Repetytorium dyplomowe

Transkrypt

1 Repetytorium dyplomowe AUE I & AUE II Sylwia Borcuch Przemysław Stolarz

2

3 1. Wielkosygnałowy model Shichmana Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze liniowym obowiązuje w przedziale napięć: Przykładowa odpowiedź: dla UGS > UT i UDS > UGS UT POPRAWNA odpowiedź: dla UGS > UT i 0 < UDS < UGS UT Elementy i układy elektroniczne str /47

4 2. Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można wyznaczyć przy: Przykładowa odpowiedź: składowej stałej napięcia UDS = UGS UT POPRAWNA odpowiedź: składowej stałej napięcia UDS = const Elementy i układy elektroniczne str. 98 2/47

5 3. Częstotliwość graniczną ft tranzystora MOSFET wyznacza się przy: Przykładowa odpowiedź: galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej POPRAWNA odpowiedź: składowej zmiennej napięcia Uds = 0 Częstotliwość odcięcia (cut-off) jest częstotliwością przy której prąd wejściowy jest równy prądowi źródła sterowanego tranzystora przy zwartym wyjściu. Elementy i układy elektroniczne str /47

6 4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: Przykładowa odpowiedź: przecinają się z osią UCE w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) POPRAWNA odpowiedź: ekstrapolowane charakterystyki wyjściowe tranzystora w konfiguracji OE przecinają się z osią Uce w punkcie Uan, gdzie Uan to napięcie Early ego. Elementy i układy elektroniczne str. 71 4/47

7 5. Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego: Przykładowa odpowiedź: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem Elementy i układy elektroniczne str , 84 POPRAWNA odpowiedź: konduktancja wejściowa jest dużo większa niż konduktancja wyjściowa 5/47

8 6. Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα, fβ, ft tranzystora bipolarnego zachodzą relacje: Przykładowa odpowiedź: fβ < fα < ft POPRAWNA odpowiedź: fβ < ft < fα Elementy i układy elektroniczne str. 86 6/47

9 8. Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych. Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą: Rys.1Rys.2 Elementy i układy elektroniczne str. 164, 169 Przykładowa odpowiedź: Rys.1) UOUTmin = UEBP 0,7 V Rys.2) UOUTmin = 2UEBP 1,4 V 7/47

10 11. We wzmacniaczach RC, jeśli w tranzystorze nie uwzględnimy oddziaływania zwrotnego z wyjścia na wejście, to w konfiguracjach OE (Rys.5) lub OS (Rys.6) prawdziwe są zależności: Przykładowa odpowiedź: wraz ze zwiększaniem rezystancji źródła sterującego Rg rośnie rezystancja wejściowa wzmacniacza. Proponowane odpowiedzi: - rezystancja obciążenia RL nie ma wpływu na rezystancję wejściową wzmacniaczy, - wartości R1, R2 wpływają na skuteczne wzmocnienie napięciowe, - rezystancja RE ma wpływ na wzmocnienie dla małych częstotliwości - rezystancja wyjściowa nie zależy od obciążenia RL Elementy i układy elektroniczne str. 193, 194 8/47

11 12. W układzie na poniższym rysunku mamy: RC = 12 kω, RL = 12 kω, rbe = 4 kω, rce= 100 kω, rezystancje dzielnika R1 = 300 kω i R2 = 80 kω, Rg = 4 kω, współczynnik wzmocnienia prądowego β =100. Elementy i układy elektroniczne str. 193, 194 Skuteczne wzmocnienie napięciowe w tym układzie wynosi: Przykładowa odpowiedź: kus = 65 POPRAWNA odpowiedź: kus 70 (dokładnie ),, gdzie, gdzie skuteczne wzmocnienie napięciowe: 9/47

12 14. Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym ze źródłem stałoprądowym na tranzystorach PMOS z kanałem wzbogacanym. Transkonduktancje tranzystorów są równe: gmn = 0,1 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,005 ms. Rezystancja obciążenia RL = 200 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: Przykładowa odpowiedź: ku 10 ; rout 100 kω POPRAWNA odpowiedź: ku 6.67 ; rout = 100 kω 10/47

13 15. Inwerter CMOS jako małosygnałowy wzmacniacz OS. Transkonduktancje obydwóch tranzystorów są równe: gmn = 0,15 ms dla NMOS, gmp = 0,15 ms dla PMOS oraz konduktancje wyjściowe: gdsn = gdsp = 0,004 ms. Rezystancja obciążenia RL = 300 kω. Wzmocnienie i rezystancja wyjściowa układu są równe: Przykładowa odpowiedź: ku 13,28 ; rout 88,23 kω POPRAWNA odpowiedź: ku 26,47 ; rout = 125 kω 11/47

14 18. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach pnp (Rys. b)). Dla tego wzmacniacza poprawne są informacje: Przykładowa odpowiedź: Różnicowe napięcie na wyjściu niesymetrycznym Uo ma taką samą wartość jak napięcie różnicowe na wyjściu symetrycznym w układzie z obciążeniem symetrycznym (np. w postaci dwóch identycznych rezystorów RC). POPRAWNA odpowiedź: Składowa sumacyjna na wyjściu niesymetrycznym jest prawie całkowicie wyeliminowana, gdyż składowe sumacyjne tranzystorów T2 i T4 mają przeciwne znaki. Elementy i układy elektroniczne str /47

15 19. Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 ma/v ; gds1,2 = 0,002 ma/v ; gds3,4= 0,003 ma/v, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kω. Wzmocnienie dla sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą: k ur g ds2 g g m1 ds4 G L R o g ds2 1 g ds4 Przykładowa odpowiedź: kur 24,01 ; Ro 120,48 kω POPRAWNA odpowiedź: kur 24 ; Ro = 200 kω 13/47

16 20. Wzmacniacz operacyjny ze sprzężeniem prądowym, zrealizowanym na symetrycznym wzmacniaczu prądowym o częstotliwości granicznej 10 MHz i wzmocnieniu stałoprądowym ki = 4,1 w którym zastosowano: R1 = 10 kω, R2 = 50 kω (rysunek poniżej). 3dB-owa częstotliwość graniczna układu nieodwracającego wynosi: Przykładowa odpowiedź: fg = 50 MHz POPRAWNA odpowiedź: fg = 51 MHz f g f k 1 14/47

17 23. Symetryczny wtórnik emiterowy w klasie A (rysunek obok) : Spośród podanych informacji prawdziwe są? Elementy i układy elektroniczne str. 200 Przykładowa odpowiedź: Przy ui = 0, uo = UEBP 0 [V] Proponowane odpowiedzi: - napięcie ui może być dołączone poprzez kondensator sprzęgający, - w układzie zastosowano wstępną polaryzację tranzystorów za pomocą spadków napięć na diodach D1 i D2 15/47

18 24. We wzmacniaczu, którego wzmocnienie ku = 100, fg = 1 MHz zastosowano ujemne sprzężenie zwrotne, w którym transmitancja toru sprzężenia zwrotnego β = 0,01. Po zastosowaniu tego sprzężenia, parametry wzmacniacza będą wynosiły: Przykładowa odpowiedź: kuf = 10, fgf = 1,5 MHz POPRAWNA odpowiedź: kuf = 50, fgf = 2 Mhz Elementy i układy elektroniczne str. 220, /47

19 29. Wzmacniacze odwracający i nieodwracający, zrealizowano na wzmacniaczach operacyjnych (rysunek poniżej). Przy R1 = 10 kω; R2 = 100 kω; wzmocnienia układów wynoszą: układ odwracający; układ nieodwracający: Przykładowa odpowiedź: kuf = 10 kuf = 10 POPRAWNA odpowiedź: kuf = 10 kuf = 11 Elementy i układy elektroniczne str. 276, 279 Dla odwracającego: Dla nieodwracającego: 17/47

20 30. W integratorze (rysunek poniżej) zrealizowanym na rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym ( z kompensacją biegunem dominującym), ωg = 500 sec( ¹) ; ωt = ⁵sec( ¹) ; R1 = 10 kω; C = 10 nf; całkowanie zachodzi w paśmie: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: {0,5 10 {1 10 sec sec sec sec 9 ( 1) 5 ( 1) 1 ( 1) 5 ( 1) } } 18/47

21 31. Transmitancje filtrów bikwadratowych są następujące: dolno-przepustowej, górno-przepustowej, środkowo-przepustowej, środkowo-zaporowej Przykładowa odpowiedź: Elementy i układy elektroniczne str. 290 błędna odpowiedź dla filtru górno-przepustowego 19/47

22 32. Częstotliwość rezonansowa stratnego obwodu rezonansowego jest równa f0=10mhz, zaś jego dobroć Q0=20. Moduł impedancji Z tego obwodu rezonansowego maleje o 3 db względem wartości f0 przy częstotliwościach: Przykładowa odpowiedź: f1 = 9,85 MHz; f2 = 10,15 MHz POPRAWNA odpowiedź: f1 = 9,75 MHz; f2 = 10,25 MHz Elementy i układy elektroniczne str /47

23 37. W układzie z ograniczeniem prądu obciążenia (rysunek poniżej): UIN = 10 V, UOUT = 5 V, UZ2 = 3,3 V, UBEP = 0,7 V, UD = 0,7 V, IOUTmax = 0,5 A. Rezystancja R5 powinna być równa: Przykładowa odpowiedź: R5 = 6,6 Ω Elementy i układy elektroniczne str /47

24 39. Podstawowy układ sterowanego kontrolera napięcia stałego obniżającego napięcie (rysunek poniżej). Przy: UIN = 340 V, aby wartość napięcia wyjściowego wynosiła 24 V współczynnik wypełnienia przebiegu sterującego γ powinien wynosić: Przykładowa odpowiedź: γ 0,0706 V POPRAWNA odpowiedź: γ 0,0706 U O U I Elementy i układy elektroniczne cz. II str /47

25 40. Podstawowy układ konwertera podwyższającego napięcie wyjściowe (rysunek poniżej). Przy UIN = 12 V i współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: Przykładowa odpowiedź: UO = 10 V POPRAWNA odpowiedź: UO = 20 V U O U I 1 T U I 1 T 1 Elementy i układy elektroniczne cz. II str /47

26 42. Współbieżny konwerter napięcia stałego z pojedynczym kluczem i dodatkowym uzwojeniem z3 (rysunek poniżej). W układzie UIN = 320 V; z1 = z3; z2 = 0,1 z1. Przy współczynniku wypełnienia przebiegu sterującego γ = 0,4 wartość napięcia wyjściowego wynosi: Przykładowa odpowiedź: UO = 16,2 V POPRAWNA odpowiedź: UO = 12,8 V U O U p I dla I O I Okr Elementy i układy elektroniczne cz. II str /47

27 44. W stabilizatorach impulsowych jako klucze stosuje się: Przykładowa odpowiedź: Najczęściej tranzystory mocy VDMOS przy dużych częstotliwościach kluczowania i diody Schottky ego. Proponowane odpowiedzi: - szybkie tranzystory bipolarne (nie przy dużych częstotliwościach i mocach), - tranzystory IGBT przy większych mocach Wykład 10. Zasilacze impulsowe slajd 42 25/47

28 I

29 I 3. Generatory kwarcowe. Prawdziwe są informacje: Przykładowa odpowiedź: W generatorach Pierce a rezonator kwarcowy pracuje jako zastępcza indukcyjność Lz, o wartości szybko rosnącej z częstotliwością (praca w przedziale pulsacji ωs ωm ). Proponowane odpowiedzi: -generatory, w których rezonator wykorzystany jest jako selektywny element sprzęgający o małej rezystancji (praca przy pulsacji ωs) to generatory Butlera, - generatory, w których rezonator pracuje jako zastępcza indukcyjność Lz, o wartości szybko rosnącej z częstotliwością (praca w przedziale pulsacji ωm ωr ) to generatory Pierce a. Elementy i układy elektroniczne cz. II str /47

30 I 4. Generatory RC ze sprzężeniem zwrotnym. Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: W generatorze CR z mostkiem podwójne TT, ujemne sprzężenie zwrotne realizowane jest poprzez gałąź selektywną typu podwójne TT, a dodatnie poprzez dzielnik rezystancyjny w celu spełnienia warunku amplitudowego drgań oraz stabilizacji amplitudy tych drgań. Proponowane odpowiedzi: - częstotliwość w tych generatorach jest odwrotnie proporcjonalna do iloczynu RC - generatory RC nie są powszechnie stosowane jako generatory wzorcowej częstotliwości, ze względu na małą stabilność częstotliwościową - w generatorze RC z mostkiem Wiena, ujemne sprzężenie zwrotne realizowane jest poprzez nieliniowy dzielnik rezystancyjny w celu stabilizacji amplitudy drgań, a dodatnie sprzężenie zwrotne poprzez gałąź selektywną typu połowa mostka Wiena. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str /47

31 5. Układy transkonduktancyjne. Prawdziwe są informacje: Przykładowa odpowiedź: W układzie pojedynczo zrównoważonym Proponowana odpowiedź: W układzie podwójnie zrównoważonym AUE II T X u Y u 2, ; T Y X C m T X C T X C y m R u u R g u R I u tgh R u g I u ; Y X T C T X T X C R u u R I u tgh u tgh R I u T X u Y u 2, 28/47

32 I 6. Linearyzacja charakterystyk układu mnożącego w układzie Gilberta (rysunek poniżej) wymaga spełnienia warunków: Przykładowa odpowiedź: i i 2 1 i i A B Proponowana odpowiedź: i 1 i const, i 2 A i B const Elementy i układy elektroniczne cz. II, str /47

33 I 7. Podstawowe układy logarytmiczne (rysunek poniżej). Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Główną wadą prostego układu logarytmicznego jest silna zależność jego charakterystyki statycznej od temperatury, spowodowanej zmianami ϕt oraz IES. Proponowane odpowiedzi: - zmiana tranzystora npn na tranzystor pnp pozwala na realizację charakterystyki logarytmicznej dla ui < 0 (rys. b), - umieszczenie tranzystora w pętli sprzężenia zwrotnego wzmacniacza powoduje wzrost wzmocnienia napięciowego pętli i może być przyczyną niestabilności układu logarytmicznego. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str /47

34 I 9. Komparatory zatrzaskowe. Prawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Współczesne komparatory zatrzaskowe charakteryzują się dużą szybkością działania, ale małą rozdzielczością. Elementy i układy elektroniczne cz. II, str. 121 Proponowane odpowiedzi: - w komparatorze zatrzaskowym stosuje się przedwzmacniacz poprzedzający stopień śledząco-zatrzaskowy dla uzyskania wyższej rozdzielczości, a także minimalizacji tzw. zjawiska szybkiego powrotu (kickback effects), - stopień śledząco-zatrzaskujący wzmacnia sygnał z wyjścia przedwzmacniacza do wyższego poziomu w fazie śledzenia, a następnie wzmacnia go jeszcze bardziej w fazie zatrzaskiwania, gdzie zastosowane jest dodatnie sprzężenie zwrotne, - w komparatorze zatrzaskowym w stopniu końcowym stosuje się dodatnie sprzężenie zwrotne, - zjawisko kickback w komparatorach zatrzaskowych oznacza transfer ładunku albo do lub z wejścia, gdy stopień śledząco-zatrzaskujący przechodzi z fazy śledzenia do fazy zatrzaskiwania i wywoływany przez ładunek potrzebny do załączenia tranzystorów w obwodzie dodatniego sprzężenia zwrotnego, a także przez ładunek który musi być usunięty z wyłącznych tranzystorów w obwodzie śledzącym. 31/47

35 I 10. Komparatory z histerezą odwracającą i nieodwracającą zostały zrealizowane na wzmacniaczach operacyjnych, w których VOL = 4 V; VOH = + 4 V; R1 = 5,5 kω ; R2 = 50 kω. Progowe napięcia przełączania VTRP+ i VTRP w obu układach (rysunek poniżej) wynoszą: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: TRP odwracający: R1 TRP R1 V UOH 0.4; V UOL 0. 4 R R R R nieodwracający: TRP R1 TRP R1 V UOL 0.44; V UOH R R /47

36 I 11. Skokowo (od 300 khz do 340 khz) zwiększono częstotliwość synchronizującą generatora VCO w pętli pierwszego rzędu, o parametrach: Napięcie sterujące na wejściu VCO zmieni się ze stałą czasową τ równą? o wartość ΔUO równą? Przykładowa odpowiedź: τ = 0,5 ms ; ΔUO = 1 V POPRAWNA odpowiedź: τ = 2 ms ; ΔUO = 0,5 V 1 K U O i O k G Wykład 4. Układy z fazową pętlą sprzężenia zwrotnego - slajdy /47

37 I 12. Pętla fazowa w której zastosowano: wzmocnienie generatora VCO: kg = 2π 1 [rad] [MHz] [1/V]; wzmocnienie detektora fazy: kd = ⁴ [V/rad]; transmitancja filtru H(ω = 0) = 1. Zakres trzymania tej pętli fazowej wynosi: Przykładowa odpowiedź: ΔωT = 3,14 khz POPRAWNA odpowiedź: ΔωT = 31,4 khz T k G k D H(0) Elementy i układy elektroniczne cz. II, str /47

38 I 16. W dwupołówkowym prostowniku Graetza z obciążeniem rezystancyjno-pojemnościowym (stała czasowa obciążenia τ = RC >> 20 ms), zasilanym z sieci 230 V poprzez transformator sieciowy o przekładni obniżającej n = 23 (pominąć rezystancje uzwojeń i diod) średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: Przykładowa odpowiedź: 10 V u POPRAWNA odpowiedź: 14 V s u n we, ze względu na obciążenie rezystancyjno-pojemnościowe u O 1, 4 u s Elementy i układy elektroniczne cz. II, str /47

39 17. W prostowniku trójfazowym z obciążeniem rezystancyjnoindukcyjnym (stała czasowa obciążenia τ = L/R >> 20 ms ), zasilanym bezpośrednio z sieci 3x230 V średnia wartość napięcia na rezystancji obciążenia w przybliżeniu wynosi: Przykładowa odpowiedź: 191 V AUE II U sm u u s1 us2 u s 3 POPRAWNA odpowiedź: 269 V t 5 sin O U sm sin x dx 3 U sm U U 0, 83U 3 sm sm i 6 i 1 i2 i3 i i O t Wykład 2. Prostowniki niesterowane slajd 15 36/47

40 I 18. Zaletą stosowania modulacji przy przesyłaniu sygnałów są: Przykładowa odpowiedź: Możliwość rozdzielenia równocześnie przesyłanych sygnałów na tej samej częstotliwości nośnej (modulatory kwadraturowe). Proponowane odpowiedzi: - możliwość przekazania sygnałów oryginalnych na duże odległości przez kanał transmisyjny; warunkiem sprawnej transmisji jest, aby sygnał nadawany był widmowo dopasowany do kanału, - możliwość uodpornienia transmitowanych sygnałów na szumy i zakłócenia, - możliwość zwielokrotnienia sygnałów oryginalnych przesyłanych przez kanały poprzez zwielokrotnienie częstotliwościowe i czasowe, -modulacje są stosowane nie tylko do transmisji sygnałów (również w pomiarach i automatyce do zwiększenia dokładności pomiarów i sterowania). Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 6 37/47

41 I 19. Podstawowe rodzaje modulacji analogowych i cyfrowych. Wybierz prawidłowo zakwalifikowane modulacje: Przykładowa odpowiedź: Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 9 38/47

42 I 20. Dane są 4 funkcje modulujące (tabela poniżej). Prawidłowy zestaw modulacji AM dwuwstęgowej, jednowstęgowej, z falą nośną i bez fali nośnej odpowiadający poszczególnym funkcjom to: Przykładowa odpowiedź: POPRAWNA odpowiedź: Wykład 5. Modulacja i demodulacja amplitudy slajd 17 Funkcja modulująca 1 kxt kxt xt jxˆ t xt jxˆ t AM DSB AM DSB SC AM SSB SC górna wstęga AM SSB SC dolna wstęga 39/47

43 21. Prawidłowa kombinacja różnych rodzajów modulacji dla rzeczywistych funkcji przebiegów zmodulowanych (tabela poniżej) to: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: 40/47

44 22. Szerokość pasma sygnału FM, w którym dewiacja częstotliwości wynosi 75 khz, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: BFM 2 S - przybliżony wzór Carsona Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 18 41/47

45 23. Szerokość pasma sygnału PM, w którym dewiacja fazy ΔψPM = mφ = 5 jest stała, wyznaczona na podstawie przybliżonego wzoru Carsona dla sygnałów modulujących o różnych częstotliwościach: 1 khz, 4 khz i 8 khz, wynosi: Przykładowa odpowiedź: AUE II POPRAWNA odpowiedź: PM B 2 m 1 f S Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 25 42/47

46 I 24. Nieprawdziwe są informacje? Przykładowa odpowiedź: Znaczną poprawę stosunku sygnału do zakłócenia systemu FM uzyskuje się przez deemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie nadawczej i preemfazę charakterystyki częstotliwościowej po stronie odbiorczej. Proponowane odpowiedzi: - analiza sygnału PM przebiega identycznie jak sygnału FM przy założeniu, że sygnał modulujący jest całką sygnału informacyjnego, - systemy AM charakteryzuje duża odporność na zakłócenia, szumy i zanik selektywny, - najważniejsza różnica, decydująca o przewadze systemu PM nad systemem FM polega na tym, że szerokość pasma sygnału PM jest w przybliżeniu stała (dla różnych częstotliwości sygnału modulującego), - w porównaniu do systemów AM, systemy FM i PM charakteryzują się mniejszą odpornością na zakłócenia. Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajd 33 43/47

47 I 25. W modulatorze bezpośrednim, wykorzystującym generator LC z dwójnikiem reaktancyjnym w postaci diody pojemnościowej, pomiędzy dewiacją częstotliwości ΔF, a częstotliwością nośną F0 musi zachodzić związek: Przykładowa odpowiedź: Układy elektroniczne cz. II, str /47

48 I 28. Nie są prawdziwe następujące cechy synchronicznego demodulatora kluczowanego AM, porównując go z konwencjonalnymi detektorami diodowymi: Przykładowa odpowiedź: W przypadku sygnałów z równoczesną modulacją AM i FM, wielkość produktów intermodulacji między nośnymi jest dużo mniejsza. Proponowane odpowiedzi: - posiada większe szumy przy małych sygnałach, - charakteryzuje się mniejszą liniowością, - na wyjściu układu mnożącego demodulatora występują również niepożądane składniki, których widma są skoncentrowane wokół trzeciej harmonicznej częstotliwości nośnej, jednak ich odfiltrowanie nie stwarza problemów, - posiada gorsze właściwości szumowe od detektora wartości szczytowej. Układy elektroniczne cz. II, str /47

49 I 29. Nie są prawdziwe informacje, dotycząca koincydencyjnego demodulatora FM podwójnie zrównoważonego (rysunek poniżej): Wykład 6. Modulacja i demodulacja częstotliwości slajdy Przykładowa odpowiedź: Funkcję przesuwnika fazowego pełni układ złożony z kondensatora C i obwodu rezonansowego LC1 dostrojonego do częstotliwości nośnej F0 sygnału FM. Proponowane odpowiedzi: - działanie tego układu opiera się na analogowym mnożeniu dwóch sygnałów FM, z których jeden jest przesunięty względem drugiego o stały kąt ψ = const, - jest trudny do realizacji w technice scalonej, - sygnał modulujący, otrzymywany na wyjściu demodulatora, jest dwa razy mniejszy niż w przypadku demodulatora FM pojedynczo zrównoważonego. 46/47

50 I 30. Nie są prawdziwe informacje, dotyczące przemiany częstotliwości: Przykładowa odpowiedź: Operacja przemiany częstotliwości jest operacją nieliniową, analogiczną do procesu AM-S.C., z tą różnicą, że rolę sygnału modulującego odgrywa tutaj pasmowy sygnał użytkowy w. cz. o częstotliwości środkowej fs, na wyjściu zaś wykorzystywana jest tylko jedna wstęga boczna. Układy elektroniczne cz. II, str Proponowane odpowiedzi: - idealna przemiana częstotliwości polega na przesunięciu sygnału na osi częstotliwości z punktu fs do częstotliwości fp, nazywaną częstotliwością pośrednią, która najczęściej jest równa: fp = fh + fs, - wadą mieszacza podwójnie zrównoważonego jest to, że w sygnale wyjściowym występują składowe o częstotliwościach: fh i fs oraz nie występuje częściowa kompensacja składowych o częstotliwościach kombinacyjnych, - operacja przemiany częstotliwości jest operacją liniową, - nie zawsze występuje realne niebezpieczeństwo, że na wejściu mieszacza oprócz sygnału użytecznego przemiany pojawi się również sygnał lustrzany o częstotliwości: fl = fh + fp. 47/47

51 Dziękujemy za uwagę!