JEDNO- I DWUWARSTWOWE ORGANICZNE OGNIWA FOTOWOLTAICZNE
|
|
- Aniela Sobczak
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Jan GODLEWSKI Ryszard SIGNERSKI Grażyna JAROSZ Małgorzata OBAROWSKA Justyna SZOSTAK JEDNO- I DWUWARSTWOWE ORGANICZNE OGNIWA FOTOWOLTAICZNE STRESZCZENIE Omówiona została zasada działania organicznych ogniw fotowoltaicznych na przykładzie ogniw jedno- i dwuwarstwowych. Przedstawione zostały procesy prowadzące do fotogeneracji swobodnych nośników ładunku w układach organicznych, ze szczególnym uwzględnieniem procesu dyfuzji oraz dysocjacji ekscytonu na złączu dwóch materiałów. Przytoczone zostały podstawowe wyrażenia na wartość napięcia fotowoltaicznego dla układów jedno- i dwuwarstwowych oraz wybrane wyniki badań własnych dla ogniw dwuwarstwowych. Słowa kluczowe: fotowoltaika, materiały organiczne 1. WSTĘP Jeżeli w wyniku oświetlenia materiału zaopatrzonego w elektrody uzyskujemy napięcie lub przepływ prądu, to badany układ jest ogniwem fotowoltaicznym. W szczególności, gdy materiałem aktywnym ogniwa jest materiał organiczny, źródło napięcia nazywamy organicznym ogniwem fotowoltaicznym. Konstrukcja takiego ogniwa może być różnorodna. Pierwsze badane organiczne ogniwa fotowoltaiczne były układami jednowarstwowymi (pomiędzy elektrodami znajdował się jeden materiał organiczny), jednak ich sprawność była bardzo mała (~0,01%) [1, 2]. Obecnie wytwarza się jedno i wielozłączowe układy planarne oraz układy objętościowe [3-6], których wydajności prof. dr hab. Jan GODLEWSKI, dr inż. Ryszard SIGNERSKI, dr hab. inż. Grażyna JAROSZ dr Małgorzata OBAROWSKA, mgr inż. Justyna SZOSTAK [jago; ryszard; zofia; mabo; jszostak]@mif.pg.gda.pl Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej, Politechnika Gdańska ul. G. Narutowicza 11/12, Gdańsk PRACE INSTYTUTU ELEKTROTECHNIKI, zeszyt 264, 2014
2 82 J. Godlewski, R. Singerski, G. Jarosz, M. Obarowska, J. Szostak sięgają 10%. Do budowy ogniw organicznych wykorzystuje się małocząsteczkowe półprzewodniki organiczne, polimery, fulereny i ich pochodne. Jeśli w skład warstwy aktywnej wchodzi zarówno materiał organiczny, jak i nieorganiczny, ogniwa nazywamy hybrydowymi. Przykładem tego typu ogniw są ogniwa barwnikowe (ogniwa Grätzela), których wydajność jest najwyższa i w warunkach laboratoryjnych osiąga nawet 12% [7]. Z uwagi na szacowane niskie ceny produkcji, funkcjonalność, lekkość i elastyczność fotowoltaicznych ogniw organicznych i hybrydowych, ogniwa te cieszą się dużym zainteresowaniem badaczy oraz firm komercyjnych. 2. PODSTAWY DZIAŁANIA ORGANICZNYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH Organiczne ogniwa fotowoltaiczne w swojej istocie działania zdecydowanie różnią się od ogniw nieorganicznych. W wyniku absorpcji kwantów światła w materiale organicznym powstają ruchliwe stany wzbudzone nazywane ekscytonami. Gdy ekscytony docierają do złącza materiału organicznego z metalem, materiałem organicznym czy półprzewodnikiem nieorganicznym, może dochodzić do dysocjacji tych stanów wzbudzonych na swobodne nośniki ładunku elektron i dziurę. Najprostszym przykładem organicznego ogniwa fotowoltaicznego jest układ zawierający jedną warstwę materiału organicznego, umieszczoną pomiędzy elektrodami metalicznymi. Schematycznie ogniwo takie przedstawia rysunek 1. Na rysunku tym pokazany został mechanizm iniekcji ekscytonowej nośnika ładunku, w tym przypadku dziury do materiału organicznego, z udziałem elektrody metalicznej. Rys. 1. Schemat jednowarstwowego organicznego ogniwa fotowoltaicznego z elektrodami metalicznymi przedstawiający mechanizm iniekcji ekscytonowej dziury do materiału molekularnego za pośrednictwem elektrody. E F poziom Fermiego elektrod, HOMO najwyższy obsadzony orbital molekularny, LUMO najniższy nieobsadzony orbital molekularny
3 Jedno- i dwuwarstwowe organiczne ogniwa fotowoltaiczne 83 Ekscyton, po dotarciu do elektrody metalicznej, dysocjuje na dwa nośniki ładunku przeciwnego znaku; elektron i dziurę. Elektron przekazany zostaje do metalu, a dziura przemieszcza się przez materiał molekularny do przeciwnej elektrody. W ten sposób uzyskujemy napięcie fotowoltaiczne lub przepływ prądu w obwodzie zewnętrznym. Istotne znaczenie dla uzyskania dużej wydajności zjawiska fotowoltaicznego ma długość drogi dyfuzji ekscytonu l, którą można zdefiniować jako średnią odległość pokonywaną przez ekscytony w czasie życia. Duża wartość drogi dyfuzji umożliwia uzyskanie dużego strumienia ekscytonów dysocjujących na elektrodzie, a więc dużej ilości wstrzykiwanych nośników ładunku. Strumień ekscytonów, który zależy także od natężenia padającego światła I 0, współczynnika absorpcji i od szybkości wygaszania ekscytonów, można obliczyć, rozwiązując równanie dyfuzji ekscytonów [5, 8]. Otrzymany wynik pozwala łatwo wyznaczyć napięcie fotowoltaiczne U ph obwodu otwartego dla ogniwa jednowarstwowego o grubości warstwy organicznej d [9]. Całkując równanie opisujące gęstość prądu (dziurowego) j: j = e p(x)e(x) ktdp(x)/dx = 0 (1) w którym e oznacza ładunek elementarny, T temperaturę, k stałą Boltzmana, ruchliwość dziur, p(x) koncentrację dziur, a E(x) natężenie pola elektrycznego w punkcie x znajdujemy: U ph = (kt/e) ln[p(0)/p(d)]. (2) W wyrażeniu (2) p(0) oznacza koncentrację dziur na elektrodzie oświetlonej, a p(d) koncentrację dziur na tylnej elektrodzie. Jeżeli założymy dalej, że na obu (takich samych) elektrodach dominuje ekscytonowa iniekcja dziur, czyli otrzymamy: p(0) ~ (0) i p(d) ~ (d) (3) U ph = (kt/e) ln[ (0)/ (d)], (4) gdzie (0) oznacza strumień ekscytonów na elektrodzie oświetlanej, a (d) na elektrodzie tylnej. Obliczenie tych strumieni [9] prowadzi do następujących wyrażeń: U ph (kt/e) d/l, (5) gdy l >> 1 (silna absorpcja światła) oraz U ph (kt/e) d. (6) dla l << 1 (słaba absorpcja). Ponieważ obydwa strumienie (0) i (d) są proporcjonalne do natężenia światła I 0, wyrażenia (5) i (6) przedstawiają niezależną od I 0 wartość napięcia fotowoltaicznego.
4 84 J. Godlewski, R. Singerski, G. Jarosz, M. Obarowska, J. Szostak Można zauważyć, że często obserwowaną doświadczalnie zależność U ph ~ ln I 0 (7) otrzymujemy, gdy np. koncentracja p(d) nie zależy od natężenia światła. W sytuacji, gdy koncentracje nośników ładunku na elektrodach uwarunkowane są również innymi procesami generacyjno-rekombinacyjnymi, zależność U ph (I 0 ) jest bardziej złożona [5]. Procesem, który ogranicza wydajność jednowarstwowego ogniwa fotowoltaicznego, jest wychwyt dziury powstającej podczas dysocjacji ekscytonu przy elektrodzie. W celu uniknięcia tego niekorzystnego procesu, stosuje się ogniwa dwuwarstwowe. Schemat takiego ogniwa został przedstawiony na rysunku 2. W ogniwach dwuwarstwowych generacja pary nośników ładunku odbywa się poza elektrodą, na złączu dwóch różnych materiałów organicznych. Jeden z nich nazywany jest donorem, drugi zaś akceptorem elektronów. Wolne nośniki ładunku powstające w obydwu materiałach przemieszczają się w stronę odpowiednich elektrod na skutek gradientu koncentracji oraz pola wewnętrznego. Dziury poprzez warstwę donora docierają do anody, zaś elektrony poprzez warstwę akceptora do katody. Materiały organiczne używane w ogniwach donorowo-akceptorowych muszą być odpowiednio dobrane pod względem położenia poziomów energetycznych HOMO i LUMO, odpowiedzialnych za absorpcję światła i wydajną dysocjację ekscytonów na złączu tych materiałów. Położenie poziomów HOMO i LUMO w tych materiałach ma także wpływ na maksymalne napięcie fotowoltaiczne, które można uzyskać w ogniwie dwuwarstwowym. Wartość maksymalnego napięcia fotowoltaicznego U ph, uzyskana na skutek oświetlenia rozpatrywanego złącza, można zapisać następująco: U ph = (LUMO A HOMO D )/e, (8) gdzie HOMO D oznacza położenie poziomu HOMO donora, a LUMO A położenie poziomu LUMO akceptora (zgodnie z oznaczeniami przedstawionymi na rysunku 2), natomiast jest pewną energią związaną z różnymi stratami na złączu i elektrodach. Rys. 2. Schemat poziomów energetycznych w ogniwie dwuwarstwowym. E F poziom Fermiego elektrod
5 Jedno- i dwuwarstwowe organiczne ogniwa fotowoltaiczne 85 Należy mieć na uwadze, że wydajność ogniwa dwuwarstwowego jest także ograniczona, ze względu na zakres absorpcji materiałów organicznych wchodzących w skład ogniwa, jak i niewielkie długości dyfuzji ekscytonów w tych materiałach. Tylko te ekscytony, które powstają w odległości od złącza donor/akceptor nie większej niż długość dyfuzji, przyczyniają się do generacji wolnych nośników ładunku. W celu wyeliminowania tego ograniczenia, wytwarza się ogniwa objętościowe, w których złącze donora i akceptora występuje w całej objętości warstwy aktywnej zbudowanej z mieszaniny tych dwóch materiałów. Dzięki temu większy odsetek ekscytonów jest w stanie dotrzeć do interpowierzchni donor/akceptor, co prowadzi do wzrostu wydajności ogniwa. Niezbędnym jest więc wytworzenie złącza objętościowego o określonej uporządkowanej strukturze, w której występują ścieżki perkolacyjne, umożliwiające dotarcie swobodnych nośników ładunku do odpowiednich elektrod. 3. WYBRANE CHARAKTERYSTYKI ORGANICZNEGO OGNIWA DWUWARSTWOWEGO W tym paragrafie przedstawione zostaną przykładowe charakterystyki spektralne i natężeniowe prądu zwarcia oraz prądowo-napięciowe organicznego ogniwa dwuwarstwowego. Ogniwo zostało wytworzone metodą próżniowego naparowania kolejnych warstw na podłoże szklane częściowo pokryte tlenkiem indowo-cynowym (ITO). Tą drogą wytworzona została struktura o następującej kolejności warstw ITO/CuPc/MePTCDI/Ag. Grubości warstw organicznych, tj. ftalocyjaniny miedzi (CuPc) oraz barwnika perylenowego (MePTCDI - N,N -dimetyloperyleno-3,4,9,10-bis(dikarboksyloimid)), wynosiły 80 nm, a grubość elektrody srebrnej 40 nm. Strukturę chemiczną tych związków przedstawia rysunek 3. Więcej informacji o wytworzeniu próbek, własnościach użytych materiałów organicznych i metodyce pomiarów, zawiera praca [10]. Rys. 3. Budowa chemiczna cząsteczki barwnika perylenowego MePTCDI oraz cząsteczki ftalocyjaniny miedzi CuPc Rysunek 4 przedstawia zależności gęstości prądu zwarcia od długości fali padającego promieniowania j sc ( ) dla układu oświetlonego od strony ITO (1) i od strony Ag (2) oraz znormalizowane widma absorpcji warstw CuPc (3) i MePTCDI (4). W pomia-
6 86 J. Godlewski, R. Singerski, G. Jarosz, M. Obarowska, J. Szostak rach wartości j sc ( ) uwzględniono transmisję elektrod. Przebieg obydwu zależności wyraźnie dowodzi, że obszarem, w którym następuje fotogeneracja nośników ładunku, jest interpowierzchnia CuPc/MePTCDI. Nośniki ładunku powstają w wyniku dysocjacji ekscytonów na tej interpowierzchni, a ich ilość uwarunkowana jest transmisją światła przez warstwę organiczną, do której wnika światło po przejściu przez elektrodę oświetloną [3, 4]. Różnice w położeniu maksimów w widmie absorpcji i widmie j sc ( ) wynikają ze skończonej wartości długości drogi dyfuzji ekscytonów. W przypadku heterozłącza CuPc/MePTCDI, układ poziomów energetycznych HOMO i LUMO materiałów organicznych umożliwia wydajną dysocjację ekscytonów polegającą na przejściu wzbudzonego elektronu do MePTCDI, podczas gdy dziura pozostaje w CuPc. Dlatego CuPc jest donorem elektronów, a MePTCDI akceptorem elektronów. Swobodne nośniki ładunku wytworzone w procesie dysocjacji ekscytonu mogą się przemieszczać w stronę odpowiednich elektrod dziura w stronę ITO, a elektron w stronę Ag. Rys. 4. Charakterystyki spektralne gęstości prądu zwarcia j sc ( ) otrzymane dla układu ITO/CuPc/MePTCDI/Ag, przy oświetleniu od strony ITO (1) i Ag (2). Widmo absorpcji pojedynczych warstw CuPc (3) i MePTCDI (4) Na rysunku 5 przedstawiona jest zależność gęstości prądu zwarcia w omawianym układzie od natężenia światła I 0, przy długości fali = 700 nm (jest to obszar absorpcji CuPc). Jak widać, w zakresie natężenia światła do I 0 = fotonów/(cm 2 s) zależność ta jest prawie liniowa. Oznacza to, że w tym zakresie natężenia światła w obszarze złącza dominuje rekombinacja monomolekularna. Dla większych natężeń światła zależność j sc (I 0 ) staje się wyraźnie podliniowa. Możemy to interpretować jako wzrost udziału rekombinacji bimolekularnej lub wygaszania ekscytonów poprzez oddziaływanie ekscyton ekscyton lub ekscyton nośnik ładunku.
7 Jedno- i dwuwarstwowe organiczne ogniwa fotowoltaiczne 87 Rys. 5. Charakterystyka natężeniowa gęstości prądu zwarcia j sc otrzymana dla układu ITO/CuPc/MePTCDI/Ag przy oświetleniu od strony elektrody ITO światłem o długości fali = 700 nm Rys. 6. Charakterystyki prądowo-napięciowe otrzymane dla układu ITO/CuPc/MePTCDI/Ag: charakterystyka bez oświetlenia (1) oraz otrzymana przy oświetleniu układu światłem o długości fali = 700 nm i natężeniu I 0 = foton/(cm 2 s) przy oświetleniu od strony elektrody ITO (2). Wstawka przedstawia te charakterystyki w skali półlogarytmicznej Rysunek 6 przedstawia charakterystyki prądowo-napięciowe układu nieoświetlonego i oświetlonego światłem monochromatycznym o długości fali = 700 nm i natężeniu I 0 = fotonów/(cm 2 s). Przyjęto, że napięcie jest dodatnie dla polaryzacji +ITO/-Ag.
8 88 J. Godlewski, R. Singerski, G. Jarosz, M. Obarowska, J. Szostak Widać, że dla układu nieoświetlonego charakterystyka prądowo-napięciowa silnie zależy od polaryzacji. Przykładowo, stosunek gęstości prądów dla różnych polaryzacji wynosi ok. 70 przy napięciu U = 1 V. Dla polaryzacji zaporowej (-ITO/+Ag) prąd jest wynikiem termicznej generacji nośników ładunku w heterozłączu CuPc/MePTCDI. Dla kierunku przewodzenia (+ITO/-Ag) przez układ płynie prąd nośników ładunku wstrzykniętych z elektrod (dziur z ITO i elektronów z Ag), które rekombinują w heterozłączu. W przypadku układu oświetlonego obserwujemy dodatkowo proces fotogeneracji nośników poprzez dysocjację ekscytonów na interpowierzchni CuPc/MePTCDI. Dla polaryzacji zaporowej ten właśnie proces sprawia, że fotoprąd jest około 40 razy większy od prądu ciemnego (przy U = -1 V). Dla układu spolaryzowanego w kierunku przewodzenia charakterystyka fotoprądu przecina charakterystykę prądu ciemnego przy napięciu nieco większym od napięcia obwodu otwartego, a dla U = 1 V fotoprąd jest ok. dwukrotnie większy od prądu ciemnego. Efekt ten może być związany z fotogeneracją nośników poprzez dysocjację ekscytonów na złączu CuPc/MePTCDI. W tym przypadku elektrony powinny przemieszczać się przez warstwę CuPc w stronę elektrody ITO, a dziury mogą rekombinować przy interpowierzchni CuPc/MePTCDI z elektronami docierającymi od strony elektrody Ag. Istnieją także inne możliwe wyjaśnienia tego efektu. Może on być spowodowany obecnością procesu ekscytonowego uwalniania spułapkowanych dziur w warstwie CuPc lub procesu dysocjacji ekscytonów przy elektrodzie ITO i iniekcji dziur do CuPc. Przedstawione wyżej wyniki badań układu ftalocyjanina miedzi/barwnik perylenowy pozwalają zidentyfikować procesy fizyczne, które determinują zjawisko fotowoltaiczne w tym układzie. Jednak otrzymana wartość wydajności konwersji mocy wynosząca ok. 0,1% (światło monochromatyczne, oświetlenie przez ITO) wskazuje, że układ ten nie jest dobrym ogniwem fotowoltaicznym. Głównymi przyczynami tak małej wydajności jest degradacja zjawiska fotowoltaicznego występująca w układzie badanym w powietrzu oraz niezoptymalizowana pod względem grubości warstw struktura układu. Poprawę wyników można także uzyskać, wprowadzając odpowiednie przyelektrodowe warstwy buforowe [10]. 4. WNIOSKI W pracy omówiono fizyczne podstawy funkcjonowania organicznych ogniw jedno- i dwuwarstwowych. Przedstawiono własne wyniki badań układu dwuwarstwowego ftalocyjanina miedzi/barwnik perylenowy. Układ ten wykazuje wyraźny efekt fotowoltaiczny związany z dysocjacją ekscytonów na granicy dwóch materiałów organicznych, ale w celu uzyskania lepszej wydajności konwersji mocy należy przeprowadzić optymalizację jego architektury. Podziękowania Praca częściowo finansowana ze środków Narodowego Centrum Nauki w ramach projektu NN
9 Jedno- i dwuwarstwowe organiczne ogniwa fotowoltaiczne 89 LITERATURA 1. Ghosh A.K., Morel D.L., Feng T., Shaw R.F., Rowe C.A.: Photovoltaic and rectification properties of AL/Mg phthalocyanine/ag Schottky-barrier cells. J. Appl. Phys., 45, 230, Chamberlain G.A.: Organic solar cells: A review. Solar Cells, 8, 47, Tang C.W.: Two-layer organic photovoltaic cell. Appl. Phys. Lett., 48, 183, Hoppe H. Sariciftci N.S.: Organic solar cells: An ovierview. J. Mater. Res., 19, 1924, Pope M., Swenberg C.E.: Electronic processes in organic crystals and polymers. Oxford University Press, Hosel M., Angmo D., Krebs F. C.: Organic solar cells., str. 473, Handbook of organic materials for opical and (opto)electronic devices, Woodhead Publishing Limited, Oxford, Yella A., Grätzel M. et al.: Porphyrin-Sensitized Solar Cells with Cobalt (II/III) Based Redox Electrolyte Exceed 12 Percent Efficiency. Science, vol. 334, Godlewski J., Obarowska M., Optical, photoluminescent and electroluminescent properties of organic materials, str. 245, Handbook of organic materials for optical and optoelectronic devices, Properties and applications, Woodhead Publishing Limited, Oxford, Godlewski J.: Wstęp do elektroniki molekularnej. Politechnika Gdańska, Gdańsk Signerski R., Jarosz G.: Effect of buffer layers on performance of organic photovoltaic devices based on copper phthalocyanine-perylene dye heterojunction. Opto-electron. Review, 19, Rękopis dostarczono dnia r. SINGLE AND DOUBLE-LAYER ORGANIC SOLAR CELLS Jan GODLEWSKI, Ryszard SIGNERSKI, Grażyna JAROSZ, Małgorzata OBAROWSKA, Justyna SZOSTAK ABSTRACT This article explains operational principles of organic solar cells for one-layer and bilayer planar devices. A short description of processes leading to photogeneration of free charge carriers, with special emphasis on exciton diffusion to a junction of two materials followed by exciton dissociation at this junction is given. Basic equations for photovoltage obtained for one- and bilayer devices are presented. Moreover, chosen results of research run by our group for bilayer planar solar cells are shown. Keywords: photovoltaics, organic materials
10 90 J. Godlewski, R. Singerski, G. Jarosz, M. Obarowska, J. Szostak Profesor Jan GODLEWSKI wieloletni pracownik Wydziału Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Politechniki Gdańskiej. Kierownik zespołu badawczego Katedry Fizyki Zjawisk Elektronowych, zajmującego się badaniem zjawisk przewodnictwa i fotoprzewodnictwa oraz procesów pułapkowania i uwalniania nośników ładunku w materiałach molekularnych. Autor i współautor kilkudziesięciu publikacji z listy filadelfijskiej, licznych monografii i skryptów, dwóch patentów oraz wielu artykułów popularnonaukowych.
STRUKTURY FOTOWOLTAICZNE Z PLANARNYM HETEROZŁĄCZEM PÓŁPRZEWODNIK II-VI / PÓŁPRZEWODNIK MOLEKULARNY
Ryszard SIGNERSKI Grażyna JAROSZ Justyna SZOSTAK Jan GODLEWSKI STRUKTURY FOTOWOLTAICZNE Z PLANARNYM HETEROZŁĄCZEM PÓŁPRZEWODNIK II-VI / PÓŁPRZEWODNIK MOLEKULARNY STRESZCZENIE Artykuł przedstawia wybrane
Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa
j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie
IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Konfiguracja modułu fotowoltaicznego
LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI Ćwiczenie 8 Konfiguracja modułu fotowoltaicznego Cel ćwiczenia: Zapoznanie studentów z działaniem modułów fotowoltaicznych, oraz różnymi konfiguracjami połączeń tych modułów.
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Organiczne ogniwa słonecznes. Tydzień temu. Energia słonecznas
Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Tydzień temu 1. W diodach LED wykoanaych z półprzewodników nieorganicznych rekombinacja promienista zachodzi w obszarze złącza 2. W jednowarstwowych
Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
i elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.
Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Półprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Przejścia optyczne w strukturach niskowymiarowych
Współczynnik absorpcji w układzie dwuwymiarowym można opisać wyrażeniem: E E gdzie i oraz f są energiami stanu początkowego i końcowego elektronu, zapełnienie tych stanów opisane jest funkcją rozkładu
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Akademickie Centrum Czystej Energii. Ogniwo paliwowe
Ogniwo paliwowe 1. Zagadnienia elektroliza, prawo Faraday a, pierwiastki galwaniczne, ogniwo paliwowe 2. Opis Główną częścią ogniwa paliwowego PEM (Proton Exchange Membrane) jest membrana złożona z katody
Zasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY. Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY W CIAŁACH ACH STAŁYCH Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir Co to sąs ekscytony? ekscyton to
Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii
P O L I T E C H N I K A G D A Ń S K A Sprawozdanie z laboratorium proekologicznych źródeł energii Temat: Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych modułu ogniw fotowoltaicznych i sprawności konwersji
Czym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Ćwiczenie Nr 5. Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Fotowoltaiki Ćwiczenie Nr 5 Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie
Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM
Laboratorium z Konwersji Energii Ogniwo Paliwowe PEM 1.0 WSTĘP Ogniwo paliwowe typu PEM (ang. PEM FC) Ogniwa paliwowe są urządzeniami elektro chemicznymi, stanowiącymi przełom w dziedzinie źródeł energii,
Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski
Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Photovoltaic and Sensors in Environmental Development of Malopolska Region ZWIĘKSZANIE WYDAJNOŚCI SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH Plan prezentacji
Ćwiczenie Nr 1. Pomiar charkterystyk jasnych i ciemnych ogniw słonecznych różnych typów
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Fotowoltaiki Ćwiczenie Nr 1 Pomiar charkterystyk jasnych i ciemnych ogniw słonecznych różnych typów Wstęp teoretyczny Ogniwo fotowoltaiczne
Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Ćwiczenie 134. Ogniwo słoneczne
Ćwiczenie 134 Ogniwo słoneczne Cel ćwiczenia Zapoznanie się z różnymi rodzajami półprzewodnikowych ogniw słonecznych. Wyznaczenie charakterystyki prądowo-napięciowej i sprawności przetwarzania energii
1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym
Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
WŁAŚCIWOŚCI FOTOWOLTAICZNE MIESZANIN AZOMETIN Z POLIMERAMI TIOFENOWYMI.
łowa kluczowe: fotowoltaika organiczna, ogniwa słoneczne, PCBM, azometiny,p3ht Elżbieta M. WAK 1, Marzena GRUCELA 2, Ewa CHAB-BLCERZAK 2, Jerzy AETRA 3 WŁAŚCIWŚCI FTWLTAICZE MIEZAI AZMETI Z PLIMERAMI TIFEWYMI.
Ćwiczenie nr 23. Charakterystyka styku między metalem a półprzewodnikiem typu n. str. 1. Cel ćwiczenia:
Ćwiczenie nr 23 Charakterystyka styku między metalem a półprzkiem typu n. Cel ćwiczenia: Wyznaczanie charakterystyki napięciowo - prądowej złącza metal-półprzk n oraz zaobserwowanie działania elementów
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest zapoznanie z podstawami zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną,
III. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz
Wykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Wykład VII Detektory I
Wykład VII Detektory I Rodzaje detektorów Parametry detektorów Sygnał na wyjściu detektora zależy od długości fali (l), powierzchni światłoczułej (A) i częstości modulacji (f), polaryzacji (niech opisuje
L E D light emitting diode
Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy
Elektronika z plastyku
Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953
Badanie ogniwa fotowoltaicznego
Badanie ogniwa fotowoltaicznego Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi wiadomościami na temat ogniw fotowoltaicznych oraz wyznaczenie: zależności prądu fotoogniwa od natężenia oświetlenia, charakterystyk
Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Badania i rozwój technologii ogniw PV
Badania i rozwój technologii ogniw PV Autor: dr inż. Katarzyna Siuzdak, mgr inż. Maciej Klein, mgr inż. Mariusz Szkoda Instytut Maszyn Przepływowych PAN, Gdańsk ("Czysta Energia" - 12/2014) W ostatnich
Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Wykład VIII. Detektory fotonowe
Wykład VIII Detektory fotonowe Półprzewodnik w polu elektrycznym dep F dx dv e ( x) ( e) dx dv ( x) dx ( x) const c V cx E p cex Detektory fotoprzewodzące ( t) q[ n( t) p( t) ] n p n p g op n ( t) qg op
Laboratorium z Elektrochemii Ciała Stałego
Laboratorium z Elektrochemii Ciała Stałego Ćwiczenie nr 4 Ogniwa fotowoltaiczne Spis treści 1. Cel ćwiczenia... 2 2. Fotoprzewodnictwo... 2 3. Ogniwa fotowoltaiczne... 3 3.1. Historia rozwoju technologii...
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
WPŁYW TRAWIENIA CHEMICZNEGO NA PARAMETRY ELEKTROOPTYCZNE KRAWĘDZIOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH Joanna Kalbarczyk, Marian Teodorczyk, Elżbieta Dąbrowska, Konrad Krzyżak, Jerzy Sarnecki kontakt srebrowy kontakt
V. Fotodioda i diody LED
1 V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod elektroluminescencyjnych. Wyznaczenie zależności prądu zwarcia i napięcia rozwarcia fotodiody od
Wyznaczanie parametrów baterii słonecznej
Wyznaczanie parametrów baterii słonecznej Obowiązkowa znajomość zagadnień Działanie ogniwa fotowoltaicznego. Złącze p-n. Parametry charakteryzujące ogniwo fotowoltaiczne. Zastosowanie ogniw fotowoltaicznych.
SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Badanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Struktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Ć W I C Z E N I E N R E-19
INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII MATERIAŁÓW POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA PRACOWNIA ELEKTRYCZNOŚCI I MAGNETYZMU Ć W I C Z E N I E N R E-19 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI PRĄDOWO-NAPIĘCIOWEJ,
Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
dr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej
dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych
Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Przejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Rozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
BADANIE ZEWNĘTRZNEGO ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNEGO
ĆWICZENIE 91 BADANIE ZEWNĘTRZNEGO ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNEGO Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(U) fotokomórki w zależności od wartości strumienia promieniowania padającego;
W książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE. Ćwiczenie nr 2 Temat: Wyznaczenie współczynnika elektrochemicznego i stałej Faradaya.
LABOATOIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE Ćwiczenie nr Temat: Wyznaczenie współczynnika elektrochemicznego i stałej Faradaya.. Wprowadzenie Proces rozpadu drobin związków chemicznych
Energia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n. Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
POLITECHNIKA ŁÓDZKA WYDZIAŁ CHEMII KATEDRA FIZYKI MOLEKULARNEJ Izabela Tszydel Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
UMO-2011/01/B/ST7/06234
Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet
II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne
Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)
Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic
O złączu p-n możliwie najprościej
O złączu p-n możliwie najprościej strona 1/10 Robert Pełka Złącze p-n, warstwa graniczna między półprzewodnikami typu p i typu n, jest bez wątpienia jednym z najważniejszych obiektów badanych przez fizyków.
Efekt fotoelektryczny
Ćwiczenie 82 Efekt fotoelektryczny Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest obserwacja efektu fotoelektrycznego: wybijania elektronów z metalu przez światło o różnej częstości (barwie). Pomiar energii kinetycznej
Elektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Ćwiczenie nr 4 Ogniwa fotowoltaiczne
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Chemii Nieorganicznej Ćwiczenie nr 4 Ogniwa fotowoltaiczne Spis treści 1. Cel ćwiczenia...
Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI
Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI I. Zagadnienia do opracowania. 1. Struktura pasmowa ciał stałych. 2. Klasyfikacja ciał stałych w oparciu o teorię
Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych.
Politechnika Łódzka Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Niekonwencjonalne źródła energii Laboratorium Ćwiczenie 1
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Nanorurki w służbie fotowoltaiki
Nanorurki w służbie fotowoltaiki Autorzy: dr inż. Kamila Żelechowska, inż. Adam Wróbel, Katedra Fizyki Zjawisk Elektronowych, Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej, Politechnika Gdańska (
SOLARNA. Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną. EKOSERW BIS Sp. j. Mirosław Jedrzejewski, Zbigniew Majchrzak
Moduły fotowoltaiczne oraz kompletne systemy przetwarzające energię słoneczną ENERGIA SOLARNA Fotowoltaika Do Ziemi dociera promieniowanie słoneczne zbliżone widmowo do promieniowania ciała doskonale czarnego
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Rozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach