WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ ul. Piotrowo 3, 60-965 Poznań DZIEKAN prof. dr hab. Ryszard Czajka e-mail: ryszard.czajka@put.poznan.pl tel.: 61-6653200 Poznań, dnia 8 listopada 2018 r. Uchwała Nr 84 /2016-2020/2018 z XXV posiedzenia Rady Wydziału Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej w dniu 8 listopada 2018 r. w sprawie nadania dr. inż. Wojciechowi Koczorowskiemu stopnia naukowego doktora habilitowanego w dziedzinie nauk fizycznych, w dyscyplinie fizyka Działając na podstawie art. 18 ust. 1 oraz art. 18a ust. 11 i art. 19 Ustawy z dnia 14 marca 2003 r. o stopniach naukowych i tytule naukowym oraz o stopniach i tytule w zakresie sztuki (Dz. U. z 2017 r. poz. 1789) oraz zgodnie z Rozporządzeniem Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego z dnia 19 stycznia 2018 r. w sprawie szczegółowego trybu i warunków przeprowadzania czynności w przewodzie doktorskim, w postępowaniu habilitacyjnym oraz w postępowaniu o nadaniu tytułu profesora (Dz. U. z 2018 r., poz. 261), Rada Wydziału Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej; po zapoznaniu się z uchwałą powołanej w tej sprawie Komisji Habilitacyjnej powołanej przez Centralną Komisję do Spraw Stopni i Tytułów w dniu 10 maja 2018 r., w tym z recenzjami osiągnięć naukowych Habilitanta, podjęła jednomyślnie uchwałę o nadaniu dr. inż. Wojciechowi Koczorowskiemu z Wydziału Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej stopnia naukowego doktora habilitowanego w dziedzinie nauk fizycznych w dyscyplinie fizyka. Postępowanie habilitacyjne zostało wszczęte przez Centralną Komisję do Spraw Stopni i Tytułów w dniu 9 kwietnia 2018 r. W załączeniu Uzasadnienie Uchwały Rady Wydziału Fizyki Technicznej. Uchwała wchodzi w życie z dniem jej podjęcia..
UZASADNIENIE Załącznik do Uchwały Nr 84 /2016-2020/2018 Działając na podstawie art. 18 ust. 1 oraz art. 18a ust. 11 i art. 19 Ustawy z dnia 14 marca 2003 r. o stopniach naukowych i tytule naukowym oraz o stopniach i tytule w zakresie sztuki (Dz. U. z 2017 r. poz. 1789) oraz zgodnie z Rozporządzeniem Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego z dnia 19 stycznia 2018 r. w sprawie szczegółowego trybu i warunków przeprowadzania czynności w przewodzie doktorskim, w postępowaniu habilitacyjnym oraz w postępowaniu o nadaniu tytułu profesora (Dz. U. z 2018 r., poz. 261), Rada Wydziału Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej, uwzględniając Rozporządzenie Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego z dnia 1 września 2011 r. (Dz. Ustaw Nr 196 z 2011 r., poz, 1165) w sprawie kryteriów oceny osiągnięć osoby ubiegającej się o nadanie stopnia doktora habilitowanego stwierdza, co następuje: Rada Wydziału wzięła pod uwagę: a) osiągnięcie naukowe Habilitanta, o którym mowa w art. 16 ust. 1 i ust. 2 Ustawy; b) aktywność naukową Habilitanta, o której mowa w art. 16 ust. 1 Ustawy oraz w 3 p.3 oraz w 4 Rozporządzenia Ministra NiSW w sprawie kryteriów oceny (Dz. Ustaw Nr 196 z 2011 r., poz, 1165); c) osiągnięcia w zakresie dorobku dydaktycznego i popularyzatorskiego oraz współpracy międzynarodowej habilitanta wymienione w 5 Rozporządzenia Ministra NiSW w sprawie kryteriów oceny (Dz. Ustaw Nr 196 z 2011 r., poz, 1165). Podstawą oceny dorobku naukowego i pozostałych dokonań Habilitanta są m.in.: a) osiągnięcie naukowe zatytułowane Wytwarzanie i modyfikacja struktur powierzchniowych na zrekonstruowanych powierzchniach przewodzących o potencjalnym zastosowaniu w nanoelektronice", w skład którego wchodzi osiem artykułów naukowych opublikowanych w czasopismach z bazy JCR (Journal Citation Reports) o sumarycznej wartości IF równej 21,311; b) wykaz innych publikacji i prac naukowych o sumarycznej wartości IF równej 25,38 z uwzględnieniem własnych dokonań naukowych oraz twórczych prac zawodowych; c) recenzje sporządzone przez recenzentów, o których mowa w art. 18a ust. 7 Ustawy; d) oświadczenia współautorów dotyczące ich wkładu w przygotowanie osiągnięcia naukowego, o którym mowa w pkt a); e) informacja o osiągnięciach dydaktycznych, współpracy naukowej i popularyzacji nauki. 1. W wyniku obszernej dyskusji Rada Wydziału uznała, że przedłożone osiągnięcie naukowe spełnia ustawowy warunek znacznego wkładu w rozwój dyscypliny naukowej fizyka, oraz że cykl publikacji tworzących osiągnięcie jest powiązany tematycznie. W szczególności Rada Wydziału uznała, że zgłoszone osiągnięcie naukowe zatytułowane Wytwarzanie i modyfikacja struktur powierzchniowych na zrekonstruowanych powierzchniach przewodzących o potencjalnym zastosowaniu w nanoelektronice, w skład którego wchodzi cykl ośmiu powiązanych tematycznie artykułów opublikowanych w czasopismach naukowych posiadających współczynnik IF (pięcioletni) o sumarycznej wartości 21,311 wg roku publikacji, spełnia wymagania konieczne do poparcia przez Radę Wydziału wniosku o nadanie stopnia doktora habilitowanego. Wszystkie publikacje w cyklu zostały opublikowane w prestiżowych dla fizyków czasopismach m.in. (podane IF 5-letnie w roku opublikowania prac oraz IF z roku 2017) 2 prace w Phys. Rev. B (IF 3,513 i 3,711/3,813), w Nanotechnology (IF 3,611/3,404), 3 w Applied Surface Science (IF 1, 898 i 3,184, obecny IF 4,434). We wszystkich publikacjach Habilitant jest autorem korespondencyjnym, w siedmiu pierwszym współautorem i w jednej drugim. Dodatkowo o międzynarodowej rozpoznawalności Habilitanta, jako eksperta, świadczy fakt, że wykonał 18 recenzji dla międzynarodowych czasopism (IF z r. 2017) takich jak New Journal of Physics - 1 (IF 3,786), IEEE Electron Device Letters - 1 (IF 3,433), Materials Science in Semiconductor 2
Processing 8 (IF 2,593), Thin Solid Films 8 (IF 1,939) otrzymując dwa dyplomy wyróżniającego się recenzenta od redakcji MSSP i TSF (i we wrześniu br. trzeci dyplom z Applied Surface Science, bieżący IF 4,434). Czasopismo Nanotechnology opublikowało jego wynik, w formie obrazu STM, na okładce i wyróżniło artykuł (ang. "Featured article") [H4] wchodzący w cykl (Nanotechnology vol.26, No.15, 04.2015!!) Ponadto wygłosił 20 referatów ustnych (w tym 3 zaproszone) w większości podczas konferencji międzynarodowych. Podsumowując, Rada Wydziału uznała wniosek Komisji o braku powiązania tematycznego prac za nieuzasadniony. Podobnie, Rada nie podzieliła wniosku o słabej międzynarodowej rozpoznawalności prac Habilitanta i innych Jego działań naukowych li tylko na podstawie stosunkowo niższego indeksu Hirscha (5) i liczby cytowań (66, w tym 39 obcych), ponieważ najważniejsze prace Habilitanta zostały opublikowane w ostatnich 3 latach. Należy tez podkreślić, że Habilitant podjął badania w całkowicie nowej tematyce 9 lat przed złożeniem wniosku, a liczba cytowań rośnie zdecydowanie od roku 2014! 2. Recenzenci, którzy wystawili negatywne opinie (prof. M. i prof. M. ) zastosowali metodę negatywnego recenzowania prac zrecenzowanych i opublikowanych w ww. prestiżowych dla fizyków czasopismach, nie znajdując błędów merytorycznych w tych pracach, tylko zarzucając braki kolejnych metod badawczych (którymi Habilitant nie dysponował), rysunków, etc. Tego typu zarzuty można sformułować wobec znakomitej większości wszystkich artykułów opublikowanych w czasopismach naukowych. Ponadto, recenzenci stwierdzili, bez podstaw merytorycznych, brak nowości w stosunku do innych publikacji o podobnej tematyce, co świadczy o bardzo pobieżnej analizie wymienionych przez recenzentów referencji, rzekomo świadczących, że wszystkie problemy związane z układem Ba-Ge(100) zostały rozwiązane wcześniej. Poniżej, przedstawiano część komentarzy do opinii ww. recenzentów (szczegółowo przedstawionych w protokole z posiedzenia Rady Wydziału), które pojawiły się w dyskusji nad wnioskiem Komisji, a które dezawuują ww. tezę obu recenzentów: Praca Recenzent Zarzut Komentarz - H4 H4 Badania nie są w głównym nurcie badań fizyki powierzchni i nanostruktur Praca H4 przedstawia większość zasadniczych wyników doświadczalnych eksploatowanych w kolejnych publ. Wcześniejsze prace świadczą, że koncepcja prac Habilitanta nie jest nowa: McKee et al., Science 293 (2001) 468 Zaprzecza temu ilość prac z wykorzystaniem STM na Si(100) i Ge(100); w kryteriach oceny wniosków habilitacyjnych brak wymogu, aby badania znajdowały się w głównym nurcie badań. Jednocześnie badania z udziałem Ge, jako obiecującego dla przemysłu elektronicznego podłoża, są wskazane w International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Associations, Ed. 2015 w ramach strategii More than Moore Oryginalność H4 polega na analizie ewolucji termicznej morfologii dla pokrycia początkowego Ba 1 ML w szerokim zakresie temp. i identyfikacji faz Ba/Ge(100); Kolejne prace dotyczą innych właściwości układu Ba/Ge(100), często dotyczą innej preparatyki, np. (H7 i H8). Dot. wytwarzania i właściwości cienkich warstw tlenków i perowskitów pierwiastków alk. na Si i Ge(100) metodą MBE; ważny jest interfejs, co stanowiło jedną z motywacji do badań, brak STM i elementu łączącego z układem Ba na Ge(100). 3
Abel S et al., Nanotech. 24 (2013) 285701 Niu G et al., Appl. Phys. Lett. 102 (2011) 011906 Lukanov B R et al., Phys. Rev. B 84 (2011) 075330 Cattoni A et al, MSSP. 9 (2006) 701 Lukanov B R et al., Phys. Rev. B 85 (2012) 195316 Lukanov B R et al., Phys. Rev. B 89 (2014)155319 Hu X et al., Surf. Sci. 445 (2000) 256 Dot. wytwarzania cienkich warstw Ba(Sr)TiO3 na Si z warstwą buforową SiOx; brak STM i elementu łączącego z układem Ba na Ge(100). Dot. wzrost (PrxY2 xo3) na podłożu Si(001) z wykorzystaniem warstwy buforowej SrOx, brak STM i elementu łączącego j.w. Dot. głównie ewolucji układu Sr/Ge(100) dla różnego pokrycia Sr przy tej samej preparatyce (reactive growth), jedyny obraz STM Ba/Ge przed publikacjami Habilitanta, bez atomowej zdol. rozdz., z ogólnym wnioskiem, że dla Ba/Ge(100) występują szersze struktury paskowe na powierzchni Ge niż w przypadku Sr/Ge(100). Dot. 1 ML Ba/Ge(100) wyniki LEED, XPS i UPS, różnice w adsorpcji Ba/Ge i Sr/Si; sugestia (niepotwierdzona) utleniania powierzchni Ge pod Ba w 200 O C. Dot. tarasów o globalnej rekonstrukcji 3x4 z defektami bez ich identyfikacji; wzrost reaktywny 1/16 ML Sr/Ge(100); Obrazy STM + DFT (bez STS). W [H8] rek. 3x4 w Ba/Ge(100) wystepuje tylko w postaci wtrąceń pomiędzy innymi typami rekonstrukcji. Dot. STM i DFT dla 3/16ML Sr/Ge, wzrost reaktywny; dyskutowana struktura atomowa nanopasków z pracy Lukanov PRB 2011. Dot. STM Ba/Si(100) dla różnych pokryć i temp., obserwacja różnych faz ale błędne modele strukturalne, zweryfikowane później negatywnie; H4 H3 H7 w temperaturach powyżej 770 K powstaje pow. faza o charakterze stopu Brak szczegółowej analizy korugacji obrazów adsorpcji molekuły Nie wykorzystano do wytwarzania nanostruktur molekularnych obrazy STM pokazane w pracy H7 pokazują wystąpienie domen o rekonstrukcji 4x2 pomiędzy domenami o fazie 2x3 Układy metali na Ge(100) zachowują się często inaczej niż na Si(100); w każdej pracy w cyklu habilitacyjnym podkreślano te różnice. Nieścisłe, temp. powstawania fazy mieszanej zależy silnie od pokrycia i wynosi 770K dla małych pokryć początkowych ( 0.15ML), a dla pokrycia 1 ML faza o stopu powstaje w temperaturze 870 K rys.3a H4. Adsorpcję benzonitrylu na Si(100) opublikowano wcześniej [58], w pracy Habilitanta porównano wyniki własne z ww. w [58], wykazano, że źródło działa poprawnie (brak fragmentacji molekuł organicznych), wykonano kalibrację źródła. Nie taki był cel opracowania źródła; molekuły te zastosowano do lokalnej aktywacji podłoża Si(100) w celu stabilizacji wzrostu nano-drutów metalicznych odpowiednie wyniki opublikowano [PCCP 17, 23783 (2015) w Ankiecie dorobku poz. A8 z udziałem Habilitanta]. Tylko w przypadku jednego obrazu STM! dla obrazów STM, jeden po drugim (po kolejnych procesach), widoczne jest zwiększanie się udziału domen 4x2 pomiędzy domenami o fazie 2x3,; dodatkowo, fakt desorpcji selektywnej potwierdza zastosowanie prawa Arrheniusa i porównanie z energią wiązania atomu Ba wyznaczonej metodą DFT. 4
H8 H1 H2 H1 H1 H3 H3 H4-H8 H7 wcześniej obserwowanych przez innych autorów lokalnych zaburzeń/def. struktury w warstwach na podłożu Si(100) Autorzy pracy odwołują się nawet do takich prac (Klepeis et al. PRB2001, Franco et al. PRB2003, Wawro et al. PRB2005), które właściwie wyczer-pująco opisują zagadnienie. rozdzielczość obrazowania STM nie pozwoliła na jednoznaczne określenie struktury aglomeratów. nie zaprezentowano profili klasterów i wysp w panelu (b) brakuje krzywej di/dv mierzonej w temp. pokojowej i ten fakt nie jest w publ. odnotowany tematyka badań opisanych w publikacji H3 zbytnio odbiega od tematyki. Badania miały by dużo większą wartość, gdyby rezultaty pomiarów skonfrontowano, poza publikacją H4, konfrontacja danych eksperymentalnych z wynikami obliczeń DFT. Mankamentem tych badań jest fakt. że nie określono jakie w istocie gazy zanieczyściły powierzchnię Nie ma pracy dotyczącej Sr/lub Ba/Si(100) opisującej strukturę 3x4 zob. cytowany przez recenzenta artykuł [Lukanov, PRB2012]; nie ma pracy opisującej strukturę powierzchni finalnej fazy Ba/Si(100) analogicznej do tej w [H8], obserwacja struktur wyższych rzędów stanowi unikalną i wartą opisania właściwość tej fazy Ba/Ge(100). H1 dot. Si/Pt(111), podane prace nie odnoszą się do tego układu, wymienione przez Recenzenta prace dot.: Pt/Si(100) (Franco et al. PRB2003), Pt/Si(111) (Wawro et al. PRB 2005) oraz teoretycznego opisu właściwości PtSi i Pt2Si (Klepeis et al. PRB 2001). w H1 wykazano różnice temperaturach w tworzenia się faz PtSi i Pt2Si., istnieją także możliwości strukturyzacji nanostruktur na 10 nm warstwie metalicznej (np. diody Schottky ego). Układ posiadał możliwość uzyskania rozdzielczości atomowej, zob. obraz podłoża przed modyfikacją, brak widocznej struktury atomowej nanostruktur krzemku tytanu może wynikać z ich właściwości fizycznych np. delokalizacja ładunku w fazie o niższej rezystywności. Widocznie opis ilościowy i analiza wyników zawarte w manuskrypcie były wystarczające dla recenzentów i edytora Applied Surface Science. W pracy napisano - klastery Si były mobilne na powierzchni Pt(111), co powodowało, że niemożliwe było przeprowadzenie pomiarów STS nad pojedynczym klastrem Si z powodu braku pewności, że pozostał on cały czas pod sondą w trakcie rejestrowania STS. molekuły benzonitrylu osadzano na podłożu Si(100) w RT, a miejsce jest aktywne chemicznie, pojawia się więc możliwość zastosowania w układach nanoelektronicznych np. do wzrostu nanodrutów metali opublikowane w [PCCP 17, 23783 (2015)]. Nie dysponowano w układzie próżniowym alternatywnym źródłem do osadzania omawianej molekuły, a wyniki porównano z innym źródłem [58] stwierdzając brak defragmentacji molekuł i znacznej degradacji podłoża, i taki właśnie wniosek zawarto w pracy. Jeśli to zarzut, to także praca H7 nie konfrontuje wprost danych pomiarowych z wynikami DFT. Wykorzystywana jest tu jedynie wartość energii wiązania Ba-Ge w rekonstrukcji 2x3 wyznaczona z DFT W pracy zawarto informację o tym, że próbka przechowywana była w warunkach UHV (~ 10-10 mbar), atmosfera taka zawiera: H, CO, CO2, próbka była przechowywana w komorze analitycznej, a nie preparacyjnej, trudno oczekiwać innych składników o większym ciśnieniu parcjalnym. 5
3. Rada Wydziału oceniła bardzo wysoko pozostały dorobek naukowy Habilitanta, nieujęty w cyklu prac stanowiących osiągniecie Habilitanta. Łączny IF publikacji z jego udziałem wynosi pow. 46,7 - czyli 21,3 w cyklu i 25,4 poza cyklem publikacji! Ponownie, Habilitant jest współautorem artykułów w czasopismach o wysokim międzynarodowym prestiżu, m.in. w ChemPhysChem (IF 3,126), Nanotechnology (IF 3,611), Physical Chemistry Chemical Physics (IF 4,273), Appl Phys Lett (IF 3,341) i w kilku innych z listy JCR. Habilitant jest współtwórcą patentu P.416781 (2016) dot. konstrukcji czujnika pola magnetycznego m.in. z grafenem, jako warstwą czynną. Habilitant jest współautorem 32 referatów ustnych i 40 komunikatów w formie plakatów konferencyjnych prezentowanych przez innych współautorów, głównie podczas konferencji międzynarodowych. 4. Rada Wydziału zwróciła uwagę na znakomity dorobek dydaktyczny i promocyjny Habilitanta, udokumentowany publikacjami dydaktycznymi oraz licznymi nagrodami JMR Rektora i wyróżnieniami Samorządu Studentów WFT. Jego propozycje wykładów obieralnych np. z Techniki próżni były wielokrotnie wybierane przez studentów wszystkich kierunków studiów i stopni kształcenia na WFT, włączając w to słuchaczy Studiów Doktoranckich! Na szczególną uwagę zasługuje fakt wypromowania dwojga magistrantów, których prace magisterskie uzyskały ogólnopolskie nagrody PTP (i ostatnio wyróżnienia ZG PTF oraz Oddziału Poznańskiego NOT (E. Sierda i M. Przychodnia), a inż. E. Sierda uzyskał Diamentowy Grant. 5. Rada Wydziału uznała, że Habilitant prowadził i prowadzi szeroką współpracę z innymi ośrodkami naukowymi w kraju i za granicą oraz z jednostkami gospodarki, co jest wyraźnie zaznaczone w Ankiecie osiągnięć Habilitanta [m.in. w kraju: PIAP (projekt GRAFMAG), ITME, firma Klar Glass (znaczniki fotoniczne w ramach POIR), Wielkopolskie Centrum Zaawansowanych Technologii (staż podoktorski); za granicą: Leibniz University (Hanower), London Center for Nanotechnology, Leibniz Institute for High Performance Microelectronics (IHP, Frankfurt nad Odrą). W odniesieniu do pow. punktów 3, 4 i 5, Rada Wydziału uznała, że Recenzenci, którzy wystawili negatywne opinie, zbagatelizowali ten szeroki i znakomicie udokumentowany dorobek naukowy (spoza osiągnięcia), osiągnięcia dydaktyczne i promocyjne Habilitanta, szeroką współpracę naukową z instytucjami naukowymi oraz jednostkami gospodarki, np. prof. M. w swojej recenzji poświęcił tej ocenie tylko 6 linii. 6. Rada Wydziału uznała, że na 24 kryteria, pogrupowane w 5 paragrafach, w Rozporządzeniu Ministra NiSW, w sprawie kryteriów oceny osiągnięć osoby ubiegającej się o nadanie stopnia doktora habilitowanego, Habilitant spełnia pozytywnie 20, a tylko 4 punkty z jednego 5 Rozporządzenia MNiSW ( 5 Kryteria oceny w zakresie dorobku dydaktycznego i popularyzatorskiego oraz współpracy międzynarodowej habilitanta we wszystkich obszarach wiedzy ), mniej istotne lub rzadziej występujące w ankietach dorobku habilitantów są niespełnione: 5, p.5 kierowanie projektami realizowanymi we współpracy z naukowcami z innych ośrodków polskich i zagranicznych, a w przypadku badań stosowanych we współpracy z przedsiębiorstwami, ale zgodnie z 4 p.6. Rozporządzenia, Habilitant brał aktywny udział w realizacji wielu projektów krajowych i 2 międzynarodowych; 5, p.6 udział w komitetach redakcyjnych i radach naukowych czasopism; 5, p.13 udział w zespołach eksperckich i konkursowych; i formalnie 5, p.10 opieka naukowa nad doktorantami w charakterze opiekuna naukowego lub promotora pomocniczego z podaniem tytułów prac doktorskich. Jednakże, jak wynika z autoreferatu Habilitanta efektywnie wspomagał doktoranta, który ma jeszcze otwarty przewód doktorski wg. ustawy z 2011 r. z oświadczeniem, że przewód ma być prowadzony wg. jeszcze wcześniejszych uregulowań, kiedy pojęcie promotora pomocniczego nie występowało! 6
Opiekował się także bezpośrednio doktorantem realizującym pracę doktorską w Leibniz Institute for High Performance Microeelectronics (IHP we Frankfurcie nad Odrą) z niemieckim promotorem, obronioną na Politechnice w Cottbus. W tej procedurze, również nie było formalnych możliwości uzyskania statusu promotora pomocniczego! Współpraca z tymi doktorantami jest udokumentowana poprzez współautorstwo kilku wspólnych publikacji w czasopismach z listy JCR. W trakcie dyskusji, zabierający głos samodzielni pracownicy nauki, wyrażali jednobrzmiące opinie, że osiągnięcie naukowe Habilitanta, jego naukowa kreatywność i rozpoznawalność w międzynarodowym środowisku naukowym prowadzącym badania naukowe w zakresie fizyki powierzchni, nanostruktur, nanotechnologii i technologii półprzewodników, obszerny pozostały dorobek naukowy, aktywność organizacyjna i dorobek dydaktyczny oraz osiągnięcia w zakresie popularyzacji nauki - w pełni uzasadniają nadanie dr. inż. Wojciechowi Koczorowskiemu stopnia naukowego doktora habilitowanego w dziedzinie nauk fizycznych, w dyscyplinie fizyka. 7