BADANIE PRZETWORNICY BUCK Z ELEMENTAMI PÓŁPRZEWODNIKOWYMI Z WĘGLIKA KRZEMU. INVESTIGATIONS OF A BUCK CONVERTER WITH SiC SEMICONDUCTOR DEVICES
|
|
- Ryszard Kubiak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 ELEKTRYKA 211 Zeszyt 1 (217) Rok LVII Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI, Przemysław PTAK Katera Elektroniki Morskiej, Akaemia Morska w Gyni BADANIE PRZETWORNICY BUCK Z ELEMENTAMI PÓŁPRZEWODNIKOWYMI Z WĘGLIKA KRZEMU Streszczenie. Praca otyczy baania wpływu zastąpienia krzemowych elementów półprzewonikowych elementami wykonanymi z węglika krzemu w przetwornicy BUCK na charakterystyki tej przetwornicy. Zaprezentowano wyniki pomiarów rozważanej przetwornicy uzyskane la 3 zestawów elementów półprzewonikowych: krzemowego tranzystora MOSFET i krzemowej ioy, tego samego tranzystora i ioy z węglika krzemu oraz tranzystora MESFET i ioy wykonanych z węglika krzemu. Baania przeprowazono la różnych wartości rezystancji obciążenia oraz częstotliwości i współczynnika wypełnienia sygnału sterującego. Słowa kluczowe: przetwornica BUCK, węglik krzemu INVESTIGATIONS OF A BUCK CONVERTER WITH SiC SEMICONDUCTOR DEVICES Summary. The paper refers research of the influence of the replacement of silicon semiconuctor evices by evices prouce from silicon carbie in the BUCK converter on the characteristics of this converter. Results of measurement of the consiere converter obtaine for three sets of semiconuctor evices: the silicon MOSFET an the silicon ioe, the same transistor an the ioe from the silicon carbie as well as the MESFET from the silicon carbie an the ioe from the silicon carbie are presente. Investigations were performe for ifferent values of the loa resistance, as well as ifferent values of frequency an the uty factor of the control signal. Keywors: BUCK converter, silicon carbie 1. WPROWADZENIE Przetwornica BUCK należy o najpopularniejszych ukłaów impulsowego przetwarzania energii elektrycznej. Przetwornica ta jest wykorzystywana typowo w ukłaach zasilających o mocy wyjściowej o kilkuset watów [1] i zawiera, oprócz elementów biernych, wa elementy półprzewonikowe tranzystor i ioę. W klasycznych rozwiązaniach są wykorzystywane krzemowe elementy półprzewonikowe.
2 8 K. Górecki, J. Zarębski, P. Ptak W ciągu ostatnich kilku lat na rynku pojawiły się również półprzewonikowe elementy mocy wykonane z węglika krzemu, charakteryzujące się większą wytrzymałością napięciową i krótszym czasem przełączania, w porównaniu z elementami krzemowymi [3, 4]. W niniejszej pracy, stanowiącej rozszerzoną wersję pracy [5], przestawiono wyniki baań eksperymentalnych rozważanej przetwornicy, w której kolejno zastosowano elementy półprzewonikowe wykonane z krzemu oraz z węglika krzemu. 2. ANALIZOWANA PRZETWORNICA Schemat baanej przetwornicy pokazano na rys.1. Rys. 1. Schemat baanej przetwornicy BUCK Fig. 1. The iagram of the investigate BUCK converter W rozważanej przetwornicy wykorzystano ławik L o inukcyjności 14 H, konensator C o pojemności 1 F oraz trzy, wymienione uprzenio, pary półprzewonikowych elementów kluczujących. W pierwszym zestawie, nazywanym alej przetwornicą P1, zastosowano krzemowy tranzystor MOSFET typu IRF54 oraz krzemową ioę Schottky ego typu 1N5822. Drugi zestaw, nazywany alej przetwornicą P2, zawiera krzemowy tranzystor MOSFET typu IRF54 oraz ioę Schottky ego z węglika krzemu typu SDP4S6. Z kolei, trzeci zestaw, nazywany alej przetwornicą P3, zawiera tranzystor MESFET z węglika krzemu typu CRF241 oraz ioę Schottky ego z węglika krzemu typu SDP4S6. Sygnał sterujący, reprezentowany na rys.1 przez źróło napięciowe U ster, jest wytwarzany przez monolityczny sterownik PWM typu UC3842. Sterownik ten bezpośrenio steruje tranzystorem MOSFET, o sterowania zaś tranzystorem MESFET wykorzystuje się oatkowo ukła przesuwający poziom napięcia sterującego, opisany w pracy [2]. 3. WYNIKI BADAŃ Wykorzystując opisany ukła przetwornicy BUCK zmierzono jej charakterystyki w stanie ustalonym la różnych zestawów par elementów półprzewonikowych. Na kolejnych rysunkach przestawiono wyniki pomiarów, opisanych w poprzenim rozziale przetwornic P1, P2 oraz P3. Zbaano wpływ oboru półprzewonikowych elementów kluczujących na
3 Baanie przetwornicy BUCK 9 zależności napięcia wyjściowego i sprawności energetycznej rozważanych przetwornic oraz temperatur obuów elementów półprzewonikowych o rezystancji obciążenia oraz o częstotliwości i współczynnika wypełnienia sygnału sterującego tranzystor. Wyniki pomiarów zamieszczono na rys Rysunki 2-5 otyczą pracy rozważanej przetwornicy przy częstotliwości sygnału sterującego 19 khz i rezystancji obciążenia 1 i zmiennej wartości współczynnika wypełnienia sygnału sterującego, rysunki przy częstotliwości sygnału sterującego 25 khz, rezystancji obciążenia 2 i zmiennej wartości współczynnika wypełnienia sygnału sterującego, natomiast rysunki przy częstotliwości sygnału sterującego 19 khz i współczynnika wypełnienia tego sygnału równego,5 oraz zmiennej wartości rezystancji obciążenia U we = 12 V, R = 1, f = 19 khz U wy [V] ,2,4,6,8 1 Rys. 2. Zależność napięcia wyjściowego o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 19 khz i R = 1 Fig. 2. The epenence of the output voltage on the uty factor of the controls signal at f = 19 khz an R = 1 Jak wiać na rys. 2, przy małej częstotliwości sygnału sterującego f = 19 khz i użej rezystancji obciążenia R = 1 uzyskano praktycznie liniowe zależności napięcia wyjściowego o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego. Przy wykorzystaniu ioy wykonanej z węglika krzemu () zamiast ioy krzemowej () uzyskuje się nieco większą wartość napięcia wyjściowego la współczynnika wypełnienia >,5. Najmniejsze wartości napięcia wyjściowego uzyskano la przetwornicy P3. Są one mniejsze nawet o 25% o wartości uzyskanych la przetwornicy P1. Z rys. 3 wiać, że sprawność energetyczna jest rosnącą funkcją współczynnika wypełnienia. Największe wartości, przekraczające nawet 9%, osiąga ona la przetwornicy P2, a najmniejsze la przetwornicy P3. Różnice mięzy wartościami sprawności energetycznej, uzyskanymi la rozważanych przetwornic, ochozą nawet o 3%. Pokazane na rys. 4 i 5 zależności temperatury obuowy tranzystora i ioy są rosnącymi funkcjami współczynnika wypełnienia. Ze wzglęu na użą wartość rezystancji obciążenia uzyskano la wszystkich rozważanych przetwornic wartości temperatur obuów elementów półprzewonikowych nieznacznie obiegające o temperatury otoczenia T a = 2 o C. Maksymalna nawyżka temperatury obuowy pona temperaturę otoczenia wyniosła w rozważanych warunkach zalewie 15 o C.
4 1 K. Górecki, J. Zarębski, P. Ptak h 1,2 1,8,6,4 U we = 12 V, R = 1, f = 19 khz,2,2,4,6,8 1 Rys. 3. Zależność sprawności energetycznej o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 19 khz i R = 1 Fig. 3. The epenence of the watt-hour efficiency on the uty factor of the controls signal at f = 19 khz an R = U we = 12 V, R = 1, f = 19 khz 3 T T [ o C] ,2,4,6,8 1 Rys. 4. Zależność temperatury obuowy tranzystora o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 19 khz i R = 1 Fig. 4. The epenence of the transistor case temperature on the uty factor of the controls signal at f = 19 khz an R = U we = 12 V, R = 1, f = 19 khz T D [ o C] ,2,4,6,8 1 Rys. 5. Zależność temperatury obuowy ioy o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 19 khz i R = 1 Fig. 5. The epenence of the ioe case temperature on the uty factor of the controls signal at f = 19 khz an R = 1 Po powyższeniu częstotliwości sygnału sterującego f = 25 khz i obniżeniu rezystancji obciążenia o R = 2 zaobserwowano nieliniowości na charakterystyce U wy () pokazanej na rys. 6. W rozważanych warunkach zmierzone wartości napięcia wyjściowego przetwornicy P3 są ponawukrotnie mniejsze o wartości tego napięcia uzyskanych la przetwornic P1 i P2.
5 Baanie przetwornicy BUCK 11 W porównaniu z wynikami prezentowanymi na rys. 3 wartości sprawności energetycznej prezentowane na rys.7 są znacznie mniejsze i nie przekraczają 65%. W szczególności sprawność przetwornicy P3 jest barzo niska i tylko nieznacznie przekracza 2%. U wy [V] U we = 12 V, R = 2, f = 25 khz 1,2,4,6,8 1 Rys. 6. Zależność napięcia wyjściowego o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 25 khz i R = 2 Fig. 6. The epenence of the output voltage on the uty factor of the controls signal at f = 25 khz an R = 2,7,6 h,5,4,3,2,1 U we = 12 V, R = 2, f = 25 khz,2,4,6,8 1 Rys. 7. Zależność sprawności energetycznej o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 25 khz i R = 2 Fig. 7. The epenence of the watt-hour efficiency on the uty factor of the controls signal at f = 25 khz an R = T T [ o C] U we = 12 V, R = 2, f = 25 khz,2,4,6,8 1 Rys. 8. Zależność temperatury obuowy tranzystora o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 25 khz i R = 2 Fig. 8. The epenence of the transistor case temperature on the uty factor of the controls signal at f = 25 khz an R = 2
6 12 K. Górecki, J. Zarębski, P. Ptak W zilustrowanym na rys. 6-9 przypaku, zjawiska cieplne znacznie silniej wpływają na właściwości rozważanej przetwornicy niż przy niższej częstotliwości i większej rezystancji obciążenia. Zarówno temperatury obuowy tranzystora, jak i ioy są rosnącą funkcją współczynnika wypełnienia. Rozważane elementy półprzewonikowe zawarte w przetwornicy P3 osiągają najwyższe wartości temperatury obuowy ochozące prawie o 7 o C. Niższe nawet o 25 o C wartości temperatury osiągają obuowy ioy i tranzystora zawarte w przetwornicy P T D [ o C] U we = 12 V, R = 2, f = 25 khz,2,4,6,8 1 Rys. 9. Zależność temperatury obuowy ioy o współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przy f = 25 khz i R = 2 Fig. 9. The epenence of the ioe case temperature on the uty factor of the controls signal at f = 25 khz an R = 2 Na rys.2-9 wiać, że zastosowanie elementów półprzewonikowych z węglika krzemu niekorzystnie wpływa na wartości parametrów eksploatacyjnych rozważanej przetwornicy. W szczególności zastosowanie tranzystora MESFET z węglika krzemu w miejsce krzemowego tranzystora MOSFET powouje obniżenie wartości napięcia wyjściowego (nawet o 5%), sprawności energetycznej (nawet kilkukrotne) oraz wzrost temperatur obuów (a także związanych z nimi temperatur wnętrza) zarówno tranzystora, jak i ioy. Z kolei, zastąpienie ioy krzemowej ioą z węglika krzemu powouje nieznaczne obniżenie sprawności energetycznej i napięcia wyjściowego przetwornicy oraz nieznaczny wzrost wartości temperatury obuowy obu elementów półprzewonikowych. Rozpatrywane przykłay otyczą małej wartości rezystancji obciążenia przetwornicy. Wpływ rezystancji obciążenia na napięcie wyjściowe i sprawność energetyczną rozważanej przetwornicy pokazano opowienio na rys.1 i 11. Prezentowane wyniki uzyskano przy częstotliwości f = 19 khz i współczynniku wypełnienia =,5 sygnału sterującego oraz przy napięciu wejściowym U we = 12 V.
7 Baanie przetwornicy BUCK 13 U wy [V] U we = 12 V, f = 19 khz, =, R [W] Rys. 1. Zależność napięcia wyjściowego o rezystancji obciążenia przy f = 19 khz oraz =,5 Fig. 1. The epenence of the output voltage on the loa resistance at f = 19 khz an =.5 Można zauważyć, że w zakresie małych wartości rezystancji obciążenia (o kilkuziesięciu omów) największą wartość napięcia wyjściowego oraz sprawności energetycznej uzyskuje się la tranzystora MOSFET współpracującego z ioą krzemową. Z kolei, w zakresie użych wartości rezystancji obciążenia największe napięcie wyjściowe oraz największą sprawność energetyczną uzyskano la tranzystora MESFET i ioy wykonanych z węglika krzemu. h 1,9,8,7,6,5,4,3,2 przetornica P1,1 U we = 12 V, f = 19 khz, =, R [W] Rys. 11. Zależność sprawności energetycznej o rezystancji obciążenia przy f = 19 khz oraz =,5 Fig. 11. The epenence of the watt-hour efficiency on the loa resistance at f = 19 khz an =.5 T T [ o C] U we = 12 V, f = 19 khz, =,5 przetwornica 3 przetwornica 2 przetwornica Rys. 12. Zależność temperatury obuowy tranzystora o rezystancji obciążenia przy f = 19 khz oraz =,5 Fig. 12. The epenence of the transistor case temperature on the loa resistance at f = 19 khz an =.5 R [W]
8 14 K. Górecki, J. Zarębski, P. Ptak T D [ o C] przetwornica 3 U we = 12 V, f = 19 khz, =,5 1 przetwornica R [W] przetwornica 2 Rys. 13. Zależność temperatury obuowy ioy o rezystancji obciążenia przy f = 19 khz oraz =,5 Fig. 13. The epenence of the ioe case temperature on the loa resistance at f = 19 khz an =.5 Na rys. 12 i 13 wiać, że zależności temperatur obuowy tranzystora i ioy o rezystancji obciążenia są funkcjami malejącymi. Temperatura obuowy tranzystora jest najwyższa la przetwornicy P3, a temperatura obuowy ioy la przetwornicy P2. Warto zauważyć, że w rozważanym zakresie zmian rezystancji obciążenia temperatura ioy ochozi nawet o 8 o C, a temperatura tranzystora o 6 o C. 4. UWAGI KOŃCOWE W pracy przestawiono wyniki baań eksperymentalnych przetwornicy BUCK, ilustrujące wpływ zastąpienia krzemowych elementów półprzewonikowych elementami z węglika krzemu. Z przestawionych rezultatów baań wynika, że zastosowanie elementów z węglika krzemu umożliwia uzyskanie korzystniejszych wartości parametrów eksploatacyjnych rozważanej przetwornicy tylko w zakresie małych wartości prąu obciążenia (użych wartości rezystancji obciążenia). W zakresie użych wartości prąu obciążenia jest korzystniejsze stosowanie elementów krzemowych. PODZIĘKOWANIA Praca baawczo-rozwojowa finansowana ze śroków na naukę w latach jako projekt baawczo-rozwojowy Nr NR1-3-4/28. BIBLIOGRAFIA 1. Maniktala S.: Switching Power Supply Design & Optimization, McGraw-Hill, New York 25.
9 Baanie przetwornicy BUCK Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.: Wpływ zastosowania elementów półprzewonikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck. Przeglą Elektrotechniczny 21, R. 86, nr 11a, s Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Funacja Rozwoju Akaemii Morskiej w Gyni, Gynia Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S.: Properties of Avance Semiconuctor Materials. John Wiley an Sons, New York Górecki K., Zarębski J., Ptak P.: Baanie przetwornicy buck z elementami półprzewonikowymi z węglika krzemu. Artykuł przyjęty o prezentacji na XXIV Mięzynaroowej Konferencji z Postaw Elektrotechniki i Teorii Obwoów IC-SPETO 211, Ustroń 211. Wpłynęło o Reakcji nia 3 paźziernika 21 r. Recenzent: Prof. r hab. inż. Marian Pasko Abstract The paper refers the influence of the selection of semiconuctor evices use in buck converter on characteristics of this converter. Three cases are consiere. In the first case the silicon power MOS transistor an the silicon Schottky ioe are use. In the secon case the silicon power MOS transistor an the Schottky ioe mae from silicon carbie are use. Finally, in thir case the MESFET transistor an the Schottky ioe both mae from silicon carbie are use. For all the consiere cases the characteristics of the buck converter were measure. The epenences of the converter output voltage an watt-hour efficiency, as well as the case temperature of the transistor an of the ioe on the pulse uty factor an frequency of the signal controlling the investigate converter an on the loa resistance are consiere an presente in the paper. On the basis of the obtaine results of measurements one can state, that the use of semiconuctor evices mae from the silicon carbie unfavourably influences on values of exploitive parameters of the consiere converter. Particularly the use of the SiC-MESFET instea of the silicon MOSFET causes the epreciation of the output voltage (even about 5%), the watt-hour efficiency (even twice) an the increase of case temperatures (an also connecte with them internal temperatures) both of the transistor an the ioe. In turn, the replacement of the silicon ioe with the ioe mae from the silicon carbie causes the slight ecrease of the watt-hour efficiency an the output voltage of the converter an the slight increase in value of the case temperature of both the semiconuctor evices.
10 16 K. Górecki, J. Zarębski, P. Ptak The use of evices mae from the silicon carbie makes it possible to obtain better values of exploitive parameters of consiere converter within the range of large values of the converter loa resistance (small values of the converter output current) only. Within the range of small values of the converter loa resistance (large values of the converter output current) the better solution is seems to be the usage of silicon evices.
BADANIE PRZETWORNICY BUCK Z ELEMENTAMI PÓŁPRZEWODNIKOWYMI Z WĘGLIKA KRZEMU. INVESTIGATIONS OF A BUCK CONVERTER WITH SiC SEMICONDUCTOR DEVICES
ELEKTRYKA 211 Zeszyt Rok Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI, Przemysław PTAK Akaemia Morska w Gyni, Katera Elektroniki Morskiej BADANIE PRZETWORNICY BUCK Z ELEMENTAMI PÓŁPRZEWODNIKOWYMI Z WĘGLIKA KRZEMU
Bardziej szczegółowoWPŁYW DOBORU RDZENIA DŁAWIKA NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNIC BOOST
ELEKTRYKA 213 Zeszyt 1 (225) Rok LIX Krzysztof GÓRECKI 1, Janusz ZARĘBSKI 1, Kalina DETKA 2 1 Akaemia Morska w Gyni, Katera Elektroniki Morskiej 2 Pomorska Wyższa Szkoła Nauk Stosowanych w Gyni WPŁYW DOBORU
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
ELEKTRYKA 21 Zeszyt 3 (215) Rok LVI Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
Bardziej szczegółowoWYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET
Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji
Bardziej szczegółowoOCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 84 Electrical Engineering 2015 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU W pracy przedstawiono
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoPorównanie właściwości wybranych wektorowych regulatorów prądu w stanach dynamicznych w przekształtniku AC/DC
Piotr FALKOWSKI, Marian Roch DUBOWSKI Politechnika Białostocka, Wyział Elektryczny, Katera Energoelektroniki i Napęów Elektrycznych Porównanie właściwości wybranych wektorowych regulatorów prąu w stanach
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA URZĄDZEŃ PLAZMOWYCH
3-2011 PROBLEMY EKSPLOATACJI 189 Mirosław NESKA, Andrzej MAJCHER, Andrzej GOSPODARCZYK Instytut Technologii Eksploatacji Państwowy Instytut Badawczy, Radom PRZEKSZTAŁTNIK REZONANSOWY W UKŁADACH ZASILANIA
Bardziej szczegółowoPRACA RÓWNOLEGŁA PRĄDNIC SYNCHRONICZNYCH WZBUDZANYCH MAGNESAMI TRWAŁYMI
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Nr 66 Politechniki Wrocławskiej Nr 66 Studia i Materiały Nr 32 2012 Zdzisław KRZEMIEŃ* prądnice synchroniczne, magnesy trwałe PRACA RÓWNOLEGŁA
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO. 1. Wiadomości wstępne
STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO 1. Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych granicach:
Bardziej szczegółowoOKREŚLENIE WPŁYWU WYŁĄCZANIA CYLINDRÓW SILNIKA ZI NA ZMIANY SYGNAŁU WIBROAKUSTYCZNEGO SILNIKA
ZESZYTY NAUKOWE POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ 2008 Seria: TRANSPORT z. 64 Nr kol. 1803 Rafał SROKA OKREŚLENIE WPŁYWU WYŁĄCZANIA CYLINDRÓW SILNIKA ZI NA ZMIANY SYGNAŁU WIBROAKUSTYCZNEGO SILNIKA Streszczenie. W
Bardziej szczegółowoWPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy
Bardziej szczegółowoCYFROWY REGULATOR PRĄDU DIOD LED STEROWANY MIKROKONTROLEREM AVR *)
Wojciech WOJTKOWSKI Andrzej KARPIUK CYFROWY REGULATOR PRĄDU DIOD LED STEROWANY MIKROKONTROLEREM AVR *) STRESZCZENIE W artykule przedstawiono koncepcję cyfrowego regulatora prądu diody LED dużej mocy, przeznaczonego
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoMETODYKA BADAŃ MAŁYCH SIŁOWNI WIATROWYCH
Inżynieria Rolnicza 2(100)/2008 METODYKA BADAŃ MAŁYCH SIŁOWNI WIATROWYCH Krzysztof Nalepa, Maciej Neugebauer, Piotr Sołowiej Katedra Elektrotechniki i Energetyki, Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoImpulsowe przekształtniki napięcia stałego. Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki
Impulsowe przekształtniki napięcia stałego Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki 1 1. Wstęp 2. Urządzenia do przetwarzanie energii elektrycznej 3. Problemy symulacji i projektowania
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektroniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut. 2. Test
Bardziej szczegółowoREGULATOR PRĄDU SPRĘŻYNY MAGNETYCZNEJ CURRENT REGULATOR OF MAGNETIC SPRING
PIOTR HABEL, JACEK SNAMINA * REGULATOR PRĄDU SPRĘŻYNY MAGNETYCZNEJ CURRENT REGULATOR OF MAGNETIC SPRING Streszczenie Abstract Artykuł dotyczy zastosowania regulatora prądu do sterowania siłą sprężyny magnetycznej.
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI
Krzysztof Górski, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujące
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA CIEPLNA SILUMINU AK132
52/22 Archives of Foundry, Year 2006, Volume 6, 22 Archiwum Odlewnictwa, Rok 2006, Rocznik 6, Nr 22 PAN Katowice PL ISSN 1642-5308 OBRÓBKA CIEPLNA SILUMINU AK132 J. PEZDA 1 Akademia Techniczno-Humanistyczna
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoElektroniczne Systemy Przetwarzania Energii
Elektroniczne Systemy Przetwarzania Energii Zagadnienia ogólne Przedmiot dotyczy zagadnień Energoelektroniki - dyscypliny na pograniczu Elektrotechniki i Elektroniki. Elektrotechnika zajmuje się: przetwarzaniem
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoWYKAZ PRÓB / SUMMARY OF TESTS. mgr ing. Janusz Bandel
Sprawozdanie z Badań Nr Strona/Page 2/24 WYKAZ PRÓB / SUMMARY OF TESTS STRONA PAGE Próba uszkodzenia przy przepięciach dorywczych TOV failure test 5 Próby wykonał / The tests were carried out by: mgr ing.
Bardziej szczegółowoWSPÓŁCZYNNIK MOCY I SPRAWNOŚĆ INDUKCYJNYCH SILNIKÓW JEDNOFAZOWYCH W WARUNKACH PRACY OPTYMALNEJ
Maszyny Elektryczne Zeszyty Problemowe Nr 3/2015 (107) 167 Henryk Banach Politechnika Lubelska, Lublin WSPÓŁCZYNNIK MOCY I SPRAWNOŚĆ INDUKCYJNYCH SILNIKÓW JEDNOFAZOWYCH W WARUNKACH PRACY OPTYMALNEJ POWER
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoXIII International PhD Workshop OWD 2011, October Study of small signal transmittances BOOST converter
XIII International PhD Workshop OWD 11, 5 October 11 Study of small signal transmittances BOOST converter Badanie transmitancji małosygnałowych przetwornicy BOOST Norbert Smolukowski, Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoTRÓJFAZOWY RÓWNOLEGŁY ENERGETYCZNY FILTR AKTYWNY ZE Z ZMODYFIKOWANYM ALGORYTMEM STEROWANIA OPARTYM NA TEORII MOCY CHWILOWEJ
TRÓJFAZOWY RÓWNOLEGŁY ENERGETYCZNY FILTR AKTYWNY ZE ZMODYFIKOWANYM ALGORYTMEM STEROWANIA OPARTYM NA TEORII MOCY CHWILOWEJ Instytut Inżynierii Elektrycznej, Wydział Elektrotechniki, Elektroniki i Informatyki,
Bardziej szczegółowoI we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia
22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoMODEL SYMULACYJNY ENERGOELEKTRONICZNEGO STEROWANEGO ŹRÓDŁA PRĄDOWEGO PRĄDU STAŁEGO BAZUJĄCEGO NA STRUKTURZE BUCK-BOOST CZĘŚĆ 2
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 87 Electrical Engineering 2016 Michał KRYSTKOWIAK* Dominik MATECKI* MODEL SYMULACYJNY ENERGOELEKTRONICZNEGO STEROWANEGO ŹRÓDŁA PRĄDOWEGO PRĄDU STAŁEGO
Bardziej szczegółowo4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika
1 1. Projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i badaniem przetwornika napięcie/częstotliwość z układem AD654 2. Założenia do opracowania projektu a) Dane techniczne układu - Napięcie zasilające
Bardziej szczegółowoOKREŚLENIE OBSZARÓW ENERGOOSZCZĘDNYCH W PRACY TRÓJFAZOWEGO SILNIKA INDUKCYJNEGO
Feliks Mirkowski OKREŚLENIE OBSZARÓW ENERGOOSZCZĘDNYCH W PRACY TRÓJFAZOWEGO SILNIKA INDUKCYJNEGO Streszczenie. JeŜeli obciąŝenie silnika jest mniejsze od znamionowego, to jego zasilanie napięciem znamionowym
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoR 1 = 20 V J = 4,0 A R 1 = 5,0 Ω R 2 = 3,0 Ω X L = 6,0 Ω X C = 2,5 Ω. Rys. 1.
EROELEKR Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 9/ Rozwiązania zadań dla grupy elektrycznej na zawody stopnia adanie nr (autor dr inŝ. Eugeniusz RoŜnowski) Stosując twierdzenie
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoKOMPARACYJNY MIERNIK REZYSTANCJI IZOLACJI
ZESZYTY NAUKOWE POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ Seria: ELEKTRYKA z. 162 1998 Nr kol. 1395 Brunon SZADKOWSKI Eligiusz PASECKI Politechnika Śląska KOMPARACYJNY MIERNIK REZYSTANCJI IZOLACJI Streszczenie. W artykule
Bardziej szczegółowoTeoria Przekształtników - Kurs elementarny
W. PRZEKSZTAŁTNIKI SIECIOWE 1 ( AC/DC; AC/AC) Ta wielka grupa przekształtników swą nazwę wywozi z tego, że są one ołączane bezpośrenio o sieci lub systemu energetycznego o napięciu przemiennym 50/60 Hz
Bardziej szczegółowoPrzetwornica SEPIC. Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety. Wady
Przetwornica SEPIC Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety Wady 2 C, 2 L niższa sprawność przerywane dostarczanie prądu na wyjście duże vo, icout
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
doi:.599/.7.7.9 Paweł GÓRECKI, Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Bardziej szczegółowoMETODY BADAŃ POMIAROWYCH W WIEJSKICH STACJACH TRANSFORMATOROWYCH
Jerzy NIEBRZYDOWSKI, Grzegorz HOŁDYŃSKI Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Elektroenergetyki METODY BADAŃ POMIAROWYCH W WIEJSKICH STACJACH TRANSFORMATOROWYCH W referacie przedstawiono
Bardziej szczegółowoLUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika podwyższającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński
Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika podwyższającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Zasilacz impulsowy. Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki
LABORATORIUM Zasilacz impulsowy Switch-Mode Power Supply (SMPS) Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Znajomość schematów, zasady działania i przeznaczenia poszczególnych
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELU WIELOPOZIOMOWEGO FALOWNIKA PRĄDU
Leszek WOLSKI BADANIA MODELU WIELOPOZIOMOWEGO FALOWNIKA PRĄDU STRESZCZENIE W pracy przedstawiono wyniki badań nad wielopoziomowym falownikiem prądu. Koncepcja sterowania proponowanego układu falownika
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoWPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM
Tomasz Dyl Akademia Morska w Gdyni WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM W artykule określono wpływ odkształcenia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI UKŁAD REGULACYJNY STABILIZATORA
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 10 UKŁAD REGULACYJNY STABILIZATORA
Bardziej szczegółowoPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU W PRZEKSZTAŁTNIKACH ENERGOELEKTRONICZNYCH
Andrzej MICHALSKI Krzysztof ZYMMER PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU W PRZEKSZTAŁTNIKACH ENERGOELEKTRONICZNYCH STRESZCZENIE W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Bardziej szczegółowoREGULATOR NAPIĘCIA DC HYBRYDOWEGO ENERGETYCZNEGO FILTRU AKTYWNEGO DC BUS VOLTAGE CONTROLLER IN HYBRID ACTIVE POWER FILTER
ELEKTRYKA 2012 Zeszyt 3-4 (223-224) Rok LVIII Dawid BUŁA Instytut Elektrotechniki i Informatyki, Politechnika Śląska w Gliwicach REGULATOR NAPIĘCIA DC HYBRYDOWEGO ENERGETYCZNEGO FILTRU AKTYWNEGO Streszczenie.
Bardziej szczegółowoBADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 78 Electrical Engineering 2014 Mikołaj KSIĄŻKIEWICZ* BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych prostownika
Bardziej szczegółowoPOPRAWA SPRAWNOŚCI ENERGETYCZNEJ URZĄDZEŃ SPAWALNICZYCH
Maszyny Elektryczne - Zeszyty Problemowe Nr 3/2016 (111) 35 Wiesław Stopczyk, Zdzisław Nawrocki Politechnika Wrocławska, Wrocław POPRAWA SPRAWNOŚCI ENERGETYCZNEJ URZĄDZEŃ SPAWALNICZYCH IMPROVING THE ENERGY
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoMgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa
MECHANIK 7/2014 Mgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH SIŁOWNI TURBINOWEJ Z REAKTOREM WYSOKOTEMPERATUROWYM W ZMIENNYCH
Bardziej szczegółowoMODEL SYMULACYJNY ENERGOELEKTRONICZNEGO ZASILACZA AWARYJNEGO UPS O STRUKTURZE TYPU VFI
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 91 Electrical Engineering 2017 DOI 10.21008/j.1897-0737.2017.91.0011 Michał KRYSTKOWIAK* Łukasz CIEPLIŃSKI* MODEL SYMULACYJNY ENERGOELEKTRONICZNEGO
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoOKREŚLENIE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNYCH SILUMINU AK132 NA PODSTAWIE METODY ATND.
37/44 Solidification of Metals and Alloys, Year 000, Volume, Book No. 44 Krzepnięcie Metali i Stopów, Rok 000, Rocznik, Nr 44 PAN Katowice PL ISSN 008-9386 OKREŚLENIE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNYCH SILUMINU
Bardziej szczegółowoPARAMETRY TECHNICZNE DEKLAROWANE PRZEZ PRODUCENTA POTWIERDZONE BADANIAMI / RATINGS ASSIGNED BY THE MANUFACTURER AND PROVED BY TESTS
Strona/Page 2/32 PARAMETRY TECHNICZNE DEKLAROWANE PRZEZ PRODUCENTA POTWIERDZONE BADANIAMI / RATINGS ASSIGNED BY THE MANUFACTURER AND PROVED BY TESTS Typ Type Napięcie trwałej pracy Continuous operating
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE
Damian Bisewski, Janusz Zarębski Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Temat ćwiczenia: Ćwiczenie nr 1 BADANIE MONOLITYCZNEGO WZAMACNIACZA MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚĆI 1. 2. 3. 4. Imię i Nazwisko
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoBEZPRZEPIĘCIOWE STEROWANIE IMPULSOWE REGULATORA NAPIĘCIA PRZEMIENNEGO
ELEKTRYKA 2012 Zeszyt 1 (221) Rok LVIII Marian HYLA, Andrzej KANDYBA Katedra Energoelektroniki Napędu Elektrycznego i Robotyki, Politechnika Śląska w Gliwicach BEZPRZEPIĘCIOWE STEROWANIE IMPULSOWE REGULATORA
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIE PRZETWORNICY BUCK BOOST W UKŁADZIE ZAPŁONOWYM CDI
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 80 Electrical Engineering 2014 Tomasz WAWRZYNIAK* Ryszard NAWROWSKI* ZASTOSOWANIE PRZETWORNICY BUCK BOOST W UKŁADZIE ZAPŁONOWYM CDI W artykule opisano
Bardziej szczegółowoBADANIE ELEMENTÓW RLC
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA 1. Lutowanie lutowania ołowiowe i bezołowiowe, przebieg lutowania automatycznego (strefy grzania i przebiegi temperatur), narzędzia
Bardziej szczegółowoZaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej niż jedna)
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY BUCK Z MONOLITYCZNYM REGULATOREM LT1073 W PROGRAMIE SPICE
243 in 4G Communication Systems // MIXDES. 2003. 4. Корляков А.В., Лучинин В.В. Перспективная элементная база микросистемной техники. 200. 5. An Introduction to MEMS, Prime Faraday Technology Watch. 2001.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym.
Ćwiczenie 1 Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym. Środowisko symulacyjne Symulacja układu napędowego z silnikiem DC wykonana zostanie w oparciu o środowisko symulacyjne
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWE PROSTOWNIKI DLA SAMOCHODOWYCH PRĄDNIC PRĄDU STAŁEGO TRANSISTOR RECTIFIERS FOR THE AUTOMOTIVE DC GENERATORS
JÓZEF TUTAJ TRANZYSTOROWE PROSTOWNIKI DLA SAMOCHODOWYCH PRĄDNIC PRĄDU STAŁEGO TRANSISTOR RECTIFIERS FOR THE AUTOMOTIVE DC GENERATORS Streszczenie W artykule przedstawiono sposób i układ sterowania tranzystorami
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoUKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH
UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie
Bardziej szczegółowoANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE
Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowo