ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS

Transkrypt

1 ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik:doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI tel. (0-prefiks-22) , fax Zespó³: doc. dr hab. in. Andrzej Kassur, dr in. Andrzej Kud³a, dr in. Tomasz Gutt, mgr in. Danuta Lis, mgr in. Witold Rzodkiewicz, mgr in. Krzysztof Piskorski, in. Marek Leœko, Osoby wspó³pracuj¹ce: doc. dr in. Lech Borowicz, mgr in. Danuta Brzeziñska, Zbigniew Sawicki 1. Realizowane projekty badawcze W Zak³adzie Badania Struktur MOS w 2004 r. realizowano nastêpuj¹ce tematy: Rozwój teorii zjawisk fotoelektrycznych w strukturach MOS i jej zastosowanie do opracowania nowych metod pomiaru. Etap III (temat statutowy nr ), Badanie sprê ystych i niesprê ystych odkszta³ceñ uk³adu Si-SiO 2 oraz ich wp³ywu na elektryczne i optyczne parametry struktur MOS (projekt badawczy KBN nr 4 T11B 02222), Fotoelektryczne badania podstawowych parametrów fizycznych struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji optycznej (projekt badawczy KBN nr 4 T11 B 00725). 2. Wspó³praca badawcza z partnerami Po zakoñczeniu dzia³alnoœci Amerykañsko-Polskiego Funduszu im. Marii Sk³odowskiej-Curie i tym samym wspó³pracy naukowo-badawczej z Duke University w USA (grupa prof. H. Z. Massouda) w 2004 r. nawi¹zano wspó³pracê z wieloma zagranicznymi oœrodkami badawczymi z krajów Unii Europejskiej. Wœród tych oœrodków s¹ m. in.: Department of Microtechnology (MC2), Chalmers University of Technology w Goeteborgu (Szwecja) grupa prof. Olofa Engstroma,

2 2 Zak³ad Badania Struktur MOS Institute of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (IMEP) w Grenoble (Francja) grupa prof. Sorina Cristoloveanu, MESA Research Institute, University of Twente (Holandia) grupa prof. Jurriaana Schmitza, Department of Physics, University of Leuven (Belgia) grupy prof. Andre Stesmansa i prof. Valery ego Afanasieva. Wspó³pracowano tak e z krajowymi instytutami i oœrodkamii badawczymi z Instytutem Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej (IMIO PW), Politechnika Œl¹sk¹, Instytutem Technologii i Materia³ów Elektronicznych (ITME), Instytutem Fizyki Polskiej Akademii Nauk (IF PAN), Instytutem Chemii PAN w Gliwicach oraz z zak³adami Instytutu Technologii Elektronowej. W 2004 r. nast¹pi³ znaczny postêp w pracach nad utworzeniem konsorcjum europejskiego i nad opracowaniem wniosku do Komisji Europejskiej o finansowanie wspólnego projektu badawczego Character (tematyka: Methods for Characterizing Advanced Microelectronic Devices and Emerging Semiconductor Structures ). Sprecyzowano tematykê projektu i sk³ad konsorcjum. W dniach r. w Lyonie odby³o siê spotkanie przedstawicieli wszystkich oœrodków naukowych zg³aszaj¹cych chêæ przyst¹pienia do tego projektu. Na spotkaniu okreœlono zakres i formy wspó³dzia³ania. Koordynatorem dzia³añ zosta³ prof. O. Engstrom z Chalmers University of Technology w Goeteborgu. Obecnie w sk³ad konsorcjum wchodz¹ nastêpuj¹ce oœrodki naukowe i przedsiêbiorstwa produkcyjne: Chalmers University, Goeteborg, Szwecja (prof. O. Engstrom), TIMA ENSERG, Grenoble, Francja (prof. S. Cristoloveanu), MTA MFA, Budapeszt, Wêgry (dr L. Dozsa), University of Manchester, Wielka Brytania (prof. A. Peaker, prof. B. Hamilton), Universität Hamburg, Niemcy (prof. W. Hansen), Delft University of Technology, Holandia (prof. L. Nanver), University of Leuven, Belgia (prof. A. Stesmans), ITE Warszawa (doc. A. Kassur, doc. H. M. Przew³ocki, Polska), ITH Frankfurt nad Odr¹, Niemcy (dr T. Schroder), University of Twente, Holandia (prof. J. Schmitz), SOITEC Co. (Francja). Swoje zainteresowanie ostatnio zg³osi³y tak e Keithley Instruments Co. i Accent co. Projekt sk³ada siê z czterech work packages : WP1: Characterization Methods for the Development of CMOS Down to Nanoscale (koordynator: prof. S. Cristoloveanu), WP2: Characterization Methods for Quantum Device Structures (koordynator: prof. O. Engstrom), WP3: Characterization Methods for Power, HF and Wide Band Gap Semiconductor Structures (koordynator: prof. B. Hamilton), WP4: Characterization Methods for the Development of Photonic Devices (koordynator: prof. A. Peaker). W ramach przygotowañ do realizacji projektu Character nawi¹zano wspó³pracê miêdzy niektórymi oœrodkami wchodz¹cymi w sk³ad konsorcjum. Wraz z prof.

3 Zak³ad Badania Struktur MOS 3 O. Engstromem rozpoczêliœmy wspó³pracê w dziedzinie charakteryzacji struktur wykonywanych na pod³o ach z wêglika krzemu (SiC) wytwarzanych w Chalmers University. Do tej pory w Zak³adzie wykonano badania na dwóch partiach struktur MOS na SiC (Olof1 i Olof2), które g³ównie pos³u y³y do zorientowania siê, w jaki sposób nale y mierzyæ takie struktury. Obecnie prowadzone s¹ pomiary trzeciej partii (Olof3), która zawiera ju kilkaset struktur MOS na pod³o ach SiC typu n i p. Dotychczasowe wyniki badañ wskazuj¹ na mo liwoœæ zastosowania do pomiaru struktur oryginalnych metod pomiarowych opracowanych w ITE. Pozwoli to okreœliæ niektóre ich parametry, których nikt dotychczas nie mierzy³ na strukturach MOS na pod³o ach SiC. Wspó³praca ta wydaje siê byæ bardzo obiecuj¹ca. We wspó³pracy z prof. S. Cristoloveanu, który przys³a³ do badañ w ITE seriê struktur próbnych SOI, rozpoczêto badania wp³ywu polaryzacji elektrycznej struktury SOI na jej w³aœciwoœci optyczne. Ocenê zjawiska przeprowadzono metodami elipsometrycznymi. W przypadku wykrycia takiego wp³ywu istnia³aby mo liwoœæ wspólnego opracowania metody diagnostycznej, której poszukuj¹ oœrodki przemys³owe wytwarzaj¹ce p³ytki SOI. Niejednokrotnie w swoich pracach Zak³ad korzysta³ z cennych i trafnych pomys³ów prof. J. Schmitza. Prowadzone dyskusje by³y bardzo owocne i w razie potrzeby bêd¹ kontynuowane. Mimo formalnego zakoñczenia wspó³pracy z Duke University (USA) w dalszym ci¹gu prowadzone s¹ wspólnie analizy wyników przeprowadzonych wczeœniej eksperymentów, które daj¹ interesuj¹ce rezultaty. Wynikiem tych dzia³añ s¹ wspólne publikacje [P17] i [P18]. W 2004 r. zosta³a tak e nawi¹zana wspó³praca z North Carolina State University, w ramach której dr A. Kud³a uczestniczy³ przez trzy miesi¹ce w pracach naukowych prowadzonych przez grupê pod kierownictwem prof. G. Rozgonyi ego. Bardzo szerok¹ wspó³pracê naukow¹ w dziedzinie elipsometrii prowadzono zarówno z zak³adami ITE (Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur Niskowymiarowych, Zak³ad Technologii Mikrosystemów i Nanostruktur Krzemowych, Zak³ad Technologii Struktur Pó³przewodnikowych dla Fotoniki i Zak³ad Badañ Wysokociœnieniowych Pó³przewodników), jak i z jednostkami spoza ITE oraz z oœrodkami naukowymi z zagranicy. Rezultatem tych prac by³y liczne publikacje i doniesienia konferencyjne [P1], [P2], [P19], [P20], [P24 P29], [K1], [K2], [K5], [K9], [K14], [K15], [K17 K18]. W 2004 r. goœciem ITE by³ prof. Hiroshi Iwai, prezydent Electron Devices Society of IEEE, Tokyo Institute of Technology. Prof. Iwai wyg³osi³ bardzo interesuj¹cy wyk³ad dla pracowników i zaproszonych goœci pt. Past and Future Trend of Si Devices Towards the Downsizing Limits and after That, a tak e przeprowadzi³ rozmowy na temat mo liwoœci nawi¹zania wspó³pracy. Konsultacje maj¹ byæ kontynuowane w trakcie wizyty H. M. Przew³ockiego w Tokyo Institute of Technology w 2005 r.

4 4 Zak³ad Badania Struktur MOS 3. Uzyskane wyniki 3.1. Charakterystyka prac Opracowana w ubieg³ych latach teoria zjawisk fotoelektrycznych przyczyni³a siê do udoskonalenia oraz powstania kilku nowych metod pomiaru parametrów elektrycznych optycznych struktur MOS. Szerokie zastosowanie w badaniach fotoelektrycznych znalaz³ system laserowy z laserem argonowym Innova firmy Coherent (USA) z podwajaczem czêstotliwoœci o du ej gêstoœci mocy. Laser ten pozwala uzyskaæ promieniowanie na wyjœciu o d³ugoœci fali = 229 nm; 238,2 nm; 244 nm; 248,2 nm; 250,8 nm; 257,2 nm i 264,3 nm i mocy promieniowania UV rzêdu W = mw. Dysponuj¹c stanowiskiem o takich parametrach mo na przeprowadzaæ pomiary fotoelektrycznych struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji optycznej (grube, rzêdu kilkuset nanometrów bramki metaliczne, bramki krzemowe). Ruchomy stolik pomiarowy bêd¹cy na wyposa eniu systemu pozwala na wykonywanie badañ rozk³adów lokalnych wartoœci parametrów w p³aszczyÿnie (x,y) powierzchni bramki, np. badanie rozk³adu efektywnej kontaktowej ró nicy potencja³ów MS (x,y). Przeprowadzono systematyczne badania porównawcze rozk³adów parametru MS (x,y) dla struktur MOS z bramk¹ aluminiow¹ i struktur z bramk¹ krzemow¹. Stwierdzono, e w odró nieniu od kopu³kowatego rozk³adu MS (x,y) dla struktur z bramk¹ aluminiow¹ (najwy sze wartoœci MS w œrodku, ni sze w pobli u krawêdzi, najni sze w pobli u naro y bramki) rozk³ad MS (x,y) dla struktur z bramk¹ krzemow¹ ma charakter przypadkowy, a amplituda zmian MS w p³aszczyÿnie powierzchni bramki jest w tym przypadku znacznie mniejsza. Poniewa wartoœæ parametru MS zale y od ró nicy wysokoœci bariery potencja³u na powierzchni granicznej bramka-dielektryk (E BG ) i bariery potencja³u na powierzchni granicznej pó³przewodnik-dielektryk (E BS ), postanowiono zbadaæ, która z tych barier ma decyduj¹cy wp³yw na kszta³t rozk³adu MS (x,y). Stwierdzono, e kszta³t rozk³adu MS (x,y) jest wynikiem kopu³kowatego rozk³adu E BG (x,y), podczas gdy rozk³ad E BS (x,y) ma charakter przypadkowy, a amplituda zmian E BS w p³aszczyÿnie powierzchni bramki jest znacznie mniejsza ni w przypadku E BG. W sprawozdaniu z II etapu pracy w 2003 r. (Przew³ocki H. M. i in.: Rozwój teorii zjawisk fotoelektrycznych w strukturach MOS i jej zastosowanie do opracowywania nowych metod pomiaru) postawiono hipotezê, e kopu³kowaty kszta³t rozk³adu MS (x,y) jest wynikiem nierównomiernego rozk³adu naprê eñ mechanicznych (x,y) powstaj¹cego pod metalow¹ bramk¹ w strukturze MOS. Wynik badania rozk³adów E BG (x,y)ie BS (x,y) wydaje siê potwierdzaæ tê hipotezê. Poszukuj¹c dowodów jej s³usznoœci przeprowadzono szeroko zakrojone badania zale noœci napiêcia p³askich pasm V FB od stosunku obwodu do powierzchni bramki aluminiowej R. Badania

5 Zak³ad Badania Struktur MOS 5 przebiegu V FB = f(r) przeprowadzono w zakresie temperatur pomiaru T = o C. Badania te wprawdzie nie przynios³y potwierdzenia hipotezy, ale tak e jej nie obali³y. W celu sprawdzenia s³usznoœci hipotezy kontynuowano systematyczne badania zwi¹zków, jakie zachodz¹ miêdzy naprê eniami wystêpuj¹cymi w warstwie SiO 2 na pod³o u krzemowym, gêstoœci¹ tej warstwy i jej wspó³czynnikiem za³amania n. W 2004 r. uruchomiono w Zak³adzie now¹ fotoelektryczn¹ metodê pomiaru napiêcia V FB i jego rozk³adu V FB (x,y), tzw. metodê SLPT (Scanned Light Pulse Technique), z któr¹ wi¹zane s¹ du e nadzieje na przysz³oœæ. We wspó³pracy z Chalmers University rozpoczêto badania struktur MOS na pod³o ach z wêglika krzemu SiC. Wydaje siê, e zastosowanie fotoelektrycznych (i innych) metod pomiarowych opracowanych w ITE przyczyni siê do poznania nowych, nieznanych do tej pory w³aœciwoœci i parametrów tych struktur. Wa nym kierunkiem prac w 2004 r. by³ rozwój metod badañ elipsometrycznych oraz zwiêkszenie zakresu ich zastosowañ. Wiele spoœród tych badañ przeprowadzono we wspó³pracy z innymi grupami i jednostkami naukowymi, co znalaz³o wyraz w wyst¹pieniach na konferencjach miêdzynarodowych i w licznych publikacjach [P1], [P2], [P24], [P25], [P27], [K1], [K2] [K18] Realizacja zadañ oraz dyskusja wyników prac Rozwój fotoelektrycznych metod badania struktur MOS Postêp towarzysz¹cy pracom nad rozwojem fotoelektrycznych metod badania struktur MOS jest du y i nale y sobie zdaæ sprawê z logiki i ci¹g³oœci tych prac, które nieprzerwanie trwaj¹ w Zak³adzie od przesz³o 10 lat. Poni ej przedstawiono kolejne realizacje najwa niejszych za³o eñ metod opracowywanych w Zak³adzie: : opracowanie nowej teorii zjawisk fotoelektrycznych w strukturach MOS; : opracowanie na podstawie teorii fotoelektrycznej metody pomiaru MS i innych parametrów struktur MOS; : zastosowanie laserowego Ÿród³a œwiat³a UV; rozszerzenie zakresu zastosowania metod pomiarowych na struktury z grubymi bramkami metalowymi i z bramkami krzemowymi; : opracowanie metody badania rozk³adu parametru MS (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki; wykrycie, e zarówno MS, jak i V FB maj¹ nierównomierne rozk³ady w p³aszczyÿnie powierzchni bramki metalowej; 2003: opracowanie modelu rozk³adu MS (x,y) iv FB (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni metalowej bramki;

6 6 Zak³ad Badania Struktur MOS : stwierdzenie, e rozk³ad MS w p³aszczyÿnie powierzchni bramki krzemowej jest inny ni w przypadku bramki aluminiowej; 2004: opracowanie metody badania rozk³adu wartoœci wysokoœci barier E BG (x,y)ie BS (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki; stwierdzenie, e to rozk³ad E BG (x,y) decyduje o rozk³adzie MS (x,y); rozpoczêcie prac nad badaniem rozk³adu V FB (x,y) w p³aszczyÿnie bramki metod¹ SLPT; zastosowanie fotoelektrycznych metod pomiaru do struktur na pod³o ach z wêglika krzemu. Badanie rozk³adów MS (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki dla struktur MOS z bramkami aluminiowymi i krzemowymi Badania fotoelektryczne pozwoli³y, po raz pierwszy w historii badañ struktur MOS, okreœliæ rozk³ad wartoœci parametru MS (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki [P6 P8], [P17], [P18]. Wszystkie badane struktury MOS z bramk¹ aluminiow¹ charakteryzowa³y siê kopu³kowatym kszta³tem MS (x,y), tzn. najwy sze wartoœci MS uzyskiwano w centralnej czêœci bramki, ni sze w pobli u krawêdzi bramki i najni sze w naro ach bramki (w przypadku bramek kwadratowych). Bezpoœrednim efektem takiego rozk³adu MS (x,y) jest wielokrotnie obserwowana dla struktur MOS z bramk¹ aluminiow¹ zale noœæ napiêcia wyprostowanych pasm V FB od stosunku R obwodu do powierzchni bramki. Zale noœæ ta wyra a siê spadkiem wartoœci V FB wraz ze wzrostem R [P6], [P7], [P15 P18]. Rozpoczêto tak e systematyczne badania rozk³adów MS (x,y) w strukturach MOS z bramk¹ krzemow¹. Wynika z nich jednoznacznie, e rozk³ad MS (x,y) ma inny charakter dla struktur z bramk¹ krzemow¹ ni dla struktur Al-SiO 2 -Si. W przypadku bramki krzemowej nie obserwuje siê kopu³kowatego rozk³adu MS (x,y) (rys. 1a), który jest charakterystyczny dla struktur Al-SiO 2 -Si (rys. 1b). Rozk³ad ten ma a) b) MS +C[V] MS +C[V] direction direction 2 direction Position along direction 1, x [mm] Position along direction 1, x [mm] Rys. 1. Rozk³ad wartoœci MS (x,y) dla struktur z bramk¹: a) krzemow¹, dla pomiaru pionowo przez œrodek struktury, b) aluminiow¹, dla dwóch ró nych kierunków pomiaru ukoœnie oraz pionowo przez œrodek struktury

7 Zak³ad Badania Struktur MOS 7 charakter przypadkowy, a amplituda zmian wartoœci MS w p³aszczyÿnie powierzchni bramki jest mniejsza ni dla struktur Al-SiO 2 -Si. Wyniki te potwierdza fakt, e dla struktur z bramk¹ krzemow¹ obserwuje siê inny charakter zale noœci napiêcia wyprostowanych pasm V FB od stosunku R. Uruchomienie pomiarów metod¹ SLPT Jednym z kierunków rozwoju i udoskonalania fotoelektrycznych metod pomiarowych by³o d¹ enie do okreœlania lokalnych wartoœci niektórych parametrów struktur MOS, tzn. wartoœci charakterystycznych dla okreœlonego fragmentu, a nie dla ca³ej powierzchni bramki. Wykorzystuj¹c tê w³aœciwoœæ metod fotoelektrycznych, badano rozk³ady lokalnych wartoœci niektórych parametrów (np. MS (x,y), E BG, E BS ) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki. Przewaga metod fotoelektrycznych nad elektrycznymi, w których nie ma mo liwoœci pomiaru lokalnych wartoœci parametrów struktur MOS, uwidacznia siê tak e w dok³adnoœci pomiarowej niektórych wartoœci (mo na wyznaczaæ parametr MS z bardzo du ¹ dok³adnoœci¹ 10 mv). Metody elektryczne nie pozwalaj¹ na osi¹gniêcie takiej dok³adnoœci, a np. dok³adnoœæ elektrycznego pomiaru napiêcia wyprostowanych pasm V FB jest o ok. jeden rz¹d wielkoœci gorsza ni dok³adnoœæ pomiaru MS metod¹ fotoelektryczn¹. Od dawna poszukiwano takiej metody pomiaru napiêcia V FB, która by³aby dok³adniejsza od tradycyjnych metod elektrycznych oraz umo liwia³a pomiary lokalnych wartoœci tego parametru. Byæ mo e odpowiednia i wystarczaj¹ca bêdzie metoda SLPT, polegaj¹ca na skanowaniu struktury MOS pulsuj¹cym œwiat³em. Istota metody SLPT polega na tym, e w tor skupionego strumienia œwiat³a UV (o œrednicy d 20 m) padaj¹cego na okreœlon¹ czêœæ powierzchni bramki jest wprowadzona tarcza czopera wiruj¹ca z dok³adnie okreœlon¹ prêdkoœci¹ (rys. 2). Fragment bramki jest oœwietlany szeregiem impulsów œwiat³a UV o dok³adnie okreœlonej czêstotliwoœci repetycji (decyduje o tym prêdkoœæ obrotu tarczy). Struktura poddana takiemu impulsowemu oœwietleniu reaguje szeregiem impulsów L Sygna³ ³ pomiarowy b b Chopper chopper M SiO 2 SiO2 Si Al Al Sygna³ ³ referencyjny a a Rys. 2. Schemat stanowiska do pomiarów lokalnych wartoœci napiêcia V FB metod¹ SLPT

8 8 Zak³ad Badania Struktur MOS pr¹du o kierunku zale nym od wartoœci potencja³u powierzchniowego pó³przewodnika S. Dokonuj¹c zmiany potencja³u V G przy³o onego do bramki, zmienia siê wartoœæ S obserwuj¹c przy tym zmiany wielkoœci i kierunku impulsów pr¹du struktury MOS. Poniewa S = 0 dla V G = V FB, wiêc tego dla warunku powinno siê zaobserwowaæ zmianê kierunku impulsów pr¹dowych. Dotychczasowe próby pomiaru wartoœci V FB metod¹ SLPT wykaza³y, e pomiar taki jest mo liwy, a zmierzone wartoœci V FB na ró nych pozycjach w p³aszczyÿnie powierzchni bramki s¹ zgodne z za³o eniami. Czêœæ prób zosta³a wykonana przy u yciu ma³o precyzyjnych urz¹dzeñ pomiarowych i tym samym dok³adnoœæ okreœlania napiêcia V FB nie spe³nia³a oczekiwañ. Obecnie trwaj¹ prace nad zbudowaniem systemu, który w pe³ni bêdzie odpowiada³ za³o eniom teoretycznym i technicznym i który zapewni odpowiedni¹ dok³adnoœæ pomiaru lokalnych wartoœci V FB Próby okreœlenia przyczyn nierównomiernego rozk³adu MS (x,y) iv FB (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki struktur Al-SiO 2 -Si Jednym z g³ównych tematów, który w ci¹gu ostatnich paru lat dominowa³ w pracach Zak³adu, by³o okreœlenie przyczyn charakterystycznego rozk³adu MS (x,y) i V FB (x,y) w p³aszczyÿnie powierzchni bramki struktur Al-SiO 2 -Si. Najbardziej prawdopodobn¹ przyczyn¹ obserwowanych nierównomiernych rozk³adów MS i V FB w p³aszczyÿnie powierzchni bramki struktur Al-SiO 2 -Si jest nierównomierny rozk³ad naprê eñ mechanicznych (x,y) pod aluminiow¹ bramk¹ struktury MOS. Hipoteza ta zosta³a postawiona na podstawie porównania wyników w³asnych badañ i doœwiadczeñ z wynikami badañ prowadzonych w innych oœrodkach naukowych, zaprezentowanych w pracach [P6], [P7], [P17]. W celu zbadania s³usznoœci tej hipotezy wykonano nastêpuj¹ce badania: zbadano, która z barier potencja³u na powierzchniach granicznych w strukturach MOS ma decyduj¹cy wp³yw na rozk³ad MS (x,y) [P14]; wykonano badania przebiegu zale noœci V FB (R) (gdzie R jest stosunkiem obwodu do powierzchni bramki) dla ró nych temperatur pomiaru; przeprowadzono kompleksowe badania zwi¹zków zachodz¹cych miêdzy gêstoœci¹ warstwy SiO 2, naprê eniami mechanicznymi wystêpuj¹cymi w tej warstwie i jej wspó³czynnikiem za³amania n. Zbadanie rozk³adu wysokoœci poszczególnych barier w strukturach Al -SiO 2 -Si Wartoœæ efektywnej kontaktowej ró nicy potencja³ów MS jest zale na od ró nicy wysokoœci barier potencja³u na obu powierzchniach granicznych struktury MOS: na powierzchni bramka-dielektryk E BG oraz na powierzchni pó³przewodnik-dielektryk E BS [P14]. Wynika st¹d wniosek, e rozk³ad MS (x,y) jest funkcj¹ obu rozk³adów E BG (x,y)ie BS (x,y). Je eli, zgodnie z nasz¹ hipotez¹, przyczyn¹ rozk³adu MS (x,y) jest

9 Zak³ad Badania Struktur MOS 9 Rys. 3. Rozk³ad przestrzenny œrednich wartoœci wysokoœci barier potencja³u: a) E BG (x,y), b) E BS (x,y) zmierzonych metod¹ Powella-Berglunda na 26 strukturach MOS z kwadratow¹, pó³przezroczyst¹ bramk¹ (t Al =35nm) rozk³ad naprê eñ MS (x,y) wprowadzanych do uk³adu przez bramkê aluminiow¹ lub jego skutki, to dominuj¹cy wp³yw na rozk³ad MS (x,y) powinien mieæ rozk³ad E BG (x,y). W celu weryfikacji tego za³o enia opracowano metodê badania rozk³adów barier E BG i E BS w p³aszczyÿnie powierzchni bramki [P14]. Wykorzystuj¹c tê metodê wykonano pomiary rozk³adów E BG (x,y) ie BS (x,y) na kilkudziesiêciu strukturach MOS i zestawiono wyniki z rozk³adami MS (x,y) zmierzonymi na tych samych strukturach. Charakter rozk³adu wysokoœci bariery E BG, który zawsze wykazuje kopu³kowaty kszta³t (rys. 3a), zdecydowanie bardziej wp³ywa na charakterystyczny rozk³ad MS (x,y) ni na rozk³ad bariery E BS, który ma przypadkowy charakter i odznacza siê mniejsz¹ amplitud¹ zmian wartoœci w poszczególnych miejscach struktury (rys. 3b). Istotê przeprowadzonych badañ oraz ich wyniki zestawiono i szczegó³owo opisano w pracy [P14]. Mo na zatem powiedzieæ, e wyniki badañ s¹ zgodne z postawion¹ hipotez¹, jednak e nie s¹ dostatecznym dowodem na potwierdzenie jej s³usznoœci. Zbadanie wp³ywu temperatury na zale noœæ V FB (x,y) Charakterystyczny rozk³ad MS( x,y) przyczynia siê do tego, e napiêcie wyprostowanych pasm V FB maleje, gdy wzrasta stosunek R obwodu do powierzchni bramki. Na tej podstawie mo na przeprowadziæ nastêpuj¹ce rozumowanie, zasugerowane przez prof. J. Schmitza z University of Twente. Wykonuj¹c pomiary w ró nych temperaturach T, nale y przy wzroœcie temperatury spodziewaæ siê zmiany (malenie amplitudy) w rozk³adzie naprê eñ (x,y) pod bramk¹ w strukturze MOS. Je eli zgodnie z postawion¹ hipotez¹ rozk³ad MS (x,y), a tym samym i przebieg V FB (R) s¹ uzale nione od rozk³adu (x,y), to wzrost temperatury pomiaru powinien wp³ywaæ na zmianê kszta³tu zale noœci V FB (R).

10 10 Zak³ad Badania Struktur MOS Przeprowadzono seriê pomiarów zale noœci V FB (R) dla ró nych temperatur, przy których mierzono wartoœci napiêæ V FB (rys. 4). Wartoœci V FB wyznaczano z pomiarów charakterystyk C(V), jednak e mo liwoœci techniczne zastosowanej do badañ aparatury ograniczy³y zakres temperatur pomiaru do T = o C. Taki zakres temperatur umo liwi³ jedynie potwierdzenie zgodnoœci zmierzonego przebiegu zale noœci V FB (T) dla ka dego R z danymi teoretycznymi. Niestety, nie stwierdzono poszukiwanej zmiany kszta³tu przebiegu V FB (R) dla rosn¹cej temperatury pomiaru. Sposób przeprowadzania pomiarów oraz szczegó³owe wyniki opisano w pracach [P9], [P10], [K8]. V[V] -0,3-0,4-0,5-0,6 o Temp. [ C] ,7-0, R [1/mm] Rys. 4. Zale noœæ napiêcia V FB = f(r) dla ró nych temperatur, w których mierzono wartoœci V FB Badania nie dowiod³y s³usznoœci hipotezy o zale noœci rozk³adu wspó³czynnika MS (x,y) od rozk³adu naprê eñ mechanicznych pod bramk¹ (x,y), ale tak e jej nie obali³y. Istotnym powodem by³ ograniczony zakres temperatur, w których badania te by³y przeprowadzone. Wysoce prawdopodobne jest tak e, e bezpoœredni¹ przyczyn¹ charakterystycznego rozk³adu wartoœci MS (x,y) nie jest naprê enie, lecz odkszta³cenia niesprê yste w warstwie SiO 2 bêd¹ce skutkiem tych naprê eñ. Badanie zwi¹zków zachodz¹cych miêdzy gêstoœci¹ warstwy SiO 2, wystêpuj¹cymi w niej naprê eniami a wspó³czynnikiem za³amania W sprawozdaniu z II etapu prac zasygnalizowano podjêcie prób eksperymentalnego okreœlenia zwi¹zków zachodz¹cych miêdzy gêstoœci¹ warstw SiO 2 na pod³o- ach krzemowych, wspó³czynnikiem za³amania n tych warstw a wystêpuj¹cymi w nich naprê eniami mechanicznymi. Gêstoœæ okreœlano metod¹ wagow¹. Masê m warstwy SiO 2 okreœlano za pomoc¹ wagi analitycznej o dok³adnoœci 10 mg, a nastêpnie dzielono tê masê przez objêtoœæ V warstwy wyznaczon¹ na podstawie obliczeñ znanych parametrów warstwy, tj. gruboœci warstwy t ox oraz rozmiarów geometrycznych p³ytki krzemowej. Wspó³czynnik za³amania n oraz gruboœæ t ox warstw dielektryka SiO 2 okreœlano metod¹ elipsometryczn¹, natomiast naprê enia w warstwie SiO 2 szacowano na

11 Zak³ad Badania Struktur MOS 11 podstawie analizy promieni krzywizny p³ytki krzemowej jednostronnie pokrytej SiO 2. Prace nad tym zagadnieniem skupi³y siê g³ównie na eksperymentalnym okreœleniu zale noœci = f(n) i porównaniu tej zale noœci z wyra eniami analitycznymi, które s¹ podawane w literaturze. Do tej pory zrealizowano cztery cykle eksperymentów otrzymuj¹c w ka dym kolejnym cyklu coraz bardziej powtarzalne i coraz dok³adniejsze wyniki. Po zakoñczeniu analizy czwartego cyklu spodziewane jest osi¹gniêcie za³o onego celu eksperymentu, zwa ywszy e dotychczasowe wyniki potwierdzaj¹ jego celowoœæ Uruchomienie pomiarów struktur pó³przewodnikowych na pod³o ach z wêglika krzemu Wydaje siê wielce prawdopodobne, e ju w nied³ugim czasie przyrz¹dy pó³przewodnikowe oparte na wêgliku krzemu (SiC) zdominuj¹ rynek przyrz¹dów przeznaczonych do pracy w szczególnie trudnych warunkach, tzn. w wysokich temperaturach, przy du ych obci¹ eniach moc¹ i przy wysokich czêstotliwoœciach. Œwiadcz¹ o tym bardzo korzystne w³aœciwoœci SiC (szerokie pasmo zabronione, du a odpornoœæ na przebicia elektryczne, du a przewodnoœæ cieplna, du a prêdkoœæ nasycenia elektronów i inne). Dlatego te, próbuj¹c sprostaæ wymaganiom nowoczesnych technologii, a tak e bior¹c pod uwagê propozycjê wspó³pracy zaoferowan¹ przez prof. O. Engstroma, rozpoczêto badania struktur na pod³o u z wêglika krzemu. Struktury wykorzystane w badaniach pochodzi³y w wiêkszoœci z Chalmers University (ró norodne struktury MOS, seria Olof2 i Olof3) oraz z Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej (struktury MOS i diody Schottky ego, seria Jan1). Nale a³o istotnie zmodyfikowaæ dotychczas stosowane metody i procedury pomiarowo-obliczeniowe, a niejednokrotnie tak e dokonaæ odpowiednich zmian w aparaturze pomiarowej. Efektem tych dzia³añ by³o opracowanie pierwszych wersji wyznaczania nastêpuj¹cych charakterystyk teoretycznych: C(V) struktur MOS, charakterystyk optycznych struktur MOS, I(V) diod Schottky ego. Prace te zaowocowa³y opracowaniem metod i uruchomieniem pomiarów nastêpuj¹cych parametrów: pr¹dów up³ywnoœci (I L ) i napiêcia przebicia (V BR ) dielektryka struktury MOS, koncentracji domieszek (N D, N A ), gêstoœci ³adunku ruchomego w dielektryku (N m ), gêstoœci ³adunku efektywnego struktury (N eff), rozk³adu gêstoœci pu³apek D it = f(e C E t ) dwiema metodami pomiaru (trzy dalsze metody w opracowaniu), wysokoœci bariery ( B ) i wspó³czynnika doskona³oœci w diodach Schottky ego.

12 12 Zak³ad Badania Struktur MOS W opracowaniu s¹ tak e metody: okreœlania sta³ych czasowych ( oraz przekroju czynnego na wychwyt ( ) pu³apek w funkcji ich g³êbokoœci, okreœlania efektywnej kontaktowej ró nicy potencja³ów ( MS ) oraz wysokoœci barier (E BG, E BS ) w strukturach MOS Badania struktur warstwowych metodami elipsometrii spektroskopowej W dziedzinie elipsometrii skoncentrowano siê g³ównie na dwóch istotnych kierunkach dzia³añ: rozwoju mo liwoœci badawczych w dziedzinie elipsometrii, wykonywaniu badañ elipsometrycznych w ramach prac prowadzonych we wspó³pracy z innymi grupami naukowymi z kraju i zagranicy. Postêp, jaki dokona³ siê w poszerzeniu mo liwoœci badawczych Zak³adu, uwidocznia siê m. in. w nastêpuj¹cych pracach: przeprowadzenie systematycznych badañ powtarzalnoœci i dok³adnoœci pomiarów, jakie mo na osi¹gn¹æ wykorzystuj¹c u ytkowany sprzêt pomiarowy; opracowanie projektu, wykonanie i zastosowanie nowego stolika pomiarowego rozszerzaj¹cego zakres mo liwoœci pomiarowych elipsometru; wykonanie we wspó³pracy z IF PAN prób badañ elipsometrycznych na próbkach naœwietlanych in situ (na stoliku elipsometru) œwiat³em z lasera argonowego. W ramach prac badawczych wykonano m. in.: pomiary elipsometryczne w celu okreœlenia zwi¹zków zachodz¹cych miêdzy naprê eniami, gêstoœci¹ i wspó³czynnikiem za³amania warstw SiO 2 na pod³o ach Si; pomiary na elipsometrze struktur MOS na pod³o ach SiC z Chalmers University w celu przeprowadzenia kompleksowych badañ w ITE. W ramach wspó³pracy z innymi oœrodkami i grupami naukowymi zrealizowano m. in. nastêpuj¹ce prace: rozpoczêto badanie wp³ywu polaryzacji elektrycznej struktur MOS SOI na sygna³ elipsometryczny (wspó³praca z IMEP Grenoble); dokonano pomiarów elipsometrycznych warstw SiCN na pod³o ach krzemowych i szklanych (wspó³praca z Instytutem Pó³przewodników w Nowosybirsku oraz z WAT-em); przeprowadzono badania elipsometryczne warstw naprê onego Si na pod³o u SiGe (wspó³praca z North Carolina State University, Raleigh, N.C. USA); badano kryszta³y SbSi (wspó³praca z Politechnik¹ Œl¹sk¹); przeprowadzono szereg pomiarów ró nych warstw dielektrycznych na pod³o ach krzemowych i z wêglika krzemu (wspó³praca z IMiO PW) [P1], [P2], [P24], [P25], [P27], [K1], [K2], [K18]; badano kryszta³y YAP (wspó³praca z IF PAN); badano warstwy SiO 2 nak³adane metodami zol- el (wspó³praca Instytutem Chemii PAN w Gliwicach);

13 Zak³ad Badania Struktur MOS 13 badano kryszta³y YAG (wspó³praca z ITME); wykonano badania elipsometryczne, np. warstw MBE, studni kwantowych, warstw z³ota i azotków metali, warstw na InGaAs i warstw emulsji (wspó³praca z Zak³adem Fizyki i Technologii Struktur Niskowymiarowych); wykonano badania elipsometryczne p³ytek krzemowych po implantacji (wspó³praca z Zak³adem Technologii Mikrosystemów i Nanostruktur Krzemowych) [K5]; wykonano badania tlenku aluminium (na ró nych pod³o ach), tlenków miedzi, cyny i tytanu, badania pod³o y i warstw pasywuj¹cych na pod³o ach poczwórnych, badania tlenków anodowych na GaSb oraz badania tlenków rutenu, cynku i kadmu na pod³o ach poczwórnych (wspó³praca z Zak³adem Technologii Struktur Pó³przewodnikowych dla Fotoniki) [K9]; wykonano badania p³ytek krzemowych implantowanych azotem przed i po poddaniu obróbce HT-HP (wspó³praca z Zak³adem Badañ Wysokociœnieniowych Pó³przewodników [K14]. Publikacje 2004 [P1] BIENIEK T., BECK R. B., JAKUBOWSKI A., KUD A A.: Study of Extremely Shallow Nitrogen Ions Implantation in Planar R.F. Plasma Reactors. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku). [P2] BIENIEK T., BECK R. B., JAKUBOWSKI A., KUD A A.: Wytwarzanie cienkich warstw SiO 2 za pomoc¹ niskotemperaturowego utleniania w plaÿmie w. cz. Elektronika 2004 nr 10 s. 6 7 oraz Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku). [P3] GUTT T.: Impedance Measurements of Ultra-Thin Dielectric MOS Capacitors. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku). [P4] GUTT T.: Pomiary impedancyjne kondensatorów MOS z ultracienk¹ warstw¹ dielektryka. Mat. konf. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, , Politechnika Koszaliñska, vol. 1/2 s [P5] KUD A A.: Application of the Genetic Algorithms in Spectroscopic Ellipsometry. Thin Solid Films 2004 vol s [P6] KUD A A., BOROWICZ L., PRZEW OCKI H. M.: A Photoelectric Method to Determine Lateral Distribution of the Effective Contact Potential Difference in MOS Structures. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conf., Como, W³ochy, , s (CD ROM). [P7] KUD A A., PRZEW OCKI H. M., BOROWICZ L., BRZEZIÑSKA D., RZODKIEWICZ W.: Photo-Electrical Measurements of the Local Value of the Contact Potential Difference in the Metal-Insulator Semiconductor (MIS) Structures. Thin Solid Films 2004 vol. 450 s [P8] KUD A A., PRZEW OCKI H. M, BRZEZIÑSKA D., BOROWICZ L.: Photoelectrical Measurements of the Local Values of the Effective Contact Potential Difference in the MOS Structure. J. of Telecommun. a. Inform. Technol. (zg³. do druku). [P9] LEŒKO M., PRZEW OCKI H. M.: Badanie wp³ywu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku).

14 14 Zak³ad Badania Struktur MOS [P10] LEŒKO M., PRZEW OCKI H. M.: Badanie zmian napiêcia wyprostowanych pasm V FB struktur MOS w funkcji temperatury. Mat. konf. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, , Politechnika Koszaliñska, vol. 1/2 s [P11] PISKORSKI K., KUD A A., PRZEW OCKI H. M.: Ocena dok³adnoœci metod okreœlania wysokoœci barier potencja³u w strukturach MOS. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku). [P12] PISKORSKI K., KUD A A., PRZEW OCKI H. M.: Porównanie ró nych metod pomiarów wysokoœci barier potencja³u w strukturach MOS. Mat. konf. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, , Politechnika Koszaliñska, vol. 1/2 s [P13] PISKORSKI K., KUD A A., RZODKIEWICZ W., PRZEW OCKI H. M.: Comparison of the Barrier Height Measurements by the Powell Method with the Photoelectric Effective Contact Potential Difference Measurement Results. J. of Telecommun. a. Inform. Technol. (zg³. do druku). [P14] PISKORSKI K., PRZEW OCKI H. M.: Distribution of Potential Barrier Height Local Values at Al-SiO 2 and Si-SiO 2 Interfaces of the Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures. Electron Technol. Internet J vol. 36 nr 5 s [P15] PRZEW OCKI H. M., KASSUR A., KUD A A., GUTT T., LIS D., RZODKIEWICZ W., PISKORSKI K., LEŒKO M.: Zak³ad Badania Struktur MOS. W: Sprawozdanie z dzia³alnoœci Instytutu Technologii Elektronowej w 2003 roku. Warszawa, kwiecieñ 2004, s [P16] PRZEW OCKI H. M., KASSUR A., KUD A A., GUTT T., LIS D., RZODKIEWICZ W., PISKORSKI K., LEŒKO M.: Department of the MOS System Studies. W: Institute of Electron Technology. Scientific Activity Prace ITE 2004 z. 1/2 s [P17] PRZEW OCKI H. M., KUD A A., BRZEZIÑSKA D., MASSOUD H. Z.: Distribution of the Contact-Potential Difference Local Values over the Gate Area of MOS Structures. Microelectron. Eng vol. 72 s [P18] PRZEW OCKI H. M., KUD A A., BRZEZIÑSKA D., MASSOUD H. Z.: Variability of the Local MS Values over the Gate Area of MOS Devices. J. of Telecommun. a. Inform. Technol.. (zg³. do druku). [P19] RZODKIEWICZ W., BOROWICZ L., PANAS A., PRZEW OCKI H. M.: Determination of the Densification Degree of Silicon Dioxide Layers on Silicon Substrates by Interferometry and Spectroscopic Ellipsometry. Proc. of SPIE (w druku). [P20] RZODKIEWICZ W., KUD A A., RATAJCZAK J., PISKORSKI K., ULYASHIN A.: Badanie w³aœciwoœci optycznych i mikrostrukturalnych wodorowanego krzemu Czochralskiego poddanego obróbce HT-HP. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (w druku). [P21] RZODKIEWICZ W., KUD A A., MISIUK A., SURMA B., B K-MISIUK J., HÄRTWIG J., RATAJCZAK J.: Structures Prepared by Implantation of Silicon with Nitrogen and Annealing under High Hydrostatic Pressure. Mater. Sci. in Semicond. Process vol. 7 s [P22] RZODKIEWICZ W., KUD A A., SAWICKI Z., PRZEW OCKI H. M.: The Effects of Stress Annealing on the Electrical and the Optical Properties of MOS Devices. J. of Telecommun. a. Inform. Technol. (zg³. do druku). [P23] RZODKIEWICZ W., PRZEW OCKI H. M.: Okreœlanie naprê eñ mechanicznych w strukturach SiO 2 -Si metodami elipsometrii spektroskopowej. Mat. konf. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, , Politechnika Koszaliñska, vol. 1/2 s

15 Zak³ad Badania Struktur MOS 15 [P24] SOCHACKI M., UKASIEWICZ R., RZODKIEWICZ W., WERBOWY A., SZMIDT J.: Silicon Dioxide and Silicon Nitride as a Passivation and Edge Termination for 4H-SiC Schottky Diodes. Diamond a. Related Mater. (w druku). [P25] SOCHACKI M., UKASIEWICZ R., SZMIDT J., RZODKIEWICZ W., LEŒKO M., WIATROSZAK M.: Warstwy termicznego SiO 2 i SiN 4 na wêgliku krzemu (4H-SiC) dla przyrz¹dów mocy MS i MIS. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, Elektronika 2004 nr 10 s [P26] SURMA B., MISIUK A., WNUK A., BUKOWSKI A., RZODKIEWICZ W.: Photoluminescence Studies of Defects Created in Nitrogen Doped Silicon During Annealing under Enhanced Pressure. Mater. Sci. in Semicond. Process vol. 7 s [P27] ŒMIETANA M., SZMIDT J., GRABARCZYK J., RZODKIEWICZ W., EKWIÑSKI G.: Diamond-Like Carbon Film as a Sensitive Area for Optical Waveguide System. Diamond a. Related Mater. (w druku). [P28] WIÊC AW-SOLNY L., JARZÊBSKI A. B., KUD A A., MARKOWIEC-BIA OÑ J.: Cienkie hybrydowe pow³oki o w³aœciwoœciach kwasowych otrzymywane metod¹ ZOL- EL. In. Chem. i Proces vol. 25, s [P29] WRZESIÑSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUD A A., BUGAJSKI M., USAKOWSKA E.: Investigation of Indium Tin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors. phys. stat sol. (c) 2004 vol. 1 nr 2 s Konferencje, seminaria 2004 [K1] BIENIEK T., BECK R. B., JAKUBOWSKI A., KUD A A.: Study of Extremely Shallow Nitrogen Ions Implantation in Planar R.F. Plasma Reactors. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s ). [K2] BIENIEK T., BECK R. B., JAKUBOWSKI A., KUD A A.: Formation of Ultrathin Oxide Layers by Low Temperature Oxidation in RF Plasma. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s ). [K3] GUTT T.: Impedance Measurements of Ultra-Thin Dielectric MOS Capacitors. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s. 207). [K4] GUTT T.: Pomiary impedancyjne kondensatorów MOS z ultracienk¹ warstw¹ dielektryka. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, (kom., plakat). [K5] JAROSZEWICZ B., DOMAÑSKI K., TOMASZEWSKI D., MARCZEWSKI J., KOCIUBIÑSKI A., KUD A A., NIKODEM M., K TCKI J., GRABIEC P.: Application of Ion Implantation for Mono-Si Piezoresistors Manufacturing in Silicon MEMS Technology. V Int. Conf. Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons. Kazimierz Dolny, (plakat, abst. s. 100). [K6] KUD A A., BOROWICZ L., PRZEW OCKI H. M.: A Photoelectric Method to Determine Lateral Distribution of the Effective Contact Potential Difference in MOS Structures. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conf., Como, W³ochy, (plakat). [K7] LEŒKO M., PRZEW OCKI H. M.: Badanie zmian napiêcia wyprostowanych pasm V FB struktur MOS w funkcji temperatury. II Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, (plakat) [K8] LEŒKO M., PRZEW OCKI H. M.: Investigation of the Influence of Temperature on Electrical Parameters of MOS Devices. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s ). [K9] PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GO ASZEWSKA K., KAMIÑSKA E., KRUSZKA R., UKASZEWICZ R., KUD A A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: Sulphur

16 16 Zak³ad Badania Struktur MOS Passivation of GaSb Surface and GaSb-Based MIR Photodetector Heterostructures. Int. Union for Vacuum Science, Technique and Application. Wenecja, W³ochy, (abstr.). [K10] PISKORSKI K., KUD A A., PRZEW OCKI H. M.: Assesment of the Barrier Height Determination Methods in the MOS Structures. Mat. konf. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s. 254). [K11] PISKORSKI K., KUD A A., PRZEW OCKI H. M.: Porównanie ró nych metod pomiarów wysokoœci barier potencja³u w strukturach MOS. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, (ref.). [K12] PRZEW OCKI H. M.: Institute of Electron Technology Department of the MOS System Studies Z11. Presentation at the I Planning Meet. of the European Project Consortium: Character. Lyon, Francja, [K13] RZODKIEWICZ W., BOROWICZ L., PANAS A., PRZEW OCKI H. M.: Determination of the Densification Degree of Silicon Dioxide Layers on Silicon Substrates by Interferometry and Spectroscopic Ellipsometry. Lightmetry 04. Light and Optics in Biomedicine. Warszawa, (ref.). [K14] RZODKIEWICZ W., KUD A A., MISIUK A., SURMA B., B K-MISIUK J., HÄRTWIG J., RATAJCZAK J.: The Structures Prepared by Implantation of Silicon with Nitrogen and Annealing under High Hydrostatic Pressure. E-MRS Spring Meet. 2004, Strasburg, Francja, (plakat). [K15] RZODKIEWICZ W., KUD A A., RATAJCZAK J., BARCZ A., PISKORSKI K., ULYASHIN A.: Optical and Microstructural Studies of Hydrogenated Cz-Si Treated in HT-HP Process. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s. 138). [K16] RZODKIEWICZ W., PRZEW OCKI H. M.: Okreœlanie naprê eñ mechanicznych w strukturach SiO 2 -Si metodami elipsometrii spektroskopowej. III Kraj. Konf. Elektroniki, Ko³obrzeg, (plakat). [K17] SOCHACKI M., UKASZEWICZ R., RZODKIEWICZ W., WERBOWY A., SZMIDT J.: Silicon Dioxide and Silicon Nitride as a Passivation and Edge Termination for 4H-SiC Schottky Diodes. DIAMOND Congress Riva Del Garda, W³ochy, (plakat). [K18] SOCHACKI M., UKASIEWICZ R., RZODKIEWICZ W., WERBOWY A., SZMIDT J.: Thermal Oxynitridation of 4H-SiC Surface for Electronic Applications. NATO Advanced Research Workshop Innovative Superhard Materials and Sustainable Coating. Kijów, Ukraina, (plakat). [K19] SOCHACKI M., UKASIEWICZ R., SZMIDT J., RZODKIEWICZ W., LEŒKO M., WIATROSZAK M.: Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC for MS and MIS Power Devices. VIII Konf. Nauk. Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jab³onki, (plakat, abstr. s ). [K20] SURMA B., MISIUK A., WNUK A., BUKOWSKI A., RZODKIEWICZ W.: Photoluminescence Studies of Defects Created in Nitrogen Doped Silicon During Annealing under Enhanced Pressure. E-MRS Spring Meet. 2004, Strasburg, Francja, (plakat).