Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Podobne dokumenty
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Politechnika Białostocka

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

Uniwersytet Pedagogiczny

Badanie tranzystorów MOSFET

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

Pomiar parametrów tranzystorów

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Laboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2

LABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Politechnika Białostocka

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Ćwiczenie 9 TRANZYSTORY POLOWE MOS

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

SILNIK INDUKCYJNY STEROWANY Z WEKTOROWEGO FALOWNIKA NAPIĘCIA

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Badanie tranzystorów bipolarnych.

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU

Katedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych prądu stałego i przemiennego

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Budowa. Metoda wytwarzania

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Podstawy Badań Eksperymentalnych

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Badanie diody półprzewodnikowej

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Temat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych

Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

Generator. R a. 2. Wyznaczenie reaktancji pojemnościowej kondensatora C. 2.1 Schemat układu pomiarowego. Rys Schemat ideowy układu pomiarowego

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Regulacja dwupołożeniowa.

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

Badanie wzmacniacza operacyjnego

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PARAMETRYCZNY STABILIZATOR NAPIĘCIA

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie nr 28. Badanie oscyloskopu analogowego

Systemy i architektura komputerów

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

PROTOKÓŁ POMIARY W OBWODACH PRĄDU PRZEMIENNEGO

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Ćwiczenie E03IS. Charakterystyki tranzystorów: bipolarnego (npn) w układzie WE i unipolarnego (z kanałem typu n) Laboratorium elektroniki

Transkrypt:

nstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów unipolarnych Cel ćwiczenia: Poznanie charakterystyk i parametrów statycznych tranzystorów unipolarnych.. Wymagany zasób wiadomości. Do poprawnego wykonania ćwiczenia niezbędne jest opanowanie wiadomości na temat: 1. stota i zalety sterowania napięciowego w tranzystorach unipolarnych. 2. Podział tranzystorów unipolarnych (kryteria podziału). 3. Budowa, polaryzacja i zasada działania tranzystorów polowych: PNFET, MS. 4. Praca statyczna tranzystora złączowego PNFET i tranzystora MS. charakterystyki przejściowe, charakterystyki wyjściowe, parametry statyczne - definicje fizyczne i techniczne (np. U p, U T ). 5. Środki bezpieczeństwa stosowane podczas pracy z tranzystorami MS. 1

. Pomiary. 1. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora PNFET (BF 245). Pomiary są wykonywane w układzie pomiarowym przedstawionym na rys. 1. D DS N U GS P P V DS VGS G S U DS Rys. 1 Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora PNFET. Przed przystąpieniem do pomiaru sprawdzić, czy wszystkie przełączniki stabilne są wyciśnięte a mierniki wyzerowane. Następnie wcisnąć przełączniki U GS i U DS (niebieski i czerwony) znajdujące się pod napisem BF 245. Powoduje to podłączenie tego elementu do generatora napięcia schodkowego. Podczas pomiarów przestrzegać następujących dopuszczalnych wartości prądów i napięć: U GS U P (U P 10 V); U DS 10 V; Dmax 10 ma; 1.1 Pomiar charakterystyk przejściowych tranzystora PNFET (BF245). 1. Za pomocą przycisków 3 4 i 11 12 ustawić stałą wartość napięcia U DS np. U DS = 1 V. Dla wartości napięcia U DS = 1 V dokonać pomiaru zależności = f U = onst. D GS U c DS 2. Przyciskami 1 2 oraz 9 l0 zmieniać U GS od 0 V do napięcia odcięcia tranzystora (U P ) i odczytywać wartości D 3. Powtórzyć pomiary dla U DS = 0,5 V. 2

1.2 Pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora PNFET (BF245). 1. Za pomocą przycisków 1 2 i 9 10 ustawić stałą wartość napięcia U GS np. U GS = 2 V. Dla wartości napięcia U GS = 2 V dokonać pomiaru charakterystyki = f U. = onst D DS U c GS 2. Przyciskami 3 4 oraz 11 12 zmieniać U DS od 0 V do 10 V odczytywać wartości D 3. Pomiary powtórzyć dla U GS = 4 V i 6 V. 2. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora MOS (SMY 50). Pomiary są wykonywane w układzie pomiarowym przedstawionym na rys. 2. DS S G D U GS V GS p p n V DS U DS Rys. 2. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora MOS Przed przystąpieniem do pomiaru sprawdzić, czy wszystkie przełączniki stabilne są wyciśnięte a mierniki wyzerowane. Następnie wcisnąć przełączniki U GS i U DS (niebieski i czerwony) znajdujące się pod napisem SMY 50. Powoduje to podłączenie tego elementu do generatora napięcia schodkowego. Podczas pomiarów przestrzegać następujących dopuszczalnych wartości prądów i napięć: U GS 10 V; U DS 10 V; 3

Dmax 10 ma. 2.1. Pomiar charakterystyk przejściowych tranzystora MOS (SMY 50). 1. Za pomocą przycisków 3 4 i 11 12 ustawić stałą wartość napięcia U DS np. U DS = 1 V. Dla wartości napięcia U DS = -1 V dokonać pomiaru zależności = f U = onst. D GS U c DS 2. Przyciskami 1 2 oraz 9 l0 zmieniać U GS od 0 V do 10 V i odczytywać wartości D 3. Powtórzyć pomiary dla U DS = 10 V. 2.2. Pomiar charakterystyk wyjściowych tranzystora MOS (SMY 50). 1. Za pomocą przycisków 1 2 i 9 10 ustawić stałą wartość napięcia U GS np. U GS = 6 V. 2. Przyciskami 3 4 oraz 11 12 zmieniać U DS od 0 V do 10 V odczytywać wartości D 3. Pomiary powtórzyć dla np. U GS = 9 V.. Opracowanie wyników. 1. Wykreślić pomierzone charakterystyki przejściowe ( D = f (U GS ) dla U DS = const) i wyjściowe ( D = f (U DS ) dla U GS = const) badanych tranzystorów. 2. W oparciu o charakterystyki przejściowe określić wartości napięcia odcięcia (U P ) lub napięcia progowego (U T ). 3. Na podstawie wykonanych charakterystyk obliczyć dla wybranych trzech punktów pracy parametry dynamiczne g m, g ds. Przeanalizować wpływ punktu pracy na wartości obliczonych parametrów. 4. Sporządzone wykresy, wyniki obliczeń i pomiarów oraz wnioski zamieścić w sprawozdaniu. 4

Strona tytułowa sprawozdania LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Grupa... Zespół Nr ćwiczenia... Lp. Nazwisko i imię Ocena Data wykonania ćwiczenia... kol. wst. wyk. ćw.. Prowadzący zajęcia... 1. 2. 3................. Data oddania sprawozdania... 4.... TEMAT ĆWCZENA:....... 5