Sprawozdanie. Kontrolowana Praca Własna. Odstraszacz komarów
|
|
- Damian Ciesielski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Sprawozdanie Kontrolowana Praca Własna Odstraszacz komarów Mateusz Kuleszewicz Numer albumu: Wrocław, 2007
2 Spis treści 1. Wstęp Realizacja projektu Schemat układu i sposób działania Blok pierwszy generator o regulowanym wypełnieniu Blok drugi generator generujący sygnał do modulacji częstotliwości Blok trzeci generator właściwy f gen =40 khz Blok czwarty układ inwertera Blok piąty układ wzmocnienia oraz szereg RLC Symulacja oraz pomiary układu Blok pierwszy generator o regulowanym współczynniku wypełnienia Blok drugi generator generujący sygnał do modulacji częstotliwości Generator właściwy f gen =40 khz, inwerter (blok trzeci i czwarty) Blok piąty układ wzmocnienia oraz szereg RLC Analiza poboru prądu Projekt i wykonanie płytki drukowanej Wnioski Spis załączników Oświadczenie
3 1. Wstęp Projekt obejmuje wykonanie odstraszacza komarów działającego na zasadzie emisji ultradźwięków o częstotliwości f=40 khz. Częstotliwość ta jest wysyłana przez naturalnych wrogów komarów nietoperze. Odstraszacz powinien działać z baterii i ewentualnie mieć możliwość podłączenia zasilania z gniazda zapalniczki samochodowej. 2. Realizacja projektu Do zrealizowania projektu bardzo ważny jest przetwornik elektroakustyczny, który będzie wprawiał powietrze w drgania o częstotliwości f=40 khz. Są to częstotliwości niesłyszalne dla człowieka. Standardowe głośniki wysokotonowe nie wytwarzają z wysoką sprawnością ultradźwięków. Z tego względu postanowiono zastosować przetwornik piezoelektryczny mimo tego większość z nich tak jak głośniki dynamiczne nie przenoszą ultradźwięków. Rozwiązaniem jest zastosowanie przetworników piezoelektrycznych dedykowanych do emisji ultradźwięków. Dawniej takie przetworniki były stosowane w układach nadawczych pilotów telewizyjnych (Telefunken). Obecnie stosuje się je np. w układach czujników cofania w samochodach. Ze względu na najniższą cenę do budowy odstraszacza postanowiono zastosować przetwornik z pilota telewizyjnego. Częstotliwość rezonansowa przetworników wynosi f R = 40 khz. Jest to dodatkowa zaleta, ponieważ przy tej częstotliwości jest największą sprawność. Pomiary przetwornika piezoelektrycznego wykonano w wydziałowym laboratorium Półprzewodników, dielektryków i magnetyków przy użyciu analizatora impedancji RA 1260 firmy Solartron. Charakterystykę impedancyjną przetwornika przedstawiono na rys. 1. Z analizy charakterystyk można odczytać, że dla rezonansu występuje minimum impedancji, natomiast w antyrezonansie maksimum. Na charakterystyce kąta impedancji można zauważyć, że między rezonansem a antyrezonansem przetwornik piezoelektryczny wykazuje własność indukcyjną, w pozostałej fragmentach przebiegu ma charakterystykę pojemnościową stratną. 3
4 10 4 Z Frequency (Hz) theta Frequency (Hz) Rys. 1. Charakterystyka impedancyjna przetwornika piezo Przy pomocy programu ZView2 wykonano model zastępczy przetwornika piezoelektrycznego. Model przedstawiono na rys. 2. Rys. 2. Dopasowanie modelu zastępczego do charakterystyki impedancyjnej przetwornika piezoelektrycznego (oprogramowanie ZView) Układ zastępczy przetwornika piezoelektrycznego może być bardziej złożony dla dokładniejszego dopasowania, jednak w przypadku niniejszego projektu nie jest to wymagane. Szereg RLC reprezentuje charakterystykę rezonansową przetwornika piezoelektrycznego. Dopasowanie elementów szeregu zapewniają dość dokładne odwzorowanie (błąd wartości Error na poziomie kilku procent). Szereg RC przedstawia przetwornik piezoelektryczny jako kondensator razem z jego stratnością. 4
5 Układ NE555 Jako generator wykonawczy wykorzystano układ scalony NE555. Układ ten pozwala na łatwą realizacje generatora o dużej stabilności częstotliwości. Niestety, wadą generatora NE555 jest jest jego minimalne napięcie zasilania na poziomie U zas_min =4,5 V. Można go zastąpić wersją CMOS (ang. Complementary Metal Oxide Semiconductor) o zmniejszonym poborze mocy i minimalnym napięciu zasilania na poziomie U zas_min =3 V. Wersja CMOS o oznaczeniu LMC555 nadaje się do układów o zasilaniu bateryjnym. Niestety, ponieważ układ LMC555 nie jest w pełni kompatybilny z układem NE555 jest on mało popularny i co za tym idzie trudno dostępny w sprzedaży detalicznej. Na rys. 3. przedstawiono opis wyprowadzenia i schemat wewnętrzny układu NE555. Rys 3. Wyprowadzenia i schemat wewnętrzny układu NE555 Minimalizacja mocy traconej zasilanie bateryjne Ponieważ układ ma mieć możliwość zasilania z baterii, powinien charakteryzować się jak najmniejszym poborem mocy, nie tracąc przy tym na skuteczności. Najtańszymi bateriami są zwykłe baterie typu AA (paluszki) lub trochę mniejsze AAA. Napięcie na zaciskach baterii wynosi U BAT =1,5 V. Zastosowanie układów CMOS pozwala na budowę odstraszacza zasilanego dwoma paluszkami, w przypadku wersji bipolarnej (NE555) wymagane są minimum trzy paluszki, lub bateria 6F22 o wartości napięcia U=9 V. Bateria 6F22 charakteryzuje się dużą rezystancją wewnętrzną i jest droga. 5
6 Celem zmniejszenia mocy układu zasilanego z baterii postanowiono wykonać generator, który generuje przebieg o okresie T=2 sek. oraz posiada regulowane wypełnieniu. Wypełnienie przebiegu odpowiada za czas włączania i wyłączania odstraszacza. Aby zminimalizować moc pobieraną przez układ odstraszacza wartości rezystorów dla generatorów NE555 dobrano tak, żeby prądów ładowania kondensatorów były możliwie małe. 3. Schemat układu i sposób działania Na rys. 4. przedstawiono schemat ideowy układu odstraszacza. Podzielono go na pięć części. Każda część wykonuję pewną funkcję. Elementy każdego z modułów zaczynają się od cyfry określającej, do którego modułu należą. Wyjątkiem są generatory NE555 gdzie przyjęto jako ostatnią cyfrę wskazującą na przynależność do danego modułu. Rys. 4. Schemat ideowy odstraszacza komarów z programu LTspice SCAD3 6
7 3.1. Blok pierwszy generator o regulowanym wypełnieniu W celu zminimalizowania mocy pobieranej z baterii zaprojektowano układ, który reguluje czas przez jaki odstraszacz generuje ultradźwięki i przez jaki odstraszacz jest w spoczynku. Za pomocą potencjometru można regulować wypełnienie przebiegu włączającego układu z zakresu od D=1-100%. Okres działania generatora obliczono na podstawie wzoru (1) i wynosi T=2 sek. T =0,693 ( R 11 + R POT ) C 12 (1) Dokładne określenie nie jest możliwe, ponieważ wzór nie uwzględnia spadku napięcia na diodach D 11 i D 12. Działanie układu Po włączeniu zasilania napięcie na kondensatorze C 12 wynosi 0 V. Tym samym na wejściu TRIG jest potencjał niższy niż 1/3 U zas, który powoduje ustawienie wewnętrznego przerzutnika RS. Na wyjściu OUT jest potencjał bliski potencjałowi zasilania. Kondensator C 12 jest ładowany prądem, który płynie przez rezystory R 11, D 12, R 12 i potencjometr. Zależnie od położenia potencjometru (który ma największą rezystancje) prąd ładowania kondensatora można regulować się w dużym zakresie dwa rzędy wielkości. Gdy napięcie na kondensatorze C 12 wyprowadzenie THRS osiągnie wartość większą od potencjału wyprowadzenia CV (2/3 U zas zgodnie z wewnętrznym dzielnikiem rezystancyjnym, ponieważ wyprowadzenie CV jest podłączone jedynie z kondensatorem o pojemności C=22 nf zgodnie z zaleceniami producenta) wewnętrzny przerzutnik RS zostaje wyzerowany. Wyprowadzenie OUT ma potencjał bliski zeru, a wyprowadzenie DIS za pomocą wewnętrznego tranzystora jest zwierane jest do masy. Powoduje to przepływ prądu z naładowanego kondensatora C 12 przez niewykorzystywaną część potencjometru, diodę D 11 oraz wewnętrzny tranzystor podłączony do wyprowadzenia DIS. W efekcie kondensator C 12 jest rozładowywany prądem, którego wartość zależy od położenia potencjometru. Gdy potencjał kondensatora C 12 (wyprowadzenia TRIG) spadnie poniżej poziomu 1/3 U zas 7
8 wewnętrzny przerzutnik zostanie ustawiony, na wyprowadzeniu OUT będzie potencjał bliski potencjałowi zasilania, a wewnętrzny tranzystor podłączony do wyprowadzenia DIS zostanie odłączony. Zaczyna się ponowne ładowanie kondensatora C 12 cykl rozpoczyna się na nowo. Wadą tego rozwiązania jest fakt, że w czasie rozładowywania kondensatora prąd również płynie przez rezystor R 11 do wyprowadzenia DIS. Efekt ten powoduje dodatkowe straty mocy. Wysoki potencjał wyprowadzenia OUT sygnalizowany jest świeceniem diody LED oznacza to aktywną pracę układu. Wyprowadzenie OUT dołączone jest do pasywnego filtru dolnoprzepustowego RC złożonego z elementów R 14 i C 13. Zadaniem filtru jest zapobieganie chwilowemu wyłączaniu układu, gdy potencjometr jest w pozycji pracy ciągłej wypełnienie D=100% mimo to przez pewien czas na wyjściu OUT jest poziom niski. Wyjście filtru jest podłączone do wejść RESET pozostałych trzech układów NE555. Układy te są w stanie pracy aktywnej, kiedy do wyprowadzenia RESET doprowadzone jest napięcie o wartości U>0,7 V. W przeciwnym razie układy są wyłączone, a na ich wyprowadzeniach OUT występuje poziom niski. Kolejną wadą układu NE555 jest fakt, iż w czasie wyłączenia układu (podanie niskiego poziomu napięcia na wyprowadzenie RESET) tranzystor podłączony do wyprowadzenia DIS przewodzi prąd. Powoduje dodatkowe straty energii Blok drugi generator generujący sygnał do modulacji częstotliwości Układ NE555 może pracować jako generator VCO w przypadku dołączenia do wyprowadzenia CV odpowiedniego potencjału sterującego. Jego zmiana powoduje zmianę częstotliwości generowanej przez układ. Ta możliwość została wykorzystana w projekcie, gdzie częstotliwość generatora właściwego f=40 khz jest zmieniana w zakresie ±5%. Schemat układu generatora przedstawiono na rys. 5. 8
9 Rys. 5. Schemat układu generatora Częstotliwość generowaną przez generator określa się zależnością (2) 1,44 f (R A +2 R B ) C (2) Generator pracujący w konfiguracji przedstawionej na rys. 5. nie może pracować z wypełnieniem D=50%. Jest to wadą układu pracującego w powyższej konfiguracji. Wypełnienie określa się zależnością (3). D= R B R A +2 R B (3) Sposób działania: Po włączeniu układu kondensator C jest nienaładowany. Tym samym potencjał na nim wynosi 0 V. Gdy potencjał na wyprowadzeniu TRIG ma wartość niższą od wartości 1/3 U zas wewnętrzny przerzutnik zostaje ustawiony. Na wyjściu pojawia się potencjał bliski potencjałowi zasilania U zas. Kondensator C ładuje się prądem płynącym od źródła zasilania przez rezystor R A oraz R B. Szybkość ładowania kondensatora od potencjału 1/3 U zas do 2/3 U zas określa się zależnością (4). τ H 0,693 ( R A + R B ) C (4) 9
10 Gdy na wyprowadzeniu THRE występuje potencjał wyższy od 2/3 U zas wewnętrzny przerzutnik jest wyzerowany. Wewnętrzny tranzystor przewodzi i zwiera wyprowadzenie DIS do masy. W ten sposób prąd będzie płynął z kondensatora C przez rezystor R B, przez wewnętrzny tranzystor do masy. Na wyjściu OUT będzie stan niski. Gdy kondensator C zostanie rozładowany do takiego poziomu, że napięcie na wyprowadzeniu TRIG spadnie poniżej 1/3 U zas, wewnętrzny przerzutnik zostanie ustawiony. Na wyprowadzeniu OUT będzie potencjał bliski potencjałowi zasilania. Wewnętrzny tranzystor podłączony do wyprowadzenia DIS zostaje wyłączony. Kondensator C znów będzie ładowany. Cykl generacji się powtarza. Wyjście OUT drugiego generatora połączone jest do filtru dolnoprzepustowego RC, którego celem jest zmniejszenie amplitudy sygnału wchodzącego na wejście CV trzeciego układu NE555. Na rys. 6. przedstawiono układ dopasowania sygnału. Sygnał propagowany do trzeciego układu NE555 jest sygnałem o przebiegu piłokształtnym o amplitudzie 2/3 U zas ±10% i częstotliwości f=950 Hz. Rys. 6. Układ dopasowania napięcia 3.3 Blok trzeci generator właściwy f gen =40 khz Układ generatora jest analogiczny jak układ drugiego generatora z wyjątkiem dodatkowego rezystora R 32, dzięki któremu wypełnienie przebiegu sygnału wyjściowego wynosi D=50%. Przy stanie przewodzenia wewnętrznego tranzystora prąd płynie przez dodatkowy rezystor R 32. Układ działa w ten sam sposób, co drugi generator. Do wejścia CV jest podłączony sygnał, przez co wartość napięcia na kondensatorze C 31 nie jest porównywana z wartością 2/3 U zas, gdy kondensator jest ładowany. Jest za to porównywane z wartością napięcia na wyprowadzeniu CV (wyprowadzenie CV połączone jest z wewnętrznym dzielnikiem rezystancyjnym, 10
11 przy braku połączenia ma potencjał o wartości 2/3 U zas ). Napięcie doprowadzone do wyprowadzenia CV zmienia się w zakresie ±10% powodując zmianę częstotliwości w zakresie około ±5%. 3.4 Blok czwarty układ inwertera Układ NE555 pracuje w układzie inwertera. Podłączony wejściami TRIG i THRS do wyjścia OUT generatora nr 3, powoduję odwrócenie napięcia. Sposób działania W przypadku kiedy na wyjściu trzeciego generatora jest napięcie bliskie zeru, komparator zauważa, że napięcie na wejściu TRIG jest niższe od napięcia 1/3 U zas. Powoduje ustawienie wewnętrznego przerzutnika i stan wysoki na wyjściu. Wyprowadzenie DIS nie jest podłączone. Wysoki poziom na wejściu powoduje, że komparator podłączony do wejścia THRS zauważa, że sygnał wejściowy ma większą wartość od 2/3 U zas. Przerzutnik zostaje wyzerowany, a wyjściu jest stan niski. W ten sposób układ powoduję odwrócenie napięcia Blok piąty układ wzmocnienia oraz szereg RLC Układ wzmacniacza jest sterowany dwoma sygnałami o tej samej częstotliwości, ale przesuniętymi w fazie o φ=180. Tranzystory pracują w układzie OC wzmacniacz prądowy. Amplituda sygnału na wyjściu układu jest mniejsza od amplitudy wejściowej o około 1,4 V, co można uznać za wadę przy zasilaniu niskimi napięciami. W szeregowym układzie RLC występuję rezonans szeregowy rezonans napięć. Dzięki zjawisku rezonansu na przetworniku piezoelektrycznym pełniącym rolę kondensatora występuje napięcie o większej amplitudzie niż amplituda sygnału na wyjściach kluczy tranzystorowych. Wyższe napięcie pozwala uzyskać większe natężenie dźwięków generowanych przez przetwornik. 11
12 Sposób działania W czasie, gdy jedna para tranzystorów wysterowana jest napięciem niskim (bliskim zeru) druga para wysterowana jest napięciem bliskim napięciu zasilania. Sposób działania układu został przedstawiony na rys. 7. a) b) Rys. 7. Sposób działania pary tranzystorowej Wysterowanie napięciem niskim pary tranzystorów z rys. 7a powoduje przepływ prądu z emitera tranzystora T 2 do jego bazy. Tym samym prąd ten otwiera go powodując przepływ prądu z emitera do kolektora. Potencjał V OUT ustala się na poziomie o 0,7V wyższym od potencjału baz tranzystorów. Złącze baza-emiter tranzystora npn jest spolaryzowane zaporowo i tranzystor nie przewodzi. Na rys. 7b przedstawiono sytuacje, kiedy na wejście układu podano stan wysoki. W takim przypadku na bazy tranzystorów złącze baza-emiter tranzystora T 1 zostaje spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia tranzystor zostaje otwarty. Z kolektora do emitera przepływa prąd. Prąd płynie do momentu, kiedy na wyjściu V OUT ustali się potencjał na poziomie około o 0,7 V niższy niż potencjał bazy tranzystora T 1. Potencjał emitera tranzystora pnp jest niższy od potencjału na jego bazie tranzystor jest wyłączony, nie przewodzi. Ponieważ pary tranzystorów sterowane są sygnałem przesuniętym w fazie o φ=180 szereg RLC jest sterowany sygnałem przemiennym o częstotliwości 40 khz ±5%. Takie rozwiązanie pozwala zwiększyć amplitudę napięcia na przetworniku piezoelektrycznym. W danej chwili prąd płynie przez szereg RLC w jednym kierunku. W dławiku L indukuje się pole magnetyczne. Przy zmianie polaryzacji, w szeregu RLC pole magnetyczne zachowuje kierunek prądu, który przez niego płynie. Prąd dławika nie zmienia się skokowo. Jednak żeby zachować kierunek i wartość prądu indukuje się SEM, który przeciwdziała próbom zmiany 12
13 kierunku prądu w dławiku. Siła elektromotoryczna powoduje zwiększenie różnicy potencjałów na kondensatorze w obwodzie RLC. Pole magnetyczne dławika zmniejsza się, osiąga wartość zerową, a następnie indukuje się, lecz w przeciwnym kierunku. Wtedy następuje ponowna zmiana polaryzacji szeregu RLC i cały cykl się powtarza. 4. Symulacja oraz pomiary układu Symulacje numeryczne pozwalają na skrócenie czasu projektowania oraz pozwalają uniknąć ewentualnych błędów. W dobie komputerów jest ona praktycznie niezbędnym etapem, ponieważ nie jest już wymagane wytwarzanie układów prototypowych. W procesie symulacji numerycznej można uwzględnić zmiany temperaturowe oraz sprawdzić jak układ będzie się zachowywał przy zmianie parametrów danego elementu. Symulacje komputerowe wykonano w programie Ltspice. Układ zasilano napięciem stałym o wartości U ZAS =9 V. W układzie zbudowanym fizycznie, wykorzystano układ LMC555 wersja CMOS, dlatego w symulacjach zostało użyte źródło napięcia U ZAS =3 V takie zasilanie odpowiada zasilaniu z dwóch baterii AA. Pomiary zmontowanego układu były wykonywane przy użyciu oscyloskopu analogowego i aparatu fotograficznego. Aparat został użyty w celu wykonania zdjęć ekranu oscyloskopu Blok pierwszy generator o regulowanym współczynniku wypełnienia Na rys. 8. przedstawiono schemat ideowy symulowanego bloku funkcyjnego. Potencjometr odpowiadający za współczynnik wypełnienia został ustawiony w połowie zakresu regulacji. Markerem zostało oznaczone miejsce, w którym był dokonywany pomiar. 13
14 Rys. 8. Schemat ideowy symulowanego bloku Na rys. 9. przedstawiono oscylogram pracy układu. Dla symulacji okres wynosi T=1,85 s. Dla układu rzeczywistego otrzymano następujące wyniki: dla NE555 T=1,8 ±0,1 s dla LMC555 T=2,5 ±0,1 s Dla wersji CMOS okrest jest dłuższy. Powyższą sytuację można wyjaśnić tym, że układ był zasilany napięciem U zas =3 V, spadek napięcia na diodach jest w przybliżeniu stały - przy niższym napięciu zasilania czas ładowania i rozładowywania kondensatora C 12 jest dłuższy. Rys. 9. Przebieg sygnału wyjściowego z układu 4.2. Blok drugi generator generujący sygnał do modulacji częstotliwości Na rys. 10. przedstawiono schemat ideowy układu modulującego częstotliwość. Na schemacie został oznaczony również punkt pomiarowy. 14
15 Rys. 10. Schemat układu modulującego częstotliwość Na rys. 11. przedstawiono oscylogram sygnału na wyprowadzeniu THRS. Częstotliwość sygnału wyjściowego wynosi f=955 Hz. Rys. 11. Schemat układu modulującego częstotliwość Oscylogramy z pomiarów układu wykonanego fizycznie przedstawiono na rys
16 a) b) Rys. 12. Oscylogramy sygnału na wyprowadzeniu THRS układu NE555 a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Częstotliwość sygnału generowanego przez generator wynosi f=1 khz, zarówno dla układu, w którym został wykorzystany układ NE555 w wersji bipolarnej jak i CMOS. Na rys. 13. zaznaczono punkt pomiarowy układu modulującego częstotliwość. W tym punkcie znajduje się wyjście modulatora. Rys. 14. przedstawia przebieg sygnału na wyjściu OUT układu NE
17 Rys. 13. Schemat ideowy modulatora częstotliwości z zaznaczeniem punktu pomiarowego sygnału wyjściowego NE555 Rys. 14. Przebieg sygnału wyjściowego modulatora częstotliwości Przebieg sygnału dla rzeczywistego układu przedstawiono na rys. 15. Analizując oscylogramy można zauważyć, że przebiegi są mocno zniekształcone. Przyczyną takiej sytuacji jest niezerowa rezystancja wyjściowa układu serii 555. Układy te mają ograniczone prądy wyjściowe. Jedynie przy zerowych prądach wyjściowych można oczekiwać bardziej prostokątnej charakterystyki wyjściowej. 17
18 a) b) Rys. 15. Oscylogramy sygnału na wyprowadzeniu OUT układu NE555 a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Na rys. 17 przedstawiono oscylogram sygnału wyjściowego z generatora po przejściu przez układ inercyjny RC pierwszego rzędu (punkt pomiarowy przedstawiono na rys. 16). Rys. 16. Schemat ideowy modulatora częstotliwości z zaznaczeniem punktu pomiarowego sygnału wyjściowego NE555 (za układem inercyjnym RC) 18
19 Rys. 17. Przebieg sygnału wyjściowego modulatora częstotliwości po przejściu przez układ inercyjny RC Rys. 18. przedstawia sygnał wyjściowy dla układu rzeczywistego. Amplitudę sygnału wyjściowego przedstawiono na rys. 18a. Jest ona mniejsza niż w symulacji. Powyższa sytuacja wynika z faktu, że w symulacji używane są elementy idealne bezstratne. W przypadku układu CMOS (rys. 18b.) amplituda sygnału wyjściowego jest ponad trzykrotnie mniejsza sytuację można wyjaśnić tym, że układ jest zasilany niższym napięciem U ZAS =3 V. Sytuację tą można również wyjaśnić faktem zastosowania kondensatora o ponad dwukrotnie większej pojemności C 23 =47 nf zamiast 22 nf. Dla układów bipolarnych C 23 =330 nf różnica wynika z wartości rezystorów dzielnika wewnątrz układu. 19
20 a) b) Rys. 18. Oscylogramy sygnału wyjściowego modulatora częstotliwości po przejściu przez układ inercyjny RC a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS 4.3. Generator właściwy fgen=40 khz, inwerter (blok trzeci i czwarty) Pomiary układu wykonano przy odłączeniu bloku drugiego. Nieodłączenie spowodowałoby brak możliwości odczytu przebiegu oscylogramy byłyby zamazane i nieczytelne. Na rys. 18. przedstawiono schemat ideowy generatora oraz zaznaczono punkt, w którym dokonywano pomiaru. Na rys. 19. przedstawiono oscylogram z symulacji w programie LTSpice. Częstotliwość sygnału wynosi f=40,11 khz. 20
21 Rys. 18. Schemat ideowy generatora częstotliwości z zaznaczeniem punktu pomiarowego Rys. 19. Przebieg sygnału na wyprowadzeniu THRS układu NE555 Na rys. 20. przedstawiono oscylogramy z pomiarów zmontowanego układu. Po złożeniu układu zmierzono częstotliwości generowaną przez generator. Pomiary wykazały, że częstotliwość była niższa niż zakładane 40kHz. Wymagana była zmiana wartości kondensatora C 31. Dla wersji bipolarnej generatora 555 wartość kondensatora wyniosła C 31 =85,6 pf ±5%, natomiast dla wersji CMOS C 31 =93,8 pf ±5%. 21
22 a) b) Rys. 20. Oscylogramy sygnału wyjściowego na wyprowadzeniu THRS układu timera a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Dodatkowo został zmierzony wpływ zmian napięcia zasilania na częstotliwość generowaną przez generator. Wykresy z pomiarów przedstawiono na rys. 21. Z analizy można wywnioskować, że obydwie wersje układu 555 wykazują podobną zależność częstotliwości generowanej od napięcia zasilania. Niestety efekt ten jest niepożądany, ponieważ generowana częstotliwość w znacznym stopniu zależy od napięcia zasilania. 22
23 a) f generatora [khz] Napięcie zasilania [V] b) f generatora [khz] Napięcie zasilania [V] Rys. 21. Charakterystyka zależności częstotliwości generowanej przez generator od napięcia zasilania a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Na rys. 22 przedstawiono przebieg sygnału wyjściowego z generatora wyprowadzenie OUT. Rys. 22. Przebieg sygnału wyjściowego generatora wyprowadzenie OUT 23
24 Na rys. 23. przedstawiono oscylogramy z pomiaru układu rzeczywistego. a) b) Rys. 23. Oscylogramy sygnału wyjściowego generatora a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Na rys. 24 przedstawiono schemat inwertera zbudowanego z wykorzystaniem układu timera 555. Na schemacie został oznaczony punkt pomiarowy. Rys. 24. Schemat ideowy inwertera z zaznaczeniem punktu pomiarowego 24
25 Oscylogram sygnału wejściowego i wyjściowego inwertera został przedstawiony na rys. 25. a) b) Rys. 25. Oscylogramy sygnału wejściowego i wyjściowego inwertera a) sygnał wejściowy, b) sygnał wyjściowy Oscylogramy z pomiaru układu rzeczywistego przedstawiono na rys. 26. Na przebiegach przy zboczu narastającym i opadającym można zaobserwować przerzuty dzwonienia. Pojawiają się one z szybkiego zbocza oraz pojemności i indukcyjności pasożytniczych wyprowadzeń. Symulacja numeryczna zakłada elementy idealne, a co za tym idzie brak pojemności i indukcyjności pasożytniczych. Dla układu 555 wykonanego w technologi bipolarnej przerzuty charakteryzują się większa wartością niż w przypadku układu wykonanego w technologii CMOS. 25
26 a) b) Rys. 26. Oscylogramy sygnał wyjściowego inwertera a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS 4.4. Blok piąty układ wzmocnienia oraz szereg RLC Na rys. 27. przedstawiono schemat układu wzmacniacza. Ramką został oznaczony układ zastępczy przetwornika piezoelektrycznego o częstotliwości rezonansowej fr=40 khz. Rys. 27. Schemat ideowy bloku wzmacniacza z zaznaczeniem układu zastępczego przetwornika piezoelektrycznego oraz punktu pomiarowego 26
27 Rys. 28. przedstawia sygnał wyjściowy pary tranzystorowej symulacja. Rys. 28. Przebieg sygnału wyjściowego ze wzmacniacza symulacja Piki napięcia widoczne na oscylogramie przedstawionym na rys. 28. mają amplitudę wyższą niż napięcie zasilania i mniejszą od zera. Powodowane są przez szereg RLC, który nie jest pobudzany częstotliwością rezonansową, a jedynie bliską częstotliwości rezonansowej). Na rys. 29. zostały przedstawione oscylogramy z pomiarów układu rzeczywistego. a) b) Rys. 29. Oscylogramy sygnału wyjściowego wzmacniacza a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS 27
28 Rys. 30 przedstawia punkt pomiarowy druga para tranzystorów. Rys. 30. Schemat ideowy bloku wzmacniacza z zaznaczeniem układu zastępczego przetwornika piezoelektrycznego oraz punktu pomiarowego Rys. 31. przedstawia sygnał wyjściowy pary tranzystorowej symulacja. Punkt pomiaru zaznaczono na rys. 30. Rys. 31. Przebieg sygnału wyjściowego ze wzmacniacza symulacja 28
29 a) b) Rys. 32. Oscylogramy sygnału wyjściowego wzmacniacza a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Amplitudy przebiegów wyjściowych są o wiele mniejsze niż te z symulacji w LTSpice. Wynika to z wyidealizowanego modelu układu NE555 znajdującego się w bibliotekach programu. Odstraszacz komarów zrealizowany przy wykorzystaniu układów CMOS (LMC555) charakteryzuje się amplitudą sygnału wyjściowego Upp < 1 V. Dla układu CMOS przebiegi obu par tranzystorów są identyczne. W przypadku układów bipolarnych takie zjawisko nie występuje. W czasie pomiarów zauważono, że charakterystyka, inwertera różni się od charakterystyki generatora. Wygląda to tak, jakby inwerter spóźniał się w przechodzeniu ze stanu niskiego na wysoki. Rys. 33 przedstawia potencjał między indukcyjnością a pojemnością układu rezonansowego RLC. 29
30 Rys. 33. Przebieg sygnału indukcyjnością a pojemnością układu rezonansowego RLC symulacja Rys. 34. obrazuje różnicę potencjału między indukcyjnością a pojemnością szeregowego układu RLC dla układu wykonanego w technologii CMOS i bipolarnej. Oscylogram dla układu wykonanego w wersji bipolarnej jest zbliżony do oscylogramu z symulacji. a) b) Rys. 34. Potencjał między indukcyjnością a pojemnością szeregowego układu RLC a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS 30
31 Rys. 35. przedstawia schemat ideowy z zaznaczeniem punktów pomiarowych pomiar SEM na przetworniku piezoelektrycznym. Na rys. 36 przedstawiono wynik symulacji. Rys. 35. Schemat ideowy z zaznaczeniem punktów pomiarowych pomiar SEM na przetworniku piezoelektrycznym Rys. 36. Sygnał SEM na przetworniku piezoelektrycznym symulacja Rys. 37 przedstawia oscylogramy z pomiarów układu. Porównując oscylogramy z rys można zauważyć, że spadki napięć na wyjściu układów 555 w bardzo dużym stopniu wpływają na sprawność całego układu. Amplitudy rzeczywistego układu są niewielkie w porównaniu z symulacją w programie LTspice. 31
32 a) b) Rys. 37. Oscylogramy pomiaru SEM na przetworniku piezoelektrycznym a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS Na rys. 38. przedstawiono wynik symulacji dla sygnału wyjściowego, który został zmodulowany częstotliwościowo. Pomiar amplitudy sygnału na zaciskach przetwornika piezoelektrycznego. Rys. 38. Sygnał wyjściowy, zmodulowany symulacja 32
33 Na rys. 39 przedstawiono oscylogramy z pomiarów układu. Amplituda sygnału wyjściowego uzyskana z symulacji jest nierealna do osiągnięcia w rzeczywistym układzie. Jednak amplituda rzędu Upp=25 V jest zadowalającym wynikiem układ bipolarny zasilany napięciem UZAS = 9 V. Układ modulacji częstotliwości w dużym stopniu przyczynił się do zwiększenia efektywności odstraszacza komarów. a) b) Rys. 39. Oscylogramy pomiaru SEM na przetworniku piezoelektrycznym a) wersja bipolarna, b) wersja CMOS 33
34 4.5. Analiza poboru prądu W tabeli 1. oraz tabeli 2. zostały przedstawione wyniki pomiaru poboru mocy przez układ. Układy bipolarne przy pracy w trybie RESET pobierają niewiele mniej prądu, dlatego oszczędność baterii jest minimalna. Usunięcie z płytki generator 1 powodującego czasowe przełączanie układu w tryb RESET. Umożliwiłoby to zmniejszenie poboru mocy niż ustawienie wypełnienia generatora na poziomie 50%. W przypadku układów 555 w wersji CMOS odstraszacz pracujący w trybie RESET pobiera dużo mniej energii z baterii. Należy jednak metodą prób i błędów sprawdzić, przy jakim wypełnieniu generatora 1 komary boją się i odlatują, a przy jakim odstraszacz nie robi na nich wrażenia (minimalne skuteczne wypełnienie). Tabela 1. Pobór prądu przez układ odstraszacza zbudowany z użyciem układów bipolarne 555 Praca aktywna RESET U ZAS I [V] [ma] 9 22, ,3 9 17, ,6 Tabela 2. Pobór prądu przez układ odstraszacza zbudowany z użyciem układów CMOS Praca aktywna RESET U ZAS I [V] [ma] 3 5, , ,17 3 0, , , Projekt i wykonanie płytki drukowanej Projekt płytki drukowanej wykonano w programie Eagle. W pierwszej fazie przerysowano schematu z programu LTSpice, następnie dodano takie elementy jak złącze zewnętrznego źródła zasilania, piny do podłączenia baterii oraz włącznik. Bezpiecznik polimerowy, który zastosowano, służy głównie zabezpieczeniu zewnętrznego źródła zasilania w przypadku wystąpienia zwarcia lub uszkodzenia układu. Diody prostownicze zastosowano celem ochro- 34
35 ny układu w przypadku błędnego podłączenia zasilania. Dodano również kondensator filtrujący napięcie zasilania i kondensatory odsprzęgające. Na rys. 40. przedstawiono schemat ideowy z programu Eagle. Rys. 40. Schemat ideowy układu odstraszacza konarów Rys. 41. przedstawia rozmieszczenie elementów na płytce obwodu drukowanego. Natomiast na rys. 42. przedstawiono topologię ścieżek płytki obwodu drukowanego. 35
36 Rys. 41. Rozmieszczenie elementów na płytce obwodu drukowanego Rys. 42. Topologia ścieżek płytki obwodu drukowanego Wykonywanie płytki drukowanej Płytkę drukowana wykonano metodą termotransferu. W pierwszym etapie wycięto płytkę z laminatu. Następnie wyczyszczono powierzchnię metalizowaną. Na drukarce laserowej wydrukowano odbicie lustrzane topologii ścieżek. Płytkę położono na płycie grzejnej o temperaturze 130 C, a na nią wyciętą kartkę z mozaiką ścieżek tonerem do warstwy metalizowanej laminatu. Wałkiem dociśnięto kartkę do laminatu. Papier przykleił się do 36
BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 18 BADANIE UKŁADÓW CZASOWYCH A. Cel ćwiczenia. - Zapoznanie z działaniem i przeznaczeniem przerzutników
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoUKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH
UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoPrzerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555"
Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555". Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i parametrami przerzutnika astabilnego zbudowanego w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia
Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 22 Poznanie zasady działania układu przerzutnika monostabilnego. Pomiar przebiegów napięć wejściowego wyjściowego w przerzutniku monostabilny. Czytanie
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoPrzerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555"
Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555". Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i parametrami przerzutnika monostabilnego zbudowanego w oparciu o układ
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowostrona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI
strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. WPROWADZENIE. Prezentowany multimetr cyfrowy jest zasilany bateryjnie. Wynik pomiaru wyświetlany jest w postaci 3 1 / 2 cyfry. Miernik może być stosowany
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2017 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2016 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoLaboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych
Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych Autorzy: Karol Kropidłowski Jan Szajdziński Michał Bujacz 1. Cel ćwiczenia 1. Cel laboratorium: Zapoznanie się i przebadanie podstawowych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 UKŁADY CZASOWE Białystok 2015 1. Cele ćwiczenia
Bardziej szczegółowoBADANIE ELEMENTÓW RLC
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoRys.1. Układy przełączników tranzystorowych
KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego"
Ćwiczenie: "Obwody prądu sinusoidalnego jednofazowego" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób podgrzewania żarników świetlówki przed zapłonem i układ zasilania świetlówki z podgrzewaniem żarników
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211844 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386656 (51) Int.Cl. H05B 41/14 (2006.01) H05B 41/295 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230966 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423324 (51) Int.Cl. H02M 3/155 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 31.10.2017
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoGenerator przebiegu prostokątnego
Sprawozdanie Projekt nr 27 Generator przebiegu prostokątnego Krzysztof Krajewski nr alb. 230347 Spis treści Wstęp... 2 Schemat... 2 Tryby pracy... 3 Tryb normalny... 3 Tryb niezależnej regulacji... 3 Symulacja...
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowo1. Nadajnik światłowodowy
1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA
Bardziej szczegółowoBEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO
Temat ćwiczenia: BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO 1. Wprowadzenie Ultradźwiękowy bezdotykowy czujnik położenia liniowego działa na zasadzie pomiaru czasu powrotu impulsu ultradźwiękowego,
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych
Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych własności członów liniowych
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowo1 Badanie aplikacji timera 555
1 Badanie aplikacji timera 555 Celem ćwiczenia jest zapoznanie studenta z podstawowymi aplikacjami układu 555 oraz jego działaniem i właściwościami. Do badania wybrane zostały trzy podstawowe aplikacje
Bardziej szczegółowoU 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF
Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika
Bardziej szczegółowoSILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA
SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA Rys.1. Podział metod sterowania częstotliwościowego silników indukcyjnych klatkowych Instrukcja 1. Układ pomiarowy. Dane maszyn: Silnik asynchroniczny:
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPO SPO LITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 172018 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia 298251 (22) Data zgłoszenia: 23.03.1993 (51) Int.Cl.6 G01R 31/36 H02J
Bardziej szczegółowoGeneratory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym
1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.
Bardziej szczegółowoUKŁADY POLARYZACJI I STABILIZACJI PUNKTU PRACY
P.z. K.P.. Laboratorium lektroniki 2FD 200/10/01 UKŁADY POLAYZAJI I TAILIZAJI PUNKTU PAY TANZYTOÓW 1. WTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystorów
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
Badanie diod półprzewodnikowych Proszę zbudować prosty obwód wykorzystujący diodę, który w zależności od jej kierunku zaświeci lub nie zaświeci żarówkę. Jak znaleźć żarówkę: Indicators -> Virtual Lamp
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/6 Pętla synchronizacji fazowej W tym ćwiczeniu badany będzie układ pętli synchronizacji fazowej jako układu generującego przebieg o zadanej
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowo