Elementy Elektroniczne
|
|
- Alicja Wierzbicka
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elementy Elektroniczne dr hab. inż Piotr Płotka pok. 301 tel Nagroda Nobla w fizyce 2009 Za przełomowe osiągnięcia w dziedzinie przesyłania światła we włóknach optycznych na duże odległości. Za wynalezienie półprzewodnikowego obwodu obrazującego sensora CCD. Charles K. Kao Standard Telecom. Lab. Harlow, United Kingdom; Chinese Univ. of Hong Kong urodz w Chinach Willard S. Boyle Bell Lab. Murray Hill, NJ, USA urodz w Kanadzie George E. Smith Bell Lab. Murray Hill, NJ, USA urodz _Nobel_fizyka_opt_fiber_CCD 1
2 Nagroda Nobla w fizyce 2009 Za wynalezienie półprzewodnikowego obwodu obrazującego sensora CCD. Willard S. Boyle Bell Lab. Murray Hill, NJ, USA urodz w Kanadzie George E. Smith Bell Lab. Murray Hill, NJ, USA urodz Charge-Coupled Devices (CCD) 2009_Nobel_fizyka_opt_fiber_CCD_2 - przyrządy o sprzężeniu ładunkowym Boyle Smith BSTJ 1970 W.S. Boyle, G.E. Smith, "Charge coupled semiconductor devices", Bell System Technical Journal, vol. 49, p. 587, Apr streszczenie Jak zrobić studnie potencjału w krzemie? Jak przesuwać minima potencjału w tych studniach? Dlaczego ładunek elektryczny ma podążać za tymi minimami? 2
3 Jak doszło do wynalazku? W.S. Boyle, G.E. Smith, IEEE Trans. Electron Devices v.23 p : W 1969 r. w Lab. Bella parto do rozwoju pamięci magnetycznych, ale kierownictwo rozumiało, że mogą się też znaleźć obiecujące pamięci półprzewodnikowe; wywierano presję na wynajdowanie nowych przyrządów półprzewodnikowych; budżet na prace nad półprzewodnikami byłby zagrożony gdyby nie było sukcesów w dziedzinie pamięci półprzewodnikowych; istniała już kamera z tablicą fotodiod; nasuwało się pytanie: "dlaczego jej nie zintegrować i nie dołączyć rejestru przesuwającego - dla odczytu?" Boyle i Smith dyskutowali nad tym problemem i wynalazek powstał w ciągu jednogodzinnej popołudniowej dyskusji (1969 r.). Po ponownym przemyśleniu i dyskusji z kolegami zdecydowali się na doświadczalne sprawdzenie koncepcji. Po tygodniu pierwszy układ CCD działał. Generacja przesuwanie ładunku - detekcja Boyle Smith BSTJ v.49 p589, 1970 Wynaleziona struktura może być użyta jako rejestr przesuwający. Od strony wejścia należy dołączyć generator ładunku, np. złącze pn (diodę pn), strukturę MOS pracującą w zakresie powielania lawinowego lub użyć generacji par elektron-dziura przez światło. Do detekcji prądu można użyć: zaporowo spolaryzowanej diody pn lub zaporowo spolaryzowanego złącza metal-półprzewodnik, lub badać zmianę pojemności. 3
4 Pomysł i działający przyrząd Reprodukcja szkicu z notatnika laboratoryjnego przedstawiająca pierwszy trójfazowy przyrząd o sprzężeniu ładunkowym. W.S. Boyle, G.E. Smith, IEEE Trans. Electron Devices v.23 p Pomysł i działający przyrząd Utleniony krzem, to jest krzem pokryty cienką warstwą SiO 2 o grub. 120 nm. Sąsiadujące, ale nie zwarte ze sobą elektrody Cr/Au. 10 elektrod w linii. Rozmiar 100 µm 100 µm, odstęp 3 µm. Grubość naparowanego metalu przypuszczalnie ok. 0,5 µm. Drut wyprowadzenia, prawdopodobnie złoty, dołączony prawdopodobnie prez przycisk, ze wspomaganiem ultradźwiękami. Fotografia pierwszej doświadczalnej tablicy struktur metal-tlenek-krzem (płyt polowych) użytej do potwierdzenia zasady przesuwania ładunku. Pomysł i działający przyrząd_2 W.S. Boyle, G.E. Smith, IEEE Trans. Electron Devices v.23 p
5 Pomysł i działający przyrząd Pierwszy 8-bitowy w pełni scalony przyrząd z diodowymi wejściem i wyjściem W.S. Boyle, G.E. Smith, IEEE Trans. Electron Devices v.23 p Obraz uzyskany z 8-bitowej liniowej tablicy elementów CCD. Skanowanie z lewa na prawo wykonano mechanicznie. Pomysł i działający przyrząd_3 Spróbujmy zrozumieć jak działa układ o sprzężeniu ładunkowym (CCD) 5
6 Półprzewodniki w układzie okresowym Najczęściej używanymi półprzewodnikami są Si oraz Ge z grupy IV oraz związki IIIV jak GaAs, AlN, InP, GaP Tabela układu okresowego Struktura krystaliczna regularne: prosta przestrzennie centrowana ściennie centrowana Atomy w sieci krystalicznej ułożone są okresowo, komórki podstawowe powtarzają się. diamentu Si, C, Ge blendy cynkowej GaAs,GaP soli kuchennej PbS, PbTe... Wybrane ważne struktury komórek sieci krystalicznej S.M.Sze, Kwok K.Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3 ed, Wiley, 2006 wurcytu CdS, ZnS... 6
7 Z okresowym ułożeniem atomów w krysztale wiąże się struktura pasmowa kryształu Pasmo przewodnictwa półprzewodnika jest tylko częściowo zapełnione elektronami. Może ich tam być znikomo mało. Tak jest w półprzewodniku typu p w równowadze. Energia elektronu E Pasmo walencyjne dno pasma przewodnictwa E C Poziom Fermiego E F E V szczyt pasma walencyjnego Przerwa energetyczna E g = E C -E V położenie w normalnej przestrzeni x Pasmo walencyjne jest prawie całkowicie wypełnione elektronami. Dziury braki elektronów. Dziur w tym paśmie może być znikomo mało. Tak jest w półprzewodniku typu n w równowadze. Strukt_pasmowa_1 Z okresowym ułożeniem atomów w krysztale wiąże się struktura pasmowa kryształu Elektrony, te które są, mogą się swobodnie (prawie) poruszać w paśmie przewodnictwa Energia elektronu E Pasmo walencyjne dno pasma przewodnictwa E C Poziom Fermiego E F E V szczyt pasma walencyjnego Przerwa energetyczna E g = E C -E V położenie w normalnej przestrzeni x Dziury braki elektronów, mogą się swobodnie (prawie) poruszać w paśmie walencyjnym Strukt_pasmowa_2 7
8 Różnica pomiędzy półprzewodnikiem, a dielektrykiem jest umowna - tylko ilościowa Przerwa energetyczna dielektryka (izolatora) jest bardzo duża, rzędu kilku elektronowoltów (ev). Dlatego w paśmie przewodnictwa praktycznie nie ma elektronów. 1 ev = 1 V e 1, J gdzie e ładunek elektronu Energia elektronu E Pasmo walencyjne dno pasma przewodnictwa E C Poziom Fermiego E F E V szczyt pasma walencyjnego Przerwa energetyczna E g = E C -E V położenie w normalnej przestrzeni x Dlatego w paśmie walencyjnym praktycznie nie ma dziur, które mogłyby przewodzić prąd elektryczny. Strukt_pasmowa_3 Półprzewodnik w polu elektrycznym E energia E natężenie pola elektrycznego Ψ potencjał elektryczny q ładunek elementarny, e 1, C = 1, A s E = q Ψ dψ 1 E = = dx q de dx E C E C E V E V kierunek pola elektrycznego E kierunek pola elektrycznego E 8
9 Struktura CCD na krzemie typu p -nieoświetlona Metalowa elektroda jest zwarta z podłożem typu p. W krzemie typu p, w warunkach równowagi, jest znikomo mało elektronów. Ten wykres jest idealizowany. Założono równe prace wyjścia i brak uwięzionych ładunków. Struktura CCD na krzemie typu p nieoświetlona _1 Struktura CCD na krzemie typu p -nieoświetlona W krzemie typu p, w warunkach równowagi, jest znikomo mało elektronów. Metalowa elektroda spolaryzowana jest dodatnim napięciem V 1 względem podłoża typu p. Przyłożenie napięcia V 1 powoduje powstanie pola elektrycznego E w krzemie pod powierzchnią SiO 2. W krótkim czasie, rzędu sekundy, po przyłożeniu V 1 koncentracja elektronów pozostaje znikomo mała. Struktura CCD na krzemie typu p nieoświetlona _2 9
10 Struktura CCD na krzemie typu p -oświetlona Wskutek oświetlenia struktury CCD dochodzi do zjawiska fotoelektrycznego wewnętrznego generowane są pary elektron-dziura. Pole elektryczne E rozdziela elektrony od dziur. Elektrony są unoszone w kierunku powierzchni, a dziury płyną do kontaktu. Bariera energetyczna przy powierzchni Si, związana z obecnością izolatora, powoduje, że elektrony gromadzą się tam w lokalnym minimum energetycznym. Na elektron działa siła F e Na dziurę działa siła F h przeciwnie skierowana, równa co do modułu. F h = -F e Przesuwanie ładunku w CCD -1 Przesuwanie ładunku w CCD Załóżmy, że CCD nie jest oświetlony; można pominąć generację i rekombinację elektronów i dziur. Spolaryzujmy tablicę CCD trzema okresowymi ciągami impulsów napięciowych Φ 1, Φ 2, Φ 3, przesuniętych w fazie jak na rys. Dodatni potencjał metal na SiO 2, ujemny podłoże typu p. Jednakowy sygnał Φ i podawany jest do co trzeciej elektrody. Załóżmy, że w chwili t 1, w studni potencjału pod pierwszą z lewej elektrodą są uwięzione elektrony, a pod innymi elektrodami nie. 10
11 Przesuwanie ładunku w CCD -2 Przesuwanie ładunku w CCD W chwili t 2, dodatnio spolaryzowane są dwie pierwsze elektrody. Studnia potencjału jest pod oboma. Elektrony rozpływają się na całą długość studni wskutek dyfuzji i elektrostatycznego odpychania się ładunków elektronów. Przesuwanie ładunku w CCD -3 Przesuwanie ładunku w CCD W chwili t 3 potencjał pierwszej z lewej elektrody jest nadal dodatni, ale mniejszy niż potencjał drugiej elektrody. Studnia potencjału pod pierwszą elektrodą robi się płytsza.. Elektrony, dążąc do minimum energetycznego skupiają się pod drugą elektrodą. 11
12 Przesuwanie ładunku w CCD -4 Przesuwanie ładunku w CCD W chwili t 4 potencjał pierwszej z lewej elektrody jest zerowy. Studnia potencjału jest pod spolaryzowaną dodatnio drugą elektrodą (i piątą i siódmą i...). Proces przesuwania ładunku o jedną pozycję jest zakończony. Elektrony są skupione pod drugą elektrodą (i ewentualnie pod piątą i siódmą i...). Struktura CCD może być zatem wykorzystywana jako rejetr przesuwający W spolaryzowanym tranzystorze MOS z kanałem typu n elektrony wpływają pod bramkę ze źródła typu n CCD Tranzystor MOS 12
13 J.E Lilienfeld - wynalazek tranzystora MOS 1933 r. J.E Lilienfeld - wynalazek tranzystora MESFET 1930 r. 13
14 Ian Ross (Bell) - wynalazek tranzystora MOS ze wzbogacanym kanałem 1955 r. C.T. Sah, Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI, Proc IEEE, Vol. 76, pp , Charles K. Kao - za osiągnięcia w dziedzinie przesyłania światła we włóknach optycznych na duże odległości A. Fert, P. Grünberg- za odkrycie zjawiska gigantycznego magnetooporu A. J. Heeger, A. G. MacDiarmid, H. Shirakawa - za odkrycie i rozwijanie polimerów przewodzących Willard S. Boyle, George E. Smith - za wynalezienie półprzewodnikowego obwodu obrazującego sensora CCD Nagrody Nobla za odkrycia i wynalazki związane z przyrządami 2000 Z. I. Alferov - za opracowanie heterostruktur półprzewodnikowych używanych w optoelektronice H. Kroemer - za opracowanie bardzo szybkiego tranzystora heterozłączowego Jack S. Kilby - za wkład w wynalezienie układu scalonego 1998 R. B. Laughlin, H. L. Störmer, D. C. Tsui - za odkrycie cieczy kwantowej ze wzbudzeniami o ładunkach ułamkowych - ułamkowe kwantowe zjawisko Halla 1987 J. G. Bednorz, K. A. Müller - za odkrycie wysokotemperaturowego nadprzewodnictwa w materiałach ceramicznych 1985 K. von Klitzing - za odkrycie kwantowego zjawiska Halla 1973 Leo Esaki - za doświadczalne okrycia dotyczące tunelowania w półprzewodnikach I. Giaever - za doświadczalne okrycia dotyczące tunelowania w nadprzewodnikach B. D. Josephson - za teorię tunelowania w złączu nadprzewodników (w złączu Josephsona) 1972 J. Bardeen, L. N. Cooper, R. Schrieffer - za teorię zjawiska nadprzewodnictwa (teorię BCS) 1964 C. H. Townes, N. G. Basov, A. M. Prokhorov - za badania podstawowe w dziedzinie elektroniki kwantowej, które doprowadziły do urządzeń z rodziny laserów i maserów 1956 W. B. Shockley, J. Bardeen, W. H. Brattain - za badania nad półprzewodnikami i odkrycie zjawiska tranzystorowego 14
15 Układy Scalone Wynalezione przez Jacka Kilby 1958r. - Texas Instruments Elementy wykonane w pojedynczej płytce Ge, trawionej na wskroś dla izolacji elementów; drutowe połączenia między elementami Strona z notatnika J.S. Kilby ukazująca generator z przesuwnikiem fazy wykonany z płytki Ge metodą dyfuzji. Strona z notatnika J.S. Kilby ukazująca przerzutnik wykonany z płytki Ge metodą dyfuzji. J.S. Kilby, IEEE Trans. Electron Dev., v.23, s.648, 1976 Wczesne układy scalone Texas Instruments Pierwszy układ scalony na germanie wykonany przez J. Kilby w Texas Instruments Pierwszy planarny krzemowy układ scalony wykonany techniką planarną. Przerzutnik z aluminiową metalizacją, Fairchild, 1961 pomysł Roberta Noyce, 1958 A Solid State of Progress, Fairchild Camera and Instrument Corporation, 1979, G.E.Moore, Proc. IEEE, v.86,s.53-62,
16 Tunelowy Prąd Bramki W Tranzystorze MOS Grubość SiO 2 to tylko 5 atomów. Obraz SiO 2 bramki z transmisyjnego mikroskopu elektronowego (TEM) o atomowej rozdzielczości. Tunelowy prąd bramki w tranzystorze MOS z cienkim SiO 2. W technologii 65 nm stosowano SiO 2 bramki o grubości 2 nm. Zmniejszenie grubości SiO 2 było z jednej strony konieczne aby zmniejszyć długość kanału do 32 nm ( w technologii 45 nm), a z drugiej strony niemożliwe z uwagi na niedopuszczalnie duży prąd upływu Gęstość prądu bramki w funkcji naięcia bramka źródło bramki. H.Momose i in, IEEE Trans. Electron Devices v50 s Gate_Tunneling_1a Gate_Tunneling_1b Tunelowy Prąd Bramki W Tranzystorze MOS Problem dużego prądu bramki rozwiązano stosując HfO 2 jako izolator bramki. Znormalizowany prąd upływu bramki HfO 2 ma większą przenikalność dielektryczną niż SiO 2 więc może być grubszy przy tych samych V GS i I D większa grubość dielektryka bramki prowadzi do mniejszego prądu tunelowego. IEDM 2007, art. s10p02, Intel 16
17 Naturalne bariery miniaturyzacji tranzystorów źródło S bramka G dren D 100 nm MOSFET - struktura może być uznana za ciągłą 0,25 nm odległość między atomami w sieci krystalicznej Si źródło S bramka G dren D źródło S bramka G dren D donor donor 25 nm MOSFET -pomiędzy źródłem a drenem mieści się ok. 100 atomów w sieci krystalicznej Si Kolorami niebieskim i czerwonym wyróżniono atomy akceptorów i donorów, szarym - krzemu A. Asenov i in. IEEE Trans. Electron Dev. v.50, s.1837, 2003 atom Si akceptor 4 nm MOSFET -pomiędzy źródłem a drenem mieści się ok. 16 atomów w sieci krystalicznej Si Napr_Si_konstrukcja_nMOS Tranzystory MOS Z Naprężonym Krzemem Dla Zwiększenia Ruchliwości Dziur i Elektronów Tranzystor nmos z bramką o metalurgicznej długości 35 nm (INTEL w technologii 45 nm) źródło rozciąganie bramka Si dren Si 3 N 4 osadzony w odpowiednich warunkach na krzemie rozciąga krzem Naprężenia rozciągające krzem typu n powodują zwiększenie ruchliwości elektronów µ n w kanale tranzystora o 40%. Zwiększenie µ n powoduje zmniejszenie czasu przelotu elektronów przez kanał tranzystora. Wzrasta częstotliwość graniczna wzmocnienia mocy f max. Obraz z elektronowego mikroskopu transmisyjnego (TEM) Tyagi et al. IEDM 2005 s
18 Wielowarstwowa Metalizacja Dielektryk między warstwami metalizacji, o możliwie małej stałej dielektrycznej, mniejszej od SiO 2. powierzchnia krzemu z tranzystorami - niewidocznymi metal (Cu) -ścieżka -przewodząca IEDM 2007, art. s10p02, Intel Warstwy miedzi po strawieniu dielektryka. Obraz ze skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) IBM Corp. Szybkość Przełączania Inwerterów CMOS Inwertery CMOS tranzystorami o długości kanałów 32 nm (wykonane w technologii 45 nm, Intel r.) mają czas opóźnienia t d = 5,1 ps. Opóźnienie stopnia [ps] większa - mniejsza grubość izolatora bramki =V DD =V DD Prąd w stanie odcięcia tranzystorów [na/µm] IEDM 2007, art. s10p02, Intel 18
19 Procesory CMOS Z Tranzystorami O Długości Kanałów 32 nm (W technologii 45 nm Intel 2009 r.) Procesor jednordzeniowy Procesor dwurdzeniowy Zaprojektujcie układy lepsze dla Waszych potrzeb, szybsze i zużywające mniej energii! 19
Materiały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna półprzewodników
Przewodność elektryczna półprzewodników p koncentracja dziur n koncentracja elektronów Domieszkowanie półprzewodników donory i akceptory 1 Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku domieszkowanym
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2. B. Ziętek, Optoelektronika,
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 10. Detekcja światła. Kondensator MOS. Plan na dzisiaj. fotopowielacz, część 2 MCP (detektor wielokanałowy) streak camera
Repeta z wykładu nr 10 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 fotopowielacz,
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoIX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski
IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Bardziej szczegółowoDetektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład VIII CCD 1 Detektor CCD Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki materii skondensowanej
Podstawy fizyki materii skondensowanej Wykład (30 h): dr hab. S. Baran pokój D-1-59 / tel. (12 664) 4686 http://users.uj.edu.pl/~ufbaran/dydaktyka/ Ćwiczenia (15 h): dr hab. P. Starowicz pokój D-1-42 /
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe MIS
Kraków, 20.06.2009 r. Tranzystory polowe MIS Tomasz Noga Fizyka Ciała Stałego Rok IV Streszczenie Tranzystory MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor) należą do rodziny tranzystorów polowych z izolowaną
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoFotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał
FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowoCel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk
Elektronika program Złącze p-n, diody półprzewodnikowe. Elementy optoelektroniczne. Prostowniki. Zasada działania BJT, charakterystyki statyczne, modele, parametry. Układy polaryzacji i stabilizacja punktu
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 4
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1
Układy nieliniowe Układy nieliniowe odgrywają istotną rolę w nowoczesnej elektronice, np.: generatory sygnałów, stabilizatory, odbiorniki i nadajniki w telekomunikacji, zasialcze impulsowe stałego napięcia
Bardziej szczegółowo"Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne
Materiały do wykładu "Podstawy układów mikroelektronicznych" dla kierunku Technologie Kosmiczne i Satelitarne Część 1. Technologia. dr hab. inż. Waldemar Jendernalik Katedra Systemów Mikroelektronicznych,
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoWykład 21: Studnie i bariery cz.2.
Wykład 21: Studnie i bariery cz.2. Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 1 Przykłady tunelowania: rozpad alfa, synteza
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowo1 Detektor CCD. aparaty cyfrowe kamery VIDEO spektroskopia mikrofotografia astrofizyka inne
Wykład IX CCD 1 1 Detektor CCD. Uran - pierwszy obiekt sfotografowany przy pomocy CCD w r. 1975. (61 calowy teleskop w górach Santa Catalina w pobliżu Tucson - Arizona). Zdjęcie zrobione zostało przy 0.89mm.
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowo