15 lutego 2009 Pamięci 1
|
|
- Bożena Szewczyk
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 15 lutego 2009 Pamięci 1
2 Schmitt Trigger 15 lutego 2009 Pamięci 2
3 The Schmitt Trigger A Schmitt trigger is a device with two important properties: 1. V in The voltage-transfer characteristic of the device displays different switching thresholds for positive- and negative-going going input signals. V Out V M- V M+ V in 15 lutego 2009 Pamięci 3
4 Switching Threshold V M 15 lutego 2009 Pamięci 4
5 The Schmitt Trigger 2. It responds to a slowly changing input waveform with a fast transition time at the output. V in V Out V M+ V M- t o t t o t 15 lutego 2009 Pamięci 5
6 Positive Feedback in Bistable Circuits V V V V i1 o1 i2 o2 V o1 15 lutego 2009 Pamięci 6
7 Positive Feedback in Bistable Circuits V V V V i1 o1 i2 o2 15 lutego 2009 Pamięci 7
8 The Schmitt Trigger V In V Out High switch threshold for the low-to to-high Low switch threshold for the high-to to-low V M+ V M- Fast transition time 15 lutego 2009 Pamięci 8
9 Pamięci 15 lutego 2009 Pamięci 9
10 Najprostszymi układami mającymi własnow asności pamiętania sąs przerzutniki. Funkcję prostych pamięci mogą spełnia niać również rejestry i liczniki. Pamięci sąs to specjalne układy komórek pozwalające na pamiętanie k- słów o długod ugości n-bitów.. (Pamięć o pojemności k x n) Zespół wszystkich komórek pamięciowych danego układu tworzy matrycę pamięciow ciową. Poziome paski matrycy nazywamy wierszami (liniami słowa) s a pionowe kolmnami (liniami bitu). 15 lutego 2009 Pamięci 10
11 Każde przecięcie cie wiersza z kolumną wyznacza jedną komórk rkę pamięciow ciową matrycy. Aby umożliwi liwić zapis i odczyt stanu określonej komórki, należy y zaadresować odpowiednią linię słowa i linię bitu. Adres wiersza Dekoder adresowy wierszy Adres kolumny Dekoder adresowy kolumn Linia danych 15 lutego 2009 Pamięci 11
12 Rodzaje pamięci: Pamięci ROM RAM PROM EPROM EEPROM Flash EEPROM SRAM DRAM 15 lutego 2009 Pamięci 12
13 RAM 15 lutego 2009 Pamięci 13
14 Pamięci RAM (Random Access Memory pamięci o swobodnym dostępie) umożliwiaj liwiają zarówno szybki zapis jak i szybki odczyt danych do/z pamięci Komórki pamięciowe mogą być wielotranzystorowe (SRAM) lub jednotranzystorowe (DRAM) 15 lutego 2009 Pamięci 14
15 SRAM 15 lutego 2009 Pamięci 15
16 RAM Memory Memory Cell 15 lutego 2009 Pamięci 16
17 Data RAM Memory notdata Select Memory Cell 8ram 15 lutego 2009 Pamięci 17
18 RAM Memory Write Cycle Data notdata Select 15 lutego 2009 Pamięci 18
19 RAM Memory Read Cycle Data notdata Select 15 lutego 2009 Pamięci 19
20 RAM Array Line n Line n+1 Line n+2 Line n+3 Kolumn n Kolumn n+1 Kolumn n+2 15 lutego 2009 Pamięci 20
21 RAM Line (word) Decoder LineAdr1 LineAdr0 LA L0 L1 L2 L lutego 2009 Pamięci 8RAMadr 21
22 RAM Column (bit) Decoder ColAdr1 Col0 Data ndata Data ndata Data ndata Data ndata Col0 Col1 Col2 Col3 Col1 ColAdr0 Col2 Col3 ColAdrr 0 1 Col0 Col1 Col2 Col lutego 2009 Pamięci 22
23 ColAdr1 RAM Write Data Data notdata ColAdr0 Column Selection Write Data 3st 3st 15 lutego 2009 Pamięci 23
24 RAM Array Circuit LineA LineA ColA ColA Write Data 3st 3st 15 lutego 2009 Pamięci 24
25 DRAM 15 lutego 2009 Pamięci 25
26 Komórka pamięci DRAM zbudowana jest z jednego tranzystora i pojemności. Dlatego pamięć DRAM charakteryzuje się: najmniejszą powierzchnią komórki najmniejszą stratą mocy najmniejszym kosztem Linia bitu Linia słowas C cell Komórka pamięci DRAM 15 lutego 2009 Pamięci 26
27 Pojemność jest rzędu ff i składaj adają się na nią pojemności pasożytnicze złąz łącza źródła a oraz pojemność dedykowana. Tranzystor MOS stanowi przełą łącznik łącz czący cy lub odłą łączający cy kondensator C cell od linii bitu zależnie od stanu linii słowa. s Pamiętanie bitu informacji wynika z dwóch stanów ładunku zmagazynowanego w kondensatorze: stanu naładowania adowania i stanu neutralnego. Stany te reprezentują odpowiednio 1 i 0. Naładowany adowany kondensator ulega stopniowemu rozładowaniu wskutek nieuniknionych upływno ywności. Aby nie dopuści cić do rozładowania kondensatora i tym samym przejściu stanu 1 w stan 0 ładunek musi być co jakiś czas (kilkanaście milisekund) regenerowany w procesie odświe wieżania. Linia bitu Linia słowas D S C cell Komórka pamięci DRAM 15 lutego 2009 Pamięci 27
28 Pojemność jest rzędu ff i składaj adają się na nią pojemności pasożytnicze złąz łącza źródła a oraz pojemność dedykowana. Tranzystor MOS stanowi przełą łącznik łącz czący cy lub odłą łączający cy kondensator C cell od linii bitu zależnie od stanu linii słowa. s Linia bitu Linia słowas D S C cell Linia bitu Linia słowas D S C o C j U DD C cell = C o +C j C L 15 lutego 2009 Pamięci 28
29 DRAM Memory Data Select A typical capacitance value C cell for DRAM arrays is 30fF. C cell Memory Cell The source area of the MOS is enlarged to increase the parasitic junction capacitance. 15 lutego 2009 Pamięci 29
30 Odkrywcą koncepcji komórek dynamicznych był R. Dennard w roku W komórce zastosowano metalowe elektrody bramki i górnej g okładki kondensatora C o. Drugą okładk adkę stanowi część domieszkowana obszaru n + źródła a tranzystora. U DD n + n + Linia słowas Linia bitu D S C o C j U DD 15 lutego 2009 Pamięci 30 C L
31 DRAM Memory Data Select 2 nd Polysilicon Memory Cell Second polysilicon layer creates big capacitance to source. The total size of memory cell could be significantly reduced. 15 lutego 2009 Pamięci 31
32 Innym rozwiązanie zanie jest struktura Kosonocky ego ego,, gdzie dolną okładk adkę stanowi warstwa inwersyjna. Jest ona tworzona przez przyłą łączenie do górnej g okładki wysokiego napięcia U DD tj. powyżej napięcia progowego. Stan nietrwały y 1 odpowiada zmniejszeniu napięcia na kondensatorze (czyli zmniejszeniu ładunku) U DD n + n + Linia słowas Linia bitu D S C o C j U DD 15 lutego 2009 Pamięci 32 C L
33 DRAM Memory Topology Cross-section section Layout 15 lutego 2009 Pamięci 33
34 Charakterystycznym zjawiskiem dla pamięci DRAM jest występowanie błęb łędów w powodowanych przez rozpad cząsteczek α. Cząsteczki α są emitowane w wyniku rozpadów w radioaktywnych (np( się w typowych materiałach ach stosowanych na obudowy).. BłąB łąd d pamięci może e pojawić się,, gdy tor cząstki przecina strukturę kondensatora. Przy przelocie cząstki tworzą się pary el-dz dz., które mogą być zbierane w obszarze zubożenia, co zwiększa napięcie kondensatora. i toru, których śladowe ilości znajdują si np.. uranu U DD n + n + Linia słowas Linia bitu D S C o C j U DD 15 lutego 2009 Pamięci 34 C L
35 DRAM Memory Topology 15 lutego 2009 Pamięci 35
36 DRAM Memory Array Bit Lines Word lines 15 lutego 2009 Pamięci 36
37 DRAM Memory Array 15 lutego 2009 Pamięci 37
38 ROM 15 lutego 2009 Pamięci 38
39 ROM ROM (Read( only Memory) ) sąs pamięciami stałymi, które sąs programowane jednorazowo maską w czasie procesu technologicznego. Pamięci ROM sąs najtańszymi, nieulotnymi pamięciami półprzewodnikowymi. p przewodnikowymi. Budowa komórek pamięci ROM jest bardzo prosta, ponieważ stany logiczne tych komórek sąs trwałe. Po zaadresowaniu komórki (na linii słowa) stan komórki jest przenoszony na linię bitu. Linie słowa s sąs sterowanie dekoderem adresu słowa, s a linie bitu sąs wybierane przez multipleksery sterowane adresem kolumn. 15 lutego 2009 Pamięci 39
40 ROM (Read( only Memory) ) może e być zbudowana z komórek zawierających pojedynczą diodę.. Wadą komórki jest mała a szybkość działania, ania, ponieważ przy zmianie poziomu linii słowa s z L na H wyjście dekodera musi ładować pojemność pasożytnicz ytniczą C L na wszystkich liniach bitu (z 1) Linia słowa s A ROM Linia słowa s B Linia bitu D Linia bitu C Linia bitu B Linia bitu A Linia słowa s C C L C L C L C L 15 lutego 2009 Pamięci 40
41 ROM ROM (Read( only Memory) ) może e być zbudowana z komórek zawierających tranzystor MOS. U DD Linia słowa s A Linia słowa s B Linia bitu D Linia bitu C Linia bitu B Linia bitu A Linia słowa s C C L C L C L C L 15 lutego 2009 Pamięci 41
42 ROM ROM (Read( only Memory) ) z komórkami MOS pozwalają na budowę symetrycznej matrycy pamięciowej. Programowanie pamięci następuje przez selektywne wytwarzanie tranzystorów w MOS w odpowiednich komórkach, czyli wytwarzanie bramek tranzystorów w na cienkiej warstwie tlenku. W tych miejscach gdzie tranzystory y nie powinny być wytworzono zostawia się pod bramką gruby tlenek. U DD Linia słowa s A Linia słowa s B Linia bitu D Linia bitu C Linia bitu B Linia bitu A Linia słowa s C C L C L C L C L 15 lutego 2009 Pamięci 42
43 ROM ROM (Read( only Memory) ) z komórkami MOS pozwalają na budowę symetrycznej matrycy pamięciowej. Programowanie pamięci następuje przez selektywne wytwarzanie tranzystorów w MOS w odpowiednich komórkach, czyli wytwarzanie bramek tranzystorów w na cienkiej warstwie tlenku. W tych miejscach gdzie tranzystory y nie powinny być wytworzono zostawia się pod bramką gruby tlenek. U DD Linia słowa s A Dyfuzja n + 15 lutego 2009 Pamięci 43
44 ROM ROM (Read( only Memory) ) z komórkami MOS pozwalają na budowę symetrycznej matrycy pamięciowej. Programowanie pamięci następuje przez selektywne wytwarzanie tranzystorów w MOS w odpowiednich komórkach, czyli wytwarzanie bramek tranzystorów w na cienkiej warstwie tlenku. W tych miejscach gdzie tranzystory y nie powinny być wytworzono zostawia się pod bramką gruby tlenek. U DD Linia słowa s A n + n + n + n + n + n + n + n + 15 lutego 2009 Pamięci 44
45 PROM 15 lutego 2009 Pamięci 45
46 PROM PROM (Programmable( Read only Memory) ) mogą być swobodnie programowane przez konstruktora. SąS wytwarzane seryjnie jako czyste,, czyli pełne zer lub jedynek. Programowanie polega na wprowadzeniu zmian w wybranych komórkach pamięci, czyli na selektywnym przepalaniu połą łączeń bezpiecznikowych wykonanych w postaci przewęż ężonych ścieżek ek polikrzemowych lub rezystorów w nichromowych. Linia słowa s A Linia słowa s B Linia bitu D Linia bitu C Linia bitu B Linia bitu A Linia słowa s C C L C L C L C L 15 lutego 2009 Pamięci 46
47 EPROM 15 lutego 2009 Pamięci 47
48 EPROM EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) ) umożliwiaj liwiają wielokrotne programowanie i kasowanie zawartości. Komórk rkę pamięciow ciową układu EPROM stanowi tranzystor, w którym wykorzystuje się zjawisko trwałego magazynowania ładunku w podbramkowej warstwie dielektrycznej, wprowadzonego przez wymuszenie napięciowe. Zjawisko takie występuje w strukturach z polaryzowalnym dielektrykiem, takim jak azotek krzemu (MNOS). Najbardziej znaną strukturą jest FAMOS (Floating( gate Avalanche-injected MOS) zwaną strukturą swobodnej bramki. Linia słowa s A S Linia bitu A Bramka sterująca n + n + Bramka swobodna 15 lutego 2009 Pamięci 48
49 EPROM Programowanie następuje przy ustaleniu wystarczająco co dużych napięć dodatnich na bramce sterującej i drenie. Wówczas W elektrony w obszarze zubożonym onym sąs przyspieszane w kierunku największego natęż ężenia pola znajdującego się w okolicy drenu. Przy natęż ężeniu pola > 10 5 V/cm elektrony mają tak dużą energię, że e sąs w stanie pokonać barierę potencjału u Si/SiO 2 (3.2 ev) ) między podłożem a cienkim dielektrykiem pod swobodną bramką.. Bramka swobodna łapie elektrony, które nie mogą jej już opuści cić.. W ten sposób b swobodna bramka ładuje się ujemnie do napięcia ΔU T = -Q FG /C gdzie C jest pojemności cią między bramką swobodną i bramką sterującą. Linia słowa s A 25V Bramka sterująca Bramka swobodna S Linia bitu A S n n + D 15 lutego 2009 Pamięci 49
50 EPROM Po zaprogramowaniu napięcie odcięcia cia U T tranzystora zwiększa się o ΔU T i stan bramki nie zmienia się po przyłożeniu napięcia 1 na bramkę sterującą I D ΔU T Odczyt 1 Odczyt 0 1 U GS 15 lutego 2009 Pamięci 50
51 EPROM Kasowanie zawartości komórki jest jednoznaczne z kasowaniem całej pamięci EPROM i polega na naświetleniu pamięci źródłem promieniowania nadfioletowego (4.9 ev). Ulotność pamięci EPROM jest niezwykle mała a ( 10( -4 % w czasie 10 lat) 0V Bramka sterująca Bramka swobodna S D n + n + 15 lutego 2009 Pamięci 51
52 EEPROM EEPROM (Electrically( Erasable Programmable Read Only Memory) ) umożliwiaj liwiają wielokrotne programowanie i kasowanie zawartości podobnie jak EPROM, ale kasowanie może e być selektywne. Komórk rkę pamięciow ciową układu EPROM stanowi tranzystor, w którym wykorzystuje się zjawisko trwałego magazynowania ładunku w podbramkowej warstwie dielektrycznej, wprowadzonego przez wymuszenie napięciowe. Przykładem może e być struktura FLOTOX (Floating( Gate Tunnel Oxide), która charakteryzuje się bardzo cienką warstwą tlenku ponad drenem, która umożliwia przepływ elektronów w w procesie tunelowania z drenu do bramki swobodnej Linia słowa s A S Linia bitu A Bramka sterująca n + n + Bramka swobodna 15 lutego 2009 Pamięci 52
53 EEPROM Przy U G > 0 i U D = 0 bramka swobodna jest sprzęż ężona pojemnościowo z dodatnim potencjałem em bramki sterującej i elektrony sąs do niej przyciągane z drenu. Z kolei przy U G = 0 i U D > 0 następuje rozładowanie swobodnej bramki. W pierwszym przypadku otrzymuje się zwiększenie napięcia progowego tranzystora U T ( w praktyce do ok. 10V), w drugim zmniejszenie U T poniżej 0V, tak, że e otrzymuje się tranzystor z kanałem zubożanym. Wartości tych napięć zależą od długod ugości procesów programowania. Linia słowa s A S Linia bitu A U G = 20V Bramka sterująca n n U D = 0V S D Bramka swobodna 15 lutego 2009 Pamięci 53
54 EEPROM Przy U G > 0 i U D = 0 bramka swobodna jest sprzęż ężona pojemnościowo z dodatnim potencjałem em bramki sterującej i elektrony sąs do niej przyciągane z drenu. Z kolei przy U G = 0 i U D > 0 następuje rozładowanie swobodnej bramki. W pierwszym przypadku otrzymuje się zwiększenie napięcia progowego tranzystora U T ( w praktyce do ok. 10V), w drugim zmniejszenie U T poniżej 0V, tak, że e otrzymuje się tranzystor z kanałem zubożanym. Wartości tych napięć zależą od długod ugości procesów programowania. Linia słowa s A U G = 0V Bramka sterująca Bramka swobodna S Linia bitu A n + n + U D = 20V S D 15 lutego 2009 Pamięci 54
55 EEPROM Jednobitowe komórki pamięci EEPROM tworzy się przez połą łączenie tranzystora FLOTOX z normalnym tranzystorem MOS Linia słowa s 20V Linia bitu 0V 20V +18V - Zapis 0 0V - Utrzymanie 1 Linia programowania 20V 0V S S S Rozładowanie bramki Kasowanie (ustalanie 1) Selektywny zapis 0 15 lutego 2009 Pamięci 55
56 Flash EEPROM 15 lutego 2009 Pamięci 56
57 Flash PROM Pamięci Flash PROM sąs specyficzną odmianą pamięci EEPROM charakteryzujących cych się błyskawicznym kasowaniem zawartości bloków w lub całej pamięci (1ms) w porównaniu z kasowaniem zawartości EEPROM bit po bicie (ok. 15 min). Wymiar komórki Flash jest ok. 5μm 5 m podczas gdy komórka EEPROM ma rozmiar ok. 50μm Przykładem flash EEPROM może e być struktura ETOX (EPROM with Tunnel Oxide) Programowanie realizowane jest przez wstrzykiwanie gorących elektronów w (jak w EPROM) przy napięciu na bramce i drenie +12V. Kasowanie jest wykonywane w procesie tunelowym (jak w EEPROM) przy napięciu na bramce 0V i źródle +5V. Bramka sterująca Bramka swobodna LS A S Linia bitu A S Linia bitu B n + n + LS B S D S S 15 lutego 2009 Pamięci 57
architektura komputerów w. 6 Pamięć I
architektura komputerów w. 6 Pamięć I Pamięć -własności Pojemność rozmiar słowa liczba słów jednostka adresowalna jednostka transferu typ dostępu skojarzeniowy swobodny bezpośredni sekwencyjny wydajność
Bardziej szczegółowoPODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE
PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONCZNE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego 1. Diody półprzewodnikowe Złącze PN - podstawa budowy i działania diody,
Bardziej szczegółowoMikrokontrolery AVR. Konfigurowanie mikrokontrolera ATMEGA16
Mikrokontrolery AVR Konfigurowanie mikrokontrolera ATMEGA16 Białystok, 2004 W mikrokontrolerach AVR obok bitów zabezpieczających istnieją bity konfiguracyjne (ang. Fuse). Bite te konfigurują wybrane zespoły
Bardziej szczegółowoElementy cyfrowe i układy logiczne
Elementy cyfrowe i układy logiczne Wykład Legenda Zezwolenie Dekoder, koder Demultiplekser, multiplekser 2 Operacja zezwolenia Przykład: zamodelować podsystem elektroniczny samochodu do sterowania urządzeniami:
Bardziej szczegółowoLekcja 15. Temat: Prąd elektryczny w róŝnych środowiskach.
Lekcja 15 Temat: Prąd elektryczny w róŝnych środowiskach. Pod wpływem pola elektrycznego (przyłoŝonego napięcia) w materiałach, w których istnieją ruchliwe nośniki ładunku dochodzi do zjawiska przewodzenia
Bardziej szczegółowoArchitektura Systemów Komputerowych. Paweł Pełczyński ppelczynski@swspiz.pl
Architektura Systemów Komputerowych Paweł Pełczyński ppelczynski@swspiz.pl Program przedmiotu Struktura i zasada działania prostego systemu mikroprocesorowego Operacje wykonywane przez mikroprocesor i
Bardziej szczegółowoUkłady TTL i CMOS. Układy TTL
Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Zbiory rozmyte logika rozmyta Rozmywanie, wnioskowanie, baza reguł, wyostrzanie
Ćwiczenie nr 2 Zbiory rozmyte logika rozmyta Rozmywanie, wnioskowanie, baza reguł, wyostrzanie 1. Wprowadzenie W wielu zagadnieniach dotyczących sterowania procesami technologicznymi niezbędne jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoI. LOGICZNE STRUKTURY DRZEWIASTE
I LOGICZNE STRUKTURY DRZEWIASTE Analizując dany problem uzyskuje się zadanie projektowe w postaci pewnego zbioru danych Metoda morfologiczna, która została opracowana w latach 1938-1948 przez amerykańskiego
Bardziej szczegółowoPRZETWORNIK NAPIĘCIE - CZĘSTOTLIWOŚĆ W UKŁADZIE ILORAZOWYM
PRZETWORNIK NAPIĘCIE - CZĘSTOTLIWOŚĆ W UKŁADZIE ILORAZOWYM dr inż. Eligiusz Pawłowski Politechnika Lubelska, Wydział Elektryczny, ul. Nadbystrzycka 38 A, 20-618 LUBLIN E-mail: elekp@elektron.pol.lublin.pl
Bardziej szczegółowoTransformator Elektroniczny do LED 0W-40W Współpracuje z inteligentnymi ściemniaczami oświetlenia. Instrukcja. Model: TE40W-DIMM-LED-IP64
Elektroniczny do LED 0W-40W Współpracuje z inteligentnymi ściemniaczami oświetlenia Instrukcja Model: TE40W-DIMM-LED-IP64 Zastosowanie: elektroniczny do LED został zaprojektowany do zasilania źródeł światła
Bardziej szczegółowoKwantowa natura promieniowania elektromagnetycznego
Kwantowa natura promieniowania elektromagnetycznego Zjawisko fotoelektryczne. Zadanie 1. Jaką prędkość posiada fotoelektron wytworzony przez kwant γ o energii E γ=1,27mev? W porównaniu z pracą wyjścia
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo fotowoltaiczne
Laboratorium z Konwersji Energii Ogniwo fotowoltaiczne 1.0 WSTĘP Energia słoneczna jest energią reakcji termojądrowych zachodzących w olbrzymiej odległości od Ziemi. Zachodzące na Słońcu przemiany helu
Bardziej szczegółowoZagospodarowanie magazynu
Zagospodarowanie magazynu Wymagania wobec projektu magazynu - 1 jak najlepsze wykorzystanie pojemności związane z szybkością rotacji i konieczną szybkością dostępu do towaru; im większa wymagana szybkość
Bardziej szczegółowoHarmonogramowanie projektów Zarządzanie czasem
Harmonogramowanie projektów Zarządzanie czasem Zarządzanie czasem TOMASZ ŁUKASZEWSKI INSTYTUT INFORMATYKI W ZARZĄDZANIU Zarządzanie czasem w projekcie /49 Czas w zarządzaniu projektami 1. Pojęcie zarządzania
Bardziej szczegółowoTemat: Funkcje. Własności ogólne. A n n a R a j f u r a, M a t e m a t y k a s e m e s t r 1, W S Z i M w S o c h a c z e w i e 1
Temat: Funkcje. Własności ogólne A n n a R a j f u r a, M a t e m a t y k a s e m e s t r 1, W S Z i M w S o c h a c z e w i e 1 Kody kolorów: pojęcie zwraca uwagę * materiał nieobowiązkowy A n n a R a
Bardziej szczegółowoPRZERZUTNIKI Jest podstawowym elementem sekwencyjnym, który zapamiętuje jeden bit informacji Z kilku przerzutników zbudowane są bardziej skomplikowane
Układy cyfrowe - przykłady PRZERZUTNIKI Jest podstawowym elementem sekwencyjnym, który zapamiętuje jeden bit informacji Z kilku przerzutników zbudowane są bardziej skomplikowane układy cyfrowe np. rejestry.
Bardziej szczegółowoPodejmowanie decyzji. Piotr Wachowiak
Podejmowanie decyzji Co to jest sytuacja decyzyjna? Jest to sytuacja, kiedy następuje odchylenie stanu istniejącego od stanu pożądanego. Rozwiązanie problemu decyzyjnego polega na odpowiedzeniu na pytanie:
Bardziej szczegółowoPrzykłady wybranych fragmentów prac egzaminacyjnych z komentarzami Technik ochrony fizycznej osób i mienia 515[01]
Przykłady wybranych fragmentów prac egzaminacyjnych z komentarzami Technik ochrony fizycznej osób i mienia 515[01] 1 2 3 4 5 6 Efektem rozwiązania zadania egzaminacyjnego przez zdającego była praca 7 egzaminacyjna,
Bardziej szczegółowo2.Prawo zachowania masy
2.Prawo zachowania masy Zdefiniujmy najpierw pewne podstawowe pojęcia: Układ - obszar przestrzeni o określonych granicach Ośrodek ciągły - obszar przestrzeni którego rozmiary charakterystyczne są wystarczająco
Bardziej szczegółowoSystemy wbudowane. Paweł Pełczyński ppelczynski@swspiz.pl
Systemy wbudowane Paweł Pełczyński ppelczynski@swspiz.pl 1 Program przedmiotu Wprowadzenie definicja, zastosowania, projektowanie systemów wbudowanych Mikrokontrolery AVR Programowanie mikrokontrolerów
Bardziej szczegółowoI B. EFEKT FOTOWOLTAICZNY. BATERIA SŁONECZNA
1 OPTOELEKTRONKA B. EFEKT FOTOWOLTACZNY. BATERA SŁONECZNA Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności otoprądu zwarcia i otonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii
Bardziej szczegółowoOpracował: mgr inż. Marcin Wieczorek
Opracował: mgr inż. Marcin Wieczorek www.marwie.net.pl 1. Instalacja elektryczna samochodu. układ połączeń za pomocą przewodów elektrycznych, źródeł energii elektrycznej ze wszystkimi odbiornikami zamontowanymi
Bardziej szczegółowoLVI OLIMPIADA FIZYCZNA 2006/2007 Zawody II stopnia
LVI OLIMPIADA FIZYCZNA 2006/2007 Zawody II stopnia Zadanie doświadczalne Energia elektronów w półprzewodniku może przybierać wartości należące do dwóch przedziałów: dolnego (tzw. pasmo walencyjne) i górnego
Bardziej szczegółowoPODSTAWY DZIAŁANIA UKŁADÓW CYFROWYCH
PODSTAWY DZIAŁANIA UKŁADÓW CYFROWYCH Podstawy działania układów cyfrowych Obecnie telekomunikacja i elektronika zostały zdominowane przez układy cyfrowe i przez cyfrowy sposób przetwarzania sygnałów. Cyfrowe
Bardziej szczegółowoROZWIĄZANIA ZADAŃ Zestaw P3 Odpowiedzi do zadań zamkniętych
PRZYKŁADOWY ARKUSZ EGZAMINACYJNY POZIOM PODSTAWOWY ROZWIĄZANIA ZADAŃ Zestaw P3 Odpowiedzi do zadań zamkniętych Numer zadania 1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 13 14 15 16 17 18 19 0 Odpowiedź A B B C C D C B B C
Bardziej szczegółowoHiTiN Sp. z o. o. Przekaźnik kontroli temperatury RTT 4/2 DTR. 40 432 Katowice, ul. Szopienicka 62 C tel/fax.: + 48 (32) 353 41 31. www.hitin.
HiTiN Sp. z o. o. 40 432 Katowice, ul. Szopienicka 62 C tel/fax.: + 48 (32) 353 41 31 www.hitin.pl Przekaźnik kontroli temperatury RTT 4/2 DTR Katowice, 1999 r. 1 1. Wstęp. Przekaźnik elektroniczny RTT-4/2
Bardziej szczegółowoDEMERO Automation Systems
Programowanie wektorowych przetwornic częstotliwości serii POSIDRIVE FDS5000 / MDS5000 i serwonapędów POSIDRIVE MDS5000 / POSIDYN SDS5000 firmy Stober Antriebstechnik Konfiguracja parametrów w programie
Bardziej szczegółowoProgramator pamięci EEPROM
Programator pamięci EEPROM Model M- do Dydaktycznego Systemu Mikroprocesorowego DSM-5 Instrukcja uŝytkowania Copyright 007 by MicroMade All rights reserved Wszelkie prawa zastrzeŝone MicroMade Gałka i
Bardziej szczegółowoSprawozdanie. Układ utrzymujący stałą temperaturę sterowanie wentylatora na podstawie informacji z czujnika temperatury
Sprawozdanie Układ utrzymujący stałą temperaturę sterowanie wentylatora na podstawie informacji z czujnika temperatury Damian Chmielewski 17.01.2010 Jacek Skiba 1. Założenia projektowe Przed rozpoczęciem
Bardziej szczegółowoArchitektura systemu komputerowego
Zakres przedmiotu 1. Wstęp do systemów mikroprocesorowych. 2. Współpraca procesora z pamięcią. Pamięci półprzewodnikowe. 3. Architektura systemów mikroprocesorowych. 4. Współpraca procesora z urządzeniami
Bardziej szczegółowoLekcja 173, 174. Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe.
Lekcja 173, 174 Temat: Silniki indukcyjne i pierścieniowe. Silnik elektryczny asynchroniczny jest maszyną elektryczną zmieniającą energię elektryczną w energię mechaniczną, w której wirnik obraca się z
Bardziej szczegółowoPamięć. dr hab. inż. Krzysztof Patan, prof. PWSZ. Instytut Politechniczny Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Głogowie k.patan@issi.uz.zgora.
Pamięć dr hab. inż. Krzysztof Patan, prof. PWSZ Instytut Politechniczny Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Głogowie k.patan@issi.uz.zgora.pl Hierarchia pamięci Wiele programów, aby wykonać zadanie, potrzebuje
Bardziej szczegółowoPROGRAMATOR "WinProg-1" Instrukcja obsługi
PROGRAMATOR "WinProg-1" Instrukcja obsługi 1 55-075 Kobierzyce, Poland 1. Wstęp. Programator "WinProg-1" służy do programowania 8-bitowych mikrokontrolerów Winbond z serii W78... i W77... (z wyjątkiem
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE e LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYH LPP 2 Ćwiczenie nr 10 1. el ćwiczenia Przełączanie tranzystora bipolarnego elem
Bardziej szczegółowoTMW HC912 PROGRAMATOR MIKROKONTROLERÓW MOTOROLA HC912
TMW HC912 PROGRAMATOR MIKROKONTROLERÓW MOTOROLA HC912 RYDUŁTOWY 2006 1. Wstęp Oferowany programator TMW HC912 to urządzenie umożliwiające programowanie i odczyt pamięci Flash/EEPROM mikrokontrolerów Motorola
Bardziej szczegółowoPRZEKAŹNIK DOMOFONOWY NR REF. P3E
PRZEKAŹNIK DOMOFONOWY NR REF. P3E PRZEKAŹNIK NR REF. P3E INSTALACJA PRZEKAŹNIK DOMOFONOWY NR REF. P3E SCHEMATY BLOKOWE SYSTEMU INFORMACJE OGÓLNE Urządzenie przekaźnikowe P3E jest dodatkowym elementem rozbudowanych
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach. Wykład XII. Właściwości elektryczne. Jerzy Lis
Nauka o Materiałach Wykład XII Właściwości elektryczne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Wprowadzenie 2. a) wiadomości podstawowe b) przewodniki c) półprzewodniki d) izolatory 3. Właściwości
Bardziej szczegółowoBadanie przetworników napięcie - częstotliwość
POLIECHNIKA POZNAŃSKA KAEDRA SEROWANIA I INŻYNIERII SYSEMÓW Pracownia Układów Elektronicznych i Przetwarzania Sygnałów ELEKRONICZNE SYSEMY POMIAROWE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie przetworników
Bardziej szczegółowoZagadnienia transportowe
Mieczysław Połoński Zakład Technologii i Organizacji Robót Inżynieryjnych Wydział Inżynierii i Kształtowania Środowiska SGGW Zagadnienia transportowe Z m punktów odprawy ma być wysłany jednorodny produkt
Bardziej szczegółowoPODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 4 PRZETWORNIKI AC/CA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3
PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 4 PRZETWORNIKI AC/CA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 29/2 SEMESTR 3 Rozwiązania zadań nie były w żaden sposób konsultowane z żadnym wiarygodnym źródłem informacji!!!
Bardziej szczegółowoG PROGRAMMING. Part #4
G PROGRAMMING Part #4 Tablice, wykresy, klastry Tablice Zbiór elementów danych tego samego typu Zastosowanie gromadzenie danych z powtarzalnych operacji odczytu, obliczeń (magazynowanie danych przebiegów
Bardziej szczegółowoGeometria Wykreślna Wykład 3
Geometria Wykreślna Wykład 3 OBRÓT PUNKTU Z obrotem punktu A związane są następujące elementy obrotu: - oś obrotu - prosta l, - płaszczyzna obrotu - płaszczyzna, - środek obrotu - punkt S, - promień obrotu
Bardziej szczegółowoUchwała nr 1 Nadzwyczajnego Walnego Zgromadzenia J.W. Construction Holding S.A. z siedzibą w Ząbkach z dnia 1 kwietnia 2008 roku
Uchwała nr 1 w sprawie wyboru Przewodniczącego Działając na podstawie art. 409 1 kodeksu spółek handlowych oraz 3 ust. 2 lit. c Regulaminu Walnego Zgromadzenia oraz dokonywania wyboru członków Rady Nadzorczej,
Bardziej szczegółowoPrzygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe
Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe Powtórzenie materiału Opracował: mgr inż. Marcin Wieczorek Mierniki i wielkości mierzone do pomiaru różnych wielkości używa się szeregu
Bardziej szczegółowoBadanie bezszczotkowego silnika prądu stałego z magnesami trwałymi (BLDCM)
Badanie bezszczotkowego silnika prądu stałego z magnesami trwałymi (BLDCM) Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową, zasadą działania oraz sterowaniem bezszczotkowego silnika prądu stałego z magnesami
Bardziej szczegółowoSystem zarządzania bazą danych (SZBD) Proces przechodzenia od świata rzeczywistego do jego informacyjnej reprezentacji w komputerze nazywać będziemy
System zarządzania bazą danych (SZBD) Proces przechodzenia od świata rzeczywistego do jego informacyjnej reprezentacji w komputerze nazywać będziemy modelowaniem, a pewien dobrze zdefiniowany sposób jego
Bardziej szczegółowoOprogramowanie klawiatury matrycowej i alfanumerycznego wyświetlacza LCD
Oprogramowanie klawiatury matrycowej i alfanumerycznego wyświetlacza LCD 1. Wprowadzenie DuŜa grupa sterowników mikroprocesorowych wymaga obsługi przycisków, które umoŝliwiają uŝytkownikowi uruchamianie
Bardziej szczegółowoSTA T T A YSTYKA Korelacja
STATYSTYKA Korelacja Pojęcie korelacji Korelacja (współzależność cech) określa wzajemne powiązania pomiędzy wybranymi zmiennymi. Charakteryzując korelację dwóch cech podajemy dwa czynniki: kierunek oraz
Bardziej szczegółowoE6. BADANIE ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
6. ADANI LMNTÓW PÓŁPZWODNIKOWYH tekst opracowała: ożena Janowska-Dmoch Diody i tranzystory półprzewodnikowe są podstawowymi aktywnymi elementami we współczesnej elektronice. Znalazły wiele zastosowań i
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
Wzmacniacz operacyjny. Czas trwania: 6h. Cele ćwiczenia Badanie podstawowych układów pracy wzmacniacza operacyjnego. 3. Wymagana znajomość pojęć idea działania wzmacniacza operacyjnego, ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoTechniki korekcyjne wykorzystywane w metodzie kinesiotapingu
Techniki korekcyjne wykorzystywane w metodzie kinesiotapingu Jak ju wspomniano, kinesiotaping mo e byç stosowany jako osobna metoda terapeutyczna, jak równie mo e stanowiç uzupe nienie innych metod fizjoterapeutycznych.
Bardziej szczegółowoPodstawowe oddziaływania w Naturze
Podstawowe oddziaływania w Naturze Wszystkie w zjawiska w Naturze są określone przez cztery podstawowe oddziaływania Silne Grawitacja Newton Elektromagnetyczne Słabe n = p + e - + ν neutron = proton +
Bardziej szczegółowoMultiplekser, dekoder, demultiplekser, koder.
Opis ćwiczenia Multiplekser, dekoder, demultiplekser, koder. korzystując n-wejściową bramkę logiczną OR oraz n dwuwejściowych bramek N moŝna zbudować układ (rysunki: oraz 2), w którym poprzez podanie odpowiedniej
Bardziej szczegółowoCZYSTOŚĆ POWIETRZA I MIKROKLIMAT POMIESZCZEŃ
moduł I foliogram 6 CZYSTOŚĆ POWIETRZA I MIKROKLIMAT POMIESZCZEŃ Czystość powietrza i mikroklimat to w otoczeniu człowieka ważne czynniki wpływające na zdrowie, samopoczucie i wydajność pracy. Charakteryzują
Bardziej szczegółowoTEST WIADOMOŚCI: Równania i układy równań
Poziom nauczania: Gimnazjum, klasa II Przedmiot: Matematyka Dział: Równania i układy równań Czas trwania: 45 minut Wykonała: Joanna Klimeczko TEST WIADOMOŚCI: Równania i układy równań Liczba punktów za
Bardziej szczegółowoUchwała Nr 113/10 Sejmiku Województwa Mazowieckiego z dnia 5 lipca 2010 roku
Uchwała Nr 113/10 Sejmiku Województwa Mazowieckiego z dnia 5 lipca 2010 roku w sprawie zatwierdzenia zmian statutu Mazowieckiego Centrum Leczenia Chorób Płuc i Gruźlicy w Otwocku Na podstawie art. 18 pkt
Bardziej szczegółowoSST - 03 - SZCZEGÓŁOWE SPECYFIKACJE TECHNICZNE.
SST - 03 - SZCZEGÓŁOWE SPECYFIKACJE TECHNICZNE. H 03.00.00 Roboty Umocnieniowe kod CPV 45 200000-9 H 03.01.00 Układanie geowłókniny SPIS TREŚCI 1. WSTĘP 148 2.MATERIAŁY 148-149 3. SPRZĘT... 149 4. TRANSPORT...149
Bardziej szczegółowodo obliczania prędkości w przekrojach doliny, korytach rzek, rynnach o dowolnym kształcie i dowolnym współczynniku szorstkości.
Wykres 9 do obliczania prędkości w przekrojach doliny, korytach rzek, rynnach o dowolnym kształcie i dowolnym współczynniku szorstkości. Dla wykresu 9 przyjęto wzór Ganquilleta i Kuttera: gdzie: v = #
Bardziej szczegółowoWyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyn i ich układów
Ćwiczenie 63 Wyznaczanie współczynnika sprężystości sprężyn i ich układów 63.1. Zasada ćwiczenia W ćwiczeniu określa się współczynnik sprężystości pojedynczych sprężyn i ich układów, mierząc wydłużenie
Bardziej szczegółowoOCHRONA PRZECIWPOŻAROWA W BUDOWNICTWIE
TEMAT: OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA W BUDOWNICTWIE BIERNE ZABEZPIECZENIA PRZECIWPOŻAROWE - ZASTOSOWANIA W PRAKTYCE Adam Biśta FIRESYS Żory 19.11.2014 BIERNE ZABEZPIECZENIA PRZECIWPOŻAROWE: Techniczne środki
Bardziej szczegółowoTester pilotów 315/433/868 MHz 10-50 MHz
TOUCH PANEL KOLOROWY WYŚWIETLACZ LCD TFT 160x128 ` Parametry testera Zasilanie Pasmo 315MHz Pasmo 433MHz Pasmo 868 MHz Pasmo 10-50MHz 5-12V/ bateria 1,5V AAA 300-360MHz 400-460MHz 820-880MHz Pomiar sygnałów
Bardziej szczegółowoPrzenośny akumulator, powerbank Mipow SP2600M-BK, 2600 mah, Li-Ion, Złącze USB, Micro-USB
INSTRUKCJA OBSŁUGI Nr produktu 000200240 Przenośny akumulator, powerbank Mipow SP2600M-BK, 2600 mah, Li-Ion, Złącze USB, Micro-USB Strona 1 z 5 Dziękujemy za zakup przenośnego akumulatora Power Tube 2600M,
Bardziej szczegółowoMATEMATYKA 4 INSTYTUT MEDICUS FUNKCJA KWADRATOWA. Kurs przygotowawczy na studia medyczne. Rok szkolny 2010/2011. tel. 0501 38 39 55 www.medicus.edu.
INSTYTUT MEDICUS Kurs przygotowawczy na studia medyczne Rok szkolny 00/0 tel. 050 38 39 55 www.medicus.edu.pl MATEMATYKA 4 FUNKCJA KWADRATOWA Funkcją kwadratową lub trójmianem kwadratowym nazywamy funkcję
Bardziej szczegółowoTest F- Snedecora. będzie zmienną losową chi-kwadrat o k 1 stopniach swobody a χ
Test F- nedecora W praktyce często mamy do czynienia z kilkoma niezaleŝnymi testami, słuŝącymi do weryfikacji tej samej hipotezy, prowadzącymi do odrzucenia lub przyjęcia hipotezy zerowej na róŝnych poziomach
Bardziej szczegółowoANALOGOWE UKŁADY SCALONE
ANALOGOWE UKŁADY SCALONE Ćwiczenie to ma na celu zapoznanie z przedstawicielami najważniejszych typów analogowych układów scalonych. Będą to: wzmacniacz operacyjny µa 741, obecnie chyba najbardziej rozpowszechniony
Bardziej szczegółowoMATEMATYKA 9. INSTYTUT MEDICUS Kurs przygotowawczy do matury i rekrutacji na studia medyczne Rok 2017/2018 FUNKCJE WYKŁADNICZE, LOGARYTMY
INSTYTUT MEDICUS Kurs przygotowawczy do matury i rekrutacji na studia medyczne Rok 017/018 www.medicus.edu.pl tel. 501 38 39 55 MATEMATYKA 9 FUNKCJE WYKŁADNICZE, LOGARYTMY Dla dowolnej liczby a > 0, liczby
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: Układy prostownicze
Instytut Elektroniki Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki Politechnika Śląska Ćwiczenie: Układy prostownicze Opracował: dr inż. Jerzy Fiołka dr inż. Zenon Kidoń 1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoKontrola wytwarzania energii w systemach PV
Kontrola wytwarzania energii w systemach PV Piotr Knyps Projekt realizowany przez Politechnikę Warszawską, dofinansowany ze środków Narodowego Funduszu Ochrony Środowiska i Gospodarki Wodnej Plan prezentacji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM FOTONIKI
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki LABORATORIUM FOTONIKI Transoptory Opracowali: Ryszard Korbutowicz, Janusz Szydłowski I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania * wpływ światła na konduktywność
Bardziej szczegółowo7. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH
OBWODY SYGNAŁY 7. EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH 7.. ZJAWSKO EZONANS Obwody elektryczne, w których występuje zjawisko rezonansu nazywane są obwodami rezonansowymi lub drgającymi. ozpatrując bezźródłowy obwód
Bardziej szczegółowoSegmenty rynku sterowników. Segmenty rynku sterowników. Segmenty rynku sterowników. Typy budowy sterowników. Typy budowy sterowników
Segmenty rynku sterowników Segmenty rynku sterowników Klasy sterowników Sterowniki mikro Sterowniki małe Sterowniki średnie Sterowniki duŝe Sterowniki bardzo duŝe Sterowniki firmy Siemens Logo! Rodzina
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Prostowniki małej mocy. Wrocław 2010
Prostowniki małej mocy Wrocław Wartość sygnału elektrycznego Skuteczna Wartość skuteczna sygnału (MS oot Mean Square) u rms ( ) uamplit u o ( t) dt u ( t) u u av Wartość sygnału elektrycznego Średnia (
Bardziej szczegółowoROZPORZĄDZENIE MINISTRA ZDROWIA 1)
Dz.U.05.73.645 ROZPORZĄDZENIE MINISTRA ZDROWIA 1) z dnia 20 kwietnia 2005 r. w sprawie badań i pomiarów czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy (Dz. U. z dnia 28 kwietnia 2005 r.) Na podstawie
Bardziej szczegółowoPomiar mocy pobieranej przez napędy pamięci zewnętrznych komputera. Piotr Jacoń K-2 I PRACOWNIA FIZYCZNA 25. 01. 2010
Pomiar mocy pobieranej przez napędy pamięci zewnętrznych komputera. Piotr Jacoń K-2 I PRACOWNIA FIZYCZNA 25. 01. 2010 I. Cel ćwiczenia: Poznanie poprzez samodzielny pomiar, parametrów elektrycznych zasilania
Bardziej szczegółowoUCHWAŁY PODJĘTE na Nadzwyczajnym Walnym Zgromadzeniu Akcjonariuszy w dniu 30 marca 2009 r. Uchwała nr 1
UCHWAŁY PODJĘTE na Nadzwyczajnym Walnym Zgromadzeniu Akcjonariuszy w dniu 30 marca 2009 r. Uchwała nr 1 w sprawie wyboru Komisji Skrutacyjnej 1. NWZA powołuje do składu Komisji Skrutacyjnej następujące
Bardziej szczegółowotel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 NIP 7343246017 Regon 120493751
Zespół Placówek Kształcenia Zawodowego 33-300 Nowy Sącz ul. Zamenhoffa 1 tel/fax 018 443 82 13 lub 018 443 74 19 http://zpkz.nowysacz.pl e-mail biuro@ckp-ns.edu.pl NIP 7343246017 Regon 120493751 Wskazówki
Bardziej szczegółowoBazy danych. Andrzej Łachwa, UJ, 2013 andrzej.lachwa@uj.edu.pl www.uj.edu.pl/web/zpgk/materialy 9/15
Bazy danych Andrzej Łachwa, UJ, 2013 andrzej.lachwa@uj.edu.pl www.uj.edu.pl/web/zpgk/materialy 9/15 Przechowywanie danych Wykorzystanie systemu plików, dostępu do plików za pośrednictwem systemu operacyjnego
Bardziej szczegółowoUrządzenia do bezprzerwowego zasilania UPS CES GX RACK. 10 kva. Wersja U/CES_GXR_10.0/J/v01. Praca równoległa
Urządzenia do bezprzerwowego zasilania UPS CES GX RACK 10 kva Centrum Elektroniki Stosowanej CES sp. z o. o. 30-732 Kraków, ul. Biskupińska 14 tel.: (012) 269-00-11 fax: (012) 267-37-28 e-mail: ces@ces.com.pl,
Bardziej szczegółowoKratownice Wieża Eiffel a
Kratownice Wieża Eiffel a Kratownica jest to konstrukcja nośna, składająca się z prętów połączonch ze sobą w węzłach. Kratownica może bć: 1) płaska, gd wszstkie pręt leżą w jednej płaszczźnie, 2) przestrzenna,
Bardziej szczegółowoOd redakcji. Symbolem oznaczono zadania wykraczające poza zakres materiału omówionego w podręczniku Fizyka z plusem cz. 2.
Od redakcji Niniejszy zbiór zadań powstał z myślą o tych wszystkich, dla których rozwiązanie zadania z fizyki nie polega wyłącznie na mechanicznym przekształceniu wzorów i podstawieniu do nich danych.
Bardziej szczegółowoKARTA INFORMACYJNA ELEKTROMAGNESY NAPĘDOWE. TYP ES-2a i ES-2
Producent : Spnia Inwalidów INMET 476 Kędzierzyn Kożle ul. Portowa 33 KARTA INFORMACYJNA ELEKTROMAGNESY NAPĘDOWE TYP ES2a i ES2 jednofazowe wnętrzowe bez obudowy 24 500 V 1780 W 50 Hz ZASTOSOWANIE : Do
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA SERWISOWA. Wprowadzenie nowego filtra paliwa PN 874060 w silnikach ROTAX typ 912 is oraz 912 is Sport OPCJONALNY
Wprowadzenie nowego filtra paliwa PN 874060 w silnikach ROTAX typ 912 is oraz 912 is Sport ATA System: Układ paliwowy OPCJONALNY 1) Zastosowanie Aby osiągnąć zadowalające efekty, procedury zawarte w niniejszym
Bardziej szczegółowoMonopolistyczna konkurencja
Monopolistyczna konkurencja Monopolistyczna konkurencja Wiele firm Brak barier wejścia / wyjścia rodukt zróżnicowany Siła rynkowa pojedynczej firmy zależy od stopnia zróżnicowania produktu Dobra bliskimi,
Bardziej szczegółowoSpektroskopia UV-VIS zagadnienia
Spektroskopia absorbcyjna to dziedzina, która obejmuje metody badania materii przy użyciu promieniowania elektromagnetycznego, które może z tą materią oddziaływać. Spektroskopia UV-VS zagadnienia promieniowanie
Bardziej szczegółowoDTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA)
DTR.ZL-24-08 APLISENS PRODUKCJA PRZETWORNIKÓW CIŚNIENIA I APARATURY POMIAROWEJ INSTRUKCJA OBSŁUGI (DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA) ZASILACZ SIECIOWY TYPU ZL-24-08 WARSZAWA, KWIECIEŃ 2008. APLISENS S.A.,
Bardziej szczegółowoArchitektura Systemów Komputerowych. Sterowanie programem skoki Przerwania
Architektura Systemów Komputerowych Sterowanie programem skoki Przerwania 1 Sterowanie programem - skoki Kolejność wykonywania instrukcji programu jest zazwyczaj zgodna z kolejnością ich umiejscowienia
Bardziej szczegółowoPODSTAWOWA BUDOWA KOMPUTERA
PODSTAWOWA BUDOWA KOMPUTERA - procesor (ang. Central Processing Unit = CPU), - ROM (ang. Read Only Memory) pamięć tzw. stała, do przechowywania m.in. ustawień konfiguracyjnych, programów, - RAM (ang. Random
Bardziej szczegółowoPomiary napięć i prądów w obwodach prądu stałego
WARSZTATY INŻYNIERSKIE ELEKTROTECHNICZNE Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia Nazwisko i imię Ocena Data wykonania. ćwiczenia. Podpis prowadzącego. zajęcia. Uwaga! ćwiczenie realizowane w 5-ciu 5. podgrupach
Bardziej szczegółowoZałącznik nr 2. 20 pkt - szafa metalowa certyfikowana, posiadająca klasę odporności odpowiednią
Załącznik nr 2 ŚRODKI BEZPIECZEŃSTWA FIZYCZNEGO, ICH DOBÓR DO POZIOMU ZAGROŻEŃ I ZAKRES ICH STOSOWANIA W STRAŻY GRANICZNEJ 1. DOBÓR ŚRODKÓW BEZPIECZEŃSTWA FIZYCZNEGO KATEGORIA K1 - urządzenia do przechowywania/przetwarzania
Bardziej szczegółowoWniosek o udzielenie czasu wolnego w zamian za czas przepracowany w godzinach nadliczbowych
Wniosek o udzielenie czasu wolnego w zamian za czas przepracowany w godzinach nadliczbowych Uwagi ogólne Definicja godzin nadliczbowych Pracę w godzinach nadliczbowych stanowi praca wykonywana ponad obowiązujące
Bardziej szczegółowoAutomatyka. Etymologicznie automatyka pochodzi od grec.
Automatyka Etymologicznie automatyka pochodzi od grec. : samoczynny. Automatyka to: dyscyplina naukowa zajmująca się podstawami teoretycznymi, dział techniki zajmujący się praktyczną realizacją urządzeń
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Cyfrowe układy scalone Układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoCentrum Badawcze Polskiej Akademii Nauk
Centrum Badawcze Polskiej Akademii Nauk Technologie dla domów plus-energetycznych produkt aplikacyjny w Jabłonnie Konwersja Energii i Źródła Odnawialne Centrum jest najnowocześniejszym w Polsce i jednym
Bardziej szczegółowoArkusz kalkulacyjny MS Excel 2010 - podstawy
Arkusz kalkulacyjny MS Excel 2010 - podstawy Cz. 1. Formatowanie arkusza kalkulacyjnego Wygląd programu MS Excel 2010 znacząco różni się od swoich starszych odpowiedników. Podstawową różnicą jest sposób
Bardziej szczegółowoZASADY WYPEŁNIANIA ANKIETY 2. ZATRUDNIENIE NA CZĘŚĆ ETATU LUB PRZEZ CZĘŚĆ OKRESU OCENY
ZASADY WYPEŁNIANIA ANKIETY 1. ZMIANA GRUPY PRACOWNIKÓW LUB AWANS W przypadku zatrudnienia w danej grupie pracowników (naukowo-dydaktyczni, dydaktyczni, naukowi) przez okres poniżej 1 roku nie dokonuje
Bardziej szczegółowoProjekt Studenckiego Koła Naukowego CREO BUDOWA GENERATORA WODORU
Projekt Studenckiego Koła Naukowego CREO BUDOWA GENERATORA WODORU Stanowisko testowe Opracował Tomasz Piaścik Wprowadzenie Malejące zasoby naturalne, wpływ na środowisko naturalne i ciągle rosnące potrzeby
Bardziej szczegółowoPRAWA ZACHOWANIA. Podstawowe terminy. Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc
PRAWA ZACHOWANIA Podstawowe terminy Cia a tworz ce uk ad mechaniczny oddzia ywuj mi dzy sob i z cia ami nie nale cymi do uk adu za pomoc a) si wewn trznych - si dzia aj cych na dane cia o ze strony innych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI
Katedra Optoelektroniki Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechnika Gdańska LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 5 DETEKTORY OPTOELEKTRONICZNE Gdańsk, 2005 ĆWICZENIE 5: DETEKTORY OPTOELEKTRONICZNE
Bardziej szczegółowo