AUTOREFERAT ROZPRAWY DOKTORSKIEJ NA TEMAT:

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "AUTOREFERAT ROZPRAWY DOKTORSKIEJ NA TEMAT:"

Transkrypt

1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki AUTOREFERAT ROZPRAWY DOKTORSKIEJ NA TEMAT: Metrologia zmian masy za pomocą układów MEMS AUTOR Magdalena Moczała PROMOTOR Prof. dr hab. inż. Teodor Gotszalk obszar nauk technicznych, dziedzina nauk technicznych, dyscyplina: elektronika Wrocław 2017 r.

2 I. WSTĘP, CEL I TEZA PRACY Rozwój nanotechnologii jest ściśle związany z rozwojem nowatorskich metod i technik opracowanych dla badań właściwości mikro- i nanostruktur. Aktywność autorki rozprawy doktorskiej była skupiona wokół zastosowania układów typu MEMS i NEMS jako czujników zmian masy, których istotą jest obserwacja zmiany ich częstotliwości rezonansowych. Dzięki miniaturyzacji czułość pomiarowa i zdolność rozdzielcza tego typu układów stała się na tyle duża, że możliwa jest obserwacja zmian masy wynikająca z adsorpcji pojedynczych molekuł w zakresie joktogramów [1] oraz zmiany siły w zakresie femtoniutonów [2]. Zasadnicze trudności wynikają ze złożonej struktury układów MEMS i NEMS, ich niewielkich wymiarów i dużych częstotliwości rezonansowych tego typu zespołów sięgających często kilku megaherców. Detekcja (analiza jakościowa) na poziomie joktogramów za pomocą układów pracujących w ultra wysokiej próżni (ang. ultra high vacuum, UHV) w temperaturze ciekłego helu (5,5 K) odbywa się na zasadzie pojedynczego eksperymentu [2] i raczej nie ma możliwości jej zastosowania poza specjalizowanym laboratorium badawczym. Zastosowanie struktur MEMS i NEMS jako czujników zmian masy jest niezwykle interesujące z punktu widzenia biotechnologii [3]. Przyszłe zastosowanie takich czujników związane jest z detekcją pojedynczych molekuł białek, wirusów, protein, enzymów czy nici DNA [3]. Prace związane z detekcją masy do zastosowań biochemicznych za pomocą rezonansowych struktur takich jak kamertony kwarcowe [4] czy mikrodźwignie [5] prowadzone były już wcześniej w Wydziałowym Zakładzie Metrologii Mikro- i Nanostruktur (ZMMiN) Wydziału Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (WEMiF) Politechniki Wrocławskiej (PWr.). W badaniach tych osiągano mniejsze zdolności rozdzielcze, niż te prezentowane w niniejszej rozprawie lub konieczne było zastosowanie złożonych układów pomiarowych (np. głowic optycznych) [6]. Zaproponowane rozwiązanie realizowane w ramach niniejszej rozprawy jest prostsze pod względem odczytu, sterowania i o większej przepustowości niż poprzednie konstrukcje realizowane w ZMMiN PWr. Zastosowanie nowatorskich struktur otoczonych precyzyjnymi układami sterującymi i pomiarowymi w połączeniu z opracowanymi w ramach rozprawy doktorskiej metodami kalibracji narzędzia pomiarowego pozwoliło na ilościową ocenę (pomiar) podstawowych parametrów i zjawisk związanych ze zmianą masy np. podczas procesu adsorpcji molekularnych warstw samoorganizujących się (ang. selfassembling monolayers, SAM). Badania uwzględniały również projekt i charakteryzację układu detekcji i aktuacji drgań przetwornika mechanicznego struktur FoMaMet (force and mass metrology), a także proces wzorcowania odpowiedzi systemu do pomiaru zmian masy za pomocą struktur osadzanych wiązką elektronową (ang. focused electron beam induuced deposition, FEBID). Dodatkowo za pomocą zogniskowanej wiązki jonów (ang. focued ion beam, FIB) przeprowadzona została modyfikacja ustroju mechanicznego np. poprzez zmniejszenie wymiarów struktury. Szczegółowe cele badawcze niniejszej rozprawy przedstawiono w następujących punktach: projekt, wykonanie, modyfikacja oraz charakteryzacja struktur FoMaMet, opracowanie metod i technik aktuowania czujników zmian masy na bazie dwustronnie zamocowanych belek mikromechanicznych, opracowanie metod pomiaru drgań i wychyleń czujników zmian masy, pomiar wychyleń belek dwustronnie zamocowanych w zakresie ugięć rzędu ułamków nanometrów i częstotliwości rzędu kilkuset kiloherców, projekt i charakteryzacja układu pomiaru i aktuacji drgań przetwornika struktur FoMaMet, proces wzorcowania odpowiedzi systemu do pomiaru zmian masy za pomocą struktur osadzanych wiązką elektronową (FEBID),

3 przeprowadzenie eksperymentów osadzania wybranych molekuł struktur SAM na strukturach FoMaMet, opracowanie odwracalnego procesu osadzania struktur molekularnych SAM. II. OPIS ETAPÓW BADAŃ W ramach badań opisanych w niniejszej rozprawie opracowano rodzinę belek dwustronnie zamocowanych zwanych też mostkami. Dlatego też, dla przejrzystości przedstawionych rezultatów zastosowano podział na nano i mikromostki, uwzględniający grubość struktur, oraz sklasyfikowano je na kolejne generacje. Rodzina struktur FoMaMet została zestawiona w tabeli 1. Poszczególne generacje pokazują etapy ewolucji mostków FoMaMet powstających na bazie kolejnych doświadczeń badawczych. I tak zaczynając od struktur najprostszych nanomostków FoMaMet I, które nie umożliwiały zastosowania elektrycznych metod wzbudzania i detekcji drgań. Na podstawie tych struktur zaprojektowano w kolejnym kroku mikromostki FoMaMet II, dla których wykonano szereg eksperymentów związanych z elektrycznymi metodami aktuacji i detekcji drgań. Eksperymenty te pokazały jak ważna jest konfiguracja mostka pomiarowego i jego kompensacji dla pomiarów zmian napięć generowanych przez siłę elektromotoryczną indukcji. Na tej podstawie zaprojektowano struktury FoMaMet IV, które poprzez zastosowanie pomiarowego mostka Wheatstone a na chipie pozwoliły na całkowitą kompensację mostka pomiarowego. Dodatkowo, także na bazie mikromostków FoMaMet II powstała idea zastosowania struktur osadzanych z zastosowaniem zogniskowanej wiązki elektronów (FEBID) jako detektorów ugięcia, co zostało

4 zrealizowane na strukturach mikromostków FoMaMet III. Wszystkie doświadczenia zebrane podczas eksperymentów z tymi strukturami zaowocowały w ostatecznej wersji mikromostków FoMaMet V, które wytrawiono na podłożach krzemowych o orientacji <110> i osadzono dodatkową warstwę metalizacji do pomiarów adsorpcji warstw molekularnych. Charakteryzacja za pomocą mikroskopii AFM W związku z niewielkimi wymiarami przetwornika mechanicznego silnie utrudniona jest metrologia struktur MEMS, a to znaczy ilościowe wyznaczanie ich właściwości W celu scharakteryzowania właściwości mechanicznych konieczne jest zastosowanie odpowiednich metod charakteryzacji, które pozwolą na dokładne pomiary wychyleń często mniejszych niż nanometr oraz sił rzędu pikoniutonów. Według autorki rozprawy, techniki to umożliwiające to mikroskopia elektronowa i mikroskopia sił atomowych AFM. W ramach niniejszej pracy mikroskop AFM zastosowano w celu wyznaczenia stałej sprężystości oraz częstotliwości rezonansowej nanomostków FoMaMet I (100). W tym celu wykorzystano technikę spektroskopii sił AFM. Po upewnieniu się, że ostrze znajduje się w centralnej części wzdłuż obu osi nanomostka rejestrowano krzywą wychylenia belki AFM w funkcji ruchu skanera piezoelektrycznego. Na podstawie tych danych możliwe było wyznaczenie siły z jaką działano, natomiast z nachylenia krzywej wychylenia, wyznaczenie stałej sprężystości badanej nanostruktury. Przykładowy wykres prezentujący takie zależności przedstawiono na rysunku 1. Sztywność nanomostka została oszacowana na 9,9 N/m. Rys. 1. Wyniki spektroskopii sił AFM zmierzone dla nanomostka FoMaMet I o wymiarach: długość 49 µm oraz szerokość 10 µm: (a) wychylenie belki pomiarowej AFM w funkcji wychylenia piezoskanera oraz (b) działająca siła w funkcji wychylenia piezoskanera uzyskana z krzywej wychylenia [7,8]. Nowością badań prowadzonych przez autorkę rozprawy było użycie AFM do precyzyjnych pomiarów statycznego wychylenia mikromostków wywołanych elektrotermicznie i elektromagnetycznie. W ten sposób dokonano charakteryzacji dwóch stosowanych metod aktuacji w zakresie wychyleń statycznych. W układzie takim ostrze belki AFM jest w stanie zmierzyć nie tylko różnice wysokości wynikające ze zmian topografii próbki, ale także różnice wynikające z wychylania się struktury jako reakcję na statyczną aktuację. W badaniach tych wykorzystano również możliwość precyzyjnego sterowania siłą nacisku z jaką może być przeprowadzany pomiar w trybie statycznym CM AFM. Mikromostek FoMaMet II aktuowano poprzez modulowany w czasie sygnał stałoprądowy DC. W taki sposób struktura wychylała się dla sygnału elektrycznego o niezerowej amplitudzie, co rejestrowano w trybie statycznym AFM. Wychylenie mikromostka było sterowane sygnałem o przebiegu prostokątnym o zadanej wartości (tj. amplitudzie, np. 1 ma) i okresie trwania (np. 1 s) co zaprezentowano na rysunku 2.

5 Rys. 2 Przykładowy impuls stosowany do pomiaru aktuacji wychylenia mikromostka FoMaMet II za pomocą mikroskopu AFM [9]. Charakterystykę statycznego wychylenia w funkcji prądu pobudzenia zaprezentowaną na rysunku 3. W pierwszej kolejności wykonano pomiary elektrotermicznej aktuacji. Wychylenie to było kwadratową funkcją prądu przepływającego przez metalizację zgodnie z definicją mocy rozpraszanej w strukturze. Następnie ta sama struktura została umieszczona w stałym polu magnetycznym. Zarejestrowane wychylenia wykazały kształt niesymetrycznej paraboli, która była wynikiem złożenia termicznego parabolicznego oraz liniowego magnetycznego wychylenia. Rys. 3. Statyczne wychylenie mostka FoMaMet II zmierzone w polu magnetycznym: wychylenie (suma) to czarne romby, wychylenie termiczne (bez pola magnetycznego) to zielone punkty oraz różnica tych wychyleń pokazująca magnetyczne wychylenie - niebieskie gwiazdki [9]. Liniową magnetyczną zależność uzyskano przez odjęcie zmierzonych charakterystyk. Na rysunku 3 widoczne jest dwukierunkowe działanie siły elektrodynamicznej, której zwrot związany się z kierunkiem przepływu prądu. Na podstawie otrzymanych zależności wyznaczono 2 czułości/skuteczności poszczególnych aktuacji zgodnie z zależnościami: z eterm = c eterm I DC oraz z emag = c emag I DC, gdzie współczynnik c eterm wynosił 1,28 nm/a 2, natomiast dla c emag 0,70 nm/a (w polu magnetycznym równym 120 mt). Badania drgań i aktuacji wychyleń struktur FoMaMet Zastosowanie struktur MEMS jako czujników masy zakłada, że to ustrój mechaniczny będzie bezpośrednim przetwornikiem, za pomocą którego dokonywany będzie pomiar. Co więcej,

6 w czujnikach zmian masy opartych na strukturach MEMS najczęściej operuje się pomiarem zmiany drgań własnych struktury. Na rysunku 4 zaprezentowano wyniki pomiarów optycznych uzyskane za pomocą laserowego wibrometru Polytec MSA-500. Są to mapy wychylenia składające się z kilkunastu punktów zeskanowane wzdłuż mikromostka generacji FoMaMet II. Rys. 4. Skany wychylenia wzdłuż całej długości mikromostka FoMaMet II. Pomiary wykonane na wibrometrze laserowym Polytec MSA-500; (a) pierwszy (f 1 = 414,7 khz, A max = 22 nm), (b) drugi (f 2 = 833,7 khz, A max = 10 nm) oraz (c) trzeci (f 3 = 1 257,8 khz, A max = 2 nm) mod drgań. W tym przypadku zastosowano aktuację za pomocą piezoelementu i za pomocą wibrometrii laserowej zarejestrowano kształty poszczególnych modów, częstotliwości rezonansowe, które wyniosły kolejno: f 1 = 414,7 khz, f 2 = 833,7 khz oraz f 3 = 1 257,8 khz oraz maksymalne amplitudy drgań. Zaletą stosowania metod elektrycznych, takich jak elektrotermiczna czy elektromagnetyczna, do wzbudzania drgań struktur mikro- i nanomechanicznych jest czyste widmo drgań, (tzn. nie zawierające dodatkowych pików rezonansowych pochodzących od piezoelementu). Na rysunku 5 przedstawiono wykres demonstrujący wynik aktuacji elektrotermicznej, w której strukturę do drgań rezonansowych wzbudzano przy użyciu dwóch częstotliwości: f rez oraz 1 2 f rez (wychylenia zmierzone za pomocą interferometru firmy SIOS). Porównane zostały wyniki pomiarów przy różnych rodzajach sygnału zasilającego mikromostek. Widoczne jest, że dla zerowej wartości prądu DC aktuacja występuje tylko dla częstotliwości 1 2 f rez. Dla sygnałów zawierających zarówno składową stałą DC jak i zmienną AC drgania można wzbudzić na obu częstotliwościach: f rez oraz 1 2 f rez. Dodatkowo widoczna jest kwadratowa zależność maksymalnej amplitudy drgań dla aktuacji na zastosowanego prądu pobudzenia AC. 1 2 f rezod Rys. 5. Pomiar z aktuacją elektrotermiczną, detekcją optyczną za pomocą wibrometru SIOS [10].

7 Dzięki zintegrowaniu na mikromostkach ścieżek metalicznych możliwe było wykonanie pomiarów drgań zrealizowanych w sposób czysto elektryczny. Ścieżki te były wykorzystywane zarówno jako element służącym do detekcji drgań, jak i do ich wzbudzenia. Kolejno przedstawione pomiary częstotliwości rezonansowych zrealizowano w drodze rejestracji siły elektromotorycznej indukcji (ang. electromotive force, EMF), realizując je zarówno w próżni, jak i w normalnej atmosferze. W tym celu zaprojektowano i wykonano uchwyt mocujący dwa magnesy neodymowe wokół drgającej struktury. Natężenie pola magnetycznego pomiędzy magnesami zostało zmierzone za pomocą miernika natężenia pola magnetycznego i wynosiło 410 mt. W ramach realizacji detekcji siły elektromotorycznej badano zmiany napięcia pojawiające się na zaciskach mikromostka, wynikające z ruchu mikrostruktury w polu magnetycznym. Wyraźny wzrost badanego napięcia sugeruje, że występuje znaczne zwiększenie wychylenia metalizacji w polu magnetycznym, co jest bezpośrednio związane z drganiami rezonansowymi. Pobudzenie odbywało się za pomocą sygnału zmiennego. Aktuacja elektromagnetyczna opiera się na wykorzystaniu siły elektrodynamicznej powstałej w przewodniku umieszczonym w polu magnetycznym przez który płynie prąd. Prezentowane w niniejszej pracy mikromostki posiadały metalizację, która umożliwiła zastosowanie tego typu aktuacji. Co więcej, mikromostki znajdowały się w stałym polu magnetycznym, które stosowane było w celu realizacji detekcji drgań EMF co pozwoliło na przetestowanie aktuacji elektromagnetycznej bez dodatkowych zmian w układzie. Na rysunku 6 zaprezentowano przykładowe krzywe rezonansowe zarejestrowane w komorze próżniowej z aktuacją elektromagnetyczną. Dzięki zastosowaniu silnego pola magnetycznego o natężeniu 410 mt siła elektrodynamiczna działająca na mikromostki była na tyle duża aby wprawić je w drgania rezonansowe z wychyleniami sięgającymi kilkunastu nanometrów. Siła elektrodynamiczna rozłożona na całej długości mikromostka, dla prądu pobudzenia 10 µa wynosiła w zależności od długości mikromostka od 0,41 do 0,86 nn. Należy pamiętać, że korzystając z pomiarowego mostka typu Wheatstone a prąd pobudzenia był w idealnej sytuacji dwukrotnie mniejszy. Pomiary przeprowadzono dla obniżonego ciśnienia i bardzo małych prądów pobudzania, z powodu dużego wzrostu dobroci drgań i silnego pola magnetycznego. Niesymetryczne kształty pików rezonansowych wynikają z efektów nieliniowych związanych ze zbyt dużymi amplitudami drgań, pojawiającymi się dla prądów pobudzenia większych niż 10 µa w niższych ciśnieniach (w zakresie od 10-3 mbar do 10-5 mbar). Rys. 6. Przykładowe krzywe rezonansowe mikromostków FoMaMet II zarejestrowane w komorze próżniowej z aktuacją elektromagnetyczną, ciśnienie równe mbar, prąd pobudzenia 10 µa. W ramach rozprawy scharakteryzowano szereg struktur z różnymi kombinacjami metod aktuacji oraz detekcji. Porównując przedstawione powyżej metody aktuacji w zastosowanym układzie z polem magnetycznym do detekcji EMF, aktuacja elektromagnetyczna okazała się najbardziej skuteczną

8 metodą. Z tego powodu, w celu przeprowadzenia kolejnych pomiarów w próżni, zdecydowano się wykorzystać aktuację elektromagnetyczną z detekcją z siły elektromotorycznej EMF. Aktuacja elektromagnetyczna została wykorzystana także do badania adsorpcji molekularnych warstw samoorganizujących się SAM. W ramach rozprawy zaproponowano także nowatorskie struktury integrujące pomiarowy mostek Wheatstone a na chipie. W strukturze FoMaMet IV dwa oporniki (R1 oraz R2) znajdują się na mikromostku oraz są zrealizowane przez podwójną ścieżkę metalizacji (Rys. 7 (a)). Są to oporniki, na których mierzona była zmiana napięcia na strukturze wygenerowana podczas ruchu mikromostka w rezonansie. Kolejne dwa oporniki (R3 oraz R4) znajdują się na mikromostku podpartym na środku i są one opornikami wzorcowymi (Rys. 7 (a)). Schemat ideowy połączenia pomiarowego mostka Wheatstone a oraz poszczególnych oporników zaprezentowano na rysunku 7(b). Rys. 7. Schemat struktury z w pełni zintegrowanym mostkiem pomiarowym Wheatstone a: (a) powiększona część maski fotolitograficznej z zaznaczonymi poszczególnymi ścieżkami pełniącymi role poszczególnych rezystorów, (b) schemat układu pomiarowego (R1 i R2 ścieżki znajdujące się na mikromostku, R3 i R4 ścieżki dopełniające). Zestawienie krzywych rezonansowych przedstawiających maksymalne wychylenie uzyskane dla tej samej struktury FoMaMet IV z tym samym sygnałem pobudzenia przyłożonym do poszczególnych rezystorów R1, R2 oraz do całej struktury w architekturze mostka Wheatstone a przedstawiono na rysunku 8. Na wykresie dodano prawą oś przedstawiającą wychylenie mikromostka. Zastosowano tutaj sygnał pobudzenia równy 1 µa. Wartość maksymalnego wychylenia dla struktury w architekturze mostka Wheatstone a jest większa o około rząd wielkości. Rys. 8. Krzywe rezonansowe mikromostka FoMaMet IV z aktuacją elektromagnetyczną i detekcją EMF. Porównanie skuteczności aktuacji dla sygnału przyłożonego do obu ścieżek na mikromostku oraz do poszczególnych z osobna.

9 Należy tutaj przeanalizować skąd wynika aż dziesięciokrotna różnica w sprawności aktuacji. Pierwszym przyczynkiem jest zastosowanie dwukrotnie większej siły elektrodynamicznej indukcji poprzez zastosowanie podwójnej metalizacji ( 2), co wpływa na dwukrotnie większe wychylenie mikromostka (maksymalne wychylenie jest liniowo zależne od siły). W wyniku tego wartość siły EMF po raz kolejny jest dwukrotnie większa ( 2 2). Co więcej dla struktur w architekturze mostka Wheatstone a pomiar zmiany EMF był dokonywany na dwóch rezystorach R1 i R2 jednocześnie, co daje kolejne podwojenie wartości ( 2 2 2). W taki sposób można szacować, że zarejestrowana wartość maksymalnej EMF powinna być ośmiokrotnie większa dla struktury w architekturze mostka Wheatstone a. Autorka rozprawy uważa, że różnica pomiędzy wartością szacowaną a zmierzoną ( 10) wynika z idealnej kompensacji pomiarowego mostka Wheatstone a, a co za tym idzie braku pojemności i rezystancji pasożytniczych, które wpływają na nierównomierne rozprowadzenie prądu pobudzającego strukturę. W wyniku czego, struktury bez kompensacji na chipie nie są w rzeczywistości pobudzane zadanym prądem. Porównując projekt struktur FoMaMet IV w architekturze mostka Wheatstone a z mikromostkami FoMaMet II z pojedynczą metalizacją widać znaczną różnicę w sprawności aktuacji. Z punktu widzenia samej aktuacji jest ona dwa razy większa i wynika to bezpośrednio z zastosowania dwóch ścieżek metalizacji. Co więcej, pomiarowy mostek Wheatstone a jest praktycznie idealnie skompensowany (prąd zasilający strukturę zawsze jest równy ½ prądu zasilającego), gdzie dla struktur kompensowanych za pomocą potencjometrów praktycznie jest niemożliwe do uzyskania z powodu znacznych pojemności pasożytniczych. Należy tutaj podkreślić, że tego typu rozwiązanie zakładające realizację pomiarowego mostka Wheatstone a na strukturze nie zostało jeszcze przedstawione w literaturze przedmiotu i eksperymenty te są pionierskie w skali światowej. Co więcej, z punktu widzenia bardzo małych wymaganych prądów pobudzenia struktury te są dobrym kandydatem do zastosowania w przyszłości w tzw. niskoenergetycznych czujnikach, które nie wymagałyby stałego zasilania. W ramach rozprawy zastosowano technologię osadzania nanostruktur ze wspomaganiem zogniskowaną wiązką elektronów w celu osadzenia struktur służących jako czujniki ugięcia oraz kalibracji czułości mostków na zmianę masy. Mikromostki FoMaMet III były strukturami bazowymi do wytworzenia struktur MEMS i NEMS z detekcją wychylenia na podstawie zmiany rezystancji struktur FEBID składających się z kompozytu Pt-C. Struktury wytworzone z kompozytu Pt-C nazwano rezystorami nanoziarnistymi (ang. nanogranular resistors, NGR). Osadzono struktury o wymiarach 18 2,5 μm 2 o wysokości zadanej 500 nm. Kolejnym krokiem było napromieniowanie struktury wiązką elektronową o parametrach 5,5 na, 2 kv z dawką równą 200 nc/μm 2. Finalną rezystancja mikromostka wynosiła 164 kω, co pozwoliło na uzyskanie rezystywności o wartości 2, Ω m. W celu sprawdzenia właściwości piezorezystancyjnych osadzonych struktur NGR przeprowadzono eksperyment statycznego uginania mikromostków z wykorzystaniem mikroskopu AFM. Wychylenie zadawano oraz śledzono korzystając z sygnałów mikroskopu, natomiast równolegle przeprowadzono pomiar zmiany napięcia na strukturze. Na rysunku 9 zaprezentowano sygnały zarejestrowane podczas statycznego uginania mikromostka za pomocą AFM.

10 Rys. 9. Wykresy: (a) wychylenie na środku oraz (b) zmiana rezystancji zarejestrowane podczas statycznego uginania mikromostka FoMaMet III z naniesionymi strukturami NGR [11]. Równolegle rejestrowano zmianę rezystancji struktury w czasie. Wynik tego pomiaru przedstawiono na rysunku 9(b), gdzie wyraźnie widoczna jest synchronizacja zmiany rezystancji, która zwiększa się, podczas naciskania mikromostka FoMaMet III. Zwiększanie rezystancji związane jest z wydłużaniem się struktur NGR, czyli zwiększeniem odległości pomiędzy nanoziarnami Pt i zmniejszeniem prawdopodobieństwa tunelowania elektronów. Na podstawie zarejestrowanej zmiany topografii równej 1,72 µm, a co za tym idzie wychylenia na środku mikromostka FoMaMet III oszacowano jego wydłużenie. Odkształcenie względne ε wyniosło 1, , natomiast zmiana rezystancji w stosunku do rezystancji początkowej ΔR/R 7, Wyznaczono współczynnik czułości odkształceniowej K dla osadzonych NGR równy 4,25, co jest wartością zbliżoną do wartości przedstawionych w literaturze dla podobnych struktur [12]. Proces osadzania warstw SAM Proces osadzania warstw SAM przeprowadzono na mikromostkach ze złota metalizacją FoMaMet V. Struktura została wstępnie oczyszczona oraz znajdowała się w wysokiej próżni o ciśnieniu równym P = mbar przez około 3 godziny w celu stabilizacji. Krzywe rezonansowe zarejestrowano przy pobudzeniu elektromagnetycznym prądem o wartości 1 µa i detekcji EMF. Początkowa częstotliwość rezonansowa wynosiła f 1 = 728,696 khz. Proces osadzania oraz kolejne pomiary odbywały się w ciśnieniu równym P = mbar. Zmiany częstotliwości rezonansowej mikromostka FoMaMet V związane z osadzaniem się molekularnej warstwy tiofenolu przedstawiono na rysunku 10. Już w pierwszej minucie po wprowadzeniu par tiofenolu zaobserwowano przesunięcie częstotliwości o 59 Hz w stronę wyższych częstotliwości. Następnie pomiary wykonano po 10 minutach oraz 90 godzinach, dla których zarejestrowano przesunięcia o odpowiednio 90 Hz oraz Hz także w stronę wyższych częstotliwości.

11 Rys. 10. Zmiany częstotliwości rezonansowej mikromostka FoMaMet V związane z osadzaniem się molekularnej warstwy tiofenolu. Zaobserwowano zjawisko przesuniecie częstotliwości rezonansowej w stronę wyższych częstotliwości, a nie jak się spodziewano w stronę niższych częstotliwości, które związane byłoby z dodaną masą. Ma to związek z powstaniem dodatkowych naprężeń w strukturze belki dwustronnie zamocowanej generowanych poprzez osadzenie molekularnej warstwy. III. PODSUMOWANIE Badania opisane w niniejszej rozprawie dotyczyły charakteryzacji i zastosowania układów MEMS do zastosowania jako czujnik zmian masy rzędu femtogramów. Dodatkowo, celem nadrzędnym było zastosowanie podejścia metrologicznego. Cel ten został osiągnięty przy użyciu odpowiednio małych narzędzi pomiarowych wytwarzanych metodami mikro- i nanotechnologii, które dodatkowo integrowane są z dedykowanym otoczeniem pomiarowym i sterującym. Narzędziami spełniającymi te założenia zaproponowanymi w ramach rozprawy są mikromechaniczne belki sprężyste dwustronnie zamocowane. Ponadto selektywność czujników została osiągnięta przez odpowiednie modyfikacje właściwości chemicznych powierzchni przetworników, tak aby posiadały one wysokie powinowactwo chemiczne do detektowanych substancji poprzez zastosowanie warstw molekularnych. Niniejsza praca jest kontynuacją badań związanych z detekcją masy do zastosowań biochemicznych za pomocą rezonansowych struktur MEMS realizowanych w ZMMiN W12 PWr. Praca ta zapoczątkowała badania nad strukturami belek dwustronnie zamocowanych, które są naturalnym krokiem ku miniaturyzacji ustroju mechanicznego układu MEMS po kamertonach kwarcowych i mikrodźwigniach. Badania te wpisują się w aktualnie realizowane prace przez laboratoria badawcze na całym świecie w celu osiągnięcia jak najlepszych rozdzielczości pomiarowych jednocześnie prostoty konstrukcji układu wzbudzania i detekcji drgań. Celem pracy było opracowanie technologii metrologicznych obejmujących projekt, charakteryzację i modyfikację przetwornika MEMS/NEMS do obserwacji procesu adsorpcji molekularnych warstw samoorganizujących się (SAMs). Badania zostały przeprowadzone w ramach projektu Fundacji na rzecz Nauki Polskiej TEAM High resolution force and mass metrology using actuated MEMS/NEMS devices FoMaMet. Aby zrealizować postawiony celu pracy w trakcie realizacji pracy doktorskiej:

12 Zaprojektowano szereg konstrukcji tworzących rodzinę struktur FoMaMet, które w końcowym etapie integrują aktuator wychylenia, detektor drgań oraz warstwę receptorową w postaci złotej ścieżki metalicznej. Zastosowano mikroskopię AFM do metrologii właściwości mechanicznych mikro- nanostruktur, a w szczególności sztywności belek dwustronnie zamocowanych z azotku krzemu. Przeprowadzono pomiary charakteryzacji statycznych wychyleń mikromostków FoMaMet spowodowanych aktuacją elektromagnetyczną i elektrotermiczną za pomocą mikroskopii AFM co pozwoliło na charakteryzację tych metod aktuacji. Opracowano metody elektrotermicznej aktuacji oraz detekcji drgań na podstawie obserwacji siły elektromotorycznej indukcji (EMF) realizowane za pomocą tego samego elementu mikrostruktury oraz przeprowadzono je zarówno w próżni jak i warunkach normalnej atmosfery. Zrealizowano pełną integrację na chipie pomiarowego mostka Wheatstone a przez co wyeliminowano problematyczne pojemności i rezystancje pasożytnicze pojawiające się dla wysokich częstotliwości podczas obserwacji siły elektromotorycznej indukcji (EMF). Zaproponowano i zastosowano struktury osadzane ze wspomaganiem zogniskowanej wiązki elektronów (FEBID) jako czujniki naprężeń do detekcji statycznego wychylenia mikromostka na podstawie obserwacji zmiany rezystancji. Zastosowano struktury osadzane ze wspomaganiem zogniskowanej wiązki elektronów (FEBID) w celu wykonania kalibracji czułości pomiarowej struktur FoMaMet. Zaproponowano i przeprowadzono odwracalny proces osadzania warstw samoorganizujących się w warunkach obniżonego ciśnienia. Zademonstrowano możliwość opracowanych metod do pomiaru adsorpcji na mikromostkach z rozdzielczością fg/hz (ag/mhz). IV. LITERATURA [1] J. Chaste, a Eichler, J. Moser, G. Ceballos, R. Rurali, a Bachtold, A nanomechanical mass sensor with yoctogram resolution., Nat. Nanotechnol. 7 (2012) doi: /nnano [2] O.M. Marago, P.H. Jones, F. Bonaccorso, V. Scardaci, P.G. Gucciardi, A.G. Rozhin, A.C. Ferrari, Femtonewton Force Sensing with Optically Trapped Nanotubes, Nano Lett. 8 (2008) doi: /nl [3] K. Eom, H.S. Park, D.S. Yoon, T. Kwon, Nanomechanical resonators and their applications in biological/chemical detection: Nanomechanics principles, Phys. Rep. 503 (2011) doi: /j.physrep [4] K. Waszczuk, G. Gula, M. Swiatkowski, J. Olszewski, W. Herwich, Z. Drulis-Kawa, J. Gutowicz, T. Gotszalk, Evaluation of Pseudomonas aeruginosa biofilm formation using piezoelectric tuning fork mass sensors, Sensors Actuators, B Chem. 170 (2012) doi: /j.snb [5] K. Nieradka, T.P. Gotszalk, G. Schroeder, A novel method for simultaneous readout of static bending and multimode resonance-frequency of microcantilever-based biochemical sensors, Sensors Actuators B Chem. 170 (2012) doi: /j.snb [6] K. Nieradka, K. Kapczyńska, J. Rybka, T. Lipiński, P. Grabiec, M. Skowicki, T. Gotszalk, Microcantilever array biosensors for detection and recognition of Gram-negative bacterial endotoxins, Sensors Actuators, B Chem. 198 (2014) doi: /j.snb [7] M. Moczała, A. Sierakowski, R. Dobrowolski, P. Grabiec, T.P. Gotszalk, Fabrication and measurement of micromechanical bridge structures for mass change detection, in: P. Szczepanski, R. Kisiel, R.S. Romaniuk (Eds.), 2013: p W. doi: / [8] M. Moczała, D. Kopiec, A. Sierakowski, R. Dobrowolski, P. Grabiec, T. Gotszalk, Investigations of mechanical properties of microfabricated resonators using atomic force microscopy related techniques, Microelectron. Eng. 119 (2014) doi: /j.mee

13 [9] M. Moczała, W. Majstrzyk, a. Sierakowski, R. Dobrowolski, P. Grabiec, T. Gotszalk, Metrology of electromagnetic static actuation of MEMS microbridge using atomic force microscopy, Micron. 84 (2016) 1 6. doi: /j.micron [10] M. Moczała, M. Babij, W. Majstrzyk, a. Sierakowski, R. Dobrowolski, P. Janus, P. Grabiec, T. Gotszalk, Technology of thermally driven and magnetomotively detected MEMS microbridges, Sensors Actuators, A Phys. 240 (2016) doi: /j.sna [11] M. Moczała, K. Kwoka, T. Piasecki, P. Kunicki, A. Sierakowski, T. Gotszalk, Fabrication and characterization of micromechanical bridges with strain sensors deposited using focused electron beam induced technology, W Recenzji W Microelectron. Eng. (n.d.). [12] C.H. Schwalb, C. Grimm, M. Baranowski, R. Sachser, F. Porrati, H. Reith, P. Das, J. Muller, F. Volklein, A. Kaya, M. Huth, A tunable strain sensor using nanogranular metals, Sensors (Switzerland). 10 (2010) doi: /s V. DOROBEK NAUKOWY Autorstwo lub współautorstwo 15 artykułów naukowych, z czego 10 z tzw. listy filadelfijskiej. Aktywny udział w ponad 20 konferencjach i seminariach naukowych, z czego 14 międzynarodowych.

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 3 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: pomiar i wyznaczenie parametrów metrologicznych czujnika i przetwornika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. W ćwiczeniu zostaną

Bardziej szczegółowo

Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych w pomiarach nanosił

Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych w pomiarach nanosił Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur Autoreferat rozprawy doktorskiej Właściwości i zastosowanie układów mikroi nanomechanicznych

Bardziej szczegółowo

AFM. Mikroskopia sił atomowych

AFM. Mikroskopia sił atomowych AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości

Bardziej szczegółowo

(zwane również sensorami)

(zwane również sensorami) Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do

Bardziej szczegółowo

Metody mostkowe. Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena

Metody mostkowe. Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Metody mostkowe Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Rodzaje przewodników Do pomiaru rezystancji rezystorów, rezystancji i indukcyjności cewek, pojemności i stratności kondensatorów stosuje się

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

SUB-NANO Matryce czujników mikromecha-nicznych do detekcji bakterii Gram-ujemnych i ich endotoksyn T.Gotszalk

SUB-NANO Matryce czujników mikromecha-nicznych do detekcji bakterii Gram-ujemnych i ich endotoksyn T.Gotszalk MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym

Bardziej szczegółowo

LIV OLIMPIADA FIZYCZNA 2004/2005 Zawody II stopnia

LIV OLIMPIADA FIZYCZNA 2004/2005 Zawody II stopnia LIV OLIMPIADA FIZYCZNA 004/005 Zawody II stopnia Zadanie doświadczalne Masz do dyspozycji: cienki drut z niemagnetycznego metalu, silny magnes stały, ciężarek o masie m=(100,0±0,5) g, statyw, pręty stalowe,

Bardziej szczegółowo

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego

Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz

Bardziej szczegółowo

Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7

Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7 Pomiary Elektryczne Wielkości Nieelektrycznych Ćw. 7 Ćw. 7. Kondycjonowanie sygnałów pomiarowych Problemy teoretyczne: Moduły kondycjonujące serii 5B (5B34) podstawowa charakterystyka Moduł kondycjonowania

Bardziej szczegółowo

4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika

4. Schemat układu pomiarowego do badania przetwornika 1 1. Projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i badaniem przetwornika napięcie/częstotliwość z układem AD654 2. Założenia do opracowania projektu a) Dane techniczne układu - Napięcie zasilające

Bardziej szczegółowo

Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego 2 Do pomiaru rezystancji rezystorów, rezystancji i indukcyjności

Bardziej szczegółowo

Efekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza

Efekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza Efekt Halla Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Wstęp Siła Loretza Na ładunek elektryczny poruszający się w polu magnetycznym w kierunku prostopadłym do linii pola magnetycznego działa

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEKTRYCZNEGO OBWODU REZONANSOWEGO RLC

BADANIE ELEKTRYCZNEGO OBWODU REZONANSOWEGO RLC Ćwiczenie 45 BADANE EEKTYZNEGO OBWOD EZONANSOWEGO 45.. Wiadomości ogólne Szeregowy obwód rezonansowy składa się z oporu, indukcyjności i pojemności połączonych szeregowo i dołączonych do źródła napięcia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Konstrukcja i testy piezoelektrycznego systemu zadawania siły.

Konstrukcja i testy piezoelektrycznego systemu zadawania siły. Konstrukcja i testy piezoelektrycznego systemu zadawania siły. Kierownik projektu (stopień/tytuł, imię, nazwisko, e-mail): Imię i nazwisko: dr inż. Dariusz Jarząbek e-mail: djarz@ippt.pan.pl Sprawozdanie

Bardziej szczegółowo

PROJEKTY STRATEGICZNE SAMODZIELNEGO LABORATORIUM DŁUGOŚCI GŁÓWNEGO URZĘDU MIAR

PROJEKTY STRATEGICZNE SAMODZIELNEGO LABORATORIUM DŁUGOŚCI GŁÓWNEGO URZĘDU MIAR PROBLEMS AND PROGRESS IN METROLOGY PPM 18 Conference Digest Dariusz CZUŁEK Główny Urząd Miar Samodzielne Laboratorium Długości PROJEKTY STRATEGICZNE SAMODZIELNEGO LABORATORIUM DŁUGOŚCI GŁÓWNEGO URZĘDU

Bardziej szczegółowo

Miernictwo - W10 - dr Adam Polak Notatki: Marcin Chwedziak. Miernictwo I. dr Adam Polak WYKŁAD 10

Miernictwo - W10 - dr Adam Polak Notatki: Marcin Chwedziak. Miernictwo I. dr Adam Polak WYKŁAD 10 Miernictwo I dr Adam Polak WYKŁAD 10 Pomiary wielkości elektrycznych stałych w czasie Pomiary prądu stałego: Technika pomiaru prądu: Zakresy od pa do setek A Czynniki wpływające na wynik pomiaru (jest

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Załącznik nr 8 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Temat: POMIAR SIŁ SKRAWANIA

Temat: POMIAR SIŁ SKRAWANIA AKADEMIA TECHNICZNO-HUMANISTYCZNA w Bielsku-Białej Katedra Technologii Maszyn i Automatyzacji Ćwiczenie wykonano: dnia:... Wykonał:... Wydział:... Kierunek:... Rok akadem.:... Semestr:... Ćwiczenie zaliczono:

Bardziej szczegółowo

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne

LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki

Laboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki Laboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki Ćwiczenie 5 Badanie odwrotnego efektu piezoelektrycznego Zagadnienia do przygotowania 1. Elektrostrykcja i odwrotny efekt piezoelektryczny 2. Podstawowe

Bardziej szczegółowo

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy AFM: tryb bezkontaktowy Ramię igły wprowadzane w drgania o małej amplitudzie (rzędu 10 nm) Pomiar zmian amplitudy drgań pod wpływem sił (na ogół przyciągających) Zbliżanie igły do próbki aż do osiągnięcia

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-07-26 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Pomiar indukcyjności.

Pomiar indukcyjności. Pomiar indukcyjności.. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru indukcyjności, ich wadami i zaletami, wynikającymi z nich błędami pomiarowymi, oraz umiejętnością ich właściwego

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych

POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych Studia... Kierunek... Grupa dziekańska... Zespół... Nazwisko i Imię 1.... 2.... 3.... 4.... Laboratorium...... Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 9. Mostki prądu stałego. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:

Ćwiczenie 9. Mostki prądu stałego. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia: Ćwiczenie 9 Mostki prądu stałego Program ćwiczenia: 1. Pomiar rezystancji laboratoryjnym mostkiem Wheatsone'a 2. Pomiar rezystancji technicznym mostkiem Wheatsone'a. Pomiar rezystancji technicznym mostkiem

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1 Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Skuteczna kompensacja rezystancji przewodów.

Skuteczna kompensacja rezystancji przewodów. Skuteczna kompensacja rezystancji przewodów. Punkty pomiarowe, np. na mostach lub skrzydłach samolotów często znajdują się w większej odległości od przyrządów pomiarowych. Punkty pomiarowe, które nie są

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Imię i nazwisko (e mail) Grupa:

Imię i nazwisko (e mail) Grupa: Wydział: EAIiE Kierunek: Imię i nazwisko (e mail) Rok: Grupa: Zespół: Data wykonania: LABORATORIUM METROLOGII Ćw. 12: Przetworniki analogowo cyfrowe i cyfrowo analogowe budowa i zastosowanie. Ocena: Podpis

Bardziej szczegółowo

Liniowe i nieliniowe własciwości optyczne chromoforów organiczych. Summer 2012, W_12

Liniowe i nieliniowe własciwości optyczne chromoforów organiczych. Summer 2012, W_12 Liniowe i nieliniowe własciwości optyczne chromoforów organiczych Powszechność SHG: Każda molekuła niecentrosymetryczna D-p-A p musi być łatwo polaryzowalna CT o niskiej energii Uporządkowanie ukierunkowanie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 5. POMIARY NAPIĘĆ I PRĄDÓW STAŁYCH Opracowała: E. Dziuban. I. Cel ćwiczenia

ĆWICZENIE 5. POMIARY NAPIĘĆ I PRĄDÓW STAŁYCH Opracowała: E. Dziuban. I. Cel ćwiczenia ĆWICZEIE 5 I. Cel ćwiczenia POMIAY APIĘĆ I PĄDÓW STAŁYCH Opracowała: E. Dziuban Celem ćwiczenia jest zaznajomienie z przyrządami do pomiaru napięcia i prądu stałego: poznanie budowy woltomierza i amperomierza

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 9 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Silnik indukcyjny"

Ćwiczenie: Silnik indukcyjny Ćwiczenie: "Silnik indukcyjny" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: Zasada

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Mierniki cyfrowe"

Ćwiczenie: Mierniki cyfrowe Ćwiczenie: "Mierniki cyfrowe" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: Próbkowanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"

Ćwiczenie: Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres

Bardziej szczegółowo

Zakres wymaganych wiadomości do testów z przedmiotu Metrologia. Wprowadzenie do obsługi multimetrów analogowych i cyfrowych

Zakres wymaganych wiadomości do testów z przedmiotu Metrologia. Wprowadzenie do obsługi multimetrów analogowych i cyfrowych Zakres wymaganych wiadomości do testów z przedmiotu Metrologia Ćwiczenie 1 Wprowadzenie do obsługi multimetrów analogowych i cyfrowych budowa i zasada działania przyrządów analogowych magnetoelektrycznych

Bardziej szczegółowo

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Podstawy Badań Eksperymentalnych

Podstawy Badań Eksperymentalnych Podstawy Badań Eksperymentalnych Katedra Pojazdów Mechanicznych i Transportu Wojskowa Akademia Techniczna Instrukcja do ćwiczenia. Temat 01 Pomiar siły z wykorzystaniem czujnika tensometrycznego Instrukcję

Bardziej szczegółowo

Zestaw ćwiczeń laboratoryjnych z Biofizyki dla kierunku Fizjoterapia

Zestaw ćwiczeń laboratoryjnych z Biofizyki dla kierunku Fizjoterapia Zestaw ćwiczeń laboratoryjnych z Biofizyki dla kierunku Fizjoterapia 1. Ćwiczenie wprowadzające: Wielkości fizyczne i błędy pomiarowe. Pomiar wielkości fizjologicznych 2. Prąd elektryczny: Pomiar oporu

Bardziej szczegółowo

BADANIE SILNIKA SKOKOWEGO

BADANIE SILNIKA SKOKOWEGO Politechnika Warszawska Instytut Maszyn Elektrycznych Laboratorium Maszyn Elektrycznych Malej Mocy BADANIE SILNIKA SKOKOWEGO Warszawa 00. 1. STANOWISKO I UKŁAD POMIAROWY. W skład stanowiska pomiarowego

Bardziej szczegółowo

Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii

Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii Metrologia wymiarowa dużych odległości oraz dla potrzeb mikro- i nanotechnologii Grażyna Rudnicka Mariusz Wiśniewski, Dariusz Czułek, Robert Szumski, Piotr Sosinowski Główny Urząd Miar Mapy drogowe EURAMET

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA PIROMETRÓW I METODYKA PRZEPROWADZANIA POMIARÓW

CHARAKTERYSTYKA PIROMETRÓW I METODYKA PRZEPROWADZANIA POMIARÓW CHARAKTERYSTYKA PIROMETRÓW I METODYKA PRZEPROWADZANIA POMIARÓW Wykaz zagadnień teoretycznych, których znajomość jest niezbędna do wykonania ćwiczenia: Prawa promieniowania: Plancka, Stefana-Boltzmana.

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

BADANIE SZEREGOWEGO OBWODU REZONANSOWEGO RLC

BADANIE SZEREGOWEGO OBWODU REZONANSOWEGO RLC BADANIE SZEREGOWEGO OBWOD REZONANSOWEGO RLC Marek Górski Celem pomiarów było zbadanie krzywej rezonansowej oraz wyznaczenie częstotliwości rezonansowej. Parametry odu R=00Ω, L=9,8mH, C = 470 nf R=00Ω,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia

EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia Zadanie 1. Jednym z najnowszych rozwiązań czujników

Bardziej szczegółowo

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru

Wstęp. Doświadczenia. 1 Pomiar oporności z użyciem omomierza multimetru Wstęp Celem ćwiczenia jest zaznajomienie się z podstawowymi przyrządami takimi jak: multimetr, oscyloskop, zasilacz i generator. Poznane zostaną również podstawowe prawa fizyczne a także metody opracowywania

Bardziej szczegółowo

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych

Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych MIROSYSTEMY - LABRATORIUM Ćwiczenie nr 2 Odporny na korozję czujnik ciśnienia dla mikroreaktorów chemicznych Charakterystyka badanego elementu: Odporny na korozję czujnik ciśnienia został opracowany w

Bardziej szczegółowo

BADANIE PROSTEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO POMIAR NAPRĘŻEŃ

BADANIE PROSTEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO POMIAR NAPRĘŻEŃ ĆWICZENIE NR 14A BADANIE PROSTEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO POMIAR NAPRĘŻEŃ I. Zestaw pomiarowy: 1. Układ do badania prostego zjawiska piezoelektrycznego metodą statyczną 2. Odważnik 3. Miernik uniwersalny

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW METROLOGII M-T Ćwiczenie nr 5 BADANIE CZUJNIKÓW CIŚNIENIA.

LABORATORIUM PODSTAW METROLOGII M-T Ćwiczenie nr 5 BADANIE CZUJNIKÓW CIŚNIENIA. 1. Wprowadzenie LABORATORIUM PODSTAW METROLOGII M-T Ćwiczenie nr 5 BADANIE CZUJNIKÓW CIŚNIENIA. W przemyśle (także w praktyce laboratoryjnej) pomiary ciśnienia oprócz pomiarów temperatury należą do najczęściej

Bardziej szczegółowo

Pomiar rezystancji metodą techniczną

Pomiar rezystancji metodą techniczną Pomiar rezystancji metodą techniczną Cel ćwiczenia. Poznanie metod pomiarów rezystancji liniowych, optymalizowania warunków pomiaru oraz zasad obliczania błędów pomiarowych. Zagadnienia teoretyczne. Definicja

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie strat w uzwojeniu bezrdzeniowych maszyn elektrycznych

Wyznaczanie strat w uzwojeniu bezrdzeniowych maszyn elektrycznych Wyznaczanie strat w uzwojeniu bezrdzeniowych maszyn elektrycznych Zakres ćwiczenia 1) Pomiar napięć indukowanych. 2) Pomiar ustalonej temperatury czół zezwojów. 3) Badania obciążeniowe. Badania należy

Bardziej szczegółowo

Temat nr 3: Pomiar temperatury termometrami termoelektrycznymi

Temat nr 3: Pomiar temperatury termometrami termoelektrycznymi Temat nr 3: Pomiar temperatury termometrami termoelektrycznymi 1.Wiadomości podstawowe Termometry termoelektryczne należą do najbardziej rozpowszechnionych przyrządów, służących do bezpośredniego pomiaru

Bardziej szczegółowo

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 9. Mostki prądu stałego. Program ćwiczenia:

Ćwiczenie 9. Mostki prądu stałego. Program ćwiczenia: Ćwiczenie 9 Mostki prądu stałego Program ćwiczenia: 1. Pomiar rezystancji laboratoryjnym mostkiem Wheatsone'a 2. Niezrównoważony mostek Wheatsone'a. Pomiar rezystancji technicznym mostkiem Wheatsone'a

Bardziej szczegółowo

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ

AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ AKADEMIA MORSKA KATEDRA NAWIGACJI TECHNICZEJ ELEMETY ELEKTRONIKI LABORATORIUM Kierunek NAWIGACJA Specjalność Transport morski Semestr II Ćw. 1 Poznawanie i posługiwanie się programem Multisim 2001 Wersja

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE OPERACYJNE

WZMACNIACZE OPERACYJNE WZMACNIACZE OPERACYJNE Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 25 XI 2010 1 Streszczenie Celem wykonywanego ćwiczenia jest zbudowanie i zapoznanie się z zasadą

Bardziej szczegółowo

Ć wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI

Ć wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 37 Ć wiczenie POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 1. Wiadomości ogólne 1.1. Rezystancja Zasadniczą rolę w obwodach elektrycznych odgrywają przewodniki metalowe, z których wykonuje się przesyłowe

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie

Bardziej szczegółowo

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.

Bardziej szczegółowo

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC

Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:

Bardziej szczegółowo

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG

MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG MIKRO- I NANO-SYSTEMY W CHEMII I DIAGNOSTYCE BIOMEDYCZNEJ MNS-DIAG PROJEKT KLUCZOWY WSPÓŁFINANSOWANY PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ Z EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO; UMOWA Nr. POIG.01.03.01-00-014/08-00

Bardziej szczegółowo

BADANIE PROSTEGO I ODWROTNEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO I JEGO ZASTOSOWANIA

BADANIE PROSTEGO I ODWROTNEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO I JEGO ZASTOSOWANIA BADANIE PROSTEGO I ODWROTNEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO I JEGO ZASTOSOWANIA I. BADANIE PROSTEGO ZJAWISKA PIEZOELEKTRYCZNEGO a). Zestaw przyrządów: 1. Układ do badania prostego zjawiska piezoelektrycznego

Bardziej szczegółowo

WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH. Przedmiot: CZUJNIKI I PRZETWORNIKI Ćwiczenie nr 1 PROTOKÓŁ / SPRAWOZDANIE

WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH. Przedmiot: CZUJNIKI I PRZETWORNIKI Ćwiczenie nr 1 PROTOKÓŁ / SPRAWOZDANIE Grupa: WAT - WYDZIAŁ ELEKTRONIKI INSTYTT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH Przedmiot: CZJNIKI I PRZETWORNIKI Ćwiczenie nr 1 PROTOKÓŁ / SPRAWOZDANIE Temat: Przetworniki tensometryczne /POMIARY SIŁ I CIŚNIEŃ PRZY

Bardziej szczegółowo

Badanie widma fali akustycznej

Badanie widma fali akustycznej Politechnika Łódzka FTIMS Kierunek: Informatyka rok akademicki: 00/009 sem.. grupa II Termin: 10 III 009 Nr. ćwiczenia: 1 Temat ćwiczenia: Badanie widma fali akustycznej Nr. studenta: 6 Nr. albumu: 15101

Bardziej szczegółowo

Zakład Metrologii i Systemów Pomiarowych Laboratorium Metrologii I. Grupa. Nr ćwicz.

Zakład Metrologii i Systemów Pomiarowych Laboratorium Metrologii I. Grupa. Nr ćwicz. Laboratorium Metrologii I Politechnika zeszowska akład Metrologii i Systemów Pomiarowych Laboratorium Metrologii I Mostki niezrównoważone prądu stałego I Grupa Nr ćwicz. 12 1... kierownik 2... 3... 4...

Bardziej szczegółowo

MAGNETYZM. PRĄD PRZEMIENNY

MAGNETYZM. PRĄD PRZEMIENNY Włodzimierz Wolczyński 47 POWTÓRKA 9 MAGNETYZM. PRĄD PRZEMIENNY Zadanie 1 W dwóch przewodnikach prostoliniowych nieskończenie długich umieszczonych w próżni, oddalonych od siebie o r = cm, płynie prąd.

Bardziej szczegółowo

Uśrednianie napięć zakłóconych

Uśrednianie napięć zakłóconych Politechnika Rzeszowska Katedra Metrologii i Systemów Diagnostycznych Laboratorium Miernictwa Elektronicznego Uśrednianie napięć zakłóconych Grupa Nr ćwicz. 5 1... kierownik 2... 3... 4... Data Ocena I.

Bardziej szczegółowo

Technika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel

Technika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel Technika sensorowa Czujniki piezorezystancyjne dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki działające w oparciu o efekt Tensometry,

Bardziej szczegółowo

ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego

ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego Laboratorium Podstaw Miernictwa Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Pomiarów ZASADY DOKUMENTACJI procesu pomiarowego Przykład PROTOKÓŁU POMIAROWEGO Opracowali : dr inż. Jacek Dusza mgr inż. Sławomir

Bardziej szczegółowo

Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu

Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu 1 ĆWICZENIE 7. CEL ĆWICZENIA. Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu Celem ćwiczenia jest poznanie własności dynamicznych przetworników pierwszego rzędu w dziedzinie czasu i częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia Ćwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia Właściwy dobór rezystorów nastawnych do regulacji natężenia w obwodach prądu stałego. Zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna

Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna EAM - laboratorium Laboratorium Elektroniczna aparatura Medyczna Ćwiczenie REOMETR IMPEDANCYJY Opracował: dr inŝ. Piotr Tulik Zakład InŜynierii Biomedycznej Instytut Metrologii i InŜynierii Biomedycznej

Bardziej szczegółowo

PRZETWORNIKI CIŚNIENIA. ( )

PRZETWORNIKI CIŚNIENIA. ( ) PRZETWORNIKI CIŚNIENIA. 1. Wprowadzenie Pomiary ciśnień należą do najczęściej wykonywanych pomiarów wraz z pomiarami temperatury zarówno w przemyśle wytwórczym jak i w badaniach laboratoryjnych. Pomiary

Bardziej szczegółowo

BADANIE AMPEROMIERZA

BADANIE AMPEROMIERZA BADANIE AMPEROMIERZA 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie metod pomiaru prądu, nabycie umiejętności łączenia prostych obwodów elektrycznych, oraz poznanie warunków i zasad sprawdzania amperomierzy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

Front-end do czujnika Halla

Front-end do czujnika Halla Front-end do czujnika Halla Czujnik Halla ze względu na możliwość dużej integracji niezbędnych w nim komponentów jest jednym z podstawowych sensorów pola magnetycznego używanych na szeroką skalę. Marcin

Bardziej szczegółowo

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego PRZYRZĄDY POMIAROWE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Przyrządy pomiarowe Ogólny podział: mierniki, rejestratory, detektory, charakterografy.

Bardziej szczegółowo

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne 1 Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne Mała firma elektroniczna wyprodukowała tani i prosty w budowie prototypowy generator funkcyjny do zastosowania w warsztatach amatorskich. Podstawowym układem

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia jednopłaszczyznowe wyważanie wirników

Instrukcja do ćwiczenia jednopłaszczyznowe wyważanie wirników Instrukcja do ćwiczenia jednopłaszczyznowe wyważanie wirników 1. Podstawowe pojęcia związane z niewyważeniem Stan niewyważenia stan wirnika określony takim rozkładem masy, który w czasie wirowania wywołuje

Bardziej szczegółowo

Układ aktywnej redukcji hałasu przenikającego przez przegrodę w postaci płyty mosiężnej

Układ aktywnej redukcji hałasu przenikającego przez przegrodę w postaci płyty mosiężnej Układ aktywnej redukcji hałasu przenikającego przez przegrodę w postaci płyty mosiężnej Paweł GÓRSKI 1), Emil KOZŁOWSKI 1), Gracjan SZCZĘCH 2) 1) Centralny Instytut Ochrony Pracy Państwowy Instytut Badawczy

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze

Bardziej szczegółowo

2.3. Praca samotna. Rys Uproszczony schemat zastępczy turbogeneratora

2.3. Praca samotna. Rys Uproszczony schemat zastępczy turbogeneratora E Rys. 2.11. Uproszczony schemat zastępczy turbogeneratora 2.3. Praca samotna Maszyny synchroniczne może pracować jako pojedynczy generator zasilający grupę odbiorników o wypadkowej impedancji Z. Uproszczony

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo