DOROBEK NAUKOWY (1978-2012)

20.02.2012 Prof. dr hab. Jan SZMIDT DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty, preskrypty... B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE... C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH... D. PRACE NAUKOWO-BADAWCZE... E. PROGRAMY MIĘDZYNARODOWE... F. WYGŁASZANE WYKŁADY... G. PATENTY i ZGŁOSZENIA PATENTOWE... H. UDZIAŁ W KONFERENCYJNYCH KOMITETACH PROGRAMOWYCH I ORGANIZACYJNYCH... I. INNE PEŁNIONE FUNKCJE ORGANIZACYJNEI... J. NAGRODY I ODZNACZENIA... K. OPIEKA I KIEROWANIE PRACAMI DYPLOMOWYMI... L. IMIENNY WYKAZ WYPROMOWANYCH DOKTORÓW... L.1. Otwarte przewody doktorskie... L.2. Opieka naukowa nad doktorantami... Ł. WYKAZ RECENZJI PRAC DOKTORSKICH... M. WYKAZ RECENZJI ROZPRAW HABILITACYJNYCH... N OPINIE WNIOSKÓW O TYTUŁ BĄDŹ WNIOSKÓW AWANSOWYCH... O. WYKAZ RECENZJI WYDAWNICZYCH... P. INNE RECENZJE LUB OPINIE, EKSPERTYZY... 2 2 2 3 4 14 38 45 46 47 49 53 54 57 58 59 59 60 62 63 64 65 A-1

A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY A1. Monografie, rozprawy 1. J. Szmidt, "Właściwości elektrofizyczne warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową na podłożu krzemowym", Rozprawa doktorska, Politechnika Warszawska, (1984). 2. J. Szmidt, "Diamentopodobne warstwy węglowe wytwarzane metodami plazmowymi na potrzeby mikroelektroniki", Rozprawa habilitacyjna, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Prace Naukowe, Elektronika, z. 108 (1995). 3. J. Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, rozdział w: Nanotechnology in Materials Science, S. Mitura (Ed.), Elsevier (2000), 2099-2152. 4. J. Szmidt, Technologie diamentowe (diament w elektronice), Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2005). 5 J. Szmidt, Applications of diamond and diamond layers in electronics state of the art, research and development trends, Chapter 5 in S. Mitura, P. Niedzielski, B. Walkowiak (Eds.), Nanodiam New technologies for medical applications: studying and production of carbon surfaces allowing for controlable bioactivity, Wyd. Naukowe PWN (2006), 47-67. A2. Wydawnictwa książkowe 1. J. Szmidt, Co-Editor, High Technology in Poland, published by ASET PROMOTION Co., Ltd.Part I (1995), Part II (1996), Part III (1996/97). 2. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp. 85-92. 3. S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) 235. 4. S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) 273. 5. A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997). 6. M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 211. A-2

7. S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 219. 8 J.Szmidt współautor, opracowanie i redakcja, w pracy zbiorowej pod redakcją J.Modelskiego Analiza stanu i kierunki rozwoju elektroniki i telekomunikacji,rozdział pt: Stan obecny i perspektywy rozwoju technologii materiałów elektronicznych w Polsce. PAN. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (2010), 225-253. A3. Skrypty, preskrypty 1. J. Szmidt współautor w pracy zbiorowej (skrypt) pod redakcją A. Filipkowskiego, Elementy i układy elektroniczne. Projekt i laboratorium, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej (1998, 2002). 2. Praca zbiorowa pod redakcją J. Szmidta, Laboratorium podstaw miernictwa i elektroniki, Ośrodek Kształcenia na Odległość OKNO, Politechnika Warszawska (2003, 2004). A-3

B. ARTYKUŁY I KOMUNIKATY NAUKOWE 1. A. Jakubowski, J. Szmidt, Przyrząd przełączający typu MIS", Biuletyn Informacyjny "CEMI", (1978). 2. J. Szmidt, "Technologia V-MOS", Elektronika XXI (1980) 6. 3. J. Szmidt, "Tranzystory V-MOS", Radioelektronik, No 280 (1980) 47. 4. J. Szmidt, "Postępy w technologii tranzystorów MOS",Radioelektronik, No3'80 (1980) 72. 5. M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wybrane właściwości struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowo-plazmową", Archiwum Elektroniki XXIX (1980) 953. 6. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Michalski, A. Rusek, "Basic properties of BN and C layers produced by the reactive-pulse-plasma method", Thin Solid Films, 110 (1983) 7. 7. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Właściwości i niektóre zastosowania warstw węglowych i z azotku boru wytwarzanych metodą reaktywno-impulsowo-plazmową", Elektronika, 10 (1985) 4. 8. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P. Pięta, A. Balasiński, "Correlation between deposition parameters and properties of carbon films obtained by RF plasma decomposition of hydrocarbons", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) 131. 9. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Balasiński, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse plasma method on Si or SiO2 substrates and annealing effects", Thin Solid Films, 142 (1986) 269. 10. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, "Electrical properties of thin carbon films obtained by RF methane decomposition on RF-powered negatively self-biased electrode", Thin Solid Films, 136 (1986) 161. 11. J. Szmidt, A. Balasiński, A. Jakubowski, "Metal-insulator-semiconductor structure as a tool for analysis of electrophysical properties of plasma deposited thin carbon films", Arch. Nauki o Materiałach, 7/2 (1986) 159. 12. J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Surface and Coatings Technology, 47 (1991) 496. 13. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics",in: Application of Diamond Films and Related Materials, ed. Y. Tzeng, Elsevier, Amsterdam, (1991) 795. 14. J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond and Related Materials, 1 (1992) 588. 15. S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond and Related Materials, 1 (1992) 677. 16. J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond and Related Materials, 1 (1992) 681. B-4

17. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond and Related Materials, 2 (1993) 788. 18. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", Archiwum Nauki Mater., 14, 1/2 (1993) 41. 19. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Kompozyty, Spieki i Ceramika, Wyd. Styler, Łódź, (1993) 161. 20. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Oficyna Wyd. WSI Koszalin, (1993) 107. 21. J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 650. 22. J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 849. 23. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 853. 24. T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breackdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 720. 25. E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 868. 26. E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 896. 27. A.Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond and Related Materials, 3 (1994) 840. 28. J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of a Co-deposit of C and N from impulse plasma", Journal Chemical Vapour Deposition, 3 (1994) 156. 29. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Michalski, A. Olszyna, A. Sokołowska, S. Mitura, "In-situ doping of a-cbn layers", Diamond and Related Materials", 4 (1995) 1131. 30. S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Doping of diamond-like carbon films", M.A. Prelas et al. (eds.), Wide Band Gap Electronic Materials, NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers (1995) 235. 31. S. Mitura, P. Niedzielski, A. Rylski, M. Denis, P. Couvrat, P. Louda, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", New Diamond and Diamond-like Films, P. Vincenzini (Ed.), TECHNOMIC, Firence, (1995) 273. 32. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", published in Proceedings 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, 19-21 Sept., Sevilla (Spain), vol. 2 (1995) 2.273 2.276. B-5

33. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", Diamond and Related Materials, 5 (1996) 1204. 34. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", Diamond and Related Materials, 5 (1996) 1017. 35. K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", Diamond and Related Materials, 5 (1996) 564. 36. J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", Diamond and Related Matrials, 5 (1996) 124. 37. J. Szmidt, A. Werbowy, L. Jarzębowski, T. Gębicki, I. Petrakowa, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Effect of annealing on the structure and electrical properties of sulphur doped amorphous c-bn layers", Journal of Materials Science, 31 (1996) 2609. 38. J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", Electron Technology, vol. 29 No. 2/3 (1996) 201. 39. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", opublikowano w materiałach I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, 13-15 maja 1996, s. 67. 40. A.Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", opublikowano w materiałach konferencji POL-KOR'96, Warszawa 16-19 grudnia 1996, s.169. 41. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", opublikowano w materiałach konferencji ISPS'96, Prague, 11-13 September 1996, p. 2.273. 42. J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s. 331. 43. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s. 340. 44. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s. 344. 45. Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s. 595. 46. T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", opublikowano w Materiałach Konferencji ELTE'97, Krynica, 6-9 maja 1997, t. I, s. 606. 47. P.Niedzielski, E.Mitura, M.Dłużniewski, P.Przymusiała, S.Der Sahaguian, E.Staryga, J.Żak, A.Sokołowska, J.Szmidt, A.Stanishevski, J.J.Moll, J.A.Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", Diamond and Related Materials, 6 (1997) 721. B-6

48. Sokołowska, J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Werbowy, A. Olszyna, K. Zdunek, S. Mitura, "Allotropic forms of carbon nitride", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 151. 49. M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 211. 50. S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, M. Dłużniewski, E. Staryga, D. Der-Sahaguian, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, "The surface structure of carbon films deposited by different plasma chemical metods", Diamond Based Composities and Related Materials, M.A. Prelas et al (Eds), NATO ASI Series, Kluwer Academic Publishers, (1997) 219. 51. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", Elektronika, Prace Naukowe, Politechnika Łódzka, zeszyt Nr 2, (1997) 65. 52. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Physics of Semiconductor Devices, V. Kumar, S.K. Agarwal (eds.), Narosa Publishing House, vol. 1, (1998) pp. 102-105. 53. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", Diamond and Related Matrials, 7 (1998) 397. 54. J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, Proc. of the 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March 1-5 (1998), pp. 261-264. 55. J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), May 18-20 (1998), vol. I, pp. 345-347. 56. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, P. Pawłowski, Electronic properties of nanocrystalline BN and AlN films deposited on Si and GaAs - comparison, Diamond and Related Materials, 8 (1999), pp. 391-397. 57. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, Ceramics: Getting into the 2000 s Part E, P. Vincenzini (Ed.), (1999), pp. 85-92. 58. A. Werbowy, P. Pawłowski, J. Siwiec, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, AlN layers plasmochemically produced as a semiconductor, Nukleonika, vol. 44, No. 2 (1999), pp. 253-260. 59. J.Szmidt, Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials, Chaos, Solitons & Fractals, vol. 10, No. 12 (1999), pp. 2099-2152. 60. L. Kulbacki, J. Szmidt, K. Zdunek, Properties of the Al 2 O 3 layers produced from impulse plasma, Le Vid: Science, Technique et Application, Suplement 291 (1999) pp. 302-304. 61. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, RF plasma selective etching of boron nitride films, Diamond and Related Materials, 9 (2000) 609-613. B-7

62. J. Szmidt, Warstwy dielektryczne dla nowej generacji materiałów półprzewodnikowych, Technicka Univerzita v Liberci, P. Louda, P. Niedzielski (Eds.), (2000) pp. 238-243. 63. J. Szmidt, A. Werbowy, E. Dusiński, K. Zdunek, Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al 2 O 3 gate dielectric film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No 1 (2001) pp. 70-75. 64. J. Szmidt, M. Bakowski, A. Sokołowska, A. Jakubowski, Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu, Elektronika (XLII) No 2 (2001) pp. 30 33. 65. A. R. Olszyna, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bąkowski, Dielectric properties of nanocrystalline AlN with respect to its crystal chemistry, International Journal of Inorganic Materials, 3 (2001) pp. 1311 1313. 66. J. Bodzenta, B. Burak, J. Mazur, J. Szmidt, Thermal properties of CN thin films measured by photothermal methods, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 8, No. 3-4 (2001) pp. 233 239. 67. E. Dusiński, J. Szmidt, K. Zdunek, M. Elert, A. Barcz, Al 2 O 3 layers for microelectronics applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 1-2 (2001) pp. 109 116. 68. A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Werbowy, S. Mitura, Azotek węgla, Elektronika (XLII) (2001) pp. 32 36. 69. T. Guzdek, M. Cłapa, J. Szmidt, Dielectric properties of NCD films in sensor applications, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp. 163 168. 70. A. Werbowy, P. Firek, J. Szmidt, M. Gałązka, A. Olszyna, Electric characterization and plasma etching of nanocrystalline c-bn layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp. 169 176. 71. A. Szczęsny, J. Szmidt, R. B. Beck, Physical-chemical etching of GaN layers on sapphire, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., Vol. 9, No. 3 (2002) pp. 185 190. 72. M. Gałązka, J. Szmidt, A. Werbowy, The influence of RF plasma processes on nitride (BN, AlN, GaN) layers, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 3 (2002) pp. 207 212. 73. M. Sochacki, J. Szmidt, A. Werbowy, M. Bakowski, Current voltage characteristics of 4H SiC diodes with Ni contacts, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp. 307-312. 74. M. T. Htun Aung, J. Szmidt, M. Bakowski, The study of thermal oxidation on SiC surface, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp. 313-318. 75. P. Śniecikowski, J. Szmidt, M. T. Htun Aung, M. Bakowski, P. Niedzielski, Dry etching of bulk 4H-SiC and DLC/SiC structure, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp. 319 324. 76. K. Klimczak, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Bakowski, A. Barcz, Basic properties of AlN layers deposited onto SiC, Journal of Wide Bandgap Materials, SAGE Publ., vol. 9, No. 4 (2002) pp. 335-342. B-8

77. M. Sochacki, J. Szmidt, M. Bakowski, A. Werbowy, Infuence of annealing on reverse current of 4H SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 11 (2002) pp. 1263 1267. 78. A. Jakubowski, L. Łukasiak, J. Szmidt, Mikroelektronika materiały i przyrządy, Elektronika (XLIII) 7 8 (2002) pp. 5 8. 79. A.Szczęsny, P. Śniecikowski, J. Szmidt, A. Werbowy, Reactive ion etching of novel materials GaN and Si, Vacuum 70 (2003) 249 254. 80. M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Simulations for thermal analysis of MOSFET IPM using IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) 636 643. 81. M. Langer Z. Lisik, E. Raj, N. K. Kim, J. Szmidt, Dynamic simulations for thermal analysis of MOSFET IPM on IMS substrate, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, P.M.A. Sloot, et al. (Eds), International Conference Computeational Scinence ICCS 2003, Proceedings Part II (2003) 644 649. 82. A. Werbowy, K. Zdunek, E. Dusiński, J. Szmidt, M. Elert, Impulse plasma deposition of aluminum oxide layers for Al2O3 / Si, SiC, GaN systems, Surface and Coatings Technology, 174 175 (2003) 170 175. 83. J. Szmidt, M. Gazicki-Lipman, H. Szymanowski, R. Mazurczyk, A. Werbowy, A. Kudła, Electrophysical properties of thin germanium/carbon layers produced on silicon using organometallic radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process, Thin Solid Films, 441 (2003) 192 199. 84. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, L. Łukasiak, Materiały i technologie dla systemów mikroelektronicznych i optoelektronicznych, Elektronika (XLIV) 8-9 (2003) 32 36. 85. M. Sochacki, J. Szmidt, K. Zdunek, E. Dusiński, Diody Schottky ego na podłożach z węglika krzemu, Elektronika (XLIV) 7 2003, 3 9. 86. A. Werbowy, A. Olszyna. A. Sokołowska, J. Szmidt, K. Zdunek, A. Barcz, Peculiarities of thin deposition by means of reactive impulse plasma assisted chemical vapour deposition (IPD) method, Thin Solid Films, 459 (2004) 160 164. 87. M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Optical properties of diamond-like clad for optical fibers, Diamond and Related Materials, 13 (2004) 954 957. 88. T. Guzdek, J. Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, NDC film as an active gate layer in chemfet structures, Diamond and Related Materials, 13 (2003) 1059-1061. 89. M. Godlewski, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Werbowy, E. Łusakowska, M. R. Philips, E. M. Goldys, A. Sokołowska, Luminescent properties of wide bandgap materials at room temperature, Physica Status Solidi, (c)1, No. 2 (2004) 214 218. 90. M. Sochacki, J. Szmidt, Dielectric folms fabricated in plasma as passivation of 4H-SiC Schottky diodes, Thin Solid Films, 446 (2004) 106 110. 91. M. Śmietana, J, Szmidt, M. Dudek, P. Niedzielski, Właściwości warstw NCD jako pokryć włókien światłowodowych w zależności od parametrów procesu RF PCVD, Inżynieria Biomateriałów, Nr 35-36 (2004) 67-70. 92. R. Gronau, J. Szmidt, T. Gotszalk, A. Marendziak, P. Konarski, A. Rylski, Zastosowania technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów, Elektronika, 10 (2004) 11 12. B-9

93. M. Sochacki, R. Łukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz. M. Leśko, M. Wiatroszak, Warstwy termicznego SiO2 I Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS I MIS, Elektronika, 10 (2004) 9 10. 94. M. Słapa, J. Szmidt, A. Szczęsny, P. Śniecikowski, W. Czarnecki, M. Dudek, M. Traczyk, A. Werbowy, Ultra-thin nanocrystalline diamond detectors, Diamond and Related Materials, 14 (2005) 125-128. 95. M. Sochacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werbowy, Properties of Pt/4H-SiC Schottky diodes with interfacial layer at elevated temperatures, Solid State Electronics, 49 (2005) 585 590. 96. P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, A. Olszyna, Properties of AlN contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-bn film, Journal of Telecommunications and Information Technology, No. 1 (2005) 76 79. 97. A. Szczęsny, E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Szmidt, GaN materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach, Elektronika 2-3 (2005) 16 17. 98. M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych, Elektronika 2-3 (2005) 37 38. 99. M. Sochacki, R. Łukasiewicz, W. Rzodkiewicz, A. Werbowy, J. Szmidt, E. Staryga, Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes, Diamond and Related Materials, 14 (2005) 1138 1141. 100. M. Śmietana, J. Szmidt, M. Dudek, Application of diamond-like carbon film optical waveguide sensing system, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 20 (2005) 273 279. 101. P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, P. Konarski, A. Olszyna, "Influence of the Temperature on Electronic Properties of Carbon-Rich BN Films Obtained from (C2H5)3B by Means of Reactive Pulse Plasma Method, in: Innovative super hard Materials and Sustainable Coatings for Advanced Manufacturing, J. Lee and N. Novikov (eds.), Springer, Printed in the Netherlands, Chapter 38 (2005) 455 460. 102. T. Gotszalk, A. Sikora, K. Kolanek, R. Szeloch, J. Szmidt, P. Grabiec, I. W. Rangelow, S. Mitura, Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie, Elektronika, 11 (2005) 14 18. 103. P. Firek, R. Mroczyński, J. Szmidt, R. B. Beck, A. Werbowy, Modyifying electrophysical properties of Si-CBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer, Inżynieria Biomateriałów, 56-57 (2006) 27 28. 104. M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kamińska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Szonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt, Ta-Si contactst on SiC for high temperature devices, Mat. Sci. Eng., B 135 (2006) 289 291. 105. M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, W. J. Bock, J. Grabarczyk. Application of diamond-like carbon films in optical fiber sensors based on long-period gratings. Diamond & Related Materials. T. 16. (2007), 1374 1377. 106. M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock; Optical diamond-like carbon film coating of long-period optical fiber gratings, Physical Status Solid (C), No 4, (2007), 1574 1577. B-10

107. R. Gronau, J. Szmidt, E. Czerwosz; Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission, Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), 37 38. 108. P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD. Journal of Telecommunications and Information Technology. Vol. 3, (2007), 33 36. 109. P. Firek, M. Jakubowska, A. Werbowy, E. Zwierkowska, J. Szmidt, Electronic properties of c-bn thick film layers obtained on silicon and ceramics substrates, Physical Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), 1540 1543. 110. A. Werbowy, P. Firek, J. Chojnowski, A. Olszyna, J. Szmidt, N. Kwietniewski. Barium titanate thin films plasma etch rate as a function of the, Physica Status Solidi (C), 4/No 4, (2007), 1578 1580. 111. R. Gronau, J. Szmidt, P. Firek, E. Czerwosz, D. Jarzyńska, E. Staryga, W. Kaczorowski. Comparison of the ability to field emission Diamond Like Carbon layers produced with different plasma methods. Vacuum. (2008), Vol. 82, pp. 962-965. 112. N. Kwietniewski, M. Sochacki, J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Influence of surface clearing effects on properties of Schottky diodes on 4H-SiC. Applied Surface Science, (2008), Vol. 254 no 24, pp. 8106-8110. 113. T. Bieniek, J. Stęszewski, M. Sochacki, J. Szmidt. Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC). Elektronika. (2008), No. 7-8, pp. 11-15. 114. M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze. Elektronika, (2008), No. 7-8, pp. 15-18. 115. J. Kalenik, K. Kiełbasiński, R. Kisiel, M. Jakubowska, J. Szmidt, Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych połączeń lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych. Elektronika, (2008), No. 9 27-36. 116. N. Kwietniewski, M. Sochacki J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky ego. Elektronika, (2008), No. 9, pp. 57-61. 117. P. Firek, A. Werbowy, N. Kwietniewski, J. Szmidt, A. Olszyna, M. Ćwil, Wytwarzanie, trawienie plazmowe i własności cienkich warstw BaTiO3 dla zastosowań elektronicznych. Elektronika, (2008), No. 9, 62-68. 118. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Śmietana, Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi. Elektronika, (2008), No 9, pp. 126-130. 119. M. Śmietana, J. Szmidt, M. L. Korwin-Pawłowski, N. Miller, A. A. Elmustafa, Influence of RF PACVD process parameters of diamond-like carbon films on optical properties and nano-hardness of the films. Diamond & Related Materials, (2008), vol. 17, 1655-1659. 120. P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, M. Wójcik, J. Gaca, J. Szmidt, M. Oztturk, E. Ozbay, The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates. Journal of Crystal Growth, (2008), Vol. 310, 4876-4879. B-11

121. P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, J. Szmidt, Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN. Materiały Elektroniczne, T. 36-2008 Nr 4. 122. M. Borecki, M. Korwin - Pawlowski, P. Wrzosek, J. Szmidt, Capillaries as the components of photonic sensor micro-systems, J.of MS&T, (2008), 19, pp. 065202. 123. M. Śmietana, M. L. Korwin-Pawlowski, W. J. Bock, G. R. Pickrell, J. Szmidt, Refractive index sensing of fiber optic long-period grating structures coated with a plasma deposited diamond-like carbon thin film. Measurement Science and Technology, (2008), vol. 19, 085301, 7 pp. 124. P. Firek, A. Werbowy, J. Szmidt, MIS field effect transistor with barium titan ate thin film as a gate insulator. Materials Science and Engineering B, Vol. B 165 (2009) 126 128. 125. P. Firek, J. Szmidt, K. Nowakowska-Langer, K. Zdunek, Electric Characterization and Selective Etching of Aluminum Oxide. Plasma Processes and Polymers, Vol. 6 (2009), S840 S843. 126. N. Kwietniewski, K. Gołaszewska, T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Piotrowska, Oxidation process of SiC by RTP technique, Materials Science Forum, Vol. (2009), 615-617, 529-532. 127. A. Kubiak, M. Sochacki, Z. Lisik, J. Szmidt, A. Konczakowska, R. Barlik, Power devices in Polish National Silicon Carbide Program, Materials Science and Engineering B Vol. B (2009), 165,18-22. 128. P. Firek, J. Szmidt, Technology of MISFET with SiO2/ BaTi O3 System as a Gate Insulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, Vol. 4, (2009), 1 4. 129. A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-Sic. ELEKTRONIKA, (2009) nr 6, 20 25. 130. N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt i inni, Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu. ELEKTRONIKA, nr 6, (2009) 32-35. 131. P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut. Material Science Forum, Vol. 615-617 (2009), 939-942. 132. M. Guziewicz, R. Kisiel, K. Gołaszewska, M. Wzorek, A. Stanert, A. Piotrowska, J. Szmidt, Characteristics of Gold Wire Bonds with Ti and Ni-based Contact Metallization to n-sic for High Temperature Applications. Materiale Scence Forum, (2010), Vol. 645-648, pp. 745-748. 133. M. Borecki, M. Korwin Pawłowski, M. Bebłowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, Optoelectronic capillary sensors in microfluidic and point-of-care instrumentation. Manuscript ID: SENSORS (2010), vol. 10 (4) pp. 3771-3797. 134. K. Król, M. Sochacki, J. Szmidt, Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu, Elektronika (2010), vol. 51, no. 4, 120-124. B-12

135. M. Śmietana, W. Bock, J. Szmidt, G. R. Pickrell, Nanocoating Enhanced Optical Fiber Sensors, Advances in Materials Science for Environmental and Nuclear Technology: Ceramic Transactions, Vol. 222 (2010). 136. P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, Heterostruktury AlGaN/AIN/GaN na podłożach 4H- SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT. ELEKTRONIKA nr 3 (2010). 137. P. Firek, A. Taube, J. Szmidt, Influence of annealing on properties of barium titanate thin films, ELEKTRONIKA hr. (2011), 31-33. 138. M. Śmietana, W. J. Bock, J. Szmidt, Evaluation of optical properties with deposition time of silicon nitride and diamond-like carbon films deposited by radio- frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition method, Thin Solid Films, 519(2011) 6339-6343. 139. M. Śmietana, W. J. Bock, P. Mikulic, J. Szmidt, Effective tuning of long- period grating refractive- index sensitivity by plasma-deposited diamond-like carbon nano-coatings, Proc. Of SPIE, Vol. 7753 77539F-1, 2011. 140. M. Sochacki, P. Firek, N. Kwietniewski, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, Electronic properties of BaTiO3/4H-SiC interface, Material Science and Engineering B, Vol. 176 (2011), 303-304. 141. P. Firek, J. Szmidt, MISFET structures with barium titanate as a dielectric layer for application in memory cells, Microelectronics Reliability, Vol. 51 (2011), 1187-1191. 142. K. Nowakowska-Langier, R. Chodun, P. Firek, M. Waśkiewicz, Krzysztof Zdunek, Struktura i właściwości elektroniczne warstw AIN wytwarzanych w reaktywnym procesie rozpylania magnetronowego, ELEKTRONIKA nr 11(2011), s. 43-45. 143. P. Caban, W. Strupiński, J. Szmidt, M. Wójcik, J. Gaca, O. Kelekci, D. Caliskan, E. Ozbay, Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H-SiC, Journal of Crystal Growth 315 (2011), 168-173. B-13

C. PRACE PREZENTOWANE NA KONFERENCJACH NAUKOWYCH 1. B. Majkusiak, A. Jakubowski, J. Rużyłło, J. Szmidt, "Swithing mechanism in MIS (n-p) devices", ESSDERC 1979. 2. J. Szmidt, A. Jakubowski, M. Duszak, "Charakterystyki I-V, C-V struktur MIS z warstwą dielektryka wytworzoną metodą impulsowo-plazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 3. M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Wpływ wilgotności na właściwości elektryczne struktur MIS z warstwami dielektrycznymi wytworzonymi metodą impulsowoplazmową", II Konferencja Mikroelektronika Krajów Socjalistycznych, Toruń 1980, (opublikowane w materiałach Konferencji). 4. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Basic properties of BN and C thin dielectric films in MIS structures on silicon", Third Microelectronics Conference of the Socialist Countries, Siofok, 5-7 May 1982, (opublikowane w materiałach konferencji). 5. J. Szmidt, A. Jakubowski, Niektóre właściwości elektrofizyczne struktur MIS z warstwami BN wytworzonymi metodą reaktywno-impulsowo-plazmową (RIP)", Technologia Elektronowa II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 6. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, P. Pięta, J. Szmidt, B. Wendler, "Właściwości warstw diamentopodobnych uzyskanych w procesie rozkładu węglowodoru w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości 13, 56 MHz", Technologia Elektronowa, II Konferencja Naukowa, ELTE-84, Rynia. 7. J. Szmidt, A. Jakubowski, "Some properties of the MIS structures with BN and C thin layers formed by the reactive-pulse-plasma method on Si or SiO2-Si substrates and annealing effects", 6th International Conference on Thin Films ICTF-6, Stockholm, Sweden, 1984. 8. M. Duszak, A. Jakubowski, J. Szmidt, "Conduction current in MIS structure with thin carbon layers formed by the reactive-pulse-plasma method", MIEL-85, Lublijana, Yugosławia, (1985). 9. A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Balasiński, M. Duszak, "Application of MIS structure electrical characteristics analysis for determination of electrophysical properties of thin films deposited under the reduced pressure by plasma method", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, 1985. 10. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, P.Pięta, "Correlation between parameters of deposition and properties of carbon films obtained by rf plasma decomposition of hydrocarbons", International Conference on Diamond Crystalization under reduced pressure, Warsaw, Poland, 1985. 11. J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Aplication of diamondlike layers antireflection coatings in silicon solar cells", MIEL-87, Lublijana, Yugosławia, (1987). 12. J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Jakubowski, "Diamondlike polycrystalline layer formed by crystalization from pulse-plasma on silicon", 5th International School on Vacum, Electron and Jon Technologies VEIT-87, Varna, (1987). 13. A. Balasiński, M. Cłapa, M. Duszak, K. Grigorov, Z. Haś, A. Jakubowski, S. Mitura, J. Szmidt, "Wpływ plazmy na niektóre właściwości cienkich diamentopodobnych warstw C-14

węglowych wytwarzanych w polu elektrycznym w.cz., III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 14. J. Szmidt, A. Jakubowski, W. Kućko, "Prosty model antyrefleksyjnej warstwy typu QWAR dla krzemowej baterii słonecznej z warstwą węgląwą wytworzoną w polu elektrycznym w.cz.", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 15. E. Staryga, A. Lipiński, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Model przewodnictwa elektrycznego warstw węglowych wytworzonych metodami plazmowymi", III Konf. Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE-87, Poznań, (1987). 16. J. Szmidt, R. Lisak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Boron nitride layers produced by the reactive pulse plasma method as boron diffusion source", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 17. J. Szmidt, M. Duszak, A. Sokołowska, R.H. Gantz, "Diamond-like layers a passivation coatings for semiconductor devices", 7th CIMTEC World Ceramics Congress, Montecatini Terme-Italy, June 24-30, (1990). 18. J. Szmidt, R. Lisak, "Diody p-n wytworzone poprzez dyfuzję boru z warstw azotku boru", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, 11-14 września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 19. J. Szmidt, M. Duszak, R.H. Gantz, "Trawienie selektywne warstw węglowych", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, 11-14 września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 20. J. Szmidt, "Zabezpieczenie powierzchni struktur półprzewodnikowych twardymi warstwami wytworzonymi techniką plazmową", Technologia Elektronowa IV Konferencja Naukowa, Zamek Książ k/wałbrzycha, 11-14 września 1990, Wyd. Pol. Wrocławskiej, Wrocław, (1990). 21. J. Szmidt, T. Brożek, R.H. Gantz, A. Olszyna, "Dielectric strenght of thin passivating diamond films for semiconductor devices", Diamond Films 90, Sept. 17-19, Crans Montana, Switzerland, (1990). 22. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Balasiński, "Antireflection, hard carbon coatings for IR optics", Applied Diamond Conference 1991, 1 st International Conference on the Applicatons of Diamond Films and Related Materials, Auburn, Alabama, USA, Aug. 20-22 (1991). 23. J. Szmidt, A. Sokołowska, K. Zdunek, S. Mitura, A. Rylski, "Graphite microregions effect upon the Si-diamond layer function properties", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 24. S. Mitura, S. Haś, J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, "Heterojunction silicon-carbon films with SiC interlayer", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 25. J.Szmidt, "Electrical breakdown phenomena in C - BN layers", Diamond Films 91, Sept. 2-4 Nice, France, (1991). 26. J. Szmidt, S. Mitura, M. Cłapa, D. Jachowicz, J. Pruszyński, A. Sokołowska, "DLC films obtained by RF decomposition of methane in situ doped by magnetron supttering", Diamond Films 92, Aug.31-Sept.4, Heidelberg, Germany, (1992). C-15

27. R.B. Beck, T. Brożek, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Mitura, R. Wołowiec, "Electrical properties of DLC-Si heterojunctions manufactured under ultra clean conditions", Diamond Films 92, Aug.31-Sept.4 1992, Heidelberg, Germany, (1992). 28. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Some properties of silicon p-n junction produced by diffusion of boron from cubic BN layers", Diamond Films 92, Aug.31- Sept.4.1992, Heidelberg, Germany, (1992). 29. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Future applications of diamond films", XIII Konferencji Metalozn. Nowoczesne Materiały i Technologie AMT - 92, Warszawa- Popowo, 23-25 września 1992, PI5, (1992), plenarny referat zaproszony. 30. J. Szmidt, A. Sokołowska, S. Mitura, "Diamond films for electronics", Komunikat - 3-rd Mideuropean Sypmosium & Exhibition on Semiconductor and Technology SET 92, October, 12-14, Warsaw, (1992). 31. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Diamond-like carbon for micromachining", Seminarium; Kompozyty, Spieki i Ceramika, Łódź, styczeń (1993), referat zaproszony. 32. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Perspektywy zastosowań warstw diamentowych", 4th Summer School Mielno 93, "Modern Plasma Surface Technology", Sept. 16-18, Mielno-Poland, referat zaproszony. 33. J. Szmidt, "Selective etching of C-BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 34. J. Szmidt, "Diamondlike layers as passivation coatings for power bipolar transistors", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 35. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Application of diamondlike layers as gate dielectric in MIS transistor", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 36. T. Brożek, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Electrical behaviour and breakdown in plasma deposited cubic BN layers", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 37. E. Mitura, P. Wawrzyniak, G. Rogacki, J. Szmidt, A. Jakubowski, "The properties of DLC layers deposited onto SiO2 aerogel", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 38. E. Mitura, S. Mitura, A. Jakubowski, J. Szmidt, A. Sokołowska, P. Louda, J. Marciniak, "Diamond-like carbon coatings for biomedical application", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. C-16

39. A. Olszyna, B. Kowalski, J. Szmidt, "Optical properties of E-BN", Diamond Films 93, 4th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Sept. 20-24, 1993, Albufeira, Portugal. 40. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Effects of carbon ions on the silicon substrate being coated with DLC by plasma deposition methods", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May 1994. 41. J. Szmidt, A. Olszyna, S. Mitura, A. Sokołowska, "In situ doping of DLC layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May 1994. 42. S. Mitura, A. Koziarski, A. Sokołowska, J. Szmidt, P. Niedzielski, S. Miklaszewski, "Amorphous diamond coatings for cutting tools", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May 1994. 43. P. Louda, Z. Lisik, E. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Jakubowski, "Heat transfer through DLC and PCD layers", ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia), 3-5 May 1994. 44. J. Szmidt, A. Jakubowski, S. Mitura, A. Sokołowska, "Warstwy diamentopodobne i diamentowe dla zastosowań elektronicznych", Zaproszony Referat Sekcyjny, Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), 20-23 April 1994, pp. 70-75. 45. J. Szmidt, R.B. Beck, S. Mitura, A. Sokołowska, "Wpływ jonów węgla na podłoże krzemowe pokrywane warstwą diametopodobną przy użyciu technik plazmowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), 20-23 April 1994, pp.363-364. 46. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania struktur mikroelektronicznych z udziałem diamentopodobnych warstw węglowych", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), 20-23 April 1994, pp.359-362. 47. S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, J. Marciniak, J. Szmidt, M. Cłapa, Z. Paszenda, A. Jakubowski, "Technologia wytwarzania amorficznego diamentu - materiału dla zastosowań w medycynie", Proceeding of 5th Conference on Electron Technology ELTE'94, Szczyrk (Poland), 20-23 April 1994, pp. 248-251. 48. A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, R.B. Beck, A. Werbowy, A. Olszyna, A. Michalski, K. Zdunek, J. Marciniak, Z. Paszenda, P. Wroczyñski, A. Herman, F. Rozp³och, G. Fabisiak, W. Mycielski, E. Staryga, L. Wolf, Z. Lisik, D. Jachowicz, P. Niedzielski, B. Wendler, E. Mitura, S. Mitura, "Diamond films in Poland", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 49. A. Sokołowska, S. Mitura, J. Szmidt, "Heterojunction with diamond film", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 50. R.B. Beck, J. Szmidt, "Introduction of diamond-like carbon layers technology to microelectronic structure fabrication", 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology - SET'94, April 25-28, (1994). 51. A. Werbowy, J. Szmidt, "Some aspects of detailed diagnostics of MIS structures with plasma deposited DLC layers", 3rd Symposium Diagnostics and Yield D&Y'94, April 28-29, (1994). C-17

52. S. Mitura, R. Wołowiec, P. Niedzielski, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Characterization of amorphous diamond obtained by RF dense plasma", 8th CIMTEC World Ceramics Congress, Florence, 28.06 04.07. 1994. 53. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Michalski, S. Mitura, "Heterojunction C-BN/Si", Diamond Films'94, 5th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Il Ciocco, Italy, 25-30 September, 1994. 54. A. Sokołowska, K. Zdunek, J. Konwerska-Hrabowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Związek między właściwościami i strukturą warstw diamentopodobnych, a składem chemicznym plazmy, z której zachodzi krystalizacja", Międzynarodowa Szkoła Letnia "Hard Coating'95" Mielno, czerwiec 1995. 55. M. Langer, J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, "Warstwy diamentopodobne w mikroelektronice", MATEL, DOBIESZKÓW'95, czerwiec 1995. Opublikowano w materiałach Konferencji s. 93 (1995). 56. J. Konwerska-Hrabowska, K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, L. Nowicki, "Optical properties of C and N codeposit from an impulse plasma", International Conference on C- BN and Diamond Crystallization under Reduced Pressure C-BN&D'95", Jabłonna, June 27-29 (1995). 57. J. Szmidt, R.B. Beck, A. Sokołowska, Z. Lisik, S. Mitura, "State of the silicon-dlc layers interface, produced by plasma methods", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept. 10-15 (1995). 58. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Fabrication and properties of Mo Contacts to amorphous cubik boron nitride (a-cbn) layers", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept. 10-15, 1995. 59. K. Zdunek, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Werbowy, J. Konwerska-Hrabowska, S. Mitura, "Nanocrystalline C-N thin Films", 6th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Barcelona (Spain), Sept. 10-15, 1995. 60. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, "Application of Diamond-like layers as passivation isolation layers in power semiconductor devices", 6th European Conferece on Power Electronics and Applications, Sevilla (Spain), 19-21 Sept., 1995. 61. S. Mitura, J. Szmidt, Z. Lisik, A. Jakubowski, A. Sokołowska, DLC films for microelectronics, Proc. Thin Films in microelectronics, Lazurnoye, wrzesień 1995. 62. J. Szmidt, "Właściwości obszaru przejściowego krzemu z warstwami DLC wytwarzanymi technikami plazmowymi", III Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Spała 23-26 października 1995. 63. J. Szmidt, "Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon", III Seminarium "Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe", Spała 23-26 października 1995. 64. J. Szmidt, J. Konwerska-Hrabowska, A. Olszyna, K. Zdunek, A.Sokołowska, "Energetyczne warunki procesu z udziałem plazmy, a struktura azotku węgla", V Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe", Szklarska Poręba, 21-23 marca 1996. 65. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, M. Smoluchowski, "Termiczna optymalizacja konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych mocy z bramką palczastą", I Seminarium Zagadnienia Termiczne w Elektronice, "TERMIK'96", Szklarska Poręba, 13-15 maja 1996. C-18

66. E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", 3rd International Symposium on Diamond Films ISDF3, St. Petersburg (Russia), 16-19 June 1996. 67. A. Sokołowska, J. Szmidt, S. Mitura, J. Konwerska-Hrabowska, "Allotropic forms of carbon nitride", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), 19-21 June 1996. 68. S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, S. Der Sahaguian, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J. Żak, "The surface structure of carbon films deposited by different plasmachemical methods", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), 19-21 June 1996. 69. M. Langer, S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, "Verification of nanocrystalline diamond films quality", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), 19-21 June 1996. 70. E. Mitura, A. Mitura, S. Mitura, P. Niedzielski, J. Bodzenta, J. Mazur, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Olszyna, "Photothermal measurements of thermal conductivity of thin amorphous CxNy films", NATO Advanced Research Workshop on Diamond Based Composites, St. Petersburg (Russia), 19-21 June 1996. 71. M. Dłużniewski, E. Mitura, S. Mitura, P. NIedzielski, P. Przymusiała, S. Der-Sahaguian, E. Staryga, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J.A. Moll, J.J. Moll, "Comparison of the surface structure of carbon films deposited by different methods", 7th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials DIAMOND'96 jointly with 5th International Conference on the New Diamond Science and Technology ICNDST-5. Tours (France), 8-13 September 1996. 72. Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, 3-D simulation of gate current distribution in GTO thyristors", ISPS'96, Prague, 11-13 September 1996. 73. A. Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, J. Szmidt, "Junction of amprphous C-BN thin films with metals and silicon", 10th International Conference on Thin Films ICTF-10, 5- th European Vacuum Conference EVC-5, Salamanca (Spain), 23-27 September 1996. 74. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Sokołowska, "Electrical characteristics of structures with carbon nitride layer as a dielectric", 1st Polish-Korean Symposium on Materials Science", Warsaw (Poland), 16-19 December 1996. 75. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "NCD - Nanocrystalline diamond coatings", Poland from Science Industry - Techno Messe Kansai, 12th Technomart Osaka (Japan), 24-26 February 1997. 76. J. Szmidt, Sokołowska, A. Olszyna, A. Werbowy, S. Mitura, A. Jakubowski, "Właściwości elektryczne i fotoelektryczne struktur C3N5-Si", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja 1997. 77. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterozłącza amorficznych azotków o szerokiej przerwie zabronionej z krzemem", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja 1997. 78. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Kontakty metaliczne do warstw azotku boru (a-cbn)", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja 1997. C-19

79. Z. Lisik, J. Szmidt, S. Mitura, "3-D symulacja rozpływu prądu bramki w tranzystorze GTO", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja 1997. 80. T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, L. Łukasiak, S. Sakalauskas, A. Sodeika, "Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów w strukturach MIS metodą Kelvina", ELTE'97 - VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa", Krynica, 6-9 maja 1997. 81. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Sokołowska, A. Olszyna, S. Mitura, "Nanocrystalline Wide Band Gap Nitrides for Electronics", Sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), 15-16 May, 1997, and Poland: from Science Industry - INPEX'XIII Invention/New Product Exposition, Pittsburgh (USA), 15-18 May, 1997. 82. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, "Nanocrystalline diamond coatings",sympsium: Science-Education-Technology and Presentation of Innovative Technologies and Products Developed in Polish Scientific Research Centers, Carnegie Mellon University, Pittsburgh (USA), 15-16 May 1997. 83. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, A. Olszyna, "Heterojunction of amorphous wide band gap nitrides and silicon", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August 1997. 84. M. Langer, Z. Lisik, S. Mitura, J. Szmidt, W. Cieplak, "DLC passivation layers for p-n junctions of power silicon devices", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August 1997. 85. J. Bodzenta, J. Mazur, J. Szmidt, S. Mitura, "Determination of thermal properties of thermally thin layer on thermally thick substrate by pulsed PT measurement", 8th European Conference on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Edinburgh (Scotland), 3-8 August 1997. 86. T. Łozowski, A. Jakubowski, J. Szmidt, S. Sakałauskas, "Devices for surface potential measurements of dielectric and photosemiconductor layers", II Krajowa Konferencja "Podstawy Fizyczne Badań Nieniszczących", Politechnika Śląska, Gliwice 3-5 wrzesień 1997. 87. J. Szmidt, A. Werbowy, A. Jakubowski, A. Sokołowska, A. Olszyna, Nanocrystalline wide band gap nitrides for electronics, Ninth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, December 1997. 88. J. Szmidt, Electrical and photoelectric properties of c-bn/si heterostuctures, The 5 th NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM 98), Tsukuba (Japan), March 1-5 1998. 89. J. Szmidt, Z. Lisik, S. Mitura, W. Cieplak, M. Langer, DLC passivation layers for high voltage silicon devices, Proc. of the 9 th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 98), Tel-Aviv (Israel), 18-20 May 1998. 90. A. Werbowy, J. Szmidt, A. Sokołowska, Electric breackdown phenomena in thin nanocrystalline nitride films, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & Technologies - World Ceramics Congress & Forum On New Materials, CIMTEC 98, Florence (Italy), 14-19 June 1998. 91. S.Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, Z. Lisik, A. Sokołowska, J. Szmidt, J. Hassard, Nanocrystalline diamond coatings, 9 th Intern. Conf. on Modern Materials & C-20