inwertera CMOS * punktu opcjonalne 1 Przygotowanie środowiska 1. Uruchom komputer w systemie Linux (opensuse)*. 2. Otwórz konsole wykonując następujące kroki*

Bardziej szczegółowo

Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach

Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach 0-- Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach Semestr zimowy 0/0, WIEiK-PK Porty wejścia-wyjścia Input/Output ports Podstawowy układ peryferyjny port wejścia-wyjścia do

Bardziej szczegółowo

SWB - Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne - wykład 1 asz 1. Plan wykładu

SWB - Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne - wykład 1 asz 1. Plan wykładu SWB - Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne - wykład 1 asz 1 Plan wykładu 1. Wprowadzenie, funkcje boolowskie i bramki logiczne, 2. Minimalizacja funkcji boolowskich, 3. Kombinacyjne bloki

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Lista tematów na kolokwium z wykładu z Techniki Cyfrowej w roku ak. 2013/2014

Lista tematów na kolokwium z wykładu z Techniki Cyfrowej w roku ak. 2013/2014 Lista tematów na kolokwium z wykładu z Techniki Cyfrowej w roku ak. 2013/2014 Temat 1. Algebra Boole a i bramki 1). Podać przykład dowolnego prawa lub tożsamości, które jest spełnione w algebrze Boole

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Techniki Cyfrowej... Układy kombinacyjne

Wstęp do Techniki Cyfrowej... Układy kombinacyjne Wstęp do Techniki Cyfrowej... Układy kombinacyjne Przypomnienie Stan wejść układu kombinacyjnego jednoznacznie określa stan wyjść. Poszczególne wyjścia określane są przez funkcje boolowskie zmiennych wejściowych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

1.Podstawytechnikicyfrowej

1.Podstawytechnikicyfrowej Materiały do wykładu 1.Podstawytechnikicyfrowej Marcin Peczarski Instytut Informatyki Uniwersytet Warszawski 15 lutego 2013 Sygnał 1.1 analogowy dyskretny ciągły w czasie dyskretny w czasie Sygnał binarny(dwójkowy)

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE UKŁADÓW FUNKCJI LOGICZNYCH (SYMULACJA)

z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE UKŁADÓW FUNKCJI LOGICZNYCH (SYMULACJA) Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej Sprawozdanie PRCOWNI ELEKTRCZN I ELEKTRONICZN imię i nazwisko z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: DNIE UKŁDÓW FUNKCJI LOGICZNCH (SMULCJ) rok szkolny klasa grupa

Bardziej szczegółowo

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN ]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2 ib UIN "]lh Bipolarny cyfrowy układ saalony TTL-S pełni «nkej 4-bitowego aadajniks/odbiornika ssyay danyoh syste»> nu mikroprocesorowego wykorsystująeego jednostkę oentrslną MCY 788QN. Wszystkie wejścia

Bardziej szczegółowo

Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych

Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Automatyzacja i robotyzacja procesów produkcyjnych Instrukcja laboratoryjna Technika cyfrowa Opracował: mgr inż. Krzysztof Bodzek Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z zapisem liczb

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,

Bardziej szczegółowo

Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2

Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2 Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2 Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 5.0, 10/10/2015 Generacje układów scalonych Stopień scalenia Liczba elementów aktywnych Zastosowania

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

HC541 8-bitowy bufor jednokierunkowy HC245 8-bitowy bufor dwukierunkowy HC244 dwa 4-bitowe bufory jednokierunkowe

HC541 8-bitowy bufor jednokierunkowy HC245 8-bitowy bufor dwukierunkowy HC244 dwa 4-bitowe bufory jednokierunkowe Bufory (BUFFER) Bufory stosuje się po to by: - zwiększyć obciążalność magistrali - chronić układ wysokiej skali integracji - sterować przepływem danych HC541 8-bitowy bufor jednokierunkowy HC245 8-bitowy

Bardziej szczegółowo

Sterownik momentu obrotowego silnika prądu stałego

Sterownik momentu obrotowego silnika prądu stałego Politechnika Wrocławska Projekt Sterownik momentu obrotowego silnika prądu stałego Autorzy: Paweł Bogner Marcin Dmochowski Prowadzący: mgr inż. Jan Kędzierski 30.04.2012 r. 1 Opis ogólny Celem projektu

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

Temat: Scalone przerzutniki monostabilne

Temat: Scalone przerzutniki monostabilne Temat: Scalone przerzutniki monostabilne 1. Przerzutniki monostabilne mają jeden stan stabilny (stan równowagi trwałej). Jest to stan, w którym przerzutnik może przebywać dowolnie długo, aż do ingerencji

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

A B. 12. Uprość funkcję F(abc) = (a + a'b + c + c')a

A B. 12. Uprość funkcję F(abc) = (a + a'b + c + c')a Lp. Pytania 1. Jaką liczbę otrzymamy w wyniku konwersji z systemu szesnastkowego liczby 81AF (16) na system binarny? 2. Zapisz tabelę działania opisującą bramkę logiczną, której symbol graficzny przedstawia

Bardziej szczegółowo

Literatura. adów w cyfrowych. Projektowanie układ. Technika cyfrowa. Technika cyfrowa. Bramki logiczne i przerzutniki.

Literatura. adów w cyfrowych. Projektowanie układ. Technika cyfrowa. Technika cyfrowa. Bramki logiczne i przerzutniki. Literatura 1. D. Gajski, Principles of Digital Design, Prentice- Hall, 1997 2. C. Zieliński, Podstawy projektowania układów cyfrowych, PWN, Warszawa 2003 3. G. de Micheli, Synteza i optymalizacja układów

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Architektura przetworników A/C. Adam Drózd

Architektura przetworników A/C. Adam Drózd Architektura przetworników A/C Adam Drózd Rozdział 1 Architektura przetworników A/C Rozwój techniki cyfrowej spowodował opacownie wielu zasad działania i praktycznych rozwiązań przetworników analogowo

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Otwarty układ regulacji

Rys. 1 Otwarty układ regulacji Automatyka zajmuje się sterowaniem, czyli celowym oddziaływaniem na obiekt, w taki sposób, aby uzyskać jego pożądane właściwości. Sterowanie często nazywa się regulacją. y zd wartość zadana u sygnał sterujący

Bardziej szczegółowo

Podstawy techniki mikroprocesorowej dla elektroenergetyków

Podstawy techniki mikroprocesorowej dla elektroenergetyków Podstawy techniki mikroprocesorowej dla elektroenergetyków Dane kanału 1 Dane kanału 2 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 Multipleksacja Zwielokrotnienie czasowe Dane kanałów szczelina szczelina szczelina

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Rok akademicki: 2014/2015 Kod: IIN-1-205-s Punkty ECTS: 2. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: -

Rok akademicki: 2014/2015 Kod: IIN-1-205-s Punkty ECTS: 2. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: - Nazwa modułu: Podstawy elektroniki Rok akademicki: 2014/2015 Kod: IIN-1-205-s Punkty ECTS: 2 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Informatyka Specjalność: - Poziom studiów: Studia

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Technologia CMOS. współczesne technologie CMOS tranzystor MOS komponenty pasywne dodatkowe zagadnienia topografia układów scalonych

Technologia CMOS. współczesne technologie CMOS tranzystor MOS komponenty pasywne dodatkowe zagadnienia topografia układów scalonych Technologia CMOS współczesne technologie CMOS tranzystor MOS komponenty pasywne dodatkowe zagadnienia topografia układów scalonych Współczesne technologie CMOS Przykład współczesnego procesu CMOS Oprócz

Bardziej szczegółowo

Kodowanie stanów automatów sekwencyjnych ukierunkowane na minimalizację mocy

Kodowanie stanów automatów sekwencyjnych ukierunkowane na minimalizację mocy POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ AUTOMATYKI ELEKTRONIKI I INFORMATYKI INSTYTUT ELEKTRONIKI Rozprawa doktorska Kodowanie stanów automatów sekwencyjnych ukierunkowane na minimalizację mocy Krzysztof Kajstura

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI PRZERZUTNIKI

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI PRZERZUTNIKI LABORATORIUM PODSTAWY ELETRONII PRZERZUTNII el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i zasada działania przerzutników synchronicznych jak i asynchronicznych. Poznanie przerzutników asynchronicznych odniesione

Bardziej szczegółowo

JAK MATEMATYKA SŁUŻY ELEKTRONICE BRAMKI LOGICZNE

JAK MATEMATYKA SŁUŻY ELEKTRONICE BRAMKI LOGICZNE SZKOŁA PODSTAWOWA NR 109 IM. KORNELA MAKUSZYŃSKIEGO W KRAKOWIE UL. MACKIEWICZA 15; 31-214 KRAKÓW; TEL.12 415 27 59 sp109krakow.w.w.interia.pl ; e-mail: sp109krakow@wp.pl Krakowskie Młodzieżowe Towarzystwo

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS KTEDR ELEKTRONIKI GH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS RE. 2.1 Laboratorium Elementów Elektronicznych: TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS 1. CEL ĆWICZENI - zapoznanie się z działaniem

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 1 Temat: PRZYRZĄDY POMIAROWE Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

Sekwencyjne bloki funkcjonalne

Sekwencyjne bloki funkcjonalne ekwencyjne bloki funkcjonalne Układy sekwencyjne bloki funkcjonalne 2/28 ejestry - układy do przechowywania informacji, charakteryzujące się róŝnymi metodami jej zapisu lub odczytu a) b) we wy we... we

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET 1. Zagadnienia do przygotowania -

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 6

Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

E228a. Sterownik interpolujący 3D do sterowania ruchem przestrzennym z komputera PC przez port szeregowy RS232C. 1. Opis.

E228a. Sterownik interpolujący 3D do sterowania ruchem przestrzennym z komputera PC przez port szeregowy RS232C. 1. Opis. ü Sterowanie CNC do trzech osi frezarką lub ploterem grawerującym NC. ü Współpraca z typowymi sterownikami / driverami silników krokowych lub serwosilników poszczególnych osi ü Port szeregowy RS232 do

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T

Tranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T Tranzystor bipolarny: częstotliwość graniczna f T Zakres małych prądów: dominacja wpływu pojemności warstw zubożonych f T qi C ( + ) 2π kt C C je jc Zakres dużych prądów: dominacja wpływu czasu przelotu

Bardziej szczegółowo

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej Designator Part Type Description AM2 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V zasilanie logiki AM3 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V ujemne zasilanie drivera U23 Przetwornica DC/DC 12V/5V

Bardziej szczegółowo

JAZZ OPLC JZ20-R10 i JZ20-R16

JAZZ OPLC JZ20-R10 i JZ20-R16 Karta katalogowa JAZZ OPLC i W dokumencie znajduje się specyfikacja Unitronics Jazz Micro-OPLC oraz. Dodatkowe informacje znajdują się na płycie instalacyjnej CD Unitronics i w bibliotece technicznej na

Bardziej szczegółowo

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C) Wydział EAIiIB Laboratorium Katedra Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 4. Funktory TTL cz.2 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:

Bardziej szczegółowo

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik

AC/DC. Jedno połówkowy, jednofazowy prostownik AC/DC Przekształtniki AC/DC można podzielić na kilka typów, mianowicie: prostowniki niesterowane; prostowniki sterowane. Zależnie od stopnia skomplikowania układu i miejsca przyłączenia do sieci elektroenergetycznej

Bardziej szczegółowo

Zestaw 1 1. Rodzaje ruchu punktu materialnego i metody ich opisu. 2. Mikrokontrolery architektura, zastosowania. 3. Silniki krokowe budowa, zasada działania, sterowanie pracą. Zestaw 2 1. Na czym polega

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW

Ćwiczenie 3p. Pomiar parametrów dynamicznych i statycznych diod szybkich OPTYMALIZACJA PARAMETRÓW PRZEKSZTAŁTNIKÓW Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na:

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na: Układy zasilające Ryszard J. Barczyński, 2010 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasilacz Zasilacz urządzenie, służące do

Bardziej szczegółowo

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego PRZYRZĄDY POMIAROWE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Przyrządy pomiarowe Ogólny podział: mierniki, rejestratory, detektory, charakterografy.

Bardziej szczegółowo

KURS Cyfrowe systemy asynchroniczne (1)

KURS Cyfrowe systemy asynchroniczne (1) Cyfrowe systemy asynchroniczne () Większość współcześnie projektowanych systemów cyfrowych opiera się na dwóch zasadniczych: wszystkie sygnały są binarne oraz czas ma naturę dyskretną określoną przez kolejne

Bardziej szczegółowo

DTR PICIO v1.0. 1. Przeznaczenie. 2. Gabaryty. 3. Układ złącz

DTR PICIO v1.0. 1. Przeznaczenie. 2. Gabaryty. 3. Układ złącz DTR PICIO v1.0 1. Przeznaczenie Moduł PICIO jest uniwersalnym modułem 8 wejść cyfrowych, 8 wyjść cyfrowych i 8 wejść analogowych. Głównym elementem modułu jest procesor PIC18F4680. Izolowane galwanicznie

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie pamięci Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się studentów z budową i zasadą działania scalonych liczników asynchronicznych

Bardziej szczegółowo

2. PORTY WEJŚCIA/WYJŚCIA (I/O)

2. PORTY WEJŚCIA/WYJŚCIA (I/O) 2. PORTY WEJŚCIA/WYJŚCIA (I/O) 2.1 WPROWADZENIE Porty I/O mogą pracować w kilku trybach: - przesyłanie cyfrowych danych wejściowych i wyjściowych a także dla wybrane wyprowadzenia: - generacja przerwania

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice

Bardziej szczegółowo