Fizyczne podstawy działania kamery CCD Nobel z fizyki 2009
|
|
- Iwona Leśniak
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Fizyczne podstawy działania kamery CCD Nobel z fizyki 2009 maj 2012 Tło historyczne Historia matrycy CCD (akronim od charge-coupled device) sięga 8 października 1969 roku i rozpoczyna w dość szczególnym miejscu, Bell Labs, centrum badawczym i wdrożeniowym firmy Alcatel - Lucent. Ośrodek ów chlubi się rekordową ilością jedenastu laureatów Nagrody Nobla wśród swoich pracowników i takimi odkryciami jak tranzystor, ogniwo fotowoltaiczne, laser, fotokomórka, telekomunikacja satelitarna, procesor optyczny, stereofoniczny zapis dźwięku, a także system UNIX i języki C i C++. Dwóch pracowników wydziału urządzeń półprzewodnikowych, George W. Smith i Willard S. Boyle zostało postawionych przed nieprzyjemnym ultimatum. O ile naukowcy nie odkryją półprzewodnikowego urządzenia mogącego konkurować z rozwijaną wówczas pamięcią magnetyczną (magnetic bubbles), środki finansowe dla ich wydziału zostaną ograniczone i przyznane departamentowi, który rozwijał pamięci magnetyczne. Postawieni pod ścianą, naukowcy w czasie zaledwie jednej, trwającej nie dłużej niż godzinę sesji stworzyli szkic działania i wdrożenia projektu CCD. Realizacja także potrwała krótko, w trakcie tygodnia zostały stworzone i przetestowane pierwsze urządzenia, składające się z 8 pikseli ułożonych się w jeden rząd. Po 40 latach od wynalezienia, CCD zostało nagrodzone Nagrodą Nobla w dziedzinie fizyki (2009 rok), a matryce CCD są w powszechnym użytku. Półprzewodniki podstawa CCD Półprzewodniki to materiały powszechnie używane do produkcji elementów elektronicznych. Są to substancje o budowie najczęściej krystalicznej, których przewodnictwo właściwe przyjmuje wartości niższe niż w metalach (przewodnikach elektrycznych), a większe niż w dielektrykach. Różnica między dielektrykami a półprzewodnikami zależy od szerokości pasma wzbronionego, w metalach tej przerwy nie ma (rys. 1). Rysunek 1
2 Do półprzewodników zalicza się pierwiastki z IV grupy układu okresowego. Mają one po 4 elektrony walencyjne, z których każdy tworzy wiązanie kowalencyjne z sąsiednim. W stanie podstawowym wszystkie elektrony są związane i nie ma wolnych nośników (rys. 2). Są to tak zwane półprzewodniki samoistne. Pod wpływem ogrzania lub oświetlenia możliwe jest wzbudzenie i uwolnienie elektronu z sieci. Elektron, który zaabsorbuje kwant promieniowania elektromagnetycznego, może przejść ze stanu podstawowego do pasma przewodnictwa. Taki proces nazywamy generacją pary elektron-dziura, bo w miejscu uwolnionego elektronu pozostaje puste miejsce zwane dziurą. Po pewnym czasie, zwanym czasem życia nośnika τ, elektron wraca do stanu podstawowego, emitując kwant promieniowania. Proces ten nazywa się rekombinacją promienistą. Tak, jak elektron może przesuwać się w polu elektrycznym jako ujemny ładunek elektryczny, tak samo dziura jest dodatnim nośnikiem ładunku. W obecności pola elektrycznego sąsiedni elektron zapełnia miejsce dziury, zostawiając po sobie nową dziurę. W ten sposób dziura przemieszcza się w kierunku przeciwnym niż elektron, przenosząc dodatni ładunek. Drugi typ półprzewodników nazywamy domieszkowymi. Rozróżniamy dwa rodzaje domieszek (czyli obcych atomów w sieci krystalicznej): donorową i akceptorową. Kiedy do sieci krystalicznej pierwiastka z grupy IV dodamy atomy pierwiastka z grupy V (fosfor, arsen, antymon, bizmut), powstaje półprzewodnik typu n (negative). Każdy atom domieszki ma 5 elektronów walencyjnych, z których tylko 4 są związane z pozostałymi (rys. 3). Wolny elektron może łatwo przejść do pasma przewodnictwa, jonizując dodatnio atom domieszki zwanej donorową. W modelu pasmowym przewodnika atomy domieszki znajdują się na poziomie Rysunek 3 donorowym, który mieści się w pobliżu dna pasma przewodnictwa (rys. 4). W temperaturze pokojowej prawie wszystkie atomy domieszkowe są zjonizowane. To oznacza, że wszystkie elektrony przeszły z poziomów donorowych do pasma przewodnictwa. Elektrony są nośnikami większościowymi, bo ich liczba w paśmie przewodnictwa jest znacznie większa niż dziur paśmie podstawowym. Rysunek 5 Rysunek 2 Rysunek 4 Półprzewodnik typu p (positive) powstaje, gdy domieszką będzie pierwiastek z III grupy układu okresowego (gal, ind, bor, glin). Atom domieszki tworzy 3 wiązania z sąsiednimi (rys. 5). Do wypełnienia czwartego wiązania brakuje jednego elektronu i zostaje on uzupełniony poprzez zabranie elektronu z innego wiązania, w którym powstaje nowa dziura. Atom domieszki, zwanej akceptorem, jonizuje się ujemnie (poprzez uzyskanie nadliczbowego elektronu), co powoduje lokalną polaryzację kryształu. Elektron, który tworzy brakujące wiązanie przechodzi na szczyt pasma podstawowego, do pasma zwanego
3 akceptorowym (rys. 6). W temperaturze pokojowej wszystkie poziomy akceptorowe są zapełnione elektronami z pasma podstawowego. W związku z tym liczba dziur w paśmie podstawowym jest znacznie większa niż elektronów w paśmie przewodnictwa, czyli dziury są nośnikami większościowymi, a elektrony mniejszościowymi. Z punktu widzenia CCD największe znaczenie ma krzem, który jest pierwiastkiem z IV grupy układu okresowego i może być domieszkowany zarówno donorowo, jak i akceptorowo. Krzem występuje w postaci amorficznej i krystalicznej o strukturze regularnej ściennie centrowanej, ta właśnie forma znajduje szerokie zastosowanie w budowie elementów elektronicznych. Jego tlenek opisany wzorem SiO 2 ma z kolei właściwości dielektryczne, co także jest wykorzystane w opisanych niżej przyrządach. Rysunek 6 Złącze p n Złączem p-n nazywa się zetknięte półprzewodniki typu p i n. Jeśli znajduje się w stanie równowagi termodynamicznej, nie ma zewnętrznego pola elektrycznego, w pobliżu styku swobodne nośniki większościowe przemieszczają się, jest to tak zwany prąd dyfuzyjny. Gdy elektrony przemieszczają się do obszaru p, a dziury do n, dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. W związku z tym zachodzi redukcja nośników po obu stronach złącza, w wyniku czego w okolicy styku pozostają jedynie odsłonięte jony domieszek ujemnych akceptorów i dodatnich donorów (rys. 7). Obszar n ładuje się dodatnio, a obszar p ujemnie. Pole elektryczne wytworzone przez te jony zapobiega dalszej dyfuzji. W pobliżu złącza powstaje warstwa ładunku przestrzennego, zwana też warstwą zubożoną (nieposiadającą wolnych nośników) lub zaporową. Kationy po stronie n hamują przepływ dziur z obszaru p, a aniony po stronie n hamują odwrotny przepływ. Pole elektryczne ładunku przestrzennego reprezentuje napięcie dyfuzyjne, które zależy głównie od koncentracji domieszek i temperatury. Dla krzemu napięcie to wynosi ok. 0,6-0,8 V. Do złącza p-n można dołączyć zewnętrzne napięcie na dwa sposoby. O polaryzacji w kierunku przewodzenia mówimy, gdy dodatni biegun źródła napięcia jest przytknięty do obszaru p, polaryzacja w kierunku zaporowym to odwrotne podłączenie źródła. Polaryzacja w kierunku przewodzenia: Rysunek 7 Bariera potencjału zmniejsza się o wartość zewnętrznego napięcia U, zmniejsza się także szerokość obszaru ładunku przestrzennego. Jeśli wartość U będzie większa niż napięcie dyfuzyjne, obszar zaporowy zniknie i rozpocznie się dyfuzja nośników. Tym razem nie ustanie jak w przypadku złącza niespolaryzowanego, bo ze źródła napływają wciąż nowe nośniki większościowe. W obwodzie płynie prąd dyfuzyjny. Polaryzacja w kierunku zaporowym: Zewnętrzne napięcie U podwyższa barierę potencjału i poszerza obszar zubożony.
4 Przez złącze płynie tylko niewielki prąd unoszenia, zwany prądem wstecznym, którego wartość zależy od temperatury i właściwości substancji. Jest to prąd nośników mniejszościowych (przeciwny niż w złączu spolaryzowanym w kierunku przewodzenia czy niespolaryzowanym do czasu wytworzenia bariery wówczas płynie prąd nośników większościowych). Jeśli zewnętrzne napięcie jest wystarczająco duże, nośniki uzyskują dużą energię i w wyniku kolejnych zderzeń uwalniają elektrony z sieci, które wybijają kolejne elektrony i tak dalej. Proces nazywamy przebiciem lawinowym ze względu na jego charakter. Jego efektem jest wzrost prądu w obwodzie, jest to tak zwany prąd lawinowy. CCD jako pamięć budowa i zasada działania Budowa i działanie podstawowego elementu matrycy CCD bazuje na tym, że początkowo miała to być nowa pamięć, konkurująca ze wspomnianymi już magnetic bubbles. Komórka CCD składa się z kondensatora MOS (metal-oxidesemiconductor, rys. 8). Jak można wywnioskować z Rysunek 8 rozwinięcia skrótu, w owym kondensatorze jedną okładką jest płytka metalu, a drugą płytka krzemowa (półprzewodnik typu p). Oddzielone są warstwą tlenku krzemu SiO 2. Do płytki metalowej przykładane jest dodatnie napięcie, pod wpływem którego na drugiej okładce tworzy się warstwa zubożona w nośniki, tak zwana studnia potencjału. Po zatrzymaniu ładunku w warstwie zubożonej jednej komórki, do sąsiedniej przykładane jest większe napięcie. Elektrony przemieszczają się do głębszej studni potencjału w drugiem elemencie i pozostają w nim. Dzięki zmianom napięcia możliwe jest przesuwanie ładunku (czyli zapamiętanej informacji) w warstwach zubożonych. Taką pamięć nazywamy rejestrem przesuwnym. Przekazywanie ładunku między kolejnymi kondensatorami jest sterowane sygnałem taktującym zegara. Czujniki światłoczułe W chwili obecnej stosowane są dwa typy czujników CCD. Jednym jest kondensator MOS, stosowany w pamięciach CCD, drugim fotodioda. Fotodioda jest krzemową strukturą p-n Rysunek 9 spolaryzowaną zaporowo. W warstwie n powstaje studnia potencjału (rys. 9). Jeśli dioda zostanie oświetlona, padające promieniowanie wywoła tworzenie się par elektron-dziura w warstwie zubożonej. Podczas gdy dziury rekombinują w podłożu typu n, elektrony zbierają się w studni potencjału. Ich ładunek jest proporcjonalny do natężenia oświetlenia, dzięki czemu informacja zostaje zachowana.
5 Kondensator MOS różni się od używanego w pamięciach tym, że wierzchnia płytka jest wykonana z polikrystalicznego, przepuszczającego światło krzemu (rys. 10). Działanie jest analogiczne do fotodiody. Rysunek 10 Matryca składa się z komórek światłoczułych rozdzielonych materiałami izolującymi, a także z zespołów obwodów elektrycznych magazynujących i odprowadzających ładunek do rejestru przesuwnego lub do drenu nadmiarowego. Dren nadmiarowy to miejsce, w które odprowadzany jest nadmiar ładunku generowany pod wpływem zbyt dużego natężenia światła. Skąd się biorą te ładunki, czyli efekt fotoelektryczny Opisując promieniowanie ciała doskonale czarnego, Planck wysnuł teorię, zgodnie z którą każdy atom można opisać jako oscylator wysyłający promieniowanie elektromagnetyczne. Zgodnie z tą tezą energia nie może przyjmować dowolnych wartości, lecz jest skwantowana i opisać ją można jako pewną wielokrotność iloczynu stałej Plancka i częstotliwości drgań, czyli E=nhν. Opis Plancka jednak zakłada, że źródła wysyłają promieniowanie w sposób nieciągły, ale w przestrzeni rozchodzi się ono jako fale elektromagnetyczne. Einstein także założył, że światło rozchodzi się w przestrzeni w sposób nieciągły, w postaci skończonych kwantów, które nazwał fotonami i przypisał im tę samą wartość, co Planck. Jeżeli światło jako wiązka takich cząstek padnie na metalową płytkę, może spowodować wybicie z niej elektronów, co zaobserwujemy np. jako przepływ prądu pod warunkiem zamknięcia obwodu. To zjawisko nazywamy efektem fotoelektrycznym, które jest podstawą działania matryc CCD (generowanie ładunku pod wpływem padającego światła). Energia fotonu hν zamieniana jest na energię kinetyczną wybitego elektronu. Jednak czy każde promieniowanie wywołuje efekt fotoelektryczny i czy cała energia fotonu zamieniana jest na energię kinetyczną? Każdy metal charakteryzuje wielkość zwana pracą wyjścia W, czyli ilość energii, jaka musi zostać dostarczona, by zapoczątkować zjawisko fotoelektryczne, czyli wyrwać elektrony z metalu. Dopiero nadwyżka energii fotonu nad wartość pracy wyjścia przekazywana jest elektronom (część tej energii może być jeszcze stracona przy zderzeniach wewnętrznych). Ogólnie zjawisko fotoelektryczne możemy opisać wzorem: hν=e elektronu + W (nie uwzględniając ewentualnych strat). Należy jedynie dodać, że obie teorie nie są sprzeczne ze sobą, lecz się dopełniają. Dualizm korpuskularno-falowy zakłada traktowanie natury światła jako dwoistej. Naturę falową możemy obserwować w takich zjawiskach jak dyfrakcja, interferencja czy polaryzacja fali świetlnej, a naturę cząsteczkową właśnie w postaci efektu fotoelektrycznego czy nieopisywanego tu dokładniej efektu Comptona.
6 Proces rejestracji obrazu krok po kroku Możemy go podzielić na 4 etapy (Newberry, 1995): Etap 1: Wygenerowanie ładunku, które zależy od tak zwanej wydajności kwantowej QE mierzonej w elektronach na foton lub amperach na wat. Określa ona, jaka część padających fotonów zostanie zarejestrowana. Idealna wydajność kwantowa wynosi 100%, ale nie jest to możliwe między innymi dlatego, że QE zależy od długości fali. Pochłanianie przez elektrody fal krótszych niż 650 nm dodatkowo obniża wydajność. Dla CCD wydajność kwantowa może wynosić nawet 90% dla niektórych długości fal, podczas gdy dla tradycyjnej kliszy zwykle nie przekracza 10%. Generowanie ładunku ma związek z opisanymi już wcześniej zjawiskami w elementach półprzewodnikowych i efektem fotoelektrycznym. Etap 2: Zbieranie ładunku, które zależy od 3 parametrów: a) ilość pikseli w detektorze więcej pikseli oznacza lepszą rozdzielczość i większe zdjęcie, lecz także dłuższe odczytywanie b) ilości elektronów, które mogą być zgromadzone w jednym pikselu wysoka ilość zbieranych elektronów przekłada się na dobry kontrast w obrazie c) możliwość utrzymania ładunku do czasu jego pomiaru ładunek rozlewający się na inne piksele daje wrażenie źle zogniskowanego zdjęcia Etap 3: Transfer ładunku zebrany ładunek musi być wysłany do zewnętrznego wzmacniacza. Uzyskuje się to poprzez przyłożenie napięcia powodującego ruch ładunku pomiędzy kolejnymi pikselami. Jedną z metod transferu jest tak zwany transfer liniowy, czyli odczytywanie pikseli z całej kolumny i sprawdzanie, do którego należą rzędu. Drugim sposobem jest transfer klatkowy, czyli kopiowanie całej klatki do innej, z której później odczytywana jest informacja. Wydajność transferu aparatów z matrycą CCD jest bliska 100%. Etap 4: Pomiar zebranego ładunku dokonuje się go w małym kondensatorze o pojemności ok. 50fF, z którego ładunek przechodzi do zewnętrznego tranzystora, w którym generowane jest napięcie proporcjonalne do ładunku. Następnie sygnał trafia do przetwornika analogowo cyfrowego. Jak uzyskać kolorowy obraz? Najprostszą metodą jest odbieranie poszczególnych składowych widma światła białego tylko przez niektóre komórki. Przed czujnikami ustawia się filtry absorpcyjne, które przepuszczają wybrane długości fal. Powszechne jest stosowanie filtrów oddzielających światło niebieskie (B), czerwone (R) i zielone (G), czyli tzw. RGB. Komórki nie są równo rozdzielone pomiędzy te trzy barwy. W związku z największą czułością ludzkiego oka na światło żółto-zielone, pikseli odbierających światło zielone jest dwa razy więcej niż tych dla czerwonego i niebieskiego (czyli stosunek pikseli R:G:B wynosi 1:2:1) to jest tak zwany wzór Bayera, RGBG. Istnieje także typ matrycy RGBE, mogącej poszerzyć zakres dobrze odwzorowywanych barw, w której zamiast dodatkowego
7 zestawu zielonych pikseli mamy komórki czułe na światło szmaragdowe (emerald, stąd E). W niektórych aparatach cyfrowych stosowane są filtry w kolorach używanych w druku, czyli yellow (żółty), cyan (cyjan) i magenta, dopełnione zielonym, który umożliwia obróbkę cyfrową, dając informację o intensywności obrazu. Stosowanie takiej metody uzyskiwania kolorowego obrazu powoduje, że w pojedynczym pikselu nie ma zawartej całej informacji o obrazie, a jedynie o jednej składowej barwnej. W procesie obróbki pobiera się dane o kolorach z sąsiadujących komórek i ostatecznie kolor danego piksela uzyskuje się dzięki interpolacji. Inna technika, nazywana FiveonX3, wykorzystuje właściwość krzemu polegającą na absorpcji promieniowania o różnych długościach fal na innych głębokościach. Matryce zbudowane są w ten sposób, że elementy odpowiedzialne za odbiór kolejnych składowych barw są umieszczone jedna pod drugą. Skutkuje to uzyskiwaniem większej ilości pikseli na powierzchnię niż w zwykłych przetwornikach. Możliwe jest też łączenie pikseli w większe grupy tworzące jeden sensor. Dzięki temu w kamerach istnieje opcja zmian rozdzielczości. Metoda ta ma również swoje wady. Mimo dostosowania czułości kolejnych warstw, przetwarzanie koloru czerwonego (najgłębsza warstwa) jest osłabione, a ogólna czułość niższa. W profesjonalnych kamerach cyfrowych każdej barwie odpowiada osobna matryca CCD. Czujniki poszczególnych kolorów są umieszczone na osobnych analizatorach. Wiązka światła z obiektywu przechodzi przez szereg pryzmatów i warstw światłodzielących rozdzielających ją tak, by odpowiednie długości fal trafiały do wrażliwych na nie sensorów. Znaczenie CCD W. S. Boyle w swoim wykładzie noblowskim nazwał CCD przedłużeniem ludzkiego wzroku. Czy to prawda? Mimo że powstała także inna technologia o podobnym przeznaczeniu CMOS, trudno nie doceniać roli CCD w dzisiejszym świecie. Trzeba przyznać, że Nagroda Nobla z fizyki 2009 (która została rozdzielona między panów Boyle'a i Smitha za CCD i Charlesa Kao za światłowody, bez których trudno sobie wyobrazić internet i telekomunikację) nagrodziła bardzo życiowe odkrycia, które miały wpływ codzienność milionów ludzi, a nie tylko rozwój nauki. Po pierwsze wspomnijmy o fotografii. Klisze wyszły praktycznie z powszechnego użytku. Aparaty analogowe są używane przez pasjonatów, profesjonalistów, dzięki temu, że np. dają dużo lepszą rozdzielczość (obserwowane jest to jednak przy bardzo dużych powiększeniach) i o wiele lepiej nadają się do fotografii czarno-białej w aparatach cyfrowych fotografia czarno-biała uzyskiwana jest poprzez przerobienie kolorów na skalę szarości, co bardzo obniża jakość takich zdjęć. Jednak inne zalety fotografii cyfrowej są nie do przecenienia. Obecnie CCD znajduje się w użyciu głównie w prostych aparatach kompaktowych i wysoce zaawansowanych technologicznie aparatach średnioformatowych (w lustrzankach cyfrowych o wiele popularniejsza jest obecnie technologia CMOS). Ważne zastosowanie kamery CCD znalazły w medycynie. Dzięki temu, że matryce CCD mogą odbierać nie tylko promieniowanie widzialne, ale także rentgenowskie, czujniki CCD używane są w rentgenodiagnostyce. Urządzenie zwane rentgenowizjografią (RVG) umożliwiło zmniejszenie dawki promieniowania (dzięki czułości dużo większej niż w tradycyjnych kliszach) i ogranicza ryzyko napromieniowania tkanek. Wynalezione
8 zostały także videoendoskopy, wykorzystujące kamery CCD zamiast światłowodów do celów diagnostyczno leczniczych. Nie można także zapomnieć o wkładzie CCD w astronomię. Dziś, ze względu na rozwój technologii i obniżenie cen, kamery CCD stosują zarówno poważne obserwatoria, jak i amatorzy. Używane są rejestracji obrazów interesujących obiektów kosmicznych, do pomiaru położeń ciał niebieskich (astrometria), do rejestracji widm (spektroskopia badania nie tylko astronomiczne) i pomiarów jasności gwiazd (fotometria). Podsumowanie osobiste refleksje Temat pracy, ku mojemu zaskoczeniu, okazał się dla mnie bardzo ciekawy. Cieszę się, że Nagrodą Nobla uhonorowano odkrycie tak ważne dla zwykłych ludzi i również cieszę się, że zostałam zmobilizowana, by posiąść wiedzę na ten temat. Samo słowo fizyka wywołuje w ludziach przerażenie, ale CCD jest czymś, o czym będę mogła opowiedzieć nawet zagorzałemu anty-fanowi fizyki (i być przez niego zrozumiana) i może nawet go zainteresować. Już pisząc esej starałam się jak najlepiej tłumaczyć różne procesy, nie unikając jednak naukowych pojęć. CCD jest bardzo powszechnym tematem i paradoksalnie chyba to najbardziej utrudniło napisanie dłuższego eseju na ten temat. Wzmianki o CCD można znaleźć w bardzo wielu miejscach. Zaczynając od serwisów fotograficznych i astronomicznych, przez notatki prasowe o laureatach Nagrody Nobla z krótkimi opisami ich zasług aż po bardzo zaawansowane prace naukowe, w których CCD jest jedynie narzędziem, a nie obiektem zainteresowania. Dodatkowo wiele opracowań skupia się na parametrach technicznych i zagadnieniach raczej elektronicznych niż fizycznych. Mimo pewnych przeszkód, z wielu przeczytanych tekstów złożyłam własną pracę, która, mam nadzieję, dzięki rozległym wstępom teoretycznym mogłaby być zrozumiała także dla osoby nie znającej dobrze tematu. Co prawda poszukiwania były żmudne, ale samo zgłębianie wiedzy na ten temat i dzielenie się nią podczas pisania sprawiło mi satysfakcję i na pewno poszerzyło moją wiedzę. Źródła: 1) B. Pióro, M. Pióro Podstawy elektroniki. Część 1 WSiP, Warszawa 1994, roz. 4 i 6 2) M. Adamczak, praca magisterska pt. Optymalizacja metod redukcji obserwacji fotometrycznych CCD pod kierownictwem prof. dr hab. T. Michałowskiego, Poznań ) Z. Kąkol Fizyka, Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej na AGH w Krakowie, Kraków 2006, moduł IX i XI 4) wykłady do przedmiotu Multimedia 2 w Polsko - Japońskiej Wyższej Szkole Technik Komputerowych, konkretnie: edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index65.html i edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index66.html 5) wykłady noblowskie W.S. Boyle'a i G.E. Smitha 6) endodoncja.pl/diagnoza1.html 7) fotoblogia.pl/2011/07/15/przygody-z-klisza-po-co-mi-analog-odc-1 8) pl.wikipedia.org/wiki/z%c5%82%c4%85cze_p-n 9) pl.wikipedia.org/wiki/p%c3%b3%c5%82przewodniki 10) pl.wikipedia.org/wiki/bell_labs 11) iwiedza.net/wiedza/106.html
9 Dostęp do stron internetowych: r. Rysunki 1-6 pochodzą ze strony iwiedza.net/wiedza/106.html, rysunek 7 z pl.wikipedia.org/wiki/z%c5%82%c4%85cze_p-n, a rysunki 8-10 ze strony edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index65.html
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowo1 Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład IX CCD 1 1 Detektor CCD. Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoDetektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład VIII CCD 1 Detektor CCD Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoZakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu
Zakres wykładu Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoTworzenie obrazu w aparatach cyfrowych
Tworzenie obrazu w aparatach cyfrowych Matryca światłoczuła Matryca CCD stosowana w aparacie Nikon D70. Wygląda "prawie" jak zwykły układ scalony. Wydajność kwantowa QE - ang. Quantum Eficiency (wydajność
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera
Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoOPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz
OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoWstęp do astrofizyki I
Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski 24 listopad 2010 r. Tomasz Kwiatkowski, Wstęp do astrofizyki I, Wykład 8 1/21 Plan wykładu Efekt fotoelektryczny wewnętrzny Matryca CCD Budowa piksela
Bardziej szczegółowoWYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ
ĆWICZENIE 48 WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ Cel ćwiczenia: Wyznaczenie stałej Plancka na podstawie pomiaru charakterystyki prądowonapięciowej diody
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoKwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne.
Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne. DUALIZM ŚWIATŁA fala interferencja, dyfrakcja, polaryzacja,... kwant, foton promieniowanie ciała doskonale
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPromieniowanie cieplne ciał.
Wypromieniowanie fal elektromagnetycznych przez ciała Promieniowanie cieplne (termiczne) Luminescencja Chemiluminescencja Elektroluminescencja Katodoluminescencja Fotoluminescencja Emitowanie fal elektromagnetycznych
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoPrawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n
1 CCD Aby zrozumieć zjawiska zachodzące w kamerze CCD, należy przypomnieć w jaki sposób jest tworzona studnia potencjału oraz jaki jest wpływ przyłożonego napięcia zewnętrznego na głębokość studni. Prawdopodobieństwo
Bardziej szczegółowostr. 1 d. elektron oraz dziura e.
1. Półprzewodniki samoistne a. Niska temperatura b. Wzrost temperatury c. d. elektron oraz dziura e. f. zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne g. Krzem i german 2. Półprzewodniki domieszkowe a. W półprzewodnikach
Bardziej szczegółowoRozładowanie promieniowaniem nadfioletowym elektroskopu naładowanego ujemnie, do którego przymocowana jest płytka cynkowa
Pokazy Rozładowanie promieniowaniem nadfioletowym elektroskopu naładowanego ujemnie, do którego przymocowana jest płytka cynkowa Zjawisko fotoelektryczne Zjawisko fotoelektryczne polega na tym, że w wyniku
Bardziej szczegółowoI. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA
1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowoŚwiatło fala, czy strumień cząstek?
1 Światło fala, czy strumień cząstek? Teoria falowa wyjaśnia: Odbicie Załamanie Interferencję Dyfrakcję Polaryzację Efekt fotoelektryczny Efekt Comptona Teoria korpuskularna wyjaśnia: Odbicie Załamanie
Bardziej szczegółowoWFiIS. Wstęp teoretyczny:
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoWstęp do astrofizyki I
Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu Wydział Fizyki Instytut Obserwatorium Astronomiczne Tomasz Kwiatkowski, OA UAM Wstęp do astrofizyki I, Wykład
Bardziej szczegółowoEfekt fotoelektryczny
Ćwiczenie 82 Efekt fotoelektryczny Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest obserwacja efektu fotoelektrycznego: wybijania elektronów z metalu przez światło o różnej częstości (barwie). Pomiar energii kinetycznej
Bardziej szczegółowoWstęp do astrofizyki I
Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski 24 listopad 2010 r. Tomasz Kwiatkowski, Wstęp do astrofizyki I, Wykład 8 1/24 Plan wykładu Efekt fotoelektryczny wewnętrzny Matryca CCD Budowa piksela
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa
Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowoBadanie emiterów promieniowania optycznego
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 9 Badanie emiterów promieniowania optycznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z podstawowymi charakterystykami emiterów promieniowania optycznego. Badane elementy:
Bardziej szczegółowoStałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy
T_atom-All 1 Nazwisko i imię klasa Stałe : h=6,626 10 34 Js h= 4,14 10 15 evs 1eV=1.60217657 10-19 J Zaznacz zjawiska świadczące o falowej naturze światła a) zjawisko fotoelektryczne b) interferencja c)
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoFizyka kwantowa. promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne. efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy. kwantyzacja światła
W- (Jaroszewicz) 19 slajdów Na podstawie prezentacji prof. J. Rutkowskiego Fizyka kwantowa promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne kwantyzacja światła efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy
Bardziej szczegółowoSpektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowo1100-1BO15, rok akademicki 2016/17
1100-1BO15, rok akademicki 2016/17 y z y z y f y f y y y y z f z f zz ff Analizując rysunek można napisać zależność n sin u r s r s n sinu. Aby s było niezależne od kąta u musi być zachowany warunek sin
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowoW5. Rozkład Boltzmanna
W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowoPomiary fotometryczne - badanie właściwości fizycznych fotoogniw
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział PPT KATEDRA INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ Laboratorium PODSTAWY BIOFOTONIKI Ćwiczenie nr 4 Pomiary fotometryczne - badanie właściwości fizycznych fotoogniw 1. WSTĘP TEORETYCZNY
Bardziej szczegółowoI. PROMIENIOWANIE CIEPLNE
I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoInformacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.
Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:
Bardziej szczegółowoL E D light emitting diode
Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy
Bardziej szczegółowoKwantowa natura promieniowania
Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoV. Fotodioda i diody LED
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod elektroluminescencyjnych. Wyznaczenie zależności prądu zwarcia i napięcia rozwarcia fotodiody od
Bardziej szczegółowo