Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Podobne dokumenty
Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Włączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Temat: Tyrystor i triak.

POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.

Budowa. Metoda wytwarzania

ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 05/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 09/18

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Tranzystory bipolarne

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Wiadomości podstawowe

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11

Dioda półprzewodnikowa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

Dioda półprzewodnikowa

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Politechnika Białostocka

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH. Ćwiczenie nr 6 TYRYSTOR

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

5. Tranzystor bipolarny

Elementy elektroniczne Wykład 9: Elementy przełączające

(57)czterech tranzystorów bipolarnych i pierwszego PL B 1 HG3K 1 7 / 3 0 H 0 3 G 1 1 / 0 6. Fig.8. Fig.4 H03K 5 / 0 8

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

IV. TRANZYSTOR POLOWY

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 01/19

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Układy nieliniowe - przypomnienie

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (IGBT)

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Tranzystor bipolarny

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Politechnika Białostocka

Urządzenia półprzewodnikowe

Politechnika Białostocka

Badanie tranzystorów bipolarnych

Półprzewodnikowe przyrządy mocy

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

ELEKTRONIKA ELM001551W

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Diody półprzewodnikowe

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

Diody półprzewodnikowe

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

Dioda półprzewodnikowa

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 12/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 05/18

Transkrypt:

114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami przełączającymi są: tranzystor jednozłączowy, tyrystor, dynistor, diak, triak (tab. 9.1). Elementy przełączające mają charakterystykę prądowo-napięciową typu S (rys. 9.1) i pracują w dwóch stanach: Tyrystory [1] Tabela 9.1 Liczba końcó- wek Rodzaj pracy wili ćwiartce Liczba warstw Symbole graficzne Stosowane półprzenazwy wodniko- obowią- spotykane wych zujące w literaturze 8 o Charakterystyka 2 8 o 8 o 5 Diak -ł- o----ł---o + I L czanie -- llu U Ao Blokowanie 4 Dynistor ---j;if-- Ao Ao Przełą- Blokowanie 4 Tyrystor ~ A~: ~ 3 Przełączanie 5 Triak r A~ G +

1. Blokowania (zwany również stanem wyłączenia, który charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją elementu). 2. Przewodzenia (zwany również stanem włączenia, który charakteryzuje się bardzo małą rezystancją elementu). Rys. 9.1. Charakterystyka elementu przełączającego [1] oi<:::::::=~st;=a=n=;:b::;:::io::;:ko=w=a=n~ia==-""'u - 9.1. Tranzystor jednozłączowy Strukturę, symbol, sposób polaryzacji oraz schemat zastępczy tranzystora jednozłączowego pokazano na rys. 9.2. Tranzystor polaryzuje się w następujący sposób: 1) do bazy drugiej doprowadza się wyższy potencjał niż do bazy pierwszej; 2) złącze emiter-baza pierwsza polaryzuje się w kierunku przewodzenia. Charakterystyka prądowo-napięciowa tranzystorajednozłączowego jest przedstawiona na rys. 9.3. Jeżeli napięcie między bazami będzie miało wartość zero, to tranzystor będzie się zachowywał jak dioda (krzywa 1). Podczas zwiększania napięcia U BB przez tranzystor płynie coraz większy prąd, w związku z tym potencjał w punkcie E' (rys. 9.2c) również się zwiększa f B = UBB/(rBl + rb2), UE' = fbrbl = 1]UBBJ gdzie rbi, rb2 - rezystancje obszarów półprzewodnika, odpowiadające obszarom między emiterem a bazą pierwszą bądź drugą, 7] - wewnętrzny współczynnik blokowania (wynosi on ok. 0,6). Przy napięciu między emiterem a bazą pierwszą mniejszym od wartości UE' + U (U = 0,5+0,7 V dla złącza krzemowego) płynie bardzo mały prąd i tranzystor jest w stanie nieprzewodzenia. Po przekroczeniu tego napięcia złącze emiter-baza pierwsza jest polaryzowane w kierunku przewodzenia i płynie przez nie bardzo duży prąd. Jeżeli rezystancje bazy byłyby stałe, to przy wzroście napięcia zasilania U EE prąd rósłby zgodnie z krzywą 2. Narastanie prądu emitera powoduje wzrost koncentracji nośników w bazie, a tym samym zmniejszenie rezystancji bazy, co z kolei przyczynia się do zwiększenia spadku napięcia na 115

aj b) ej 8 2 E~2Emiter typu P P B 1 r S2 E b + Us, E + U a S8 + Emiter U- Uff typu N ~ + 8 1 Uff rst Rys. 9.2. Tranzystor jednozłączowy: a) polaryzacja; b) symbol graficzny; c) schemat zastępczy [6] U EE, U BB - napięcie polaryzujące; rb1, rb2 - rezystancja obszaru bazy pierwszej i drugiej; U - napięcie na złączu baza-emiter; b - długość bazy; a - długość bazy, dla której jest określana rezystancja rb1; N, P - obszary półprzewodnika 8 1 Rys. 9.3. Charakterystyka tranzystora jednozłączowego [6] Irnax - maksymalny prąd emitera; Iv- prąd doliny; Ip - prąd szczytu i odpowiadające mu napięcie Up; UE,a! - napięcie nasycenia; l - charakterystyka diody; 2 - odcinek charakterystyki dla stałej rezystancji bazy; 3 - odcinek charakterystyki przy zmniejszającej się wartości rezystancji bazy i przy wzroście prądu emitera złączu. Obniżenie potencjału na emiterze wpływa na zwiększenie płynącego prądu (krzywa 3). Napięcie na emiterze potrzebne do przełączenia tranzystora wynosi od 1 do 3 V. Najważniejszymi parametrami tranzystora jednozłączowego są: wewnętrzny współczynnik blokowania; rezystancja międzybazowa (rel + rb2); napięcie nasycenia (napięcie emiter-baza pierwsza, przy maksymalnym prądzie emitera); prąd doliny; prąd szczytu. Tranzystorów jednozłączowych używa się do budowy przerzutników astabilnych, bistabilnych i mono stabilnych. 9.2. Dynistor Dynistor jest to element półprzewodnikowy o strukturze czterowarstwowej typu NPNP (rys. 9.4a). Warstwy te są różnej szerokości i mają różne wielkości koncentracji nośników. Obszar P, nazywamy anodą, a obszar N 2 - katodą. 116

Taką strukturę można traktować jako połączenie dwóch tranzystorów: typu PNP i NPN (rys. 9.4b). Warstwy P, i N 2 będziemy nazywać emiterem, a warstwy NI i P 2 - bazami, złącze środkowe zaś - kolektorem. Charakterystykę prądowo-napięciową dynistora przedstawiono na rys. 9.4c; jest ona taka sama jak charakterystyka złącza PN. Rozróżnia się trzy stany pracy dynistora: 1. Zaporowy. 2. Blokowania. 3. Przewodzenia. aj e) atoda i () N, N++ :::.P';: <::- :"-:':.<:.:. :.p.:"':.:;'. Nt N 'p;;::'::'::..:.jj~f_ l Anoda (A) b) ---- ---- Rys. 9.4. Dynistor: a) struktura; b) reprezentacja tranzystorowa [6]; c) charakterystyka [1] Przebicie o U{BOI UA Naplecie wtaczeaia aj Złacre +1- Zła.cze lła,cze +3- +2- b) Zła,cze +1- A la -+ ~ (IW II( - ej P, Nt zta.cze +1- Nt L-----+.:...j~-il----ł...-J-----' ~ t,-la (1W) Ą Rys. 9.5. Zasada działania dynistora: a) w stanie blokowania; b), c) w stanie przewodzenia r - rekombinacja; g - generacja; al' a2' - współczynniki wzmocnienia prądowego; la - prąd anody; I - prąd katody; cyfry w nawiasach oznaczają ilość nośników (dziur, elektronów) 117

Dynistor jest w stanie zatkania, jeżeli anoda jest polaryzowana ujemnie względem katody. Złącza NlPl i N 2 P 2 są polaryzowane zaporowo, a złącze NlP 2 - w kierunku przewodzenia. Napięcie polaryzacji odkłada się na złączu NIP l' a prąd płynący przez dynistor jest bardzo mały i równy sumie prądów wstecznych złączy NlPl i N 2 P 2. Stan blokowania i przewodzenia uzyskuje się przy polaryzacji anody napięciem dodatnim względem katody. Zasadę działania dynistora w stanie blokowania wyjaśniono na rys. 9.5a, a w stanie przewodzenia - na rys. 9.5b, c. Przełączenie dynistora może nastąpić w wyniku: powielania lawinowego nośników w kolektorze, przy dużym napięciu polaryzującym dynistor; wzrostu prądu generacyjnego pod wpływem temperatury; gwałtownego wzrostu napięcia między anodą i katodą. Wyłączenie dynistora następuje przy znacznym obniżeniu napięcia pomiędzy anodą a katodą. 9.3. Diak Diak jest to dynistor symetryczny, którego struktura i charakterystyka jest przedstawiona na rys. 9.6. Zasadę działania diaka wyjaśnia się na podstawie dwóch struktur czterowarstwowych (P 2 N 2 PlNl i P 1 N 2 P 2 Nl). aj A b) l' N1 P2 N2 p, IV, 1 l Rys. 9.6. Diak: a) struktura; b) charakterystyka [1] 9.4. Tyrystor Tyrystor jest to element półprzewodnikowy o strukturze czterowarstwowej typu NPNp, który ma trzecią końcówkę zwaną bramką. Strukturę oraz charakterystykę prądowo-napięciową tyrystora przedstawiono na rys. 9.7. 118

aj ZłQcze Z/QCH Z~ze 1 2 o Rys. 9.7. Tyrystor: a) polaryzacja; b) charakterystyka [1] Przełączenie tyrystora może nastąpić w wyniku przepływu prądu przez bramkę. Im mniejsze jest napięcie między anodą a katodą, tym większy musi być prąd bramki, aby nastąpiło przełączenie tyrystora. Można go wyłączyć dopiero wówczas, gdy przez bramkę nie będzie płynął prąd i gdy zmniejszymy napięcie między anodą a katodą. Źródła zasilające są tak dobrane, aby polaryzować złącze NzPz dwa razy silniej, w wyniku czego złącze to wstrzykuje więcej nośników, powodując dodatnie sprzężenie zwrotne między złączem NIPI i NzP2' 9.5. Triak Triak jest to tyrystor symetryczny o strukturze i charakterystyce takiej, jak przedstawiono na rys. 9.8. Przełączanie triaka następuje pod wpływem ujemnego prądu bramki. a) A 6 b) t, L 1 --F===--- Rys. 9.8. Triak: a) struktura; b) charakterystyka [1] 119

9.6. Parametry i zastosowanie tyrystorów Najważniejszymi parametrami tyrystorów są: napięcie przełączania, przy zerowym prądzie bramki; prąd trzymania - naj mniej sza wartość prądu płynącego przez tyrystor, przy której nie następuje jego wyłączenie; prąd przełączający bramki - wartość prądu powodującego przełączenie tyrystora, przy określonym napięciu między anodą a katodą; czas włączania; czas wyłączania. Tyrystory stosuje się w: układach zasilania - jako regulatory mocy; automatyce - jako styczniki; innych układach elektrycznych - jako przerywacze prądu stałego, sterowniki prądu przemiennego. Pytania kontrolne 1. Czym charakteryzują się elementy przełączające? 2. Porównaj tranzystor jednozlączowy z tranzystorem bipolarnym. 3. Czym różni się dynistor od diaka, a czym od tyrystora? 4. Jaka jest zasada działania tyrystora? 5. Narysuj i omów przebieg charakterystyki prądowo-napięciowej tyrystora. 6. Wymień parametry tyrystora. 7. Gdzie stosuje się tyrystory?