Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM



Podobne dokumenty
Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 1 Diody i prostowniki

Ćw. 1: Badanie diod i prostowników

BADANIE ELEMENTÓW RLC

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Ćw. 7 Przetworniki A/C i C/A

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Systemy i architektura komputerów

Ćw. 9 Przerzutniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Sprzęt i architektura komputerów

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Ćw. 8 Bramki logiczne

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Sprzęt i architektura komputerów

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Badanie diod półprzewodnikowych

UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Ćw. 5 Wzmacniacze operacyjne

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

POLITECHNIKA POZNAŃSKA KATEDRA STEROWANIA I INŻYNIERII SYSTEMÓW

Zasilacze: prostowniki, prostowniki sterowane, stabilizatory

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

Uśrednianie napięć zakłóconych

Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki. Diody półprzewodnikowe

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Generatory sinusoidalne LC

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO. Instrukcja wykonawcza

Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Komputerowe projektowanie układów ćwiczenia uzupełniające z wykorzystaniem Multisim/myDAQ. Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ

Ćw. 2 Tranzystory bipolarne

Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK FILTRÓW BIERNYCH. (komputerowe metody symulacji)

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćw. III. Dioda Zenera

Przetworniki AC i CA

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wprowadzenie do programu Multisim

Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Ćw. 3: Wzmacniacze operacyjne

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Diody półprzewodnikowe

Generator. R a. 2. Wyznaczenie reaktancji pojemnościowej kondensatora C. 2.1 Schemat układu pomiarowego. Rys Schemat ideowy układu pomiarowego

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 Mostek pojemnościowy Ćwiczenie wraz z instrukcją i konspektem opracowali P.Wisniowski, M.Dąbek

LABORATORIUM - ELEKTRONIKA Zasilanie układów elektronicznych

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

Ćwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego

Instrukcja nr 1. Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P.

Ćwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym.

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Dioda półprzewodnikowa

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Układy sekwencyjne. Podstawowe informacje o układach cyfrowych i przerzutnikach (rodzaje, sposoby wyzwalania).

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

KOMPUTEROWE METODY SYMULACJI W ELEKTROTECHNICE I ELEKTRONICE. ZASADA DZIAŁANIA PROGRAMU MICRO-CAP

I. Cel ćwiczenia: Poznanie własności obwodu szeregowego zawierającego elementy R, L, C.

Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Politechnika Białostocka

Sprzęt i architektura komputerów

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

E 6.1. Wyznaczanie elementów LC obwodu metodą rezonansu

8 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J

Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Badanie wzmacniacza operacyjnego

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Transkrypt:

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM słuŝącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe elementy elektroniczne. 2. Wymagane informacje Podstawowe wielkości elektryczne (natęŝenie prądu, napięcie, opór elektryczny, pojemność), podstawowe bierne elementy elektroniczne (rezystor, kondensator, potencjometr), prawo Ohma. Znajomość tych zagadnień jest warunkiem koniecznym do przystąpienia do ćwiczenia i zrozumienia omawianych zagadnień. Student ma obowiązek zapoznania się z wymaganymi informacjami. 3. Wprowadzenie teoretyczne Program MultiSIM jest symulatorem układów elektronicznych. Pozwala na zbadanie działania obwodu zbudowanego z wirtualnych elementów bez konieczności budowy rzeczywistego układu. Darmową wersję programu moŝna ściągnąć ze strony producenta (http://www.ni.com/multisim/). Program moŝna uruchomić poprzez dwukrotne kliknięcie ikony (Rys.1) znajdującej się na pulpicie lub wybranie odpowiedniej pozycji z menu Start. Rys.1. Wygląd ikony programu MultiSIM. Rys.2 przedstawia wygląd głównego okna programu MultiSIM. Główna plansza na oknie to pole, na którym naleŝy rysować schemat układu. Elementy potrzebne do konstrukcji układu moŝna znaleźć wybierając odpowiednie ikony w górnej części okna lub wybierając z menu Place Component i wyszukując w odpowiedniej grupie elementów. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 1

Rys.2. Główne okno programu MultiSIM. PoniŜej zebrane są ikony najpotrzebniejszych elementów lub grup elementów: Źródła Multimetr Elementy bierne Oscyloskop Diody Generator Tranzystory Rozpoczęcie/zatrzymanie symulacji, pauza 4. Wykonanie ćwiczenia 4.1. Badanie rezystora Celem pierwszej symulacji będzie analiza charakterystyki prądowonapięciowej I=f(U) rezystora. Aby zbadać tę zaleŝność naleŝy sporządzić odpowiedni schemat. Najpierw konieczne jest umieszczenie na schemacie badanego rezystora (Rys.3). MoŜna go znaleźć w grupie elementów biernych. Po podwójnym kliknięciu na symbol rezystora otworzy się okno z jego ustawieniami. NaleŜy wybrać odpowiednią wartość rezystancji z Tabeli 1 (kaŝdy zespół laboratoryjny inną). KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 2

Rys.3. Wstawienie rezystora. Tabela 1. Wartości rezystorów do wyboru przez poszczególne zespoły. Zespół Wartość [Ω] A 100 B 500 C 1k D 5k E 10k Napięcie podawane na rezystor będzie pochodzić ze źródła napięcia stałego (DC). NaleŜy ustawić jego wartość na 12 V (Rys.4). Rys.4. Wstawienie źródła napięcia. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 3

Kolejnym krokiem jest dodanie do schematu potencjometru (Rys.5). Jest to rezystor o zmiennej rezystancji mogący pracować jako regulowany dzielnik napięcia. Za jego pomocą ustalane będzie jaka część napięcia ze źródła zasilania zostanie podana na badany rezystor. Pozycję suwaka potencjometru moŝna zmieniać za pomocą myszy, bądź wybranym klawiszem klawiatury. Rys.5. Wstawienie potencjometru. Ostatnim potrzebnym elementem jest źródło napięcia sterowane napięciem (Rys.6.). Jest ono potrzebne aby zapewnić izolację pomiędzy badanym rezystorem a pozostałą częścią układu. MoŜna je znaleźć w menu Place Component w grupie Sources. Rys.6. Wstawienie źródła napięcia sterowanego napięciem. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 4

Kompletny schemat został pokazany na Rys.7. Aby moŝliwe było dokonanie pomiarów konieczne jest jeszcze wstawienie dwóch mierników (multimetrów). Jeden z nich ma pracować jako amperomierz (XMM1 wpięty szeregowo w obwód), drugi jako woltomierz (XMM2 wpięty równolegle). Połączenia (kable) są rysowane przez kliknięcie lewym przyciskiem myszy na końcówce elementu. Rys.7. Schemat układu do badania rezystora. W tym momencie moŝna uruchomić symulację. Zmieniając nastawę potencjometru z krokiem 5% naleŝy odczytywać wartości prądu i napięcia na rezystorze. Następnie na ich podstawie naleŝy wykreślić w sprawozdaniu charakterystykę prądowo-napięciową badanego elementu I=f(U). Otrzymane wyniki naleŝy porównać z wiadomościami teoretycznymi. 4.2. Badanie kondensatora W drugiej części ćwiczenia badanym elementem będzie kondensator. Podobnie jak w poprzednim punkcie naleŝy zbudować schemat przedstawiony na Rys.8. Wartość rezystora powinna być taka sama jak w poprzednim punkcie. Wartość kondensatora naleŝy wybrać z tabeli (kaŝdy zespół inną). Tabela 2. Wartości kondensatorów do wyboru przez poszczególne zespoły Zespół A B C D E Wartość [F] 4u 800n 400n 80n 40n KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 5

Rys.8. Schemat do badania kondensatora. NieuŜywanym wcześniej elementem jest przełącznik (SPDT). MoŜna go znaleźć w menu Place Component w grupie Basic/Switch (Rys.9). Za jego pomocą na układ rezystor-kondensator podawane będzie wysokie lub niskie napięcie. Rys.9. Wstawienie przełącznika. Tym razem wyniki będą obserwowane na oscyloskopie. Jest to urządzenie umoŝliwiające oglądanie przebiegów czasowych napięć. Posiada ono dwa kanały: A i B. NaleŜy do nich podpiąć punkty układu przed i za rezystorem. W celu zwiększenia czytelności przebiegów moŝliwa jest zmiana koloru wykresu. NaleŜy na wybranym kablu kliknąć prawym przyciskiem myszy i wybrać opcję Segment Color (Rys.10). KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 6

Rys.10. Wstawienie oscyloskopu i wybór koloru wyświetlania przebiegu. W tej części ćwiczenia naleŝy uruchomić symulację i zmieniając pozycję przełącznika obserwować zmianę napięcia na kondensatorze. Otrzymane przebiegi czasowe naleŝy przerysować lub zapisać (np. PrintScreen). Na podstawie zebranych wyników naleŝy obliczyć stałą czasową układu i porównać ją z wartością teoretyczną (Rys.11). V = RC [s] Rys.11. Sposób wyznaczania stałej czasowej. Następnie naleŝy zaobserwować kształt przebiegu prądu na kondensatorze. W tym celu do wcześniejszego schematu naleŝy dodać drugi oscyloskop mierzący wartość prądu na rezystorze (z poprzedniej części ćwiczenia wiadomo, Ŝe napięcie jest proporcjonalne do prądu na rezystorze). t KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 7

Rys.12. Schemat układu do pomiaru prądu płynącego w obwodzie z kondensatorem. Dodatkowym zadaniem jest zbadanie działania kondensatora w obwodzie prądu zmiennego. W tym celu naleŝy zmodyfikować wcześniejszy schemat wg Rys.13. UŜyte źródło to źródło napięcia sinusoidalnego o częstotliwości 50 Hz i napięciu skutecznym 230 V (RMS), co odpowiada amplitudzie 325 V. Wartości uŝytych elementów powinny być takie jak w przypadku wcześniejszych obwodów. Rys.13. Schemat do badania kondensatora w obwodzie prądu zmiennego. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 8

5. Opracowanie wyników W sprawozdaniu z ćwiczenia naleŝy: narysować schemat układu badającego charakterystykę rezystora, wykreślić zebraną charakterystykę I = f(u) rezystora, porównać otrzymaną charakterystykę z wiadomościami teoretycznymi, narysować schematy układów do badania kondensatora, umieścić przebiegi zebrane z oscyloskopu podczas badania kondensatorów w obwodach prądu stałego i zmiennego, wyznaczyć stałą czasową układu z kondensatorem oraz porównać ją z wartością teoretyczną, wyciągnąć wnioski z ćwiczenia. Zawarcie tych elementów w sprawozdaniu jest konieczne do jego zaliczenia przez prowadzącego. W razie niewykonania którejkolwiek części ćwiczenia konieczne jest samodzielne uzupełnienie jej w domu. Szczególną uwagę naleŝy poświęcić analizie wniosków wynikających z przeprowadzonych pomiarów. Zapisane podczas ćwiczenia zrzuty ekranów moŝna przesłać sobie e-mailem! 6. Literatura [1] P. Horowitz, W. Hill Sztuka elektroniki. Część 1., Wydawnictwa Komunikacji i Łączności, Warszawa 1995, Rozdział 1 Podstawy (s. 15-55) [2] NI Multisim Interactive Demonstration http://zone.ni.com/wv/app/doc/p/id/wv-655 [3] Getting Started with NI Circuit Design Suite http://digital.ni.com/manuals.nsf/websearch/e2ab5c177a5c95c186257650006948f6 KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 9