Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki. dr Andrzej Kinart 90-268 Łódź; Jaracza 6; Poland III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki 21.10.2013r.
Amepox Microelectronics - data założenia 13.02.1991r. Funkcjonalne materiały do zastosowań w elektronice i mikroelektronice : - Proszki i płatki srebra, - Proszki i płatki miedzi, - Kleje, pasty lakiery z wypełniaczem srebrowym, - Kleje i smary termoprzewodzące, - Kleje przewodzące strumień magnetyczny. Nanotechnologia : - Metale w rozmiarach nanometrycznych: nanosrebro 3-8 nm i 50-60 nm (złoto i miedź w trakcie opracowywania, - Atramenty z nanosrebrem do zastosowań w elektronice i mikroelektronice, - Pasty dla technologii Roll-to-roll. Laureat kilku innowacyjnych nagród : - 1994r (Samopoziomująca się posadzka podłogowa), - 1995r (Proszek srebra o najwyższej czystości), - 1996r (Pasty lutownicze), - 2005r (Nanosrebro). Uczestnik kilku programów badawczo rozwojowych (R&D).
Amepox Microelectronics Aktywność Amepox Microelectronics w projektach badawczo rozwojowych od 2000r. FP5 NANOJOINING EUREKA MAJE Koordynator TNO Koordynator SPS FP6 STABILIGHT EURIPIDES CANOPY Koordynator UNIPMN (Universita del Piemonte Orientale) F16 Offset Program FP7 NanoFate Koordynator THALES ALENIA SPACE FP7 PRIAM Koordynator CRF FP7 NANOTHERM Koordynator NERC Koordynator THALES Projekty krajowe (aktualnie 2 granty) III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki 21.10.2013r.
Amepox Microelectronics Wykaz instytucji z którymi współpracuje Amepox MC: Politechnika Łódzka Łódź, Polska, Polska Akademia Nauk Warszawa, Polska, Politechnika Wrocałwska Wrocław, Polska, Uniwersytet Łódzki, Katedra Fizyki Ciała Stałego Łódź, Polska, Fraunhofer Institut Brema, Niemcy Fraunhofer IZM Monachium, Niemcy Paul Sabatier University Tuluza, Francja Oxford University Oksford, Wielka Brytania TNO Science & Industry Eindhoven, Holandia VTT Technical Research Centre of Finland Oulu, Finlandia, i inne.
Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra NANOSREBRO 3 8nm ATRAMNTY PRZEWODZĄCE: - Fotowoltaika i technologia OLED - Elastycznej elektronika, NAOSREBRO 50 60nm - Mikroelektronika: anteny RFID, zminiaturyzowane układy elektryczne, itd, - Technologia Ink-jet i Rll-to-roll.
Nanosrebro 3-8nm W celu przygotowania cząstek o wielkości mniejszej niż 10 nm, została zastosowana technologia rozkładu termicznego mieszaniny srebra. Mieszanina srebra Reaktor Nanosrebro Nanosrebro po obróbce technologicznej (mycie, suszenie) Atrament z nanosrebrem
Nanosrebro 3-8nm Rozkład wielkości cząstek nanosrebra Nu mber of particles [%] 70 60 50 40 30 20 10 0 4 6 8 10 Silver particle dimension [nm]
Nanosrebro 50-60nm
Atramenty przewodzące podłoża
Atramenty przewodzące dla technologii Ink-jet WYSOKO TEMPERATUROWY ATRAMNET NISKO TEMPERATUROWY ATRAMNET Konsystencja Środowisko Kolor Bardzo niska lepkość cieczy Nie polarne Ciemno brązowy do czarnego Koncentracja nag 40-60% Lepkość * Współczynnik tiksotropowości Napięcie powierzchniowe Ciężar właściwy Rezystywność po synteryzacji** *)Brookfield LVDVII + CP; 100 rpm; 25 C **) Synteryzacja w 230 C; 60 min 3,6-18 mpas ~ 1,0 28 32 mn/m 1,1 1,3 g/cm3 (4-6) 10-6 Ωcm Konsystecja Środowisko Kolor Bardzo niska lepkośc cieczy Polarne Szary Koncentracja nag 20% Lepkość * Współczynnik tiksotropowości Napięcie powierzchniowe Ciężar właściwy Rezystywność po synteryzacji ** 5,5-10 mpas ~ 1,0 28 32 mn/m 1,1 1,3 g/cm3 (4-6) 10-6 Ωcm *)Brookfield LVDVII + CP; 100 rpm; 25 C **) Synteryzacja w 150 C; 60 min
Atramenty przewodzące dla technologii Ink-jet
Synteryzacja za pomocą impulsów o wysokiej energii światła. Folia PI Folia PET Energia max. - 1 200 J Regulacja mocy - 1/16-1/1 Czas impulsu - 1/800-1/1200 s Rezystancja wydrukowanych struktur na foliach PI i PET w zależności od liczby impulsów Podłoże Ilość impulsów. Rezystancja [Ω] Rezystywność [Ωcm] PI 20 0,41 6,15 10-6 PET 20 2,67 4 10-5
Zastosowanie technologii Ink-jet
Zastosowanie technologii Ink-jet r -Ag / µw*cm 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Tests by Fraunhofer IZM, München Current / ma R / mw 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 Rho rho-bulk 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Current / ma III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki 21.10.2013r. Rsq
Zastosowanie technologii Ink-jet
Zastosowanie technologii Ink-jet
Amepox Microelectronics prace badawczo rozwojowe Mag. 25000x Mag. 250 000x Mag. 5000x
Dziękuje bardzo za uwagę. III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki 21.10.2013r.