Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja AGH Kraków

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja AGH Kraków"

Transkrypt

1 Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja AGH Kraków Test wielokrotnego wyboru - przykładowe pytania na egzamin kierunkowy po I stopniu studiów oraz wstępny na II stopień studiów stacjonarnych i niestacjonarnych na kierunku Elektronika i Telekomunikacja. Do każdego pytania dołączono jedną przykładową odpowiedź, jaka może się znaleźć w teście. Przykładowa odpowiedź może być poprawna lub fałszywa. Ma ona jedynie ściślej przybliżyć tematykę, której pytanie dotyczy. Pytania obejmują następujące moduły: ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz.i ELEMENTY ELEKTRONICZNE ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz. II TECHNIKI BEZPRZEWODOWE TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI TECHNIKA CYFROWA TEORIA SYGNAŁÓW TECHNIKA MIKROPROCESOROWA SYSTEMY I SIECI TELEKOMUNIKACYJNE Literaturę można znaleźć w sylabusach do powyższych modułów:

2 PYTANIA TESTOWE ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz.i 1. Wielkosygnałowy model Shichmana Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze liniowym 2 W U DS I D Cox U GS U T U DS L 2 obowiązuje w przedziale napięć: dla UGS > UT i UDS > UGS -UT 2. Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można wyznaczyć przy: składowej stałej napięcia UDS = UGS - UT 3. Częstotliwość graniczną ft tranzystora MOSFET wyznacza się przy: galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej 4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: przecinają się z osią U CE w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) 5. Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem 6. Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα, fβ, ft tranzystora bipolarnego zachodzą relacje: fβ < fα < ft 7. Układ wzmacniacza na tranzystorze bipolarnym z dwójnikiem RECE w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora, UCC = 48 V, spoczynkowy prąd kolektora ICQ = 400 ma, RE = 2 Ω, transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją RL= 4 Ω, rezystancja uzwojenia pierwotnego transformatora r1 = 2 Ω, rezystancja uzwojenia wtórnego transformatora r2 = 0,2 Ω, przekładnia transformatora p= z1/ z2)= 5. Napięcie kolektor-emiter UCEQ w spoczynkowym punkcie pracy wynosi: UCEQ = 4, 4 V 8. Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych. T1 U OUT T2 T1 T 3 T2 U OUT T4 Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą: Rys.1); UOUTmin = UEBP 0,7 V Rys.2); UOUTmin = 2UEBP 1,4 V

3 9. Proste (Rys.3) i kaskodowe (Rys.4) lustro prądowe typu high swing na tranzystorach PMOS: minimalne napięcia wyjściowe w lustrach w przybliżeniu wynoszą (napięcie progowe VTp = - 0,6 V): I REF U GG IO I REF M3 I O I D2 I D1 M1 M2 M2 U GS 2 M4 UO U GS U GS UOmin = VT - 0,6 V UO M1 U DS1 U GS1 Rys.3 Rys. 3); U DS 2 Rys.4 Rys. 4); UOmin = -2 VT - 1,2 V 10. Prawdziwe są relacje: we wzmacniaczu prądowym: Yin Yg, Yo YL 11. We wzmacniaczach RC, jeśli w tranzystorze nie uwzględnimy oddziaływania zwrotnego z wyjścia na wejście, to w konfiguracjach OE (Rys.5) lub OS (Rys.6) prawdziwe są zależności: U DD U CC Rys.5 R1 Rg Rys.6 RC C2 C1 T Eg U1 R2 RE R1 RD C2 C1 Rg U2 CE U2 U1 RL R2 RS CS RL Eg wraz ze zwiększaniem rezystancji źródła sterującego Rg rośnie rezystancja wejściowa wzmacniacza. 12. W układzie na poniższym rysunku mamy: RC = 12 kω, RL = 12 kω, rbe = 4 kω, rce= 100 kω, rezystancje dzielnika R1 = 300 kω i R1 = 80 kω, Rg = 4 kω, współczynnik wzmocnienia prądowego β =100. U CC a) b) R1 Rg R1 RC C2 C1 T Eg U1 R2 RE U2 CE U1 RL Eg Skuteczne wzmocnienie napięciowe w tym układzie wynosi: kus = 65, C1 Rg R2

4 13. Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym w postaci tranzystora PMOS w połączeniu diodowym. Transkonduktancje tranzystorów są równe:gmn = 0,2 ms dla NMOS, gmp = 0,1 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,005mS. Rezystancja obciążenia RL = 100 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: ku 1,67 ; rout 8,33kΩ 14. Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym ze źródłem stałoprądowym na tranzystorach PMOS z kanałem wzbogacanym. Transkonduktancje tranzystorów są równe:gmn = 0,1 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,005 ms. Rezystancja obciążenia RL = = 200 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: ku 10 ; rout 100 kω 15. Inwerter CMOS jako małosygnałowy wzmacniacz OS. Transkonduktancje obydwóch tranzystorów są równe: gmn = 0,15 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,004 ms. Rezystancja obciążenia RL = 300 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: ku 13,28 ; rout 88,23 kω 16. Układ wzmacniacza różnicowego na tranzystorach bipolarnych. Prawdziwe są stwierdzenia, że: U CC RC I C1 U C1 U1 U BE1 RC U OR T1 I E1 I IC 2 T2 IE2 U C2 U BE 2 U 2 RI U EE Zmiana napięcia zasilającego UCC nie wpływa na wartości prądów IC2 oraz IC2 17. We wzmacniaczu, którego wzmocnienie ku = 100, fg = 1 MHz zastosowano ujemne sprzężenie zwrotne, w którym transmitancja toru sprzężenia zwrotnego β = 0,01. Po zastosowaniu tego sprzężenia, parametry wzmacniacza będą wynosiły: kuf = 10, fgf = 1,5 MHz;

5 18. Para różnicowa na tranzystorach MOSFET. Która z podanych informacji jest prawdziwa? U DD ro I D1 U G1 ro U D1 U D2 U OR M1 U G2 U SS U SS U GS1 U GS 2 I U GG M5 U SS Rezystancja wyjściowa na wyjściu symetrycznym wynosi: 2 Rout g ds1 g O 19. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach pnp (Rys. b)). Dla tego wzmacniacza poprawne są informacje: ) U CC 6 U C1 U1 b) T4 T3 F 7 I D2 M2 ro - obciążenie aktywne U CC T3 T4 U C2 T1 T2 I IC3 IC4 IO I C1 IC2 T1 U 2 U1 T2 E U2 I U BB T5 UO T5 U EE U EE Różnicowe napięcie na wyjściu niesymetrycznym Uo ma taką samą wartość jak napięcie różnicowe na wyjściu symetrycznym w układzie z obciążeniem symetrycznym (np. w postaci dwóch identycznych rezystorów RC). 20. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 ma/v ; gds1,2 = 0,002 ma/v ; gds3,4 = 0,003 ma/v, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kω. Wzmocnienie dla sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą: a) b) U DD M3 M4 U DD M3 M4 U GG 2 U D1 U D 2 U D1 U D 2 I D1 I D2 M1 U G1 I D1 M2 U G 2 U G1 U GS1 U GS 2 M1 S U GS1 I U GG U GG1 M5 U SS kur 24,01 ; Ro 120,48 kω U SS U DD c) U G1 M3 M4 I D3 I D4 I D1 I D2 M1 M2 S I U GG M5 U SS UO UG2 UG2 U GS 2 I M5 I D2 M2

6 21. Wzmacniacz operacyjny ze sprzężeniem prądowym, zrealizowanym na symetrycznym wzmacniaczu prądowym o częstotliwości granicznej 10 MHz i wzmocnieniu stałoprądowym ki = 4,1 w którym zastosowano: R1 = 10 kω, R2 = 50 kω (rysunek poniżej). 3dB-owa częstotliwość graniczna układu nieodwracającego wynosi: R2 fg = 50 MHz R1 + ki 22. Niesymetryczny wtórnik emiterowy w klasie A polaryzowany źródłem prądowym na tranzystorze npn w obwodzie emitera (rysunek poniżej). Prawdziwe są zależności: U CC Wzmocnienie napięciowe jest równe: ku 0 T1 U2 ( 0 1) g b 'e RL U1 1 g b 'e rbb ' ( 0 1) g b 'e RL R ui io I I T2 T3 RL uo U EE 23. Niesymetryczny wtórnik źródłowy w klasie A polaryzowany źródłem prądowym na tranzystorze NMOS w obwodzie źródła (rysunek poniżej). Z podanych informacji prawdziwe są? U DD Wzmocnienie napięciowe jest równe: gm gm ku 0 g m g mb g ds1 g ds 2 GL g m g mb GL M1 U SS io ui RL g DS 2 I SS uo U SS U CC 24. Symetryczny wtórnik emiterowy w klasie A (rysunek obok) : Spośród podanych informacji prawdziwe są? Przy ui = 0, uo = UEBP 0 [V] Ip T1 D1 ui D2 io T2 Ip U EE RL uo

7 25. Dla charakterystyk częstotliwościowych układu wzmacniacza w oparciu o kryterium Bodego, warunek stabilności można sprawdzić korzystając z charakterystyk częstotliwościowych wzmocnienia otwartej pętli T ( j ) k. W tym celu sprawdza, się czy dla pulsacji :, przy której arg T ( j ), moduł T ( j jest mniejszy (układ stabilny), czy też większy (układ niestabilny) od jedności (0 db). 26. Ujemne sprzężenie zwrotne prądowe równoległe we wzmacniaczu dwustopniowym charakteryzuje się tym, że: Zwiększa konduktancję wejściową, zmniejsza konduktancję wyjściową. 27. Ujemne sprzężenie zwrotne napięciowe szeregowe we wzmacniaczu dwustopniowym charakteryzuje się tym, że: Sygnał z wyjścia (kolektora lub drenu tranzystora drugiego stopnia) podaje się przez rezystor na bazę lub bramkę tranzystora pierwszego stopnia. 28. Kompensacja charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek poniżej). Prawdziwe są informacje: k u db -20dB/dek 20 log k u 0-40dB/dek T II z 1 I I' II' -40dB/dek -20dB/dek Aproksymowane wartości biegunów oraz pojawiające się zero transmitancji wzmacniacza skompensowanego zależą od pojemności kompensującej włączonej pomiędzy wyjściem i wejściem drugiego stopnia i ten sposób kompensacji charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza nazywany jest kompensacją biegunem dominującym. Wzmacniacze odwracający i nieodwracający, zrealizowano na wzmacniaczach operacyjnych (rysunek poniżej). R2 i2 i1 R1 ud uin R3 Z i1 kud R3 uo u in i2 R1 u2 Przy R1 = 10 kω; R2 = 100 kω; wzmocnienia układów wynoszą: układ odwracający; układ nieodwracający: kuf = 10 kuf = 10 ud u1 R2 ku d uo

8 30. W integratorze (rysunek poniżej) zrealizowanym na rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym ( z kompensacją biegunem dominującym), ωg = 500 sec(-1) ; ωt = sec(-1) ; R1 = 10 kω; C = 10 nf; całkowanie zachodzii w paśmie: C 2 ω { 0,5 10 9sec( 1) sec( 1)} R1 i1 ud uin k ud uo 31. Transmitancje filtrów bikwadratowych są następujące: dolno-przepustowej, górno-przepustowej, środkowo-przepustowej, środkowo-zaporowej 2 z ; ; ; 0 s 02 s2 s s z2 H H0 H0 0 Qz H0 s 2 0 s 02 s 2 0 s 02 s 2 0 s 02 Q Q Q s 2 0 s 02 Q 32. Częstotliwość rezonansowa stratnego obwodu rezonansowego jest równa f0 =10 MHz, zaś jego dobroć Q0 = 20. Moduł impedancji Z tego obwodu rezonansowego maleje o 3 db względem wartości f0 przy częstotliwościach: f1 = 9,85 MHz ; f2 = 10,15 MHz 33. Rezonator kwarcowy, w porównaniu z konwencjonalnymi obwodami rezonansowymi, charakteryzuje się wyjątkowo dużą dobrocią, zawierającą się w zakresie od kilkudziesięciu tysięcy do kilku milionów. Jest to wynikiem: dużej wartości stosunku Lk / Ck, przy stosunkowo małej rezystancji strat rk. 34. Na rysunku poniżej przedstawiono model zastępczy środkowego stopnia rezonansowego wzmacniacza LC z tranzystorami MOSFET: Parametry: gm = 0,5 ma/v; G0 = 0,006 ma/v; G12 = 0,01 ma/v; gds = 0,004 ma/v ; L = 10 μh ; C = 10 pf, C22 = 0,5 pf, C11 = 1 pf. Częstotliwość rezonansowa wzmacniacza i moduł wzmocnienia w rezonansie wynoszą: U in G12 C22 C11 g22 L C G0 G12 C11 U o gmu in G R1 R2 ku0 = 30 ; f0 = 12,84 MHz 35. W układach w. cz. niesymetryczne wzmacniacze różnicowe OC-OB, w porównaniu ze wzmacniaczami kaskodowymi, charakteryzują się tym, że: Układ OC-OB posiada podobne właściwości częstotliwościowe jak kaskoda.

9 36. W monolitycznym układzie stabilizatora kompensacyjnego, np. ua723, UIN = 12 V, UREF = 6 V, aby uzyskać stabilizowane napięcie wyjściowe UOUT = 3,0 V, wartości rezystorów dzielników RA RB (dzielnik próbkujący napięcie wyjściowe) oraz RC RD (dzielnik próbkujący napięcie referencyjne) można dobrać równe: R5 U IN RC 10 A723 R6 RA R7 RB U OUT I OUT 13 4 RD C2 100 pf RA = 50 kω, RB =, RC = 10 kω, RD = 10 kω, 37. W układzie z ograniczeniem prądu obciążenia (rysunek poniżej): UIN = 10 V, UOUT = 5 V, UZ2 = 3,3 V, UBEP = 0,7 V, UD = 0,7 V, IOUTmax = 0,5 A. Rezystancja R5 powinna być równa: U R5 a) R5 = 6,6 Ω, UZ2 DZ2 R4 U BE 3 b) T1 U OUT R5 R1 D T3 U OUT U IN T2 R3 R2 DZ1 I OUT I OUT max I ZW 38. W układzie z redukcją prądu zwarcia (rysunek poniżej): UIN = 10 V, UOUT = 5 V, UBEP = 0,7 V, R5 = 1,0 Ω, R6 = 3 kω, R7 = 7 kω. Prąd zwarcia IZW w tym układzie wynosi: a) U R5 T1 R4 U R6 R8 R6 b) I OUT R5 U OUT R1 U BE 4 T4 T3 U IN U OUT T2 R3 R7 R2 I OUT I ZW IZW = 1,2 A I OUT max

10 39. Podstawowy układ sterowanego kontrolera napięcia stałego obniżającego napięcie (rysunek poniżej). Przy: UIN = 340 V, aby wartość napięcia wyjściowego wynosiła 24 V współczynnik wypełnienia przebiegu sterującego γ powinien wynosić: Klucz Klucz I Klucz II Filtr L ik ie ik il I I O I ul T UI Układ sterujący uk ic i K II i D C II RL uo I ust γ 0,0706 V 40. Podstawowy układ konwertera podwyższającego napięcie wyjściowe (rysunek poniżej). Przy UIN = 12 V i współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: il id D IO I UO = 10 V UI i KI ust ic II uk uc C uo RL T 41. Konwerter z odwracaniem biegunowości napięcia wyjściowego (rysunek poniżej). Przy UIN = 6 V i współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4, wartość napięcia wyjściowego uo wynosi: uk uce ie i KI T UO = 10 V UI Układ sterujący ust I id il ul L D IO II uc C uo RL

11 42. Współbieżny konwerter napięcia stałego z pojedynczym kluczem i dodatkowym uzwojeniem z3 (rysunek poniżej). W układzie UIN = 320 V; z1 = z3; z2 = 0,1 z1. Przy współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: D1 p z pr 1 z3 ir z1 z2 UI UO = 16,2 V D2 D3 u2 z3 z1 z2 T uk L IO uo C RL 43. Przeciwsobny konwerter z równoległym przetwarzaniem (rysunek poniżej). W układzie UIN = 320 V; z1 = z3; z2 = 0,1 z1. Przy współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,5 wartość napięcia na odciętym kluczu tranzystorowym wynosi: b K2 D1 p:1 a2 uk 2 UK = 640 V UI K1 b ut z1 z2 z1 z2 a1 il L u3 ul C uo RL D2 p:1 uk1 44. W stabilizatorach impulsowych jako klucze stosuje się: Najczęściej tranzystory mocy VDMOS przy dużych częstotliwościach kluczowania i diody Schottky ego. 45. Model szumowy tranzystora bipolarnego (rysunek poniżej). Które z podanych informacji są prawdziwe? B ub2 rbb' B' ib2 rb 'e C jc Ce U b 'e gmu b 'e C rce E Źródło napięciowe ub reprezentuje szumy termiczne rezystancji rbb. ic2

12 46. Model szumowy tranzystora MOSFET (rysunek poniżej). Które z podanych informacji są prawdziwe? D Cgd G Cgb U gs Cgs ig2 rds id2 gmu gs S Generator id2 reprezentuje szumy termiczne przewodzącego kanału oraz szumy 1 f. 47. Wzmacniacze mocy klasy A, B i AB. Która z podanych informacji jest prawdziwa? Wzmacniacz mocy klasy B z transformatorem na wyjściu posiada taką samą sprawność energetyczną jak wzmacniacz klasy B beztransformatorowy. 48. Przeciwsobny wzmacniacz klasy AB z diodą kluczującą (rysunek poniżej). U CC R1 T1 io D D2 RL uo T2 ui U CC Która z podanych informacji jest prawdziwa? Jeżeli na przedstawionym rysunku zewrzemy napięcie sterujące (ui =0), to wtedy napięcie na wyjściu układu uo = Wzmacniacz mocy klasy D: może posiadać szersze pasmo częstotliwości niż wzmacniacz klasy AB. ELEMENTY ELEKTRONICZNE 1. Które z poniższych stwierdzeń odnośnie cewki jest prawdziwe: w obwodzie prądu stałego cewka nie gromadzi energii w polu magnetycznym 2. Stratność kondensatora rzeczywistego: zależy odwrotnie proporcjonalnie od R (rezystancja szeregowa) 3. W temperaturze T=0K w półprzewodniku samoistnym: tylko dziury znajdują się w paśmie przewodnictwa 4. Generacja pary elektron-dziura w półprzewodniku samoistnym może zostać przyspieszona przez: jonizację zderzeniową 5. W półprzewodniku samoistnym stosunek liczby elektronów do dziur: zależy od temperatury

13 6. W półprzewodniku domieszkowanym typu p liczba elektronów: zależy od koncentracji domieszki 7. Przez złącze spolaryzowane zaporowo płyną prądy: unoszenia elektronów z obszaru p do n 8. Przez idealne złącze p-n, o prądzie nasycenia 1nA, spolaryzowanym przewodząco napięciem 26mV w temperaturze pokojowej (300K) płynie prąd: 2,72nA 9. O złączu p-n można powiedzieć, że: baza diody jest krótka jeśli jej długość jest mniejsza niż droga dyfuzji odpowiednich nośników 10. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia: rośnie wraz ze wzrostem prądu 11. Dla diody krzemowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia wyznaczono punkt pracy ID=10mA i UD=0,7V. W tym punkcie pracy: rezystancje statyczna i dynamiczna nie zależą od punktu pracy 12. W diodzie p+-n pojemność złączowa zależy od: powierzchni przekroju złącza 13. Pojemność dyfuzyjna jest pojemnością dominującą przy: zaporowo spolaryzowanej diodzie świecącej 14. O złączu p-n i diodach można powiedzieć, że: temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji jest ujemny dla diod Zenera, a dodatni dla lawinowych 15. W tranzystorze JFET z kanałem typu n zmierzono prąd I D=8mA dla napięcia UGS=0V, natomiast dla UGS=-3V zanotowano prąd o połowę mniejszy. Ile wynosi I DSS i UP dla tego tranzystora: IDSS=4mA, UP=-4V 16. O tranzystorze złączowym można powiedzieć, że: transkonduktancja nie zależy od napięcia polaryzującego bramkę (U GS) 17. W kondensatorze MOS z półprzewodnikiem typu p: w stanie zubożenia ładunek zgromadzony pod bramką zależy wprost proporcjonalnie od koncentracji domieszki półprzewodnika p 18. W tranzystorze MOSFET prąd drenu ID zależy: od kwadratu napięcia UDS w liniowym zakresie pracy 19. W tranzystorze MOSFET: pod wpływem wzrostu napięcia UDS w zakresie nasycenia następuje skrócenie kanału i maleje prąd drenu 20. Tranzystor MOS z kanałem n o napięciu progowym VT = 2V, pracuje przy napięciu UDS = 5V i UGS1 = 3V. Ile razy wzrośnie prąd drenu, gdy napięcie na bramce wzrośnie do 4V (U GS2 =4V)? Stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego β dla tranzystora bipolarnego pracującego w konfiguracji wspólnego emitera można wyznaczyć dysponując: wartościami prądów bazy i kolektora w stanie nasycenia 22. Stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego β dla tranzystora bipolarnego pracującego w normalnej konfiguracji wspólnego emitera jest większy niż dla pracy inwersyjnej ponieważ: obszar bazy jest silniej domieszkowany niż obszary emitera i kolektora

14 23. Tranzystor bipolarny (wzmocnienie stałoprądowe 100) pracuje w układzie WE (temp. 300K) w punkcie pracy UCE = 10V i IC = 25mA. Ile wynosi jego konduktancja wejściowa? 1mS 24. W tranzystorze bipolarnym: w układzie WE częstotliwość graniczna zależny od pojemności C b'e i Cb'c 25. Prawdziwe są następujące zdania: przepływ prądu bramki włącza tyrystor, a zanik prądu bramki go wyłącza ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH 1. Charakterystyka promieniowania anteny określa: unormowany do wartości maksymalnej przestrzenny rozkład natężenia pola, 2. Charakterystyka promieniowania określa właściwości anteny w: strefie pośredniej 3. Zysk kierunkowy to: stosunek natężenia pola określonego w polu dalekim dla kierunku maksymalnego promieniowania do natężenia pola promieniowanego przez listek wsteczny. 4. Antena izotropowa to: antena, której zysk energetyczny jest taki sam jak zysk dipola półfalowego 5. Zysk energetyczny to: stosunek gęstości mocy promieniowanej na kierunku maksymalnego promieniowania do gęstości mocy promieniowanej przez listek tylny 6. Sprawność anteny: to wartość zysku energetycznego odniesiona do mocy doprowadzonej do anteny. 7. Źródłami strat w antenie są: straty odbiciowe, przewodzenia, dielektryczne oraz straty związane z promieniowaniem. 8. Powierzchnia skuteczna anteny to: pole powierzchni anteny odniesione do częstotliwości środkowej. 9. Impedancja wejściowa anteny jest sumą: rezystancji promieniowania i reaktancji wejściowej anteny, 10. Tłumienie polaryzacji ortogonalnej to: wyrażony w db stosunek mocy odbieranej na polaryzacji poziomej do mocy odbieranej na polaryzacji kołowej prawoskrętnej, 11. Z równania zasięgu dla propagacji w wolnej przestrzeniu wynika, że: podwojenie zasięgu wymaga dwukrotnego zwiększenia mocy nadawanej, 12. Z radarowego równania zasięgu dla propagacji w wolnej przestrzeniu wynika, że: podwojenie zasięgu wymaga dwukrotnego zwiększenia mocy nadawanej, 13. Polaryzacjami ortogonalnymi są: polaryzacja pozioma i kołowa prawoskrętna, 14. Polaryzacja anteny mikropaskowej: nie zależy od kształtu elementu promieniującego, 15. Procentowa szerokość pasma pracy anteny mikropaskowej: zależy od częstotliwości środkowej anteny, 16. Pasmo pracy promiennika mikropaskowego poszerzyć można poprzez: zmniejszenie grubości podłoża dielektrycznego, 17. Polaryzację kołową w promienniku mikropaskowym: można wzbudzić poprzez zastosowanie elementu promieniującego o odpowiednim kształcie,

15 18. Współczynnik osiowy polaryzacji kołowej: rośnie wraz ze wzrostem izolacji pomiędzy portami promiennika mikropaskowego przy wzbudzaniu dwuportowym 19. Do anten pozwalających na pozyskiwanie bardzo szerokich wielooktawowych pasm pracy należą: anteny yagi-uda trójelementowe, 20. Charakterystyka promieniowania układu antenowego: zależy od amplitud przebiegów pobudzających elementy promieniujące 21. Współczynnikiem układu antenowego nazywamy: charakterystykę promieniowania pojedynczego elementu promieniującego zastosowanego w układzie antenowym. 22. Elektroniczne sterowanie wiązką w układzie antenowym odbywa się poprzez: zmianę rozkładu amplitud sygnałów pobudzających poszczególne elementy promieniujące, 23. Zasilanie równoległe układu antenowego charakteryzuje się: tym, że faza sygnałów doprowadzonych do poszczególnych elementów promieniujących jest stała w szerokim zakresie częstotliwości, 24. Zasilanie szeregowe układu antenowego charakteryzuje się: tym, że faza sygnałów doprowadzonych do poszczególnych elementów promieniujących silnie zależy od częstotliwości, 25. Obniżenie listków bocznych układu antenowego uzyskuje się poprzez: zastosowanie rozkładu fazowego, w którym elementy skrajne zasilane są ze stałym liniowym wzrostem fazy. 26. Szerokość wiązki głównej układu antenowego: nie zależy od rodzaju elementu promieniującego, 27. Listek dyfrakcyjny: może być zminimalizowany poprzez zmniejszenie odległości pomiędzy elementami promieniującymi, 28. Antena wielowiązkowa jest to: antena, której charakterystyka promieniowania zależy od mocy sygnału doprowadzonego do jej wrót, 29. Zasada przemnażania charakterystyk: mówi o tym, że charakterystyka promieniowania układu antenowego jest iloczynem charakterystyk poszczególnych elementów promieniujących zastosowanych w układzie antenowym, 30. Zasada wzajemności: obowiązuje dla wszystkich anten pasywnych, PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW Pytanie egzaminacyjne nr 1 Próbkowanie sygnału w połączeniu z kwantyzacją daje sygnał cyfrowy Pytanie egzaminacyjne nr 2 Czy znając dyskretne wartości sygnału można z nich odtworzyć sygnał analogowy? Zawsze można

16 Pytanie egzaminacyjne nr 3 Twierdzenie Shannona zakłada ograniczone widmo i dostatecznie drobną dyskretyzację Pytanie egzaminacyjne nr 4 Aliasing jest wynikiem niespełnienia jednego z założeń tw. Shannona Pytanie egzaminacyjne nr 5 Filtr antyaliasingowy jest filtrem stosowanym przed próbkowaniem Pytanie egzaminacyjne nr 6 Analiza częstotliwościowa sygnałów dyskretnych odpowiada z-transformacie na kole jednostkowym Pytanie egzaminacyjne nr 7 Dyskretna transformacja Fouriera służy do wyliczania widm sygnałów analogowych Pytanie egzaminacyjne nr 8 DFT przekształca widmo sygnału dyskretnego w sygnał w dziedzinie czasu Pytanie egzaminacyjne nr 9 Ilość próbek dyskretnego widma jest taka sama jak ilość próbek w dziedzinie czasu Pytanie egzaminacyjne nr 10 Macierz przekształcenia DFT jest 1. kwadratowa

17 Pytanie egzaminacyjne nr 11 Szybka transformacja Fouriera wymaga ilości mnożeń proporcjonalnej do liczby próbek sygnału pomnożonej przez logarytm z liczby próbek Pytanie egzaminacyjne nr 12 Szybka transformacja Fouriera oparta jest na schematach motylkowych Pytanie egzaminacyjne nr 13 FFT teoretycznie daje takie same wyniki jak DFT Pytanie egzaminacyjne nr 14 Schemat motylkowy jest filtrem dolnoprzepustowym Pytanie egzaminacyjne nr 15 Z-transformacja zamienia splot dwóch sygnałów w iloczyn ich z-transformat Pytanie egzaminacyjne nr 16 Z-transmitancja jest modelem matematycznym filtru cyfrowego Pytanie egzaminacyjne nr 17 Jaka jest z-transformata dyskretnego impulsu Diraca? 1 z Pytanie egzaminacyjne nr 18 Charakterystyki częstotliwościowe filtrów cyfrowych otrzymuje się dzieląc widmo sygnału wyjściowego przez widmo sygnału wejściowego Pytanie egzaminacyjne nr 19 Funkcją parzystą jest charakterystyka amplitudowa filtru

18 Pytanie egzaminacyjne nr 20 Filtr o skończonej odpowiedzi impulsowej wyznacza wartości sygnału wyjściowego tylko w oparciu o próbkowanie sygnału wejściowego Pytanie egzaminacyjne nr 21 Filtr o skończonej odpowiedzi impulsowej oznaczany jest akronimem FIR Pytanie egzaminacyjne nr 22 Projektowanie filtru FIR polega na wyznaczeniu elementów elektronicznych, z których będzie on zbudowany Pytanie egzaminacyjne nr 23 Metoda Remeza służy do projektowania filtrów o nieskończonej odpowiedzi impulsowej Pytanie egzaminacyjne nr 24 Główna metoda projektowania filtrów FIR opiera się na algorytmie Remeza Pytanie egzaminacyjne nr 25 Twierdzenie Czebyszewa wykorzystuje się do udowodnienia odwracalności DFT Pytanie egzaminacyjne nr 26 Filtr FIR może mieć liniową charakterystykę fazową Pytanie egzaminacyjne nr 27 Akronim 2-D FIR oznacza dwuwymiarową transformację Fouriera Pytanie egzaminacyjne nr 28 Filtr o nieskończonej odpowiedzi impulsowej może mieć liniową charakterystykę fazową

19 Pytanie egzaminacyjne nr 29 Filtry IIR mają skończoną odpowiedź impulsową Pytanie egzaminacyjne nr 30 Filtr IIR jest stabilny jeżeli w metodzie Hurwitza wszystkie minory wiodące są większe od zera Pytanie egzaminacyjne nr 31 Główna metoda projektowania filtrów IIR opiera się na metodach projektowania filtrów analogowych Pytanie egzaminacyjne nr 32 Z czym są związane postulaty Mallata i Meyera? Falkową dekompozycją sygnałów. Pytanie egzaminacyjne nr 33 Dyskretna transformacja falkowa ma charakter poufny Pytanie egzaminacyjne nr 34 Podpróbkowanie ze stałą 2 jest operacją odwrotną do nadpróbkowania ze stałą 2 Pytanie egzaminacyjne nr 35 Co to jest perfekcyjna rekonstrukcja? Bezbłędne odtworzenie sygnału analogowego z jego dyskretnych wartości. Pytanie egzaminacyjne nr 36 Kodowanie różnicowe jest metodą kompresji sygnałów Pytanie egzaminacyjne nr 37 Bezstratna kompresja sygnałów jest na ogół bardziej efektywna od kompresji stratnej

20 Pytanie egzaminacyjne nr 38 Kodowanie Huffmana jest metodą kompresji sygnałów Pytanie egzaminacyjne nr 39 Stratna kompresja sygnałów opiera się na kwantyzacji sygnałów Pytanie egzaminacyjne nr 40 Która z operacji jest nieliniowa? Kwantyzacja skalarna ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz. II 1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ: w układzie zastosowano obwód rezonansowy LC lub selektywny RC. 2. Generatory Colpitts a, Hartleya i Meissnera (rysunek poniżej). Prawdziwe są informacje? Aby spełnić warunek amplitudowy drgań, ze wzrostem kondunktancji obciążenia GL, w generatorze Colpitts a należy zwiększyć pojemność C2, a w generatorze Hartleya należy zwiększyć indukcyjność L1. 3. Generatory kwarcowe. Prawdziwe są informacje: W generatorach Pierce a rezonator kwarcowy pracuje jako zastępcza indukcyjność Lz, o wartości szybko rosnącej z częstotliwością (praca w przedziale pulsacji s m ). 4. Generatory RC ze sprzężeniem zwrotnym. Prawdziwe są informacje? W generatorze CR z mostkiem podwójne TT, ujemne sprzężenie zwrotne realizowane jest poprzez gałąź selektywną typu podwójne TT, a dodatnie poprzez dzielnik rezystancyjny w celu spełnienia warunku amplitudowego drgań oraz stabilizacji amplitudy tych drgań. 5. Układy transkonduktancyjne. Prawdziwe są informacje: W układzie pojedynczo zrównoważonym: u u u u u 2 R ( I 0 g m uy ) RC tgh X I 0 RC X g m RC X Y ; 2 T 2 T 2 T u X, uy 2 T

21 6. Linearyzacja charakterystyk układu mnożącego w układzie Gilberta (rysunek poniżej) wymaga spełnienia warunków: U CC RCM RC RC u2 R D1 D2 i1 i2 T1 T2 i A I O1 i X T3 T4 I O 2 iy ux T7 RX i4 ug i B I O1 i X I 01 i3 ix T8 T5 I 01 I 02 I O 2 iy uy iy RY T6 I 02 i2 i A i1 ib 7. Podstawowe układy logarytmiczne (rysunek poniżej). Prawdziwe są informacje? Główną wadą prostego układu logarytmicznego jest silna zależność jego charakterystyki statycznej od temperatury, spowodowanej zmianami T oraz I ES. 8. Autozerowanie komparatora. Prawdziwe są informacje? Stopnie przedwzmacniacza i układu śledzącego komparatora zatrzaskowego, w fazie autokompensacji, kiedy są skonfigurowane w układzie wtórnika napięciowego, nie wymagają kompensacji charakterystyk częstotliwościowych. 9. Komparatory zatrzaskowe. Prawdziwe są informacje?

22 Współczesne komparatory zatrzaskowe charakteryzują się dużą szybkością działania, ale małą rozdzielczością. 10. Komparatory z histerezą odwracającą i nieodwracającą zostały zrealizowane na wzmacniaczach operacyjnych, w których VOL = 4 V; VOH = + 4 V; R1 = 5,5 kω ; R2 = = 50 kω. Progowe napięcia przełączania VTRP+ i VTRP w obu układach (rysunek poniżej) wynoszą: VTRP+ = 0,2 V; VTRP = 0,2 V VTRP+ = 0,22 V; VTRP = 0,22 V 11. Skokowo (od 300 khz do 340 khz) zwiększono częstotliwość synchronizującą generatora VCO w pętli pierwszego rzędu, o parametrach: 1 1 k G 2 rad 80 khz ; K 500 ; f khz 2 s V Napięcie sterujące na wejściu VCO zmieni się ze stałą czasową τ równą? o wartość ΔUO równą? τ = 0,5 ms ; ΔUO = 1 V 12. Pętla fazowa w której zastosowano: wzmocnienie generatora VCO: kg = 2π 1 [rad] [MHz] [1/V]; wzmocnienie detektora fazy: kd = [V/rad]; transmitancja filtru H(ω = 0) = 1. Zakres trzymania tej pętli fazowej wynosi: T 3,14 khz 13. W przedstawionych generatorach VCO na tranzystorach MOSFET: Źródło prądowe zapewnia wysoką impedancję węzła dołączonego do rezonatora, a przez to odsprzęga szynę zasilania lub masy od rezonatora.

23 14. Detektor fazowo częstotliwościowy PFD. Prawdziwe są informacje? Gdy różnica faz jest większa niż ± 2π, detektor PFD znajduje się w stanie detekcji częstotliwości. W tym stanie pompa ładunkowa jest aktywna tylko przez część cyklu pracy i dostarcza na swoim wyjściu impulsy prądowe o stałej amplitudzie i czasie trwania zależnym od różnicy faz porównywanych sygnałów 15. Syntezer częstotliwości z układem PLL z ułamkowym/ wymiernym zwielokrotnieniem częstotliwości referencyjnej. Gdy Fr = 25 khz, dokładność częstotliwości oscylatora kwarcowego wynosi 1 ppm., a N = 32002, to: FVCO = 960,03 MHz, a jej dokładność również wynosi 1 ppm., tj ~ ± 960 Hz. 16. W dwupołówkowym prostowniku Graetza z obciążeniem rezystancyjnopojemnościowym (stała czasowa obciążenia τ = RC >> 20 ms), zasilanym z sieci 230 V poprzez transformator sieciowy o przekładni obniżającej n = 23 (pominąć rezystancje uzwojeń i diod) średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: 10 V 17. W prostowniku trójfazowym z obciążeniem rezystancyjno-indukcyjnym (stała czasowa obciążenia τ = L/R >> 20 ms ), zasilanym bezpośrednio z sieci 3x230 V średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: 191 V 18. Zaletą stosowania modulacji przy przesyłaniu sygnałów są: Możliwość rozdzielenia równocześnie przesyłanych sygnałów na tej samej częstotliwości nośnej (modulatory kwadraturowe). 19. Podstawowe rodzaje modulacji analogowych i cyfrowych. Wybierz prawidłowo zakwalifikowane modulacje: Modulacje analogowe pasmowe AM, FM, PM Modulacje analogowe w paśmie podstawowym PAM, PWM Modulacje cyfrowe pasmowe ASK, FSK, PSK Modulacje cyfrowe w paśmie podstawowym PCM, DM

24 20. Dane są 4 funkcje modulujące (tabela poniżej). Prawidłowy zestaw modulacji AM dwuwstęgowej, jednowstęgowej, z falą nośną i bez fali nośnej odpowiadający poszczególnym funkcjom to: Funkcja modulująca 1 kx(t ) kx(t ) AM DSB SC AM DSB x(t ) jxˆ (t ) x(t ) jxˆ (t ) AM SSB SC górna wstęga AM SSB SC dolna wstęga 21. Prawidłowa kombinacja różnych rodzajów modulacji dla rzeczywistych funkcji przebiegów zmodulowanych (tabela poniżej) to: Przebieg zmodulowany rzeczywisty s (t ) A0 kx(t ) cos( 0 t ) s (t ) A0 1 kx(t ) cos( 0 t ) s (t ) U 0 m cos[ 0 t k x(t )dt ] AM DSB AM DSB SC FM s (t ) U 0 m cos[ 0 t k x(t )] PM 22. Szerokość pasma sygnału FM, w którym dewiacja częstotliwości wynosi 75 khz, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: fs 1 khz 152 khz 4 khz 152 khz 8 khz 152 khz 23. Szerokość pasma sygnału PM, w którym dewiacja fazy ΔψPM = mφ = 5 jest stała, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: fs 1 khz 6 khz 4 khz 24 khz 8 khz 48 khz 24. Nieprawdziwe są informacje? Znaczną poprawę stosunku sygnału do zakłócenia systemu FM uzyskuje się przez deemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie nadawczej i preemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie odbiorczej. 25. W modulatorze bezpośrednim, wykorzystującym generator LC z dwójnikiem reaktancyjnym w postaci diody pojemnościowej, pomiędzy dewiacją częstotliwości ΔF, a częstotliwością nośną F0 musi zachodzić związek: 3 F 1 4 F0 26. W modulatorze Armstronga (pośredni modulator FM), wąskopasmowa modulacja FM posiada widmo ograniczone praktycznie do jednej pary wstęg bocznych gdy:

25 27. zastosujemy modulator AM DSB CS z małym wspó łczynnikiem g łębokości modulacji, sygnał modulujący zostanie scałkowany, a do sygna łu AM DSB CS dodamy nośną przesuniętą o kąt fazowy π/2. Nie są prawdziwe informacje, dotyczące demodulatorów AM: Synchroniczne detektory kluczowane znajdują zastosowanie do demodulacji wszystkich rodzajów sygnałów zmodulowanych: AM, AM-S.C., SSB-S.C. i SSB. 28. Nie są prawdziwe następujące cechy synchronicznego demodulatora kluczowanego AM, porównując go z konwencjonalnymi detektorami diodowymi: W przypadku sygnałów z równoczesną modulacją AM i FM, wielkość produktów intermodulacji między nośnymi jest dużo mniejsza. 29. Nie są prawdziwe informacje, dotycząca koincydencyjnego demodulatora FM podwójnie zrównoważonego (rysunek poniżej): 30. Funkcję przesuwnika fazowego pełni układ złożony z kondensatora C i obwodu rezonansowego LC1 dostrojonego do częstotliwości nośnej F0 sygnału FM. Nie są prawdziwe informacje, dotyczące przemiany częstotliwości: Operacja przemiany częstotliwości jest operacją nieliniową, analogiczną do procesu AM-S.C., z tą różnicą, że rolę sygnału modulującego odgrywa tutaj pasmowy sygnał użytkowy w. cz. o częstotliwości środkowej fs, na wyjściu zaś wykorzystywana jest tylko jedna wstęga boczna. 31. Prawdziwe są informacje, dotyczące superheterodynowego radia (rysunek poniżej): Jest to architektura front-end nowoczesnego superheterodynowego radia z podwójną przemianą, z niską częstotliwością pośrednią.

26 32. Prawdziwe są informacje, dotyczące radia SDR (software-defined radio)? Chociaż koncepcja radia SDR zapewnia maksymalną elastyczność rozwiązania, nie może być zrealizowana przy dzisiejszych technologiach w systemach radiokomunikacyjnych. 33. Prawdziwe są informacje, dotyczące uniwersalnego radia SDR (software-defined radio)? Uniwersalne radio SDR, wykorzystuje dodatkowo szerokopasmową przemianą częstotliwości w celu ograniczenia szerokości pasma i zakresu dynamicznego dla złagodzenia ostrych wymagań dla przetworników a/c i przetwarzania DSP. 34. Prawdziwe są informacje, dotyczące wielostandardowego uniwersalnego radia kognitywnego COGUR (rysunek poniżej)? Kilka szerokopasmowych równolegle połączonych bloków odbiorczych może być wykorzystanych dla pokrycia głównych pasm częstotliwości. TECHNIKI BEZPRZEWODOWE 1. W systemie z wielodostępem kodowym (CDMA): wszystkie aktualnie transmitujące stacje ruchome muszą mieć inną sekwencję kodową

27 2. Modulator kwadraturowy (IQ): pozwala uzyskać zarówno modulację QPSK jak i GMSK 3. Problemu zaników selektywnych sygnału można się spodziewać: w łączach satelitarnych 4. W wyniku występowania propagacji wielodrogowej, w stosunku do propagacji jednodrogowej: średni zasięg systemu jest większy 5. Sekwencja treningowa w systemie GSM: pozwala na ocenę aktualnego stanu kanału radiowego 6. W sieciach WLAN (802.11b/g) w wybranych trybach transmisji stosowane jest rozpraszanie widma 7. Implementacja skoków po częstotliwościach (FH) w systemie GSM: nie jest stosowana dla kanału rozsiewczego stacji bazowej 8. W systemie bezprzewodowym zastosowano kodowanie splotowe o sprawności R=3/4 zamiast R=1/2. W efekcie: system ten do poprawnej pracy wymaga większego stosunku sygnału do szumu 9. Przeplot w systemach radiokomunikacyjnych: pozwala na zmniejszenie wpływu błędów paczkowych na jakość transmisji 10. Telefonia bezprzewodowa DECT wykorzystuje dynamiczną selekcję kanału radiowego 11. Transmisja z podstawową modulacją QPSK o przepływości 1 Mbit/s wymaga większej liniowości stopnia nadawczego niż modulacja pi/4 DQPSK 12. Stacja ruchoma GSM wykrywa właściwą stację bazową dzięki ustawieniom częstotliwości zapisanym przez operatora na karcie SIM 13. Dla systemu telefonii komórkowej GSM, przy tej samej mocy nadajnika stacji bazowej zasięg w paśmie 1800 MHz byłby większy niż w paśmie 900 MHz 14. Transmisja radiowa z rozpraszaniem widma sekwencją bezpośrednią (np. w sieciach WLAN), w stosunku do transmisji radiowej bez rozpraszania, ale z taką samą modulacją: wymaga większego stosunku sygnału do szumu na wejściu odbiornika 15. Tryby transmisji wykorzystujące OFDM w bezprzewodowych sieciach komputerowych (802.11g) w porównaniu z trybami opartymi o rozpraszanie widma pozwalają na uzyskanie większej prędkości transmisji 16. W bezprzewodowych lokalnych sieciach komputerowych (IEEE b/g) urządzenia rywalizują o dostęp do kanału radiowego 17. Konstelacja sygnału QPSK obrazuje wartości składowych synfazowej i kwadraturowej

28 18. Stosowana w GSM modulacja GMSK jest odmianą modulacji częstotliwości: wykorzystującą filtr gaussowski 19. Skramblowanie w systemie GSM pozwala na: uniknięcie długich sekwencji zer i jedynek 20. W przypadku propagacji sygnału w wolnej przestrzeni: moc odbieranego sygnału maleje z drugą potęgą odległości 21. Odbiór zbiorczy przestrzenny w systemie GSM: pozwala na poprawę stosunku sygnału do szumu w przypadku zaników sygnału Techniki Bezprzewodowe cd. 22. Pakiet korekcji częstotliwości w systemie GSM: zawiera same bity zerowe 23. Informacje identyfikacyjne stacji bazowej GSM: przesyłane są do stacji ruchomej dedykowanym kanałem logicznym na etapie pierwszego łączenia z daną stacją bazową 24. Sieciach WLAN w standardzie IEEE g: wykorzystuje się transmisję OFDM 25. Zasada transmisja OFDM polega na: multipleksowaniu różnych użytkowników w jednym kanale częstotliwościowym 26. W wyniku zastosowania techniki rozpraszanie widma metodą sekwencji bezpośredniej: możliwa jest realizacja systemu pracującego ze stosunkiem sygnału do szumu poniżej 0 db 27. Rozpraszanie widma metodą skoków po częstotliwościach: polega na transmisji pakietów na kolejnych częstotliwościach z dostępnej puli kanałów 28. Poziom EIRP ulegnie zmianie gdy zmieniona zostanie długość linii transmisyjnej między anteną a nadajnikiem 29. Modulacja π/4 DQPSK przy transmisji pakietu, zawierajacego same zera faza nośnej będzie stała i równa π/4 30. W systemie EDGE uzyskano większą przepływność transmisji dzięki zastosowaniu modulacji z rodziny 8 -PSK 31. System telefonii komórkowej 3G (UMTS) wykorzystuje modulację GFSK TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI

29 1. Do transmisji sygnału o mocy 10 mw na częstotliwości 2.4 GHz użyto kabla współosiowego H155 o współczynniku tłumienia 0.5 db/m. Założono, że na obciążeniu kabla powinna wystąpić moc co najmniej 40dBm. Jaka długość kabla spełnia te wymagania? 150 m 2. Jeśli fala o częstotliwości f = 1 GHz rozchodzi się w ośrodku o następujących właściwościach: εr = 4, μr = 1, σ = 0 to współczynnik tłumienia α=0 3. Współczynnik odbicia fali o częstotliwości f = 1 GHz padającej prostopadle na ścianę wynosi Г =0. Impedancja powierzchniowa Z tej ściany jest równa Z=120 π 4. Znane są parametry jednostkowe L i C niskostratnej linii transmisyjnej. Ile wynosi impedancja falowa linii Zo? Z o LC 5. Znana jest impedancja falowa linii Zo i jej parametry jednostkowe L i C. Jaka jest prędkość fazowa v linii? 1 v Z 0C 6. W linii transmisyjnej o impedancji falowej Z0 = 50 Ω obciążonej opornikiem o nieznanej wartości R zmierzono współczynnik fali stojącej i uzyskano wynik SWR=2. Jakie są możliwe wartości rezystancji? 75 Ω 7. W wyniku pomiaru współczynnika SWR w linii o impedancji falowej Z0 okazało się, że jest on równy nieskończoności. Czy oznacza to, że: linia jest zwarta na końcu? 8. Wyjście standardowej radiowej linii transmisyjnej zostało obciążone 50. Współczynnik fali stojącej: jest mniejszy niż Długość rezonatora półfalowego zbudowanego ze współosiowej linii transmisyjnej wypełnionej dielektrykiem o współczynniku przenikalności względnej εr wynosi: l r 10. Przy użyciu współosiowej linii transmisyjnej o prędkości fazowej v i długości l należy zaprojektować rezonator o częstotliwości rezonansowej f=v/2l. Linię należy: zewrzeć na obydwu końcach

30 11. Szerokość krzywej rezonansowej rezonatora mikrofalowego pracującego na częstotliwości 10 GHz wynosi 5 khz. Jaka jest dobroć tego rezonatora? Q W wyniku wzrostu tłumienia szerokość krzywej rezonansowej rezonatora znajdującego się w torze mikrofalowym wzrosła dwukrotnie. Spowodowało to: dwukrotny spadek dobroci rezonatora 13. Do transformacji impedancji 75 Ω do 50 Ω można zastosować linię mikropaskową o długości: długość λ/4 14. Do transformacji impedancji 75 Ω do 50 Ω można zastosować linię mikropaskową o długości: λ/2 15. Aby transformować impedancję z 50 Ω na 75 Ω przy pomocy pojedynczego odcinka linii mikropaskowej należy zastosować linię o impedancji: 75 Ω 16. Które z poniższych stwierdzeń dotyczących parametrów macierzy rozproszenia dwuwrotnika jest poprawne: s11 jest współczynnikiem odbicia na wejściu dla rozwartego wyjścia 17. Które z poniższych stwierdzeń dotyczących parametrów macierzy rozproszenia dwuwrotnika jest poprawne: s22 jest współczynnikiem odbicia na wyjściu dla dopasowanego wejścia 18. Tranzystor RF o impedancji wejściowej 25 Ω dla żądanej częstotliwości pracy należy dopasować do toru 50 Ω minimalizując SWR. Jaka będzie struktura układu dopasowującego (patrząc w kierunku od bazy tranzystora do wejścia układu): szeregowo indukcyjność a następnie równolegle pojemność 19. W odbiorniku superheterodynowym przeznaczonym do pracy w paśmie 430 MHz zastosowano częstotliwość pośrednią 90 MHz. W jakim paśmie częstotliwości nie leży częstotliwość lustrzana odbiornika, gdy oscylator lokalny mieszacza pracuje powyżej częstotliwości sygnału wejściowego? 520 MHz 20. Do na wejściu odbiornika o współczynniku szumów NF=2 db włączono tłumik A=-6 db. Która z wykazanych przez odbiornik wartości współczynnika szumów nie jest prawidłowa? 4 db

31 21. Z wykresu Smith a można odczytać: impedancję zespoloną 22. Przemiana częstotliwości w górę z częstotliwości pośredniej 90 MHz na częstotliwość radiową 900 MHz, wymaga podania z lokalnego oscylatora sygnału o częstotliwości 810 MHz 23. Wysoka wartość parametru IP3: świadczy o wysokiej odporności toru odbiorczego na silne sygnały pozapasmowe TECHNIKA CYFROWA 1. Parametry dynamiczne bramek to: czas konwersji 2. Stan metastabilności: stan metastabilny może się pojawić jeżeli dane zmieniają się w czasie utrzymania 3. Licznik rewersyjny to: Licznik wymagający dodatkowego sygnału sterującego 4. Schemat bramki XOR zrealizowanej za pomocą bramek NOR przedstawia rysunek: 5. Sumę oraz przeniesienie półsumatora można wyrazić za pomocą funkcji (A, B wejścia półsumatora): A B 6. Schemat układu w konfiguracji dwójki liczącej przedstawia: 7. W charakterystyce przejściowej, następujących bramek występuje histereza: bramka Schmitta 8. Prawidłowe stany licznika pierścieniowego to:

32 9. Licznikiem modulo m jest: Licznik liczący od m-1 do Funkcja axy +ax y+a y jest równa: (ay) x 11. Prawo pochłaniania to: x(x + y) = x 12. W automacie Mealy ego stany wyjściowe zależą od: sygnałów wejściowych i stanu poprzedniego automatu 13. Prawidłowe funkcje określające stan następny Q(t) dla przerzutników RS, JK, T oraz D to: Q(t ) SR R Q(t 1) 14. Automat niezupełny to: Automat z nie w pełni określoną funkcją wyjść 15. Czas ustalania w przypadku przerzutnika można zdefiniować jako: minimalny czas trwania poziomu poprzedzającego i następującego po aktywnym zboczu sygnału 16. Dla linii długiej o stałej czasowej, dopasowanej na wejściu, dla której wymuszeniem jest skok jednostkowy w chwili t=0: napięcie na wejściu będzie miało stałą wartość po czasie t>0, 17. Dla linii długiej o stałej czasowej, dopasowanej na wejściu i zwartej na wyjściu, dla której wymuszeniem jest skok jednostkowy w chwili t=0: napięcie na wyjściu będzie zawsze równe zero, 18. Liczba czterobitowa 1111: przesunięta arytmetycznie o jeden bit w prawo da wynik równy Prawdziwe są zdania: pamięci typu flash to szybki rodzaj pamięci RAM 19) Prawdziwe są zdania: pamięć ROM zachowuje swoją zawartość po wyłączeniu zasilania 20. Prawdziwe są zdania: podstawowa komórka pamięci DRAM składa się z mikro-kondensatora 21. Prawdziwe są zdania: FIFO to bufor, który wyprowadza dane w takiej samej kolejności w jakiej zostały podane na wejście 22. Sonda oscyloskopowa: składa się z dzielnika rezystancyjnego oraz pojemnościowego, podział napięcia tych dzielników jest taki sam

33 23. N-bitowy przetwornik analogowo-cyfrowy. Prawdziwe są zdania: aby uniknąć efektu aliasingu, częstotliwość próbkowania powinna być co najmniej dwa razy większa od maksymalnej częstotliwości sygnału wejściowego 24. Przetwornik flash (równoległy). Prawdziwe są zdania: charakteryzuje się on relatywnie małą rozdzielczością (liczbą bitów) ponieważ składa się w przybliżeniu z 2N komparatorów (gdzie N- liczba bitów) 25. Standard LVDS: umożliwia szybką transmisję danych cyfrowych 26. Prawdziwe są zdania:: przetwornik cyfrowo-analogowy sigma-delta podobnie jak PWM (Pulse Width Modulation) charakteryzuje się tym, że napięcie wyjściowe ma dwa stany (np. masy i V ref) a wartość analogowa sygnału jest regulowana poprzez współczynnik wypełnienia. 27. Czas narastania dla układu całkującego RC, dla R=100, C=10pF wynosi: 0.22ns 28. Przetwornikami cyfrowo-analogowymi są: drabinka R-2R 29. Prawdziwe są zdania: przetworniki cyfrowo-analogowe wymagają napięcia referencyjnego 30. Prawdziwe są zdania: osobna masa analogowa i cyfrowa przetworników analogowo-cyfrowych jest stosowana tylko wtedy kiedy występuje różnica poziomów napięć pomiędzy tymi masami TECHNIKA CYFROWA cd. 31. Dla linii długiej o stałej czasowej, dopasowanej na wejściu i rozwartej na wyjściu otrzymamy następujący przebieg przy wymuszeniu skokiem jednostkowym w chwili t=0: napięcia na wejściu i wyjściu są w każdej chwili czasowej takie same dla t>0 32. Multiplekser to układ cyfrowy który: wyprowadza na wyjście stan tylko jednego wybranego wejścia 33. Liczba 1111 zapisana w kodzie uzupełnień do dwóch: jest równa liczbie Które z poniższych stwierdzeń dotyczących pamięci jest prawdziwe: pamięci SRAM wymagają odświeżania 35. Jeżeli na wejście bufora FIFO (First-In First-Out) podamy w kolejnych taktach zegara dane: A, B, C, D, E, to na wyjściu otrzymamy dane A, B, C, D, E 36. Które z poniższych zdań dotyczących przetwornika flash (równoległego) jest prawdziwe jest to przetwornik analogowo-cyfrowy 37. Przetwornik PWM (Pulse Width Modulation):

34 jest przetwornikiem analogowo-cyfrowym 38. Funkcja F(x,y,z)=x y+ z +(x+ y )z jest równa: z 39. Prawo rozdzielności w algebrze Boole a wyraża zależność: (X+Y) =X Y 40. Postać kanoniczna dysjunkcyjna funkcji F0={0,1,2} to: f(x,y,z)=x YZ+XY Z +XY Z+XYZ + XYZ 41. Minimalny czas jaki musi upłynąć od zakończenia sygnału programującego do chwili kiedy może pojawić się sygnał zegarowy lub inny sygnał programujący to: czasu ustalania 42. Schemat bramki NAND zrealizowanej za pomocą bramek NOR przedstawia rysunek: 43. Prawidłową realizację przerzutnika T przedstawia schemat: T 44. Różnicę oraz pożyczkę półsubtraktora można wyrazić za pomocą funkcji (A, B wejścia półsubtraktora): A B, A B TEORIA SYGNAŁÓW Pytanie egzaminacyjne nr 1 Cechą znamienną sygnału analogowego jest wygenerowanie przez analogowy układ elektroniczny Pytanie egzaminacyjne nr 2 Sygnał dyskretny przyjmuje tylko pewne nieciągłe wartości Pytanie egzaminacyjne nr 3 Sygnał analogowy 2-D może być reprezentowany przez sumę iloczynów dwóch funkcji

35 jednoargumentowych Pytanie egzaminacyjne nr 4 Modelem matematycznym obrazu analogowego jest funkcja o wartościach zespolonych Pytanie egzaminacyjne nr 5 Jeżeli baza sygnałów jest ortogonalna to elementy bazowe są liniowo niezależne Pytanie egzaminacyjne nr 6 Iloczyn skalarny dla sygnałów analogowych jest całką oznaczoną z iloczynu dwóch funkcji Pytanie egzaminacyjne nr 7 W przestrzeni metrycznej obowiązują trzy aksjomaty metryki Pytanie egzaminacyjne nr 8 Przestrzeń sygnałów jest N-wymiarowa jeśli sygnały mają N-argumentów Pytanie egzaminacyjne nr 9 Przestrzeń funkcji całkowalnych z kwadratem nie jest przestrzenią metryczną Pytanie egzaminacyjne nr 10 Iloczyn skalarny dla sygnałów analogowych jest całką oznaczoną z iloczynu dwóch funkcji Pytanie egzaminacyjne nr 11 Funkcje Harra przyjmują tylko wartości +1 i -1 Pytanie egzaminacyjne nr 12 Funkcje Walsha są zdefiniowane w przedziale od do

36 Pytanie egzaminacyjne nr 13 Szereg Fouriera składa się z funkcji ortogonalnych Pytanie egzaminacyjne nr 14 Transformacja Fouriera jest przekształceniem całkowym z jądrem exp( 2 jft ) Pytanie egzaminacyjne nr 15 Transformacja Fouriera służy do analizy częstotliwościowej sygnałów Pytanie egzaminacyjne nr 16 Transformacja Fouriera zachowuje iloczyn skalarny Pytanie egzaminacyjne nr 17 Transformata Fouriera sygnału akustycznego jest funkcją określoną na zbiorze liczb rzeczywistych i przyjmującą wartości w zbiorze liczb zespolonych Pytanie egzaminacyjne nr 18 Widmo amplitudowe sygnału akustycznego jest funkcją parzystą Pytanie egzaminacyjne nr 19 Widmo fazowe sygnału akustycznego jest obliczane jako tg części rzeczywistej do części urojonej widma zespolonego Pytanie egzaminacyjne nr 20 Jeżeli sygnał jest funkcją rzeczywistą i parzystą, to widmo fazowe jest zerowe

37 Pytanie egzaminacyjne nr 21 Widma amplitudowe sygnałów są funkcjami parzystymi dla sygnałów o wartościach rzeczywistych Pytanie egzaminacyjne nr 22 Z zasady nieoznaczoności Heisenberga wynika, że sygnały mające ograniczone pasmo częstotliwościowe muszą trwać nieskończenie długo Pytanie egzaminacyjne nr 23 Jeśli zmienimy skalę czasu (mnożąc przez a), to w widmie sygnału skala częstotliwości będzie podzielona przez a Pytanie egzaminacyjne nr 24 Jeżeli sygnał zostanie przesunięty w dziedzinie czasu, to jego widmo fazowe ulegnie zmianie Pytanie egzaminacyjne nr 25 Transformata z iloczynu dwóch sygnałów jest iloczynem skalarnym widm tych sygnałów Pytanie egzaminacyjne nr 26 Splot w dziedzinie czasu wymaga zerowych wartości splatanych sygnałów dla ujemnych chwil czasu Pytanie egzaminacyjne nr 27 Widmo parzystego impulsu prostokątnego jest funkcją typu sin( 2 f ) / f Pytanie egzaminacyjne nr 28 Sygnał sinusoidalny o częstotliwości f z nieograniczonym czasem trwania ma

Repetytorium dyplomowe

Repetytorium dyplomowe Repetytorium dyplomowe AUE I & AUE II Sylwia Borcuch Przemysław Stolarz 1. Wielkosygnałowy model Shichmana Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze liniowym obowiązuje w przedziale napięć: Przykładowa odpowiedź:

Bardziej szczegółowo

Anteny i Propagacja Fal

Anteny i Propagacja Fal Anteny i Propagacja Fal Seminarium Dyplomowe 26.11.2012 Bartosz Nizioł Grzegorz Kapusta 1. Charakterystyka promieniowania anteny określa: P: unormowany do wartości maksymalnej przestrzenny rozkład natężenia

Bardziej szczegółowo

ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH

ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH 1. Charakterystyka promieniowania anteny określa: unormowany do wartości maksymalnej przestrzenny rozkład natężenia pola, Odpowiedź prawidłowa ch-ka promieniowania jest

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ:

1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ: 1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ: a) Warunek generacji jest spełniony tylko dla jednej określonej częstotliwości. b) Układ zawiera wzmacniacz selektywny z

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28 Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................

Bardziej szczegółowo

1. Modulacja analogowa, 2. Modulacja cyfrowa

1. Modulacja analogowa, 2. Modulacja cyfrowa MODULACJA W16 SMK 2005-05-30 Jest operacja mnożenia. Jest procesem nakładania informacji w postaci sygnału informacyjnego m.(t) na inny przebieg o wyższej częstotliwości, nazywany falą nośną. Przyczyna

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych Spis treści Przedmowa 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń 13 1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 19 1.1. Wprowadzenie 19 1.2. Zasada pracy i ogólne własności rezonansowych wzmacniaczy mocy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor) 14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem

Bardziej szczegółowo

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości

06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości 06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające 1. Jakie są wymagania stawiane wzmacniaczom p.cz.? 2. Jaka jest szerokość pasma sygnału AM i FM? 3. Ile wynosi częstotliwość

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

Polaryzacja anteny. Polaryzacja pionowa V - linie sił pola. pionowe czyli prostopadłe do powierzchni ziemi.

Polaryzacja anteny. Polaryzacja pionowa V - linie sił pola. pionowe czyli prostopadłe do powierzchni ziemi. Parametry anten Polaryzacja anteny W polu dalekim jest przyjęte, że fala ma charakter fali płaskiej. Podstawową właściwością tego rodzaju fali jest to, że wektory natężenia pola elektrycznego i magnetycznego

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone

Bardziej szczegółowo

f = 2 śr MODULACJE

f = 2 śr MODULACJE 5. MODULACJE 5.1. Wstęp Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej. Przyczyny stosowania modulacji: 1. Umożliwienie wydajnego wypromieniowania

Bardziej szczegółowo

A-2. Filtry bierne. wersja

A-2. Filtry bierne. wersja wersja 04 2014 1. Zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zrozumienie propagacji sygnałów zmiennych w czasie przez układy filtracji oparte na elementach rezystancyjno-pojemnościowych. Wyznaczenie doświadczalne

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Ćwiczenie: Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres

Bardziej szczegółowo

a) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa.

a) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektroniczno-telekomunikacyjnej na zawody I. stopnia 1 Na rysunku przedstawiony jest schemat

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze

Bardziej szczegółowo

Układy elektroniczne II. Modulatory i detektory

Układy elektroniczne II. Modulatory i detektory Układy elektroniczne II Modulatory i detektory Jerzy Witkowski Modulacja Przekształcenie sygnału informacyjnego do postaci dogodnej do transmisji w kanale telekomunikacyjnym Polega na zmianie, któregoś

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe

Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe Przetworniki cyfrowo / analogowe W cyfrowych systemach pomiarowych często zachodzi konieczność zmiany sygnału cyfrowego na analogowy, np. w celu

Bardziej szczegółowo

Spis treści 3. Spis treści

Spis treści 3. Spis treści Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część IV Czwórniki Linia długa Janusz Brzychczyk IF UJ Czwórniki Czwórnik (dwuwrotnik) posiada cztery zaciski elektryczne. Dwa z tych zacisków uważamy za wejście czwórnika, a pozostałe

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6. Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM

ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM D. B. Tefelski Zakład VI Badań Wysokociśnieniowych Wydział Fizyki Politechnika Warszawska, Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, PL 28 lutego 2011 Stany nieustalone, stabilność

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 12/12 PL 219586 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219586 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 392996 (51) Int.Cl. H03F 1/30 (2006.01) H04R 3/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach

Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

(1.1) gdzie: - f = f 2 f 1 - bezwzględna szerokość pasma, f śr = (f 2 + f 1 )/2 częstotliwość środkowa.

(1.1) gdzie: - f = f 2 f 1 - bezwzględna szerokość pasma, f śr = (f 2 + f 1 )/2 częstotliwość środkowa. MODULACJE ANALOGOWE 1. Wstęp Do przesyłania sygnału drogą radiową stosuje się modulację. Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej.

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)

Bardziej szczegółowo

w układzie zastosowano obwód rezonansowy LC lub selektywny RC. DOBRA

w układzie zastosowano obwód rezonansowy LC lub selektywny RC. DOBRA ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz. II 1. Generator LC lub RC generuje na swoim wyjściu przebieg sinusoidalny ponieważ: w układzie zastosowano obwód rezonansowy LC lub selektywny RC. DOBRA a). Warunek generacji

Bardziej szczegółowo

MODULACJA. Definicje podstawowe, cel i przyczyny stosowania modulacji, rodzaje modulacji. dr inż. Janusz Dudczyk

MODULACJA. Definicje podstawowe, cel i przyczyny stosowania modulacji, rodzaje modulacji. dr inż. Janusz Dudczyk Wyższa Szkoła Informatyki Stosowanej i Zarządzania MODULACJA Definicje podstawowe, cel i przyczyny stosowania modulacji, rodzaje modulacji dr inż. Janusz Dudczyk Cel wykładu Przedstawienie podstawowych

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy . el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009

Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009 Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści

Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, 2013 Spis treści Spis tablic 9 Przedmowa 11 Przedmowa do pierwszego wydania 13 ROZDZIAŁ 1 Podstawy 15 Wstęp 15 Napięcie, prąd

Bardziej szczegółowo

XXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. XXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej

XXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. XXXII Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Zestaw pytań finałowych numer : 1 1. Wzmacniacz prądu stałego: własności, podstawowe rozwiązania układowe 2. Cyfrowy układ sekwencyjny - schemat blokowy, sygnały wejściowe i wyjściowe, zasady syntezy 3.

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

b) Zastosować powyższe układy RC do wykonania operacji analogowych: różniczkowania, całkowania

b) Zastosować powyższe układy RC do wykonania operacji analogowych: różniczkowania, całkowania Instrukcja do ćwiczenia UKŁADY ANALOGOWE (NKF) 1. Zbadać za pomocą oscyloskopu cyfrowego sygnały z detektorów przedmiotów Det.1 oraz Det.2 (umieszczonych na spadkownicy). W menu MEASURE są dostępne komendy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych

12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych . Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne

Liniowe układy scalone. Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne Liniowe układy scalone Filtry aktywne w oparciu o wzmacniacze operacyjne Wiadomości ogólne (1) Zadanie filtrów aktywnych przepuszczanie sygnałów znajdujących się w pewnym zakresie częstotliwości pasmo

Bardziej szczegółowo

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 2015 Przerzutniki Przerzutniki stosuje się do przechowywania małych ilości danych, do których musi być zapewniony ciągły dostęp. Ze względu na łatwy odczyt i zapis,

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

2. STRUKTURA RADIOFONICZNYCH SYGNAŁÓW CYFROWYCH

2. STRUKTURA RADIOFONICZNYCH SYGNAŁÓW CYFROWYCH 1. WSTĘP Radiofonię cyfrową cechują strumienie danych o dużych przepływnościach danych. Do przesyłania strumienia danych o dużych przepływnościach stosuje się transmisję z wykorzystaniem wielu sygnałów

Bardziej szczegółowo

Lekcja 20. Temat: Detektory.

Lekcja 20. Temat: Detektory. Lekcja 20 Temat: Detektory. Modulacja amplitudy. (AM z ang. Amplitude Modulation) jeden z trzech podstawowych rodzajów modulacji, polegający na kodowaniu sygnału informacyjnego (szerokopasmowego o małej

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET

Instrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008

Bardziej szczegółowo

rezonansu rezonansem napięć rezonansem szeregowym rezonansem prądów rezonansem równoległym

rezonansu rezonansem napięć rezonansem szeregowym rezonansem prądów rezonansem równoległym Lekcja szósta poświęcona będzie analizie zjawisk rezonansowych w obwodzie RLC. Zjawiskiem rezonansu nazywamy taki stan obwodu RLC przy którym prąd i napięcie są ze sobą w fazie. W stanie rezonansu przesunięcie

Bardziej szczegółowo

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję

Bardziej szczegółowo

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 009 przerzutnik bistabilny: charakteryzuje się dwoma stanami stabilnymi, w których może pozostawać nieskończenie długo. Przejście pomiędzy stanami następuje pod

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Podstawowe funkcje przetwornika C/A

Podstawowe funkcje przetwornika C/A ELEKTRONIKA CYFROWA PRZETWORNIKI CYFROWO-ANALOGOWE I ANALOGOWO-CYFROWE Literatura: 1. Rudy van de Plassche: Scalone przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, WKŁ 1997 2. Marian Łakomy, Jan Zabrodzki:

Bardziej szczegółowo