Fizyczne podstawy działania kamery CCD Nobel z fizyki 2009

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Fizyczne podstawy działania kamery CCD Nobel z fizyki 2009"

Transkrypt

1 Fizyczne podstawy działania kamery CCD Nobel z fizyki 2009 maj 2012 Tło historyczne Historia matrycy CCD (akronim od charge-coupled device) sięga 8 października 1969 roku i rozpoczyna w dość szczególnym miejscu, Bell Labs, centrum badawczym i wdrożeniowym firmy Alcatel - Lucent. Ośrodek ów chlubi się rekordową ilością jedenastu laureatów Nagrody Nobla wśród swoich pracowników i takimi odkryciami jak tranzystor, ogniwo fotowoltaiczne, laser, fotokomórka, telekomunikacja satelitarna, procesor optyczny, stereofoniczny zapis dźwięku, a także system UNIX i języki C i C++. Dwóch pracowników wydziału urządzeń półprzewodnikowych, George W. Smith i Willard S. Boyle zostało postawionych przed nieprzyjemnym ultimatum. O ile naukowcy nie odkryją półprzewodnikowego urządzenia mogącego konkurować z rozwijaną wówczas pamięcią magnetyczną (magnetic bubbles), środki finansowe dla ich wydziału zostaną ograniczone i przyznane departamentowi, który rozwijał pamięci magnetyczne. Postawieni pod ścianą, naukowcy w czasie zaledwie jednej, trwającej nie dłużej niż godzinę sesji stworzyli szkic działania i wdrożenia projektu CCD. Realizacja także potrwała krótko, w trakcie tygodnia zostały stworzone i przetestowane pierwsze urządzenia, składające się z 8 pikseli ułożonych się w jeden rząd. Po 40 latach od wynalezienia, CCD zostało nagrodzone Nagrodą Nobla w dziedzinie fizyki (2009 rok), a matryce CCD są w powszechnym użytku. Półprzewodniki podstawa CCD Półprzewodniki to materiały powszechnie używane do produkcji elementów elektronicznych. Są to substancje o budowie najczęściej krystalicznej, których przewodnictwo właściwe przyjmuje wartości niższe niż w metalach (przewodnikach elektrycznych), a większe niż w dielektrykach. Różnica między dielektrykami a półprzewodnikami zależy od szerokości pasma wzbronionego, w metalach tej przerwy nie ma (rys. 1). Rysunek 1

2 Do półprzewodników zalicza się pierwiastki z IV grupy układu okresowego. Mają one po 4 elektrony walencyjne, z których każdy tworzy wiązanie kowalencyjne z sąsiednim. W stanie podstawowym wszystkie elektrony są związane i nie ma wolnych nośników (rys. 2). Są to tak zwane półprzewodniki samoistne. Pod wpływem ogrzania lub oświetlenia możliwe jest wzbudzenie i uwolnienie elektronu z sieci. Elektron, który zaabsorbuje kwant promieniowania elektromagnetycznego, może przejść ze stanu podstawowego do pasma przewodnictwa. Taki proces nazywamy generacją pary elektron-dziura, bo w miejscu uwolnionego elektronu pozostaje puste miejsce zwane dziurą. Po pewnym czasie, zwanym czasem życia nośnika τ, elektron wraca do stanu podstawowego, emitując kwant promieniowania. Proces ten nazywa się rekombinacją promienistą. Tak, jak elektron może przesuwać się w polu elektrycznym jako ujemny ładunek elektryczny, tak samo dziura jest dodatnim nośnikiem ładunku. W obecności pola elektrycznego sąsiedni elektron zapełnia miejsce dziury, zostawiając po sobie nową dziurę. W ten sposób dziura przemieszcza się w kierunku przeciwnym niż elektron, przenosząc dodatni ładunek. Drugi typ półprzewodników nazywamy domieszkowymi. Rozróżniamy dwa rodzaje domieszek (czyli obcych atomów w sieci krystalicznej): donorową i akceptorową. Kiedy do sieci krystalicznej pierwiastka z grupy IV dodamy atomy pierwiastka z grupy V (fosfor, arsen, antymon, bizmut), powstaje półprzewodnik typu n (negative). Każdy atom domieszki ma 5 elektronów walencyjnych, z których tylko 4 są związane z pozostałymi (rys. 3). Wolny elektron może łatwo przejść do pasma przewodnictwa, jonizując dodatnio atom domieszki zwanej donorową. W modelu pasmowym przewodnika atomy domieszki znajdują się na poziomie Rysunek 3 donorowym, który mieści się w pobliżu dna pasma przewodnictwa (rys. 4). W temperaturze pokojowej prawie wszystkie atomy domieszkowe są zjonizowane. To oznacza, że wszystkie elektrony przeszły z poziomów donorowych do pasma przewodnictwa. Elektrony są nośnikami większościowymi, bo ich liczba w paśmie przewodnictwa jest znacznie większa niż dziur paśmie podstawowym. Rysunek 5 Rysunek 2 Rysunek 4 Półprzewodnik typu p (positive) powstaje, gdy domieszką będzie pierwiastek z III grupy układu okresowego (gal, ind, bor, glin). Atom domieszki tworzy 3 wiązania z sąsiednimi (rys. 5). Do wypełnienia czwartego wiązania brakuje jednego elektronu i zostaje on uzupełniony poprzez zabranie elektronu z innego wiązania, w którym powstaje nowa dziura. Atom domieszki, zwanej akceptorem, jonizuje się ujemnie (poprzez uzyskanie nadliczbowego elektronu), co powoduje lokalną polaryzację kryształu. Elektron, który tworzy brakujące wiązanie przechodzi na szczyt pasma podstawowego, do pasma zwanego

3 akceptorowym (rys. 6). W temperaturze pokojowej wszystkie poziomy akceptorowe są zapełnione elektronami z pasma podstawowego. W związku z tym liczba dziur w paśmie podstawowym jest znacznie większa niż elektronów w paśmie przewodnictwa, czyli dziury są nośnikami większościowymi, a elektrony mniejszościowymi. Z punktu widzenia CCD największe znaczenie ma krzem, który jest pierwiastkiem z IV grupy układu okresowego i może być domieszkowany zarówno donorowo, jak i akceptorowo. Krzem występuje w postaci amorficznej i krystalicznej o strukturze regularnej ściennie centrowanej, ta właśnie forma znajduje szerokie zastosowanie w budowie elementów elektronicznych. Jego tlenek opisany wzorem SiO 2 ma z kolei właściwości dielektryczne, co także jest wykorzystane w opisanych niżej przyrządach. Rysunek 6 Złącze p n Złączem p-n nazywa się zetknięte półprzewodniki typu p i n. Jeśli znajduje się w stanie równowagi termodynamicznej, nie ma zewnętrznego pola elektrycznego, w pobliżu styku swobodne nośniki większościowe przemieszczają się, jest to tak zwany prąd dyfuzyjny. Gdy elektrony przemieszczają się do obszaru p, a dziury do n, dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. W związku z tym zachodzi redukcja nośników po obu stronach złącza, w wyniku czego w okolicy styku pozostają jedynie odsłonięte jony domieszek ujemnych akceptorów i dodatnich donorów (rys. 7). Obszar n ładuje się dodatnio, a obszar p ujemnie. Pole elektryczne wytworzone przez te jony zapobiega dalszej dyfuzji. W pobliżu złącza powstaje warstwa ładunku przestrzennego, zwana też warstwą zubożoną (nieposiadającą wolnych nośników) lub zaporową. Kationy po stronie n hamują przepływ dziur z obszaru p, a aniony po stronie n hamują odwrotny przepływ. Pole elektryczne ładunku przestrzennego reprezentuje napięcie dyfuzyjne, które zależy głównie od koncentracji domieszek i temperatury. Dla krzemu napięcie to wynosi ok. 0,6-0,8 V. Do złącza p-n można dołączyć zewnętrzne napięcie na dwa sposoby. O polaryzacji w kierunku przewodzenia mówimy, gdy dodatni biegun źródła napięcia jest przytknięty do obszaru p, polaryzacja w kierunku zaporowym to odwrotne podłączenie źródła. Polaryzacja w kierunku przewodzenia: Rysunek 7 Bariera potencjału zmniejsza się o wartość zewnętrznego napięcia U, zmniejsza się także szerokość obszaru ładunku przestrzennego. Jeśli wartość U będzie większa niż napięcie dyfuzyjne, obszar zaporowy zniknie i rozpocznie się dyfuzja nośników. Tym razem nie ustanie jak w przypadku złącza niespolaryzowanego, bo ze źródła napływają wciąż nowe nośniki większościowe. W obwodzie płynie prąd dyfuzyjny. Polaryzacja w kierunku zaporowym: Zewnętrzne napięcie U podwyższa barierę potencjału i poszerza obszar zubożony.

4 Przez złącze płynie tylko niewielki prąd unoszenia, zwany prądem wstecznym, którego wartość zależy od temperatury i właściwości substancji. Jest to prąd nośników mniejszościowych (przeciwny niż w złączu spolaryzowanym w kierunku przewodzenia czy niespolaryzowanym do czasu wytworzenia bariery wówczas płynie prąd nośników większościowych). Jeśli zewnętrzne napięcie jest wystarczająco duże, nośniki uzyskują dużą energię i w wyniku kolejnych zderzeń uwalniają elektrony z sieci, które wybijają kolejne elektrony i tak dalej. Proces nazywamy przebiciem lawinowym ze względu na jego charakter. Jego efektem jest wzrost prądu w obwodzie, jest to tak zwany prąd lawinowy. CCD jako pamięć budowa i zasada działania Budowa i działanie podstawowego elementu matrycy CCD bazuje na tym, że początkowo miała to być nowa pamięć, konkurująca ze wspomnianymi już magnetic bubbles. Komórka CCD składa się z kondensatora MOS (metal-oxidesemiconductor, rys. 8). Jak można wywnioskować z Rysunek 8 rozwinięcia skrótu, w owym kondensatorze jedną okładką jest płytka metalu, a drugą płytka krzemowa (półprzewodnik typu p). Oddzielone są warstwą tlenku krzemu SiO 2. Do płytki metalowej przykładane jest dodatnie napięcie, pod wpływem którego na drugiej okładce tworzy się warstwa zubożona w nośniki, tak zwana studnia potencjału. Po zatrzymaniu ładunku w warstwie zubożonej jednej komórki, do sąsiedniej przykładane jest większe napięcie. Elektrony przemieszczają się do głębszej studni potencjału w drugiem elemencie i pozostają w nim. Dzięki zmianom napięcia możliwe jest przesuwanie ładunku (czyli zapamiętanej informacji) w warstwach zubożonych. Taką pamięć nazywamy rejestrem przesuwnym. Przekazywanie ładunku między kolejnymi kondensatorami jest sterowane sygnałem taktującym zegara. Czujniki światłoczułe W chwili obecnej stosowane są dwa typy czujników CCD. Jednym jest kondensator MOS, stosowany w pamięciach CCD, drugim fotodioda. Fotodioda jest krzemową strukturą p-n Rysunek 9 spolaryzowaną zaporowo. W warstwie n powstaje studnia potencjału (rys. 9). Jeśli dioda zostanie oświetlona, padające promieniowanie wywoła tworzenie się par elektron-dziura w warstwie zubożonej. Podczas gdy dziury rekombinują w podłożu typu n, elektrony zbierają się w studni potencjału. Ich ładunek jest proporcjonalny do natężenia oświetlenia, dzięki czemu informacja zostaje zachowana.

5 Kondensator MOS różni się od używanego w pamięciach tym, że wierzchnia płytka jest wykonana z polikrystalicznego, przepuszczającego światło krzemu (rys. 10). Działanie jest analogiczne do fotodiody. Rysunek 10 Matryca składa się z komórek światłoczułych rozdzielonych materiałami izolującymi, a także z zespołów obwodów elektrycznych magazynujących i odprowadzających ładunek do rejestru przesuwnego lub do drenu nadmiarowego. Dren nadmiarowy to miejsce, w które odprowadzany jest nadmiar ładunku generowany pod wpływem zbyt dużego natężenia światła. Skąd się biorą te ładunki, czyli efekt fotoelektryczny Opisując promieniowanie ciała doskonale czarnego, Planck wysnuł teorię, zgodnie z którą każdy atom można opisać jako oscylator wysyłający promieniowanie elektromagnetyczne. Zgodnie z tą tezą energia nie może przyjmować dowolnych wartości, lecz jest skwantowana i opisać ją można jako pewną wielokrotność iloczynu stałej Plancka i częstotliwości drgań, czyli E=nhν. Opis Plancka jednak zakłada, że źródła wysyłają promieniowanie w sposób nieciągły, ale w przestrzeni rozchodzi się ono jako fale elektromagnetyczne. Einstein także założył, że światło rozchodzi się w przestrzeni w sposób nieciągły, w postaci skończonych kwantów, które nazwał fotonami i przypisał im tę samą wartość, co Planck. Jeżeli światło jako wiązka takich cząstek padnie na metalową płytkę, może spowodować wybicie z niej elektronów, co zaobserwujemy np. jako przepływ prądu pod warunkiem zamknięcia obwodu. To zjawisko nazywamy efektem fotoelektrycznym, które jest podstawą działania matryc CCD (generowanie ładunku pod wpływem padającego światła). Energia fotonu hν zamieniana jest na energię kinetyczną wybitego elektronu. Jednak czy każde promieniowanie wywołuje efekt fotoelektryczny i czy cała energia fotonu zamieniana jest na energię kinetyczną? Każdy metal charakteryzuje wielkość zwana pracą wyjścia W, czyli ilość energii, jaka musi zostać dostarczona, by zapoczątkować zjawisko fotoelektryczne, czyli wyrwać elektrony z metalu. Dopiero nadwyżka energii fotonu nad wartość pracy wyjścia przekazywana jest elektronom (część tej energii może być jeszcze stracona przy zderzeniach wewnętrznych). Ogólnie zjawisko fotoelektryczne możemy opisać wzorem: hν=e elektronu + W (nie uwzględniając ewentualnych strat). Należy jedynie dodać, że obie teorie nie są sprzeczne ze sobą, lecz się dopełniają. Dualizm korpuskularno-falowy zakłada traktowanie natury światła jako dwoistej. Naturę falową możemy obserwować w takich zjawiskach jak dyfrakcja, interferencja czy polaryzacja fali świetlnej, a naturę cząsteczkową właśnie w postaci efektu fotoelektrycznego czy nieopisywanego tu dokładniej efektu Comptona.

6 Proces rejestracji obrazu krok po kroku Możemy go podzielić na 4 etapy (Newberry, 1995): Etap 1: Wygenerowanie ładunku, które zależy od tak zwanej wydajności kwantowej QE mierzonej w elektronach na foton lub amperach na wat. Określa ona, jaka część padających fotonów zostanie zarejestrowana. Idealna wydajność kwantowa wynosi 100%, ale nie jest to możliwe między innymi dlatego, że QE zależy od długości fali. Pochłanianie przez elektrody fal krótszych niż 650 nm dodatkowo obniża wydajność. Dla CCD wydajność kwantowa może wynosić nawet 90% dla niektórych długości fal, podczas gdy dla tradycyjnej kliszy zwykle nie przekracza 10%. Generowanie ładunku ma związek z opisanymi już wcześniej zjawiskami w elementach półprzewodnikowych i efektem fotoelektrycznym. Etap 2: Zbieranie ładunku, które zależy od 3 parametrów: a) ilość pikseli w detektorze więcej pikseli oznacza lepszą rozdzielczość i większe zdjęcie, lecz także dłuższe odczytywanie b) ilości elektronów, które mogą być zgromadzone w jednym pikselu wysoka ilość zbieranych elektronów przekłada się na dobry kontrast w obrazie c) możliwość utrzymania ładunku do czasu jego pomiaru ładunek rozlewający się na inne piksele daje wrażenie źle zogniskowanego zdjęcia Etap 3: Transfer ładunku zebrany ładunek musi być wysłany do zewnętrznego wzmacniacza. Uzyskuje się to poprzez przyłożenie napięcia powodującego ruch ładunku pomiędzy kolejnymi pikselami. Jedną z metod transferu jest tak zwany transfer liniowy, czyli odczytywanie pikseli z całej kolumny i sprawdzanie, do którego należą rzędu. Drugim sposobem jest transfer klatkowy, czyli kopiowanie całej klatki do innej, z której później odczytywana jest informacja. Wydajność transferu aparatów z matrycą CCD jest bliska 100%. Etap 4: Pomiar zebranego ładunku dokonuje się go w małym kondensatorze o pojemności ok. 50fF, z którego ładunek przechodzi do zewnętrznego tranzystora, w którym generowane jest napięcie proporcjonalne do ładunku. Następnie sygnał trafia do przetwornika analogowo cyfrowego. Jak uzyskać kolorowy obraz? Najprostszą metodą jest odbieranie poszczególnych składowych widma światła białego tylko przez niektóre komórki. Przed czujnikami ustawia się filtry absorpcyjne, które przepuszczają wybrane długości fal. Powszechne jest stosowanie filtrów oddzielających światło niebieskie (B), czerwone (R) i zielone (G), czyli tzw. RGB. Komórki nie są równo rozdzielone pomiędzy te trzy barwy. W związku z największą czułością ludzkiego oka na światło żółto-zielone, pikseli odbierających światło zielone jest dwa razy więcej niż tych dla czerwonego i niebieskiego (czyli stosunek pikseli R:G:B wynosi 1:2:1) to jest tak zwany wzór Bayera, RGBG. Istnieje także typ matrycy RGBE, mogącej poszerzyć zakres dobrze odwzorowywanych barw, w której zamiast dodatkowego

7 zestawu zielonych pikseli mamy komórki czułe na światło szmaragdowe (emerald, stąd E). W niektórych aparatach cyfrowych stosowane są filtry w kolorach używanych w druku, czyli yellow (żółty), cyan (cyjan) i magenta, dopełnione zielonym, który umożliwia obróbkę cyfrową, dając informację o intensywności obrazu. Stosowanie takiej metody uzyskiwania kolorowego obrazu powoduje, że w pojedynczym pikselu nie ma zawartej całej informacji o obrazie, a jedynie o jednej składowej barwnej. W procesie obróbki pobiera się dane o kolorach z sąsiadujących komórek i ostatecznie kolor danego piksela uzyskuje się dzięki interpolacji. Inna technika, nazywana FiveonX3, wykorzystuje właściwość krzemu polegającą na absorpcji promieniowania o różnych długościach fal na innych głębokościach. Matryce zbudowane są w ten sposób, że elementy odpowiedzialne za odbiór kolejnych składowych barw są umieszczone jedna pod drugą. Skutkuje to uzyskiwaniem większej ilości pikseli na powierzchnię niż w zwykłych przetwornikach. Możliwe jest też łączenie pikseli w większe grupy tworzące jeden sensor. Dzięki temu w kamerach istnieje opcja zmian rozdzielczości. Metoda ta ma również swoje wady. Mimo dostosowania czułości kolejnych warstw, przetwarzanie koloru czerwonego (najgłębsza warstwa) jest osłabione, a ogólna czułość niższa. W profesjonalnych kamerach cyfrowych każdej barwie odpowiada osobna matryca CCD. Czujniki poszczególnych kolorów są umieszczone na osobnych analizatorach. Wiązka światła z obiektywu przechodzi przez szereg pryzmatów i warstw światłodzielących rozdzielających ją tak, by odpowiednie długości fal trafiały do wrażliwych na nie sensorów. Znaczenie CCD W. S. Boyle w swoim wykładzie noblowskim nazwał CCD przedłużeniem ludzkiego wzroku. Czy to prawda? Mimo że powstała także inna technologia o podobnym przeznaczeniu CMOS, trudno nie doceniać roli CCD w dzisiejszym świecie. Trzeba przyznać, że Nagroda Nobla z fizyki 2009 (która została rozdzielona między panów Boyle'a i Smitha za CCD i Charlesa Kao za światłowody, bez których trudno sobie wyobrazić internet i telekomunikację) nagrodziła bardzo życiowe odkrycia, które miały wpływ codzienność milionów ludzi, a nie tylko rozwój nauki. Po pierwsze wspomnijmy o fotografii. Klisze wyszły praktycznie z powszechnego użytku. Aparaty analogowe są używane przez pasjonatów, profesjonalistów, dzięki temu, że np. dają dużo lepszą rozdzielczość (obserwowane jest to jednak przy bardzo dużych powiększeniach) i o wiele lepiej nadają się do fotografii czarno-białej w aparatach cyfrowych fotografia czarno-biała uzyskiwana jest poprzez przerobienie kolorów na skalę szarości, co bardzo obniża jakość takich zdjęć. Jednak inne zalety fotografii cyfrowej są nie do przecenienia. Obecnie CCD znajduje się w użyciu głównie w prostych aparatach kompaktowych i wysoce zaawansowanych technologicznie aparatach średnioformatowych (w lustrzankach cyfrowych o wiele popularniejsza jest obecnie technologia CMOS). Ważne zastosowanie kamery CCD znalazły w medycynie. Dzięki temu, że matryce CCD mogą odbierać nie tylko promieniowanie widzialne, ale także rentgenowskie, czujniki CCD używane są w rentgenodiagnostyce. Urządzenie zwane rentgenowizjografią (RVG) umożliwiło zmniejszenie dawki promieniowania (dzięki czułości dużo większej niż w tradycyjnych kliszach) i ogranicza ryzyko napromieniowania tkanek. Wynalezione

8 zostały także videoendoskopy, wykorzystujące kamery CCD zamiast światłowodów do celów diagnostyczno leczniczych. Nie można także zapomnieć o wkładzie CCD w astronomię. Dziś, ze względu na rozwój technologii i obniżenie cen, kamery CCD stosują zarówno poważne obserwatoria, jak i amatorzy. Używane są rejestracji obrazów interesujących obiektów kosmicznych, do pomiaru położeń ciał niebieskich (astrometria), do rejestracji widm (spektroskopia badania nie tylko astronomiczne) i pomiarów jasności gwiazd (fotometria). Podsumowanie osobiste refleksje Temat pracy, ku mojemu zaskoczeniu, okazał się dla mnie bardzo ciekawy. Cieszę się, że Nagrodą Nobla uhonorowano odkrycie tak ważne dla zwykłych ludzi i również cieszę się, że zostałam zmobilizowana, by posiąść wiedzę na ten temat. Samo słowo fizyka wywołuje w ludziach przerażenie, ale CCD jest czymś, o czym będę mogła opowiedzieć nawet zagorzałemu anty-fanowi fizyki (i być przez niego zrozumiana) i może nawet go zainteresować. Już pisząc esej starałam się jak najlepiej tłumaczyć różne procesy, nie unikając jednak naukowych pojęć. CCD jest bardzo powszechnym tematem i paradoksalnie chyba to najbardziej utrudniło napisanie dłuższego eseju na ten temat. Wzmianki o CCD można znaleźć w bardzo wielu miejscach. Zaczynając od serwisów fotograficznych i astronomicznych, przez notatki prasowe o laureatach Nagrody Nobla z krótkimi opisami ich zasług aż po bardzo zaawansowane prace naukowe, w których CCD jest jedynie narzędziem, a nie obiektem zainteresowania. Dodatkowo wiele opracowań skupia się na parametrach technicznych i zagadnieniach raczej elektronicznych niż fizycznych. Mimo pewnych przeszkód, z wielu przeczytanych tekstów złożyłam własną pracę, która, mam nadzieję, dzięki rozległym wstępom teoretycznym mogłaby być zrozumiała także dla osoby nie znającej dobrze tematu. Co prawda poszukiwania były żmudne, ale samo zgłębianie wiedzy na ten temat i dzielenie się nią podczas pisania sprawiło mi satysfakcję i na pewno poszerzyło moją wiedzę. Źródła: 1) B. Pióro, M. Pióro Podstawy elektroniki. Część 1 WSiP, Warszawa 1994, roz. 4 i 6 2) M. Adamczak, praca magisterska pt. Optymalizacja metod redukcji obserwacji fotometrycznych CCD pod kierownictwem prof. dr hab. T. Michałowskiego, Poznań ) Z. Kąkol Fizyka, Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej na AGH w Krakowie, Kraków 2006, moduł IX i XI 4) wykłady do przedmiotu Multimedia 2 w Polsko - Japońskiej Wyższej Szkole Technik Komputerowych, konkretnie: edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index65.html i edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index66.html 5) wykłady noblowskie W.S. Boyle'a i G.E. Smitha 6) endodoncja.pl/diagnoza1.html 7) fotoblogia.pl/2011/07/15/przygody-z-klisza-po-co-mi-analog-odc-1 8) pl.wikipedia.org/wiki/z%c5%82%c4%85cze_p-n 9) pl.wikipedia.org/wiki/p%c3%b3%c5%82przewodniki 10) pl.wikipedia.org/wiki/bell_labs 11) iwiedza.net/wiedza/106.html

9 Dostęp do stron internetowych: r. Rysunki 1-6 pochodzą ze strony iwiedza.net/wiedza/106.html, rysunek 7 z pl.wikipedia.org/wiki/z%c5%82%c4%85cze_p-n, a rysunki 8-10 ze strony edu.pjwstk.edu.pl/wyklady/wspmu2/scb/index65.html

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

1 Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne

1 Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne Wykład IX CCD 1 1 Detektor CCD. Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne

Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne Wykład VIII CCD 1 Detektor CCD Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury

Bardziej szczegółowo

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE

Bardziej szczegółowo

Zakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu

Zakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu Zakres wykładu Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Tworzenie obrazu w aparatach cyfrowych

Tworzenie obrazu w aparatach cyfrowych Tworzenie obrazu w aparatach cyfrowych Matryca światłoczuła Matryca CCD stosowana w aparacie Nikon D70. Wygląda "prawie" jak zwykły układ scalony. Wydajność kwantowa QE - ang. Quantum Eficiency (wydajność

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera

Repeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Wstęp do astrofizyki I

Wstęp do astrofizyki I Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski 24 listopad 2010 r. Tomasz Kwiatkowski, Wstęp do astrofizyki I, Wykład 8 1/21 Plan wykładu Efekt fotoelektryczny wewnętrzny Matryca CCD Budowa piksela

Bardziej szczegółowo

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ

WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ ĆWICZENIE 48 WYZNACZENIE STAŁEJ PLANCKA NA PODSTAWIE CHARAKTERYSTYKI DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNEJ Cel ćwiczenia: Wyznaczenie stałej Plancka na podstawie pomiaru charakterystyki prądowonapięciowej diody

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne.

Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne. Kwantowe własności promieniowania, ciało doskonale czarne, zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne. DUALIZM ŚWIATŁA fala interferencja, dyfrakcja, polaryzacja,... kwant, foton promieniowanie ciała doskonale

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie cieplne ciał.

Promieniowanie cieplne ciał. Wypromieniowanie fal elektromagnetycznych przez ciała Promieniowanie cieplne (termiczne) Luminescencja Chemiluminescencja Elektroluminescencja Katodoluminescencja Fotoluminescencja Emitowanie fal elektromagnetycznych

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Prawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n

Prawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n 1 CCD Aby zrozumieć zjawiska zachodzące w kamerze CCD, należy przypomnieć w jaki sposób jest tworzona studnia potencjału oraz jaki jest wpływ przyłożonego napięcia zewnętrznego na głębokość studni. Prawdopodobieństwo

Bardziej szczegółowo

str. 1 d. elektron oraz dziura e.

str. 1 d. elektron oraz dziura e. 1. Półprzewodniki samoistne a. Niska temperatura b. Wzrost temperatury c. d. elektron oraz dziura e. f. zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne g. Krzem i german 2. Półprzewodniki domieszkowe a. W półprzewodnikach

Bardziej szczegółowo

Rozładowanie promieniowaniem nadfioletowym elektroskopu naładowanego ujemnie, do którego przymocowana jest płytka cynkowa

Rozładowanie promieniowaniem nadfioletowym elektroskopu naładowanego ujemnie, do którego przymocowana jest płytka cynkowa Pokazy Rozładowanie promieniowaniem nadfioletowym elektroskopu naładowanego ujemnie, do którego przymocowana jest płytka cynkowa Zjawisko fotoelektryczne Zjawisko fotoelektryczne polega na tym, że w wyniku

Bardziej szczegółowo

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA 1 I. DIODA LKTROLUMINSCNCYJNA Cel ćwiczenia : Pomiar charakterystyk elektrycznych diod elektroluminescencyjnych. Zagadnienia: misja spontaniczna, złącze p-n, zasada działania diody elektroluminescencyjnej

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza)

Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Instrukcja do ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i LED (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel i program ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: zapoznanie się z budową diody półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. 1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu

Bardziej szczegółowo

Światło fala, czy strumień cząstek?

Światło fala, czy strumień cząstek? 1 Światło fala, czy strumień cząstek? Teoria falowa wyjaśnia: Odbicie Załamanie Interferencję Dyfrakcję Polaryzację Efekt fotoelektryczny Efekt Comptona Teoria korpuskularna wyjaśnia: Odbicie Załamanie

Bardziej szczegółowo

WFiIS. Wstęp teoretyczny:

WFiIS. Wstęp teoretyczny: WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Wstęp do astrofizyki I

Wstęp do astrofizyki I Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu Wydział Fizyki Instytut Obserwatorium Astronomiczne Tomasz Kwiatkowski, OA UAM Wstęp do astrofizyki I, Wykład

Bardziej szczegółowo

Efekt fotoelektryczny

Efekt fotoelektryczny Ćwiczenie 82 Efekt fotoelektryczny Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest obserwacja efektu fotoelektrycznego: wybijania elektronów z metalu przez światło o różnej częstości (barwie). Pomiar energii kinetycznej

Bardziej szczegółowo

Wstęp do astrofizyki I

Wstęp do astrofizyki I Wstęp do astrofizyki I Wykład 8 Tomasz Kwiatkowski 24 listopad 2010 r. Tomasz Kwiatkowski, Wstęp do astrofizyki I, Wykład 8 1/24 Plan wykładu Efekt fotoelektryczny wewnętrzny Matryca CCD Budowa piksela

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa

Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

Badanie emiterów promieniowania optycznego

Badanie emiterów promieniowania optycznego LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 9 Badanie emiterów promieniowania optycznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z podstawowymi charakterystykami emiterów promieniowania optycznego. Badane elementy:

Bardziej szczegółowo

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy T_atom-All 1 Nazwisko i imię klasa Stałe : h=6,626 10 34 Js h= 4,14 10 15 evs 1eV=1.60217657 10-19 J Zaznacz zjawiska świadczące o falowej naturze światła a) zjawisko fotoelektryczne b) interferencja c)

Bardziej szczegółowo

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo

Bardziej szczegółowo

Fizyka kwantowa. promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne. efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy. kwantyzacja światła

Fizyka kwantowa. promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne. efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy. kwantyzacja światła W- (Jaroszewicz) 19 slajdów Na podstawie prezentacji prof. J. Rutkowskiego Fizyka kwantowa promieniowanie termiczne zjawisko fotoelektryczne kwantyzacja światła efekt Comptona dualizm korpuskularno-falowy

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

1100-1BO15, rok akademicki 2016/17

1100-1BO15, rok akademicki 2016/17 1100-1BO15, rok akademicki 2016/17 y z y z y f y f y y y y z f z f zz ff Analizując rysunek można napisać zależność n sin u r s r s n sinu. Aby s było niezależne od kąta u musi być zachowany warunek sin

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light

Bardziej szczegółowo

W5. Rozkład Boltzmanna

W5. Rozkład Boltzmanna W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1 Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia

Bardziej szczegółowo

Pomiary fotometryczne - badanie właściwości fizycznych fotoogniw

Pomiary fotometryczne - badanie właściwości fizycznych fotoogniw POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział PPT KATEDRA INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ Laboratorium PODSTAWY BIOFOTONIKI Ćwiczenie nr 4 Pomiary fotometryczne - badanie właściwości fizycznych fotoogniw 1. WSTĘP TEORETYCZNY

Bardziej szczegółowo

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

Wykład V Złącze P-N 1

Wykład V Złącze P-N 1 Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Kwantowa natura promieniowania

Kwantowa natura promieniowania Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy

Bardziej szczegółowo

V. Fotodioda i diody LED

V. Fotodioda i diody LED 1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod elektroluminescencyjnych. Wyznaczenie zależności prądu zwarcia i napięcia rozwarcia fotodiody od

Bardziej szczegółowo