podzespoły nowe NIE PRZEOCZ Podzespoły

Transkrypt

1 NIE PRZEOCZ Podzespoły nowe podzespoły Z kilkuset nowości wybraliśmy te, których nie wolno przeoczyć Bieżące nowości można śledzić na Niskoprofilowe mikrofony CMOS/MEMS o dużym współczynniku SNR Wolfson Microelectronics wprowadza do oferty dwa niskoprofilowe mikrofony CMOS/MEMS wysokiej jakości: WM7120 i WM7110 mogące znaleźć zastosowanie wszędzie tam, gdzie istotny jest mały pobór mocy i dobra jakość dźwięku. Charakteryzują się współczynnikiem SNR równym 62 db (ważony A) i tolerancją czułości na poziomie ±1 db, umożliwiającą zastosowania np. w matrycach mikrofonowych. Oba układy wytrzymują temperatury charakterystyczne dla procesu lutowania przepływowego i mogą być montowane z wykorzystaniem standardowych maszyn do automatycznego rozmieszczania podzespołów. Zastosowana technologia produkcji typowa dla zwykłych układów scalonych CMOS pozwala na uzyskanie dużej niezawodności, powtarzalności i skalowalności produkcji. Wymiary zewnętrzne WM7120 i WM7110 wynoszą odpowiednio 3,76 2,95 1,10 mm i 4,72 3,76 1,25 mm. Z ważniejszych parametrów warto też wymienić mały pobór prądu (160 ma) i mały współczynnik THD (maks. 0,5% przy 100 db SPL). Oba układy charakteryzują się bardzo dobrą liniowością i płaską charakterystyką fazową. Wielowarstwowe kondensatory ceramiczne odporne na wyładowania ESD Epcos wprowadza do oferty nową serię E wielowarstwowych kondensatorów ceramicznych charakteryzujących się zwiększoną odpornością na wyładowania elektrostatyczne. Są one produkowane na bazie dielektryka X7R w wersjach o pojemności 1 nf...10 nf. Zakres napięć znamionowych wynosi V. Kondensatory serii E są wykorzystywane głównie do realizacji filtrów dolnoprzepustowych zapewniających ochronę przed zaburzeniami EMI do 300 MHz. Jednocześnie chronią filtry przed wyładowaniami ESD. Stopień ochrony zależy od rodzaju obudowy. W przypadku wersji 10 nf w obudowie 0603 jest to 18 kv, a w przypadku 1 nf w obudowie 0805 jest to 25 kv bitowy mikrokontroler ARM z kontrolerem ekranu LCD i akceleratorem graficznym Toshiba Electronics Europe wprowadziłą do sprzedaży nowy 32- -bitowy mikrokontroler wykonany na bazie rdzenia ARM926EJ, wyposażony w kontroler ekran LCD i akcelerator graficzny. Model TMPA- 910CRAXBG jest przeznaczony głównie do zastosowań w urządzeniach multimedialnych. Inne wbudowane funkcje mikrokontrolera TMPA910CRAXBG to m.in. interfejs ekranu dotykowego, wejście czujnika obrazu CMOS, interfejs USB 2.0 full speed (480 Mb/s), kontroler host SD oraz szereg interfejsów komunikacyjnych, m.in. SPI, UART, I 2 C i I 2 S. Kontroler LCD obsługuje ekrany TFT i STN o maksymalnej rozdzielczości 1024x1024 px. Wewnętrzny akcelerator graficzny realizuje m.in. funkcje skalowania, filtracji i przeźroczystości (blend). Przetwarza w czasie rzeczywistym obrazy o rozdzielczości do px z maksymalną szybkością 30 fps. Układ pracuje z częstotliwością taktowania 200 MHz. Zawiera 56 MB pamięci RAM dla programu, danych i obrazu, pamięć Boot ROM oraz kontroler pamięci obsługujący układy SDR i DDR SDRAM. TMPA910CRAXBG umożliwia zaadresowanie do 2,5 GB pamięci. Kontroler host pamięci SD obsługuje karty o maksymalnej pojemności 32 GB. Inne wewnętrzne bloki to m.in. 10-bitowy przetwornik A/C, 6-kanałowy 16-bitowy timer, watchdog i zegar czasu rzeczywistego. Układ jest za- mykany w obudowie 361-wyprowadzeniowej na zakres temperatur pracy od o C. Producent udostępnia zestaw startowy ułatwiający projektowanie aplikacji ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/2009

2 Podzespoły ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/

3 NIE PRZEOCZ Podzespoły Białe diody LED dużym o strumieniu świetlnym Firma Cree rozpoczęła masową produkcję diod LED wysokiej jasności XLamp XP-E, charakteryzujących się strumieniem świetlnym do 122 lumenów przy prądzie 350 ma. Diody tej serii są produkowane w wersji białej Cool White ( CCT). Przy prądzie polaryzacji 350 ma wartość strumienia wynosi w zależności od modelu od 114 do 122 lumenów, co jest rekordowym osiągnięciem dla diod komercyjnych produkowanych w oparciu o pojedynczą strukturę półprzewodnikową. Z ważniejszych właściwości należy wymienić szeroki kąt emisji (115 o ), symetryczną obudowę, małą rezystancję termiczną od złącza do punktu lutowniczego (9 o C/W) i maksymalnym prądem polaryzacji 700 ma i maksymalnym napięciem przewodzenia 3,4 V przy 700 ma. Wymiary zewnętrzne obudów wynoszą 3,45 3,45 2 mm. Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET do układów zasilających Toshiba wprowadza do sprzedaży nową rodzinę wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET produkowanych w zaawansowanym procesie technologicznym π-mos VII, przeznaczonych do zastosowań w układach zasilających. Oferta obejmuje obecnie tranzystory o napięciach znamionowych 500 i 600 V, a docelowo zakres ten zostanie rozszerzony do V. W porównaniu z tranzystorami produkowanymi w oparciu o poprzedni proces technologiczny π-mos VI, nowe tranzystory wykazują mniejszy o 40% ładunek bramki, mniejszą o 25% pojemność wyjściową, mniejszą o 10% pojemność wejściową i mniejszą o 60% pojemność bramka-dren CRSS (reverse transfer capacitance). Pierwsze tranzystory nowej rodziny są produkowane na zakres prądów drenu A. Ich parametry, takie jak RDS(on), ładunek bramki czy energia przebicia lawinowego zostały dobrane pod kątem różnych aplikacji. Tranzystory nowej rodziny TKxxxx są produkowane w obudowach TD-220SIS o wymiarach 10 4,5 17,8 mm. Pamięć FRAM 4 Mb w obudowie FBGA W ofercie firmy Ramtron po raz pierwszy pojawiła się 4-megabitowa pamięć FRAM (Ferroelectric RAM) w obudowie typu FBGA o wymiarach 8 6 1,2 mm. Jest to pamięć o organizacji 256 k 16, wyposażona w standardowy interfejs równoległy. Została oznaczona symbolem FM22LG16. W stosunku do poprzednich pamięci 4-megabitowych zamykanych w obudowach TSOP-48 odznacza się mniejszą o ponad 75% powierzchnią. Pracuje z napięciem zasilania 3 V. Podobnie, jak inne pamięci FRAM odznacza się krótkim czasem dostępu, małym poborem mocy i praktycznie nieograniczoną żywotnością. Pod względem rozkładu wyprowadzeń jest kompatybilna z pamięciami SRAM, dla których może służyć jako monolityczny zamiennik nie wymagający baterii do podtrzymywania danych. Dostępny jest tryb stronicowania, w którym dane są zapisywane i odczytywane w 4-bajtowych paczkach przy częstotliwości taktowania interfejsu do 40 MHz. Układ jest odporny na udary, wibracje i wilgoć. Pamięci FM22LG16 charakteryzują się czasem dostępu czas dostępu 55 ns, żywotnością cykli zapisu oraz czasem przechowywania danych 10 lat. Pamięci zasilane są napięciem 2,7...3,6 V. Odznaczają się poborem prądu w trybie oczekiwania (standby) 90 ma oraz 8 ma w trybie aktywnym. Superkondensatory do systemów zasilania i napędów Firma Wima oferuje moduły kondensatorów 200 F/14 VDC, 110 F/14 VDC, 55 F/ 28 VDC serii SuperCap MC, które dedykowane są do systemów napędu elektrycznego i układów zasilania. Gotowy moduł SuperCap MC zawiera grupy szeregowo połączonych kondensatorów serii SuperCap C oraz aktywny układ równoważący napięcia pomiędzy nimi. Całość jest zamknięta w obudowie z tworzywa sztucznego z wyprowadzeniami śrubowymi M8. W stosunku do innych metod magazynowania energii SuperCap MC charakteryzuje się niższą rezystancją wewnętrzną (7 mv), wysoką wartością prądu maksymalnego (2400 A), bezobsługowością i niską wagą, długą żywotnością (ponad cykli) oraz szerokim zakresem temperatur pracy ( o C) ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/2009

4 Podzespoły ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/

5 NIE PRZEOCZ Podzespoły Dwuwejściowy układ ładowania baterii litowo-jonowych AAT3691 to dwuwejściowa ładowarka baterii współpracująca równocześnie z zasilaczem sieciowym i portem USB. Jest wyposażona w wiele funkcji zabezpieczających baterię, układ sterowania i własną strukturę. Na obu wejściach zawiera szybkie zabezpieczenia nadnapięciowe (OVP) do 28 V o czasie reakcji krótszym niż 1 ms. AAT3691 współpracuje z typowymi ogniwami litowo-jonowymi 4,2 V szeroko stosowanymi w urządzeniach przenośnych. W strukturze wewnętrznej zaimplementowano m.in. wysokoprądowy element przełączający, zabezpieczenie przed odwróceniem kierunku przepływu prądu i czujnik prądu wyjściowego. Dopuszczalny zakres napięć wejściowych wynosi 3,0...6,75 V. Prąd ładowania może być regulowany w zakresie do 1,6 A w przypadku korzystania z zasilacza sieciowego oraz do 500 ma przy korzystaniu z portu USB. W przypadku, gdy napięcie wejściowe przekroczy 6,75 V wewnętrzny przełącznik szeregowy zostaje rozwarty, zabezpieczając przed zniszczeniem baterię i układ ładowania. Sumaryczna rezystancja przewodzenia kanału w stanie ON wynosi maksymalnie 600 mw. AAT3691 udostępnia funkcję wykrywania obecno- ści baterii (NOBAT) uniemożliwiającą przepływ prądu przez blok OVP oraz zatrzymującą proces ładowania w przypadku wykrycia braku baterii lub wystąpienia jakichkolwiek problemów ze złączem. Inne funkcje zabezpieczające to m.in. wyłącznik termiczny, układ miękkiego startu i Power- -on Reset. AAT3691 jest zamykany w obudowie TDFN-16 (3 4 mm). Może pracować w zakresie temperatur otoczenia od o C. Uniwersalny modem do transmisji danych Nowy układ modemu firmy CML Microcircuits oznaczony symbolem CMX7143 wyróżnia się przede wszystkim niezwykłą elastycznością, bowiem zależnie od konfiguracji może obsługiwać jeden z trzech sposobów modulacji: GMSK/GFSK, 4-Level FSK lub FFSK/MSK. Konfiguracji dokonuje się poprzez załadowanie do pamięci układu odpowiedniego pliku, tzw. Function Image. Rozwiązanie to, opracowane przez konstruktorów CML, zostało nazwane FirmASIC. Jego zaleta jest oczywista: jedna wspólna platforma sprzętowa może posłużyć do budowy wielu urządzeń transmisyjnych wykorzystujących zupełnie różne rodzaje modulacji, co oszczędza czas, koszty i materiały. Układ jest konfigurowany w trakcie procedury startowej od razu po włączeniu zasilania lub w dowolnym innym momencie, gdy jest potrzebna zmiana schematu modulacji. Pliki Function Image mogą być przechowywane w pamięci Flash mikrokontrolera zarządzającego systemem i pod jego nadzorem ładowane do pamięci konfiguracji układu CMX7143. Plik można zapisać także w pamięci EEPROM podłączonej bezpośrednio do CMX7143, wówczas będzie automatycznie ładowany przy starcie systemu. Aktualne wersje plików Function Image są dostępne na stronie internetowej producenta. Poza zaawansowanymi układami modulatora i demodulatora, zapewniającymi obsługę transmisji danych z minimalnym udziałem nadrzędnego mikrokontrolera, CMX7143 zwiera bloki umożliwiające realizację różnych funk- cji dodatkowych, takie jak dwa przetworniki A/C, cztery przetworniki C/A (w tym jeden z opcjonalną pamięcią RAM do sterowania mocą nadajnika) czy dwa pomocnicze wyjścia zegarowe, a także układy sterowania oraz interfejsy do komunikacji z pamięcią podręczną i mikrokontrolerem. Układ jest zasilany napięciem 3...3,6 V. Jest dostępny w 48-końcówkowej obudowie VQFN lub LQFP. Jego głównymi zastosowaniami są bezprzewodowe modemy transmisji danych, systemy telemetryczne i aplikacje M2M (Machine-to-Machine). EEPROM o bardzo niskim napięciu zasilania Firma Microchip wprowadziła do sprzedaży pamięci EEPROM oznaczone symbolem 24VLxx, które mogą być zasilane bardzo niskim napięciem 1,5 V. Niskie napięcie zasilania i mały pobór prądu umożliwiają użycie tych pamięci w urządzeniach zasilanych bateryjnie. Nowe pamięci EEPROM pobierają mniej niż 400 ma prądy podczas zapisu lub odczytu danych, przy częstotliwości taktowania magistrali szeregowej 100 khz. Pamięci są dostępne w wariantach o pojemności 1 lub 2 kb. Pamięci z rodziny 24VLxx są również produkowane w wersjach z ochroną zapisu danych, dla całej lub połowy pamięci. Dodatkowe materiały na CD Szerszy zbiór 91 ważnych nowości produktowych z lutego i marca 2009 zamieszczamy na płycie CD-EP4/2009B. 14 ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/2009

6 Podzespoły ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 4/